JPS62252543A - 光学的記録用媒体 - Google Patents
光学的記録用媒体Info
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- JPS62252543A JPS62252543A JP61095264A JP9526486A JPS62252543A JP S62252543 A JPS62252543 A JP S62252543A JP 61095264 A JP61095264 A JP 61095264A JP 9526486 A JP9526486 A JP 9526486A JP S62252543 A JPS62252543 A JP S62252543A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学的記録用媒体に存する。詳しくは、レーザ
ービームを照射して局部的に加熱し、その加熱部に穴も
しくは凹部な形成することによって記録する光学的記録
用媒体に関するものである。
ービームを照射して局部的に加熱し、その加熱部に穴も
しくは凹部な形成することによって記録する光学的記録
用媒体に関するものである。
〔従来の技術］
基板上に形成された薄膜にレーザービームを照射して、
孔を形成するようにした光学的記録媒体として、従来よ
ｌ） Ｔｅを使用することが知られている。’ｒｅは低
融点、低熱伝導度を有するために上記方法による記録に
おいて高い感度を示す。しかしＴｅは酸化され易く酸化
されると透明になシ記録できなくなるという問題がある
。
孔を形成するようにした光学的記録媒体として、従来よ
ｌ） Ｔｅを使用することが知られている。’ｒｅは低
融点、低熱伝導度を有するために上記方法による記録に
おいて高い感度を示す。しかしＴｅは酸化され易く酸化
されると透明になシ記録できなくなるという問題がある
。
上記問題点を改良したものとして、Ｔｅを合金化したも
のＴｅの低酸化物、’ｒｅを有機薄膜中に分散させたも
の等がある。（例えば特開昭ｔ ｊ −３／１０ダ公報
、特開！♂−ｊ４ｔＪ３♂公報、特開昭！７−２／３９
Ｚ公報）。
のＴｅの低酸化物、’ｒｅを有機薄膜中に分散させたも
の等がある。（例えば特開昭ｔ ｊ −３／１０ダ公報
、特開！♂−ｊ４ｔＪ３♂公報、特開昭！７−２／３９
Ｚ公報）。
本発明者らは、特に、Ｔｅ −Ｂｅ合金系記録媒体を、
Ｔｅ−８ｅ合金をターゲットとしＡｒガスを用いてスパ
ッタリングすることによシ堆積せしめ、その特性につい
て検討した結果これらの媒体には、膜全面に数千Ｘから
７μｍの径を有する結晶粒が存在することを発見し、こ
れが、信号再生時のノイズの一因となり、Ｃ２ハ比（Ｃ
ａｒｒｉｅｒ ｔｏ ｎｏｉＳｅ ｒａｔｉｏ ）を低
下させる事実を確認した。
Ｔｅ−８ｅ合金をターゲットとしＡｒガスを用いてスパ
ッタリングすることによシ堆積せしめ、その特性につい
て検討した結果これらの媒体には、膜全面に数千Ｘから
７μｍの径を有する結晶粒が存在することを発見し、こ
れが、信号再生時のノイズの一因となり、Ｃ２ハ比（Ｃ
ａｒｒｉｅｒ ｔｏ ｎｏｉＳｅ ｒａｔｉｏ ）を低
下させる事実を確認した。
本発明者らは、この様な結果をふまえて更に種々検討し
た結果Ａｒガスに、Ｂｅ１６等のフッ化セレンガスを混
入してターゲット？スパッタする事によシ、非晶質構造
を有し、従って結晶粒及び結晶粒界が存在しないため、
感度、ピット形状共に良好で、しかも、経時安定性に優
れた光学的記録用媒体が得られる事を見込出し、本発明
を完成した。
た結果Ａｒガスに、Ｂｅ１６等のフッ化セレンガスを混
入してターゲット？スパッタする事によシ、非晶質構造
を有し、従って結晶粒及び結晶粒界が存在しないため、
感度、ピット形状共に良好で、しかも、経時安定性に優
れた光学的記録用媒体が得られる事を見込出し、本発明
を完成した。
一方、記録感度及びピット形状の改善のためには、基板
と記録媒体との間に下引き層を設けることも有効である
。下引き層材料としては、Ｃ８２、フッ化炭素ガス等各
種モノマーのプラズマ重合膜（特開Ｊ−７−／／７／３
９、！９−９θ２９≦公報）ポリテトラフルオロエチレ
