JPS58208094A - レ−ザ−記録材料 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
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- Read Only Memory (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザー記録材料に関するものである。
従来、レーザービーム等の記録用ビームを記録材料に照
射して照射部分の融解、変形、蒸発写により光学的な変
化を生せしめて記録を行なう方法は知られている。この
ようか配fI&芹法に用いる。ttF録材料としては基
板に低融点の金属、例えばS r、 Te、 Zn、
Pb、 Ca、 Bi、 Sn、 Se、 In、 G
a Sの薄[@を形成してなるg+F録材料が用いられ
ている。
射して照射部分の融解、変形、蒸発写により光学的な変
化を生せしめて記録を行なう方法は知られている。この
ようか配fI&芹法に用いる。ttF録材料としては基
板に低融点の金属、例えばS r、 Te、 Zn、
Pb、 Ca、 Bi、 Sn、 Se、 In、 G
a Sの薄[@を形成してなるg+F録材料が用いられ
ている。
L HsLながら、これら従来のレーザー記録材料は紀
録感闇、記録により形成されるビット形状、呆岸安定性
、及び毒性をすべて満足しうるちのではない。例えばT
’e f用いる場合1ge録感度、ビット形状について
はけ′!−′瀾足かものが得られるが、保存安定性及び
毒性に問題があ番」、又、Snを用いる場合、毒性が低
い利点はあるもO)の他の緒特性が劣るものしか得られ
ない。
録感闇、記録により形成されるビット形状、呆岸安定性
、及び毒性をすべて満足しうるちのではない。例えばT
’e f用いる場合1ge録感度、ビット形状について
はけ′!−′瀾足かものが得られるが、保存安定性及び
毒性に問題があ番」、又、Snを用いる場合、毒性が低
い利点はあるもO)の他の緒特性が劣るものしか得られ
ない。
木発明者は上記の従来の記録材料が有している欠点を解
消するため種々の金部1含金について検討を行なったと
ころ、#Aと銅を共存させることC:より、上記従来技
術における欠点が解消することを弊い出して本発明に到
達したものである。
消するため種々の金部1含金について検討を行なったと
ころ、#Aと銅を共存させることC:より、上記従来技
術における欠点が解消することを弊い出して本発明に到
達したものである。
即ち本発明は基板の表面に金属lI腓−を設けてあり、
1金W**@は1〜AO原子数パーセントの銅を含む錫
−銅合金からなることを#黴とするレーザー記録材料を
その主旨とするものである。
1金W**@は1〜AO原子数パーセントの銅を含む錫
−銅合金からなることを#黴とするレーザー記録材料を
その主旨とするものである。
以下、を発明について詳細に説明する。
甲1図は本発明の−W施例のレーザー記録材料の枦造を
示す模式的な断面図であみ。IH1図中1′7″示すレ
ーザー配録材料は基板2のt面に。
示す模式的な断面図であみ。IH1図中1′7″示すレ
ーザー配録材料は基板2のt面に。
1〜to原子数パーセントの銅を含む錫−一合金ルらな
る金嶽薄l[−3を設けである。
る金嶽薄l[−3を設けである。
上記において基板2としては、従来、レーザー記録材料
の基板と[て用いられているものであればいずれも使用
で傘るが、例を示せば、ガラス、アルミニウム等の金寥
、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル、ポ17アミド、ポIIスチレン、ポリ
メチルメタクリレ−)IIの合fft!を詣等のフィル
ム若しくはシート又は板、或いはガラス繊維の繊布若し
くは不絵布、並びに以上の各材料を適宜に複合してなる
ものを用いることが?−る。基板2として透l3J13
牲の拳のを用いると画は後述するレーザー1録は基板側
力・らも行なえる。
の基板と[て用いられているものであればいずれも使用
で傘るが、例を示せば、ガラス、アルミニウム等の金寥
、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル、ポ17アミド、ポIIスチレン、ポリ
メチルメタクリレ−)IIの合fft!を詣等のフィル
ム若しくはシート又は板、或いはガラス繊維の繊布若し
くは不絵布、並びに以上の各材料を適宜に複合してなる
ものを用いることが?−る。基板2として透l3J13
牲の拳のを用いると画は後述するレーザー1録は基板側
力・らも行なえる。
錫−銅合金からなる金属薄Wl@を設けたレーザー記録
材料の感度及び記録時l:形成さiるビットの形状が、
錫単独若しくは銅単独の金j:薄φ等を設けたレーザー
記録材料の感度及びビット形状にくらべて良好である理
白は必ずしも明らかではないが、8−m合金の共晶点は
錫及び銅のそれぞれの融点よりも低く、父、銅の沿体壮
態における表面張力が、錫の566 X 1 (1−5
IQ/m +: <らべj35X1D−3N/mと低(
、y3sツ。
材料の感度及び記録時l:形成さiるビットの形状が、
錫単独若しくは銅単独の金j:薄φ等を設けたレーザー
記録材料の感度及びビット形状にくらべて良好である理
白は必ずしも明らかではないが、8−m合金の共晶点は
錫及び銅のそれぞれの融点よりも低く、父、銅の沿体壮
態における表面張力が、錫の566 X 1 (1−5
IQ/m +: <らべj35X1D−3N/mと低(
