JPS63155443A - 光学的記録用媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、高密度・高速ファイルが可能な光学的記録用
媒体に関する。詳しくは、基板上に形成し念記録用薄膜
にレーザービームを照射して発生した熱により、該薄膜
が蒸発あるいは溶融除去されることを利用した光学的記
録用媒体に関するものである。

（従来の技術） 基板上に形成されな薄膜にレーザービームを照射して穴
（ピット）を形成するようにした光学的記録用媒体とし
て、従来より、Ｔｅ、　Ｂｉ　Ｊどの金属薄膜が利用さ
れている。さらに、経時安定性を増すためにＴｅ、Ｓｓ
などからなるＴｅ系合金薄膜や、これらの金属を含有す
るプラズマ重合膜が利用されている。これらの材料は低
融点であるため記録に要するレーザー光のバク−が小さ
く記録感度の点で有利である。

一方、これらの記録媒体に用いる基板としては、プラス
チック、ガラス、金属あるいは、これらめ基板上に光硬
化性樹脂を塗布したものが挙げられる。

上記基板と薄膜記録媒体とからなる系においてレーザー
光による薄膜の穿孔には、レーザー加熱によって溶融し
た膜物質が基板との付着力にうちかつて分離することが
必要である。このような目的のために記録層と基板との
間にフルオロカーボン薄膜からなる下引き層を設けるこ
とが検討されている（特開昭ｊ９−９０２４ｔｇ号公報
）。基板と膜物質との間の付着力を決める要因は、基板
表面及び記録層物質の表面張力や、基板表面層の分子量
、架橋度等であるが、該付着力が小さければより小さな
レーザー光パワーで短時間にピットを形成することがで
きる。これは記録感度の向上を意味し、高速処理のファ
イル記録、及び安価な低出力半導体レーザーの使用が可
能となる。さらに高品質の記録を行うためには形成され
たピット形状が明確な輪郭を有し、かつ、一様であるこ
とが要求される。

上記要求を満たすものとして、本発明者らは既に、基板
と記録層との間にフルオロカーボンの下引き層を設け、
かつ、該下引き層の記録層に接する側の表面から／　Ｏ
ｎｍ　以内の層の炭素とフッ素の原子数比をＥＳＣ：！
Ａ　（軟Ｘ線励起光電子分光）法による測定値として、
炭素／に対してフッ素７．４を以上とする光学的記録用
媒体を見い出し念。（特願昭乙０−２９．！”／９７　
）（発明が解決しようとする問題点） 上記下引き層をＴｅを含む薄膜からなる記録媒体に適用
した場合、高感度及び高品質の記録・再生が可能である
が、記録層と下引き層の間の付着力が弱いために、レー
ザー光照射によって溶融、除去される物質の量が多く、
形成可能な最小ピットサイズに限度があり記憶密度を向
上させる上での障害が現われた。

一方、表面のフッ素と炭素の原子数比が炭素／に対して
、フッ素へｙ未満であるような下引き層においては、ピ
ント内に記録層物質の残留物が残存し、ピット形状が不
規則なものになる欠点がある。しかしながら、下引き層
と記録層との間の付着力が大きいため、ビットサイズは
小さくすることが可能であり、高密度記録を行う上で有
利である。

高密度、高感度かつ高品質の記録再生を行うためには、
下引き層と記録層との間の付着力に対して、上述のよう
に一見矛盾する特性が要求される。

（問題点を解決するための手段） 本発明者らは、フルオロカーボン薄膜に第３の元素を添
加することにより、十分な付着力を有しながら、一方で
、高感度でかつ良好なピット形状が得られる下引き層を
祠、本発明に到達した。

すなわち本発明の要旨は、基板上にクロロフルオロカー
ボン膜からなる下引層を設け、該下引層上に、Ｔｅを含
む薄膜からなる穴あけタイプの記録層を配置した光学的
記録用媒体において、上記下引層の記録層に接する側の
表面の炭素とフッ素の原子数比が炭素／に対してフッ素
／、り未満であり、かつ、塩素を！〜／タ原子チ含むこ
とを特徴とする光学的記録用媒体に存する。

上記組成を有するクロロフルオロカーボン薄膜は、例え
ば、ポリクロロトリフルオロエチレンのスパッタ、フロ
ン／　／　ｊ　（０ＣＩ２Ｆ−ＱＣＩＦ２）などのクロ
ロフルオロカーボンガストＡｒガスとの混合ガス中での
ポリテトラフルオロエチレンの反応性スパッタ、あるい
は、ポリテトラフルオロエチレンのスパッタ膜表面のク
ロロフルオロカーボンプラズマ処理によって得られる。