ン’ｆＢ 脂等ｔＤ ｙ。
と記録媒体との間に下引き層を設けることも有効である
。下引き層材料としては、Ｃ８２、フッ化炭素ガス等各
種モノマーのプラズマ重合膜（特開Ｊ−７−／／７／３
９、！９−９θ２９≦公報）ポリテトラフルオロエチレ
ン’ｆＢ 脂等ｔＤ ｙ。
バッタ膜（特開！ター９０２’１１．．！♂−！θ、ｌ
’９を公報）等がある。本発明者らは、特にフルオロカ
ーボンの重合膜またはスパッタ膜に注目し７、該フルオ
ロカーボン薄膜の改善及び上記Ｔｅ及びＳｅを含むスパ
ッタ膜からなる、記録媒体との組合せについて、鋭意検
討した結果、Ｔｅ又はＴｅを含む合金をターゲット材と
して、特に、フッ化セレンガスとＡｒガスとの混合ガス
中において、反応性スパッタリングを行い、フルオロカ
ーボン薄膜層を被着した基板上に、Ｔｅ及びＳｓを含む
スパッタ膜を形成することにより、経時安定性に優れ、
高Ｃ７Ｎ比（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔ。
’９を公報）等がある。本発明者らは、特にフルオロカ
ーボンの重合膜またはスパッタ膜に注目し７、該フルオ
ロカーボン薄膜の改善及び上記Ｔｅ及びＳｅを含むスパ
ッタ膜からなる、記録媒体との組合せについて、鋭意検
討した結果、Ｔｅ又はＴｅを含む合金をターゲット材と
して、特に、フッ化セレンガスとＡｒガスとの混合ガス
中において、反応性スパッタリングを行い、フルオロカ
ーボン薄膜層を被着した基板上に、Ｔｅ及びＳｓを含む
スパッタ膜を形成することにより、経時安定性に優れ、
高Ｃ７Ｎ比（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔ。
ｎｏｉＳｅ ｒａｔｉｏ ） 、高感度を有する光学的
記録媒体が得られることを見い出しだ。
記録媒体が得られることを見い出しだ。
以下図面を参照して、本発明の詳細な説明する。第１図
は、本発明の光学的記録用媒体の具体的構造の一例を示
す模式図であって、（１）は基板、（２）は基板（１）
上に配置したフルオロカーボンのプラズマ重合膜あるー
はポリフルオロカーボンのバッタ膜、（３）は膜（２）
上に反応性スパッタリングにより形成したＴｏ及びＳｅ
を含む記録層（４）はトラックサーボ用の溝である。第
１図の例では、基板（１）は射出成形等によってトラッ
クサーボ用の案内溝を設けたポリメチルメタクリレート
樹脂や、ポリカーボネ−１・樹脂が用込られる。
は、本発明の光学的記録用媒体の具体的構造の一例を示
す模式図であって、（１）は基板、（２）は基板（１）
上に配置したフルオロカーボンのプラズマ重合膜あるー
はポリフルオロカーボンのバッタ膜、（３）は膜（２）
上に反応性スパッタリングにより形成したＴｏ及びＳｅ
を含む記録層（４）はトラックサーボ用の溝である。第
１図の例では、基板（１）は射出成形等によってトラッ
クサーボ用の案内溝を設けたポリメチルメタクリレート
樹脂や、ポリカーボネ−１・樹脂が用込られる。
基板（１）上にフルオロカーボンのプラズマ重合膜、す
るじは、ポリフルオロカーホンノスパッタ膜（２）を形
成するにあたり、フルオロカーポントシテハ、ＯＦ、
、 Ｃ，、Ｆ、などのパーフルオロアルカン、ＯＦ’３
０ＦＯＦ２などのパーフルオロアルケン又ハ、パーフル
オロヘキサン、パーフルオロベンゼン等、常温で気体、
ある因は液体であっても蒸気圧が十分高く、真空容器に
該フルオロカーボンの蒸気を／θ−３Ｔｏｒｒ以上満た
し、グロー放電が可能となるもので、フッ素の置換度が
高いものが望ましい。これらフッ化炭素をモノマーとし
て容量式あるいは誘導式放電を用いることによシプラズ
マ重合膜を形成する。ポリフルオロカーボンとしては、
ポリテトラフルオロエチレン樹脂、テトラフルオロエチ
レン−ヘキサフルオロプロピレン共重合樹脂、テトラフ
ルオロエチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重
合樹脂などを周込、これらをターゲットとして、Ａｒな
どの不活性ガス、あるいは、不活性ガスと前記モノマー
の混合ガスでスパッタすることにより、スパッタ膜を形