、y3sツ。
この表面張力の値は金1の中でも比較的小さし)ことp
lら、レーザービームの照射を受けた錫−銅合金D1ら
たる金am醗層は溶融しやすく、かつ、溶融時に流動し
やすいために、熱射部分の錫−銅合金が容易に排除され
るためと考えられる。
lら、レーザービームの照射を受けた錫−銅合金D1ら
たる金am醗層は溶融しやすく、かつ、溶融時に流動し
やすいために、熱射部分の錫−銅合金が容易に排除され
るためと考えられる。
次に上記した企li薄膜113に−いて説明すると、該
合W1薄膜−は1〜40原子数パーセントの銅を含む錫
−銅合金からなるものである。この好ましい範囲につい
て説明すると銅の含有量が1原子数パーセントより少な
いと良はひび割れが発注する等のビット形状の不良があ
り、記録に要する二木ルギーL良い値も好ましい範囲に
比して約1.5倍秤度と高く、又、AO原子数パーセン
トを越えるととは記録感度が低下し。
合W1薄膜−は1〜40原子数パーセントの銅を含む錫
−銅合金からなるものである。この好ましい範囲につい
て説明すると銅の含有量が1原子数パーセントより少な
いと良はひび割れが発注する等のビット形状の不良があ
り、記録に要する二木ルギーL良い値も好ましい範囲に
比して約1.5倍秤度と高く、又、AO原子数パーセン
トを越えるととは記録感度が低下し。
即ち記録に要するエネルギーLlい値が、好ましい範囲
g:比して1′2倍以上となる上、形成されたビット形
状はその周辺が不均一な拡がりを伴ない、好ましくかい
ものである。なお、銅頗独のものではe録エネルギーを
好ましい範囲の4倍程肋に上げても記録は達成さfない
。上ヨeに2いて銅の含有量を5〜20原子数パーセン
トとすると、更に一一好ましい。
g:比して1′2倍以上となる上、形成されたビット形
状はその周辺が不均一な拡がりを伴ない、好ましくかい
ものである。なお、銅頗独のものではe録エネルギーを
好ましい範囲の4倍程肋に上げても記録は達成さfない
。上ヨeに2いて銅の含有量を5〜20原子数パーセン
トとすると、更に一一好ましい。
以上のような旺分υ)らなる金1薄−1i1乙の厚みは
100〜5000Å、好ましくは200〜800大であ
る。金属′llW@5の厚みが100久以下では再生光
の反射率が小さく、光学的読み収りが困難であり、5o
ooiを越えると記録感度が低下して好ましくない。
100〜5000Å、好ましくは200〜800大であ
る。金属′llW@5の厚みが100久以下では再生光
の反射率が小さく、光学的読み収りが困難であり、5o
ooiを越えると記録感度が低下して好ましくない。
上記金Wll!I!Illを基板2の表面に設ける方法
について次に述べると、公知の蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング、若しくはプラズマ蒸着等の方法
を利用し得る。−例として蒸着によって金*yam−を
形醪する方法t:ついて述べると1例えば蛙、と銅を別
個のアルミナ製るつぼ2:入れて蒸着装置内【ニ七゛ソ
トし、加熱の程度を制御することに:より1両者の金属
の蒸着の割合を制御するか、或いは蒸着の時間を制御す
ることにより蒸着の割合を制御する等の二元蒸着法によ
り蒸t′する刀)、父は所定の組成の合金を予め作テし
てお画、スパッタリングC:よって行なう編の方法が例
示でまる。
について次に述べると、公知の蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング、若しくはプラズマ蒸着等の方法
を利用し得る。−例として蒸着によって金*yam−を
形醪する方法t:ついて述べると1例えば蛙、と銅を別
個のアルミナ製るつぼ2:入れて蒸着装置内【ニ七゛ソ
トし、加熱の程度を制御することに:より1両者の金属
の蒸着の割合を制御するか、或いは蒸着の時間を制御す
ることにより蒸着の割合を制御する等の二元蒸着法によ
り蒸t′する刀)、父は所定の組成の合金を予め作テし
てお画、スパッタリングC:よって行なう編の方法が例
示でまる。
を発明のレーザー記録材料は基本的には以上の構成から
成るが、更C:、表面保護−として、本発明のレーぜ一
記録材料の錫−銅合金1M膜上にSiO4’ MsFな
どを蒸@するか、又はアクリル樹脂、ポリエステル樹脂
、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチラ
ール樹脂などのビニル系樹脂、垣化ゴムなどのゴム類、
アクリル系紫外線硬化1脂、エポキシ系紫外線硬化給脂
などを塗布することにより設けてもよい。
成るが、更C:、表面保護−として、本発明のレーぜ一
記録材料の錫−銅合金1M膜上にSiO4’ MsFな
どを蒸@するか、又はアクリル樹脂、ポリエステル樹脂
、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチラ
ール樹脂などのビニル系樹脂、垣化ゴムなどのゴム類、
アクリル系紫外線硬化1脂、エポキシ系紫外線硬化給脂
などを塗布することにより設けてもよい。
或いは父、ブうイマー曝としてアクリル樹脂を基材表面
に設けてもよい。更に、反射防止膜としてInかどの金
1や金l!酸化物艶を劃−銅合金葺W−上に設けるなど
してもよい。
に設けてもよい。更に、反射防止膜としてInかどの金
1や金l!酸化物艶を劃−銅合金葺W−上に設けるなど
してもよい。
以上の本発明のレーザー1e録材料は記録感度が善く、
ビ・ソト形状も満足し得るものであり。
ビ・ソト形状も満足し得るものであり。