さらに、クロロフルオロカーボンガスをモノマーとして
プラズマ重合することによっても得ることができる。膜
厚は通常２０〜１００θ＾程度とされる。

上記塩素を含有するフルオロカーボン薄膜は塩素原子が
フッ素原子と同じく炭素原子の結合手をターミネイトす
るため、炭素原子の架橋が阻害されて架橋度の低い構造
となっており、従って記録層物質が溶融・除去される際
の抵抗が少なくなるものと考えられる。一方で、塩素原
子はフッ素原子とは逆に高分子の表面張力を犬きくする
効果があるため、付着力自体はかなり大きくなる。実際
Ｔｅ系記録層と本発明における下引き層との間の付着力
を簡便な引きはがし法によって測定したところ、フッ素
と炭素の原子数比が同一の場合には、塩素原子を含む方
が数倍付着力が大きいことが確認された。塩素を／夕原
子チよシ多く含む場合には、付着力はかえって減少する
。本発明の場合の下引層は記録層と接する面の組成が上
述の組成とされていれば足り、下引層全体の組成を上記
の組成としなくても良い。

（実施例） 以下、実施例をもって、光学的情報記録媒体としての記
録再生特性における改善効果について詳しく述べる。

実施例／ 円板状のポリカーボネート樹脂基板（／３０ｒｒｍ’ｌ
ｒ、厚さ７．２＋ＩＩＩ＋）上に、ポリクロロトリフル
オロエチレンをターゲットとして、　Ａｒガス圧／Ｘ／
θ−２Ｔｅｒｒ放電パワー１０θＷにてスパッタを行い
、膜厚約／！０Ｘの下引き層を形成した。この下引き層
の表面の組成１ＫｓｃＡ法によって測定したところ、炭
素とフッ素の原子数比は７対／、／であり、塩素を７２
原子チ含んでいた。

該下引き層上に、記録層としてＴｅをＡｒとＳｅＦ６混
合ガス中でスパッタし、ａｏｏＸのＴｅ　−ＳｅＦ６系
媒体（Ｓｅ／ｊａｔ％、Ｆ１０ａｔ％、残部Ｔｅ）を形
成した。上記の光学的記録用媒体に対し、以下のような
条件で記録・再生特性の評価を行った。

円板状基板は７ｒ００ｒｐｍで回転させ、回転軸からの
半径的３０ｗＩのトランクに対し、波長♂３０皿のＧａ
Ａｓ半導体レーザーで記録、再生を行った。記録は／、
ＯＭＨｚ、デユーティ−＋０チのパルス光にて行った。

Ｃ／Ｎ比（Ｃａｒｒｉｅｒ　ｔｏ　ｎｏｉｓｅ　ｒａｔ
ｉｏ　）の記鐸パワー依存性を第１図（ａｌに示す。Ｃ
ハ比は５　ｊ　ｄＢ以上で、記録パワーの広い範囲にわ
たって、安定な特性を示す。また、８１Ｍ観察を行った
ところ、ピット内残留物はほとんど見られなかった。

比 ／較例／ 第７図中、ｆｂ）、（ｃｌは、それぞれ炭素とフッ素の
原子数比が７対／ｊ及び／対／、コ！であるポリテトラ
フルオロエチレンのスパッタ膜上に実施例／と同様の記
録層を形成した場合のＣ／Ｎ比の記録パワー依存性を示
す。また、同図中（ｄ）は下引き層なしで、ポリカーボ
ネート樹脂基板上に直接・記録層を形成した場合である
。さらに、同図中＋８３は、Ａｒとフロン／／３との混
合ガス中でポリクロロトリフルオロエチレンの反応性ス
パッタを行い、炭素とフッ素の原子数が／対Ｑ、！！で
塩素を／９原子チ含む膜を形成し、下引き層とした場合
である。

炭素とフッ素の原子数比が高い（１））の場合、塩素含
有量が多過ぎる（句の場・合には、記録パワーの増加に
伴い急激にＣ／Ｎが低下する。これは、８１Ｍ観察の結
果、記録パワーの増加に伴い、ピットサイズが急激に大
きくなってしまうためであることがわかつ次。一方、ｔ
ｅｌや（ｄ）の場合にはピントサイズは安定であるが、
ピント内残留物が多く、ピットの輪郭にも乱れが多いた
めに、全体として低いＣ／Ｎ比しか祠られなかった。

（発明の効果） 本発明によれば、高感度であると同時に、高密度で高品
質な記録・再生が可能な光学的記録用媒体が実現できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例及び比較例における記録媒体のＣ／Ｎ
比の記録パワー依存性を示す。 図中（ａ）は実施例、＋１）ｌ〜（ｅ）は比較例に関す
るものである。 出　願　人　　三菱化成主業株式会社 代　理　人　　弁理士　要否用　　− （ほか７名）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上にクロロフルオロカーボン膜からなる下引
   き層を設け該下引き層上に、Ｔｅを含む薄膜からなる穴
   あけタイプの記録層を配置した光学的記録用媒体におい
   て、上記下引き層の記録層に接する側の表面の炭素とフ
   ッ素の原子数比が炭素１に対してフッ素１．４未満であ
   り、かつ、塩素を５〜１５原子％含むことを特徴とする
   光学的記録用媒体。
2. （２）上記穴あけタイプの記録層が、Ｔｅを含む金属を
   ターゲット材としてフッ化セレンガスとＡｒガスとの混
   合ガス中において反応性スパッタリングすることにより
   形成した、Ｔｅ及びＳｅを含む堆積膜であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の光学的記録用媒体。