成する。このプラズマ重合膜またはスパッタ膜の膜厚は
、２０〜さらに、上記フルオロカーボン下引き層（２）
の上に、Ｔｅ及びＳｅを含む記録層（３）を反応性スバ
ツメリング法によって、ｊＯＡ〜／μｍ程度、好ましく
は、＝００〜１０００Ａ程度の厚さに堆積する。この反
応性スパッタリング法に用いるターゲット材としては、
Ｔｅあるいは、Ｔｏを母材としてＳｅ、 Ｐｂ、 Ｂｉ
、 Ｓｂ、 Ｓｎ、 Ｇｅ、 Ａｓ 等を含む合金が挙
げられる。一方Ａｊガスに混合すベフツ化セレンガスの
比率は／〜よ０％（体積比）の範囲に選ばれる。Ｔｅ及
びＳｅを含む堆積膜からなる記録層３におけるＳｅの含
有率（この日ｅはフッ化セレンガスに由来するもの及び
Ｔｅ −Ｂｅ合金を用いた場合の該合金に由来するもの
を含む）は原子比（ａｔｏｍｉｃ％）で！〜２！チで選
ばれる。これは膜中のＳｅ含有量が原子比でタチ未満で
あると、経時安定性が悪化し、２！チ以上であると、感
度、ビット形状が悪化するためである。他の第３成分等
を含む場合、その量は通常、Ｔｅに対し、原子比で７〜
２０％程度が好適に用いられる。
るじは、ポリフルオロカーホンノスパッタ膜（２）を形
成するにあたり、フルオロカーポントシテハ、ＯＦ、
、 Ｃ，、Ｆ、などのパーフルオロアルカン、ＯＦ’３
０ＦＯＦ２などのパーフルオロアルケン又ハ、パーフル
オロヘキサン、パーフルオロベンゼン等、常温で気体、
ある因は液体であっても蒸気圧が十分高く、真空容器に
該フルオロカーボンの蒸気を／θ−３Ｔｏｒｒ以上満た
し、グロー放電が可能となるもので、フッ素の置換度が
高いものが望ましい。これらフッ化炭素をモノマーとし
て容量式あるいは誘導式放電を用いることによシプラズ
マ重合膜を形成する。ポリフルオロカーボンとしては、
ポリテトラフルオロエチレン樹脂、テトラフルオロエチ
レン−ヘキサフルオロプロピレン共重合樹脂、テトラフ
ルオロエチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重
合樹脂などを周込、これらをターゲットとして、Ａｒな
どの不活性ガス、あるいは、不活性ガスと前記モノマー
の混合ガスでスパッタすることにより、スパッタ膜を形
成する。このプラズマ重合膜またはスパッタ膜の膜厚は
、２０〜さらに、上記フルオロカーボン下引き層（２）
の上に、Ｔｅ及びＳｅを含む記録層（３）を反応性スバ
ツメリング法によって、ｊＯＡ〜／μｍ程度、好ましく
は、＝００〜１０００Ａ程度の厚さに堆積する。この反
応性スパッタリング法に用いるターゲット材としては、
Ｔｅあるいは、Ｔｏを母材としてＳｅ、 Ｐｂ、 Ｂｉ
、 Ｓｂ、 Ｓｎ、 Ｇｅ、 Ａｓ 等を含む合金が挙
げられる。一方Ａｊガスに混合すベフツ化セレンガスの
比率は／〜よ０％（体積比）の範囲に選ばれる。Ｔｅ及
びＳｅを含む堆積膜からなる記録層３におけるＳｅの含
有率（この日ｅはフッ化セレンガスに由来するもの及び
Ｔｅ −Ｂｅ合金を用いた場合の該合金に由来するもの
を含む）は原子比（ａｔｏｍｉｃ％）で！〜２！チで選
ばれる。これは膜中のＳｅ含有量が原子比でタチ未満で
あると、経時安定性が悪化し、２！チ以上であると、感
度、ビット形状が悪化するためである。他の第３成分等
を含む場合、その量は通常、Ｔｅに対し、原子比で７〜
２０％程度が好適に用いられる。
以上のような構成を有する本発明光学的記録媒体は、フ
ッ化セレンガスに由来するＳｅを、含むために、記録層
が非晶質構造となり、感度、ビット形状に優れたものと
なる。またＳｅの働きとして記録層の経時安定性が極め
て良く、温度７０ ’Ｃ１相対湿度？！チの加速試験を
３θ日間行った後でも、その反射率は全く変化しないと
云う効果もある。更に上記のような下引き層を用いるこ
とによシ、特に、形状が均一で明確なリムを有するビッ
トが形成され、従って高６／Ｎ比が達成され、かつ、高
感度な記録媒体を得ることができる。
ッ化セレンガスに由来するＳｅを、含むために、記録層
が非晶質構造となり、感度、ビット形状に優れたものと
なる。またＳｅの働きとして記録層の経時安定性が極め
て良く、温度７０ ’Ｃ１相対湿度？！チの加速試験を
３θ日間行った後でも、その反射率は全く変化しないと