保存安定性、毒性に関してもすぐれている。
次に本発明をより具体的に示すための実施例を掲げる。
実施例1
基板として厚みi、 s sm oポリメチルメタクリ
レート板を洗浄し脱脂を行なった。次に真空蒸着装置を
用い、真空度10”−’ Torr O>条件で1粉末
と銅粉末を別々のアルミするつぼに入れて同特に加熱し
、二元蒸着法により各るつぼの加熱温度を側副し、銅の
含有駆が10原子数パーセントとなるよう蒸着を行ない
、@犀が、aooX′になるようにして前記の基板の着
面に金属薄膜−を形成した。
レート板を洗浄し脱脂を行なった。次に真空蒸着装置を
用い、真空度10”−’ Torr O>条件で1粉末
と銅粉末を別々のアルミするつぼに入れて同特に加熱し
、二元蒸着法により各るつぼの加熱温度を側副し、銅の
含有駆が10原子数パーセントとなるよう蒸着を行ない
、@犀が、aooX′になるようにして前記の基板の着
面に金属薄膜−を形成した。
次にり上のようにして作6した記録材料の金属薄@−に
波長6328AのHe−NeLz−ザーをNl−、(開
口数) = 0. j 5のレンズで集光し、金1薄膜
1表面弔のレーサー光の強度が7mwになるよう、又、
走青速度300μWL/秒の条件で照射しタトころ、直
径3μmのビットが形成されていることが顕微f#、観
察によ−て確力・められた。
波長6328AのHe−NeLz−ザーをNl−、(開
口数) = 0. j 5のレンズで集光し、金1薄膜
1表面弔のレーサー光の強度が7mwになるよう、又、
走青速度300μWL/秒の条件で照射しタトころ、直
径3μmのビットが形成されていることが顕微f#、観
察によ−て確力・められた。
此較のため、蒸着源として錫のみを用い、他は*買施伊
1と全く回じに作成した記録材料を同様に記録用に用い
たところ、記録C二必要なレーザー光の強度のしきい値
は1[1mw以上であり。
1と全く回じに作成した記録材料を同様に記録用に用い
たところ、記録C二必要なレーザー光の強度のしきい値
は1[1mw以上であり。
又、形成されたピットの周辺部はひび割れが生じていた
。
。
朝1図はL発叩のレーザー記録材料の拵造を示′を模式
的な断面図である。 1・・・・・・・・・・・・レーザー記録材料2・・・
・・・・・・・・・基 板
的な断面図である。 1・・・・・・・・・・・・レーザー記録材料2・・・
・・・・・・・・・基 板
Claims (1)
- (1)基板の表面に金属薄$1@を役けてあり、該金属
薄#場は1〜40即子数パーセントの銅を含む錫−銅合
金D)らなることを特徴とするレーザー記録材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57090666A JPS58208094A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | レ−ザ−記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57090666A JPS58208094A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | レ−ザ−記録材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58208094A true JPS58208094A (ja) | 1983-12-03 |
Family
ID=14004855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57090666A Pending JPS58208094A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | レ−ザ−記録材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58208094A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51118427A (en) * | 1975-04-10 | 1976-10-18 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Energy-ray recording media |
JPS553971A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Thermal recording material |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57090666A patent/JPS58208094A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51118427A (en) * | 1975-04-10 | 1976-10-18 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Energy-ray recording media |
JPS553971A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Thermal recording material |
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