云う効果もある。更に上記のような下引き層を用いるこ
とによシ、特に、形状が均一で明確なリムを有するビッ
トが形成され、従って高６／Ｎ比が達成され、かつ、高
感度な記録媒体を得ることができる。
第２図は、本発明に係る光学的記録媒体の製造のための
装置の一例である。図中（１）は真空容器、（２）はポ
リテトラフルオロエチレン樹脂ｐ−ゲット、（３）はＴ
ｅ又はＴｅを含む合金ターゲット、（４）は基板（５）
を設置した対向電極、（６）はガス導入口、（７）はシ
ャッター、（８）は排気口、（９）はＲＦ電源、ＱＯ）
は切り換えスイッチである。電極（４）は移動可能であ
って、ポリテトラフルオロエチレン樹脂ターゲット（２
）の直上に配置してフルオロカーボンのスパッタ膜から
なる下引き層を被着したのち、真空を破ることなくター
ゲット（３）の直上に移動せしめ、ひき続き記録層の形
成を行うことができる。第２図に示した装置の場合、ガ
ス導入口（６）よりＡｒガスを導入してターゲット（２
）と電極（４）の間で高周波グロー放電を生じせしめて
、フルオロカーボンのスパッタ膜を基板（５）上に形成
し、ひき続きガス導入口よｊ５ ａｒとフッ化セレンの
混合ガスを導入してＴｅ又はＴｅを含む合金ターゲット
（３）と電極（４）の間でやはシ高周波グロー放電を生
せしめて、反応性スパッタリングを行い、Ｔｅ及びＳｅ
を含む堆積膜からなる記録層を形成する。記録層中のＳ
ｅ含有量は、ターゲットにＴｅ及びＳｅを含む合金を使
用する場合には、ターゲット中のＳｅ含有量によっても
制御できるが、特に、フッ化セレンのグロー放電プラズ
マ中での分解によ）、気相中よシ膜中に混入するＢＢの
量については、フッ化セレンガスとＡｒガスの混合比ま
たは、放電条件（放電電力、全圧力等）によっても制御
可能であシ、この場合、Ｓｅ含有量を幅広く、かつ、連
続的に制御することができ、記録層薄膜中の深さ方向で
の組成に望みの分布を与えることも可能である。
装置の一例である。図中（１）は真空容器、（２）はポ
リテトラフルオロエチレン樹脂ｐ−ゲット、（３）はＴ
ｅ又はＴｅを含む合金ターゲット、（４）は基板（５）
を設置した対向電極、（６）はガス導入口、（７）はシ
ャッター、（８）は排気口、（９）はＲＦ電源、ＱＯ）
は切り換えスイッチである。電極（４）は移動可能であ
って、ポリテトラフルオロエチレン樹脂ターゲット（２
）の直上に配置してフルオロカーボンのスパッタ膜から
なる下引き層を被着したのち、真空を破ることなくター
ゲット（３）の直上に移動せしめ、ひき続き記録層の形
成を行うことができる。第２図に示した装置の場合、ガ
ス導入口（６）よりＡｒガスを導入してターゲット（２
）と電極（４）の間で高周波グロー放電を生じせしめて
、フルオロカーボンのスパッタ膜を基板（５）上に形成
し、ひき続きガス導入口よｊ５ ａｒとフッ化セレンの
混合ガスを導入してＴｅ又はＴｅを含む合金ターゲット
（３）と電極（４）の間でやはシ高周波グロー放電を生
せしめて、反応性スパッタリングを行い、Ｔｅ及びＳｅ
を含む堆積膜からなる記録層を形成する。記録層中のＳ
ｅ含有量は、ターゲットにＴｅ及びＳｅを含む合金を使
用する場合には、ターゲット中のＳｅ含有量によっても
制御できるが、特に、フッ化セレンのグロー放電プラズ
マ中での分解によ）、気相中よシ膜中に混入するＢＢの
量については、フッ化セレンガスとＡｒガスの混合比ま
たは、放電条件（放電電力、全圧力等）によっても制御
可能であシ、この場合、Ｓｅ含有量を幅広く、かつ、連
続的に制御することができ、記録層薄膜中の深さ方向で
の組成に望みの分布を与えることも可能である。
以下実施例によシ、本発明を更に詳しく説明する。
真空容器をｊ Ｘ ／ ０−’ Ｔｏｒｒまで排気した
後、Ａｒガスを／ Ｘ １０” Ｔｏｒｒまで導入し、
／３．ｊｌ。
後、Ａｒガスを／ Ｘ １０” Ｔｏｒｒまで導入し、
／３．ｊｌ。
ＭＨｚの高周波電力１００Ｗでグロー放電を生ぜしめ、
ポリカーボネート樹脂基板上にポリテトラフルオロエチ
レンのスパッタ膜を約／ ｊ ｎｍ堆積した。この後基
板側電極をＴｅ２２％、Ｂｅ／２％の合金ターゲット直
上に移動し、グリスバッタを行った後ＳｅＦ、ガスを体
積比にして／Ｑ−程度導入し、全圧を！ Ｘ ／ ０−
３Ｔｏｒｒとした。
ポリカーボネート樹脂基板上にポリテトラフルオロエチ
レンのスパッタ膜を約／ ｊ ｎｍ堆積した。この後基
板側電極をＴｅ２２％、Ｂｅ／２％の合金ターゲット直
上に移動し、グリスバッタを行った後ＳｅＦ、ガスを体
積比にして／Ｑ−程度導入し、全圧を！ Ｘ ／ ０−
３Ｔｏｒｒとした。
やは９／３．ｊｔＭＨｚの高周波電力ｒ０ｗでグロー放
電を生ぜしめ、Ｔｅ Ｓｅ堆積膜を約４ｔ ｊ ｎｍ堆
積させた。Ｓｅ含有量は原子質量比（ａｔｏｍｉｃ％）
にして、７２％であった。
電を生ぜしめ、Ｔｅ Ｓｅ堆積膜を約４ｔ ｊ ｎｍ堆
積させた。Ｓｅ含有量は原子質量比（ａｔｏｍｉｃ％）
にして、７２％であった。
ついで、この光学的記録媒体に波長？３０ｎｍのＧａ
ＡＩ Ａｓ半導体レーザーで記録と再生を行ったところ
、Ｃ，ハ比ｊ７ｄＢが得られた。記録感度は一１記録媒
体上のレーザーパワーＫ ｍＷ 及（Ｊビーム逆Ｌ≦μ
ｍに対して、／１Ｏｒｓａｅｃであった。
ＡＩ Ａｓ半導体レーザーで記録と再生を行ったところ
、Ｃ，ハ比ｊ７ｄＢが得られた。記録感度は一１記録媒
体上のレーザーパワーＫ ｍＷ 及（Ｊビーム逆Ｌ≦μ
ｍに対して、／１Ｏｒｓａｅｃであった。
テトラフルオロエチレンモノマー及ヒＡｒヲＡｒに対し
て較正されたマスプローコントローシーを通じて各々夕
ＯＣＯＭ、 ／ Ｊ−ＯＣＭ流し、真空容器内を！
Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒの反応性ガスで満たした。容１式
結合を用いた高周波電極に７３．ｊｔＭＨＳ！−の高周
波電圧を印加し、放電電力１０ＯＷで！分間放電を行な
い、約７００Ａのプラズマ重合膜を形成した。この後実
施例／と同様にしてＴｏ Ｂｅ堆積膜を約４ｔ ｊ ｎ
ｍ堆積させた。
て較正されたマスプローコントローシーを通じて各々夕
ＯＣＯＭ、 ／ Ｊ−ＯＣＭ流し、真空容器内を！
Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒの反応性ガスで満たした。容１式
結合を用いた高周波電極に７３．ｊｔＭＨＳ！−の高周
波電圧を印加し、放電電力１０ＯＷで！分間放電を行な
い、約７００Ａのプラズマ重合膜を形成した。この後実
施例／と同様にしてＴｏ Ｂｅ堆積膜を約４ｔ ｊ ｎ
ｍ堆積させた。
ついで、この光学的記録用媒体に実施例／と同様にして
記録と再生を行なったところ、Ｏ／Ｎ比ｊ 、ｇ ｄＢ
が得られた。記録感度は、／２０ｎＳｅｃであった。
記録と再生を行なったところ、Ｏ／Ｎ比ｊ 、ｇ ｄＢ
が得られた。記録感度は、／２０ｎＳｅｃであった。
フルオロカーボン下引き族を設けず、ポリカーボネート
樹脂基板上に直徽上記Ｔｏ Ｂｅ堆積膜を形成した媒体
ではＣ／Ｎ比ｔ 、２ ｄＢ Ｌか得られなかった。ま
た、記録感度はλ００ ｎ５ｅＣであった。
樹脂基板上に直徽上記Ｔｏ Ｂｅ堆積膜を形成した媒体
ではＣ／Ｎ比ｔ 、２ ｄＢ Ｌか得られなかった。ま
た、記録感度はλ００ ｎ５ｅＣであった。
一方、実施例／と同様にして形成したフルオロカーボン
のスパッタ膜からなる下引き層上に、Ａｒ、／；ｒス（
７）ミでスパッタしてＴｏ Ｂｅ堆積膜な形成した場合
、Ｃ７Ｎ比’ｌ ｊ ａＢ Ｌか得られなかった。また
、記録感度は２３０ ｎｔｉｅｃであった。
のスパッタ膜からなる下引き層上に、Ａｒ、／；ｒス（
７）ミでスパッタしてＴｏ Ｂｅ堆積膜な形成した場合
、Ｃ７Ｎ比’ｌ ｊ ａＢ Ｌか得られなかった。また
、記録感度は２３０ ｎｔｉｅｃであった。
本発明の光学的記録用媒体はフッ化セレンガスに由来す
るＢｅを含有することによシ記録層中に結晶粒及び結晶
粒界の存在しない均一な非晶質構造の記録層が得られ、
従って感度に優れ、ピット形状が良好な記録媒体が得ら
れる。またフルオロカーボンのプラズマ重合膜、または
ポリフルオロカーボンのスパッタ膜からなる下引層を設
ければ、この効果は一層向上する。
るＢｅを含有することによシ記録層中に結晶粒及び結晶
粒界の存在しない均一な非晶質構造の記録層が得られ、
従って感度に優れ、ピット形状が良好な記録媒体が得ら
れる。またフルオロカーボンのプラズマ重合膜、または
ポリフルオロカーボンのスパッタ膜からなる下引層を設
ければ、この効果は一層向上する。
第１図は、本発明記録媒体の実施例の構造を示す、模式
的断面図である。第２図は本発明に係る光学的記録媒体
の装置の一例を示す。 図中（１１は基板、（２）はフルオロカーボン膜、（３
）は記録層をそれぞれ示す。
的断面図である。第２図は本発明に係る光学的記録媒体
の装置の一例を示す。 図中（１１は基板、（２）はフルオロカーボン膜、（３
）は記録層をそれぞれ示す。
Claims (2)
- （１）Ｔｅ又はＴｅを含む合金をターゲット材として、
フッ化セレンガスとＡｒガスとの混合ガス中において反
応性スパッタリングすることにより、基板上にＴｅ及び
Ｓｅを含む堆積膜を形成させてなる光学的記録用媒体。 - （２）基板とＴｅ及びＳｅを含む堆積膜との間にフルオ
ロカーボンのプラズマ重合膜、またはポリフルオロカー
ボンのスパッタ膜からなる下引き層を設けたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光学的記録用媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095264A JPS62252543A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 光学的記録用媒体 |
| DE8787301046T DE3776386D1 (de) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung. |
| KR1019870000966A KR910009072B1 (ko) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | 광학기록매체와 그 제조방법 |
| EP87301046A EP0242942B1 (en) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optical recording medium and process for producing the same |
| CA000529093A CA1258974A (en) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optical recording medium and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095264A JPS62252543A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 光学的記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252543A true JPS62252543A (ja) | 1987-11-04 |
| JPH0449175B2 JPH0449175B2 (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=14132904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61095264A Granted JPS62252543A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 光学的記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252543A (ja) |
-
1986
- 1986-04-24 JP JP61095264A patent/JPS62252543A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0449175B2 (ja) | 1992-08-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |