JPH087879B2 - 光学的記録用媒体 - Google Patents
光学的記録用媒体Info
- Publication number
- JPH087879B2 JPH087879B2 JP63057086A JP5708688A JPH087879B2 JP H087879 B2 JPH087879 B2 JP H087879B2 JP 63057086 A JP63057086 A JP 63057086A JP 5708688 A JP5708688 A JP 5708688A JP H087879 B2 JPH087879 B2 JP H087879B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording medium
- fluorocarbon
- substrate
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光学的記録用媒体に関する。詳しくは、基
板上に形成した記録用薄膜にレーザー光ビームを照射し
て発生した熱により該薄膜が蒸発あるいは溶融除去され
ることを利用した光学的記録用媒体に関するものであ
る。
板上に形成した記録用薄膜にレーザー光ビームを照射し
て発生した熱により該薄膜が蒸発あるいは溶融除去され
ることを利用した光学的記録用媒体に関するものであ
る。
（従来の技術） 基板上に形成された薄膜にレーザー光ビームを照射し
て穴（ピット）を形成し、情報を記録する光学的記録用
媒体として、従来より、Te、Biなどの金属薄膜や、これ
らの金属を含有するプラズマ重合膜等が利用されてい
る。
て穴（ピット）を形成し、情報を記録する光学的記録用
媒体として、従来より、Te、Biなどの金属薄膜や、これ
らの金属を含有するプラズマ重合膜等が利用されてい
る。
これらの材料はレーザー光の吸収効率が高く、かつ、
低融点であるため、記録に要するレーザー光のパワーが
小さくて済み、記録感度の点で有利である。上記、基板
と薄膜記録媒体とからなる系において、レーザー光によ
る薄膜記録層の穿孔にはレーザー加熱によって溶融した
記録層物質が基板との付着力にうちかって分離すること
が必要である。該付着力を小さくし、より小さなレーザ
ー光パワーで短時間にピットが形成出来れば、記録感度
の向上、高速記録、安価で小型な半導体レーザーの使用
が可能となる。このような目的のために、記録層と基板
との間に、フルオロカーボンのスパッタ膜あるいは、プ
ラズマ重合膜からなる下引き層を設けることが提案され
ている（特開昭59−90246号公報、昭62−192042号公
報、昭62−219244号公報）。上記フルオロカーボン膜は
撥水性であり、特にプラスチック基板を用いた場合に、
基板側からの水分の浸透を阻止し、記録用媒体の寿命の
改善にも効果があるとされている（特開昭59−90246号
公報）。
低融点であるため、記録に要するレーザー光のパワーが
小さくて済み、記録感度の点で有利である。上記、基板
と薄膜記録媒体とからなる系において、レーザー光によ
る薄膜記録層の穿孔にはレーザー加熱によって溶融した
記録層物質が基板との付着力にうちかって分離すること
が必要である。該付着力を小さくし、より小さなレーザ
ー光パワーで短時間にピットが形成出来れば、記録感度
の向上、高速記録、安価で小型な半導体レーザーの使用
が可能となる。このような目的のために、記録層と基板
との間に、フルオロカーボンのスパッタ膜あるいは、プ
ラズマ重合膜からなる下引き層を設けることが提案され
ている（特開昭59−90246号公報、昭62−192042号公
報、昭62−219244号公報）。上記フルオロカーボン膜は
撥水性であり、特にプラスチック基板を用いた場合に、
基板側からの水分の浸透を阻止し、記録用媒体の寿命の
改善にも効果があるとされている（特開昭59−90246号
公報）。
（発明が解決しようとする課題） 上記フルオロカーボンのスパッタ膜あるいはプラズマ
重合膜は、通常のポリマーと異なり、架橋度の高い非晶
質物質であり、その物性は成膜条件により大きく変化す
る。従って、このようなフルオロカーボン薄膜を下引き
層として用いるだけでは、記録感度の向上をはかること
は容易であっても、必ずしも記録媒体の寿命改善効果が
得られるとは限らない。本発明者らの検討によれば、む
しろ下引き層がない場合に比して、著しく初期特性及び
寿命を損ねる場合があり、これが、下引き層に含まれる
酸素のためであるという結論に達した。
重合膜は、通常のポリマーと異なり、架橋度の高い非晶
質物質であり、その物性は成膜条件により大きく変化す
る。従って、このようなフルオロカーボン薄膜を下引き
層として用いるだけでは、記録感度の向上をはかること
は容易であっても、必ずしも記録媒体の寿命改善効果が
得られるとは限らない。本発明者らの検討によれば、む
しろ下引き層がない場合に比して、著しく初期特性及び
寿命を損ねる場合があり、これが、下引き層に含まれる
酸素のためであるという結論に達した。
（課題を解決するための手段） 本発明者らは、種々の組成と構造を有するフルオロカ
ーボン膜からなる下引き層について検討を行った結果、
初期特性及び経時安定性に優れたフルオロカーボン下引
き層を得、本発明に到達した。すなわち、本発明の要旨
は、基板上にフルオロカーボンのスパッタ膜あるいはプ
ラズマ重合膜からなる下引き層を設け、該下引き層上に
穴あけタイプの記録層を配置した光学的記録用媒体にお
いて、該フルオロカーボン下引き層中の酸素含有量が５
原子％未満であることを特徴とする。
ーボン膜からなる下引き層について検討を行った結果、
初期特性及び経時安定性に優れたフルオロカーボン下引
き層を得、本発明に到達した。すなわち、本発明の要旨
は、基板上にフルオロカーボンのスパッタ膜あるいはプ
ラズマ重合膜からなる下引き層を設け、該下引き層上に
穴あけタイプの記録層を配置した光学的記録用媒体にお
いて、該フルオロカーボン下引き層中の酸素含有量が５
原子％未満であることを特徴とする。
上記フルオロカーボンのスパッタ膜あるいはプラズマ
重合膜は、一般に成膜後も多数の残留ラジカルを膜中に
有している。この残留ラジカルは空気中あるいは、基板
を透過してきた酸素や水分と反応することで、カルボニ
ル基や水酸基となることが、赤外線吸収法、ESCA法（Ｘ
線光電子分光法）により確認されている。従って、上記
フルオロカーボン膜中の酸素含有量は、残留ラジカル量
の多少を示唆していると考えられる。
重合膜は、一般に成膜後も多数の残留ラジカルを膜中に
有している。この残留ラジカルは空気中あるいは、基板
を透過してきた酸素や水分と反応することで、カルボニ
ル基や水酸基となることが、赤外線吸収法、ESCA法（Ｘ
線光電子分光法）により確認されている。従って、上記
フルオロカーボン膜中の酸素含有量は、残留ラジカル量
の多少を示唆していると考えられる。
上記残留ラジカルを多く含むスパッタ膜あるいはプラ
ズマ重合膜は、成膜直後からあるいは経時的に酸化し
て、10原子％前後の酸素を含有している。このように酸
素含有量の多いフルオロカーボン膜を下引き層として穴
あけタイプの記録層に適用した場合には、酸素含有量が
５原子％未満の場合に比べ、著しく穴（ピット）形状が
悪く、C/N（Carrier to noise）比、記録感度も悪くな
る。また、経時的な劣化も著しい。一方、酸素含有量が
５原子％未満の場合には、良好な初期特性及び経時安定
性が得られる。
ズマ重合膜は、成膜直後からあるいは経時的に酸化し
て、10原子％前後の酸素を含有している。このように酸
素含有量の多いフルオロカーボン膜を下引き層として穴
あけタイプの記録層に適用した場合には、酸素含有量が
５原子％未満の場合に比べ、著しく穴（ピット）形状が
悪く、C/N（Carrier to noise）比、記録感度も悪くな
る。また、経時的な劣化も著しい。一方、酸素含有量が
５原子％未満の場合には、良好な初期特性及び経時安定
性が得られる。
以下、図面を用いて本発明の一例につき更に詳細に説
明する。
明する。
フルオロカーボンのスパッタ膜及びプラズマ重合膜
は、例えば、第１図に示すような平行平板型の高周波グ
ロー放電装置にて成膜した。ここで第１図において
（１）は真空容器、（２）は電極、（３）は基板、
（４）はガス導入口、（５）はシャッター、（６）は排
気口、（７）は高周波電源、（８）はターゲットであ
る。プラズマ重合を行う場合はターゲット（８）をステ
ンレス製の金属電極に替え、スパッタリングを行う場合
には、ターゲット（８）として４フッ化エチレン樹脂等
を用いる。また、スパッタリングを行う場合には、放電
用ガスとしてArなどの不活性ガスを用い、プラズマ重合
を行う場合には、例えば、４フッ化エチレンや６フッ化
プロピレン等のフルオロカーボンモノマーまたは、これ
らのモノマーと不活性ガスとの混合ガスを用い、いずれ
の場合にも、真空容器（１）内の圧力を10-3Torr台から
10-2Torr台に保って放電を行ない、スパッタ膜あるいは
プラズマ重合膜を形成する。形成するフルオロカーボン
膜の膜厚は50〜1000Å程度とするのが一般的である。
は、例えば、第１図に示すような平行平板型の高周波グ
ロー放電装置にて成膜した。ここで第１図において
（１）は真空容器、（２）は電極、（３）は基板、
（４）はガス導入口、（５）はシャッター、（６）は排
気口、（７）は高周波電源、（８）はターゲットであ
る。プラズマ重合を行う場合はターゲット（８）をステ
ンレス製の金属電極に替え、スパッタリングを行う場合
には、ターゲット（８）として４フッ化エチレン樹脂等
を用いる。また、スパッタリングを行う場合には、放電
用ガスとしてArなどの不活性ガスを用い、プラズマ重合
を行う場合には、例えば、４フッ化エチレンや６フッ化
プロピレン等のフルオロカーボンモノマーまたは、これ
らのモノマーと不活性ガスとの混合ガスを用い、いずれ
の場合にも、真空容器（１）内の圧力を10-3Torr台から
10-2Torr台に保って放電を行ない、スパッタ膜あるいは
プラズマ重合膜を形成する。形成するフルオロカーボン
膜の膜厚は50〜1000Å程度とするのが一般的である。
フルオロカーボン膜中の酸素含有量を５原子％未満と
するためには、例えば、不活性ガスやフルオロカーボン
モノマーのガスを導入口（４）から導入する前に真空容
器（１）内を、少なくとも10-6Torr台にまで排気口
（６）から予備排気することによって達成される。スパ
ッタ膜については、概ね、この予備排気によって膜中の
酸素含有量を５原子％未満とすることができる。一方、
プラズマ重合膜では放電パワーを低くしてなるべくマイ
ルドな条件で成膜する必要がある。放電パワーが高い
と、モノマーガスの分解が進み膜中の残留ラジカルが増
加するため、真空容器内の残留酸素、あるいは成膜後に
大気中にさらした場合には、大気中の酸素または水分に
より酸化され易くなるので好ましくない。さらに、モノ
マーガスの圧力をあげたり、流量を多くすることも、膜
中の酸素含有量を少なくするのに効果がある。このよう
な成膜条件の制御は、一般的なスパッタ法、プラズマ重
合法の装置において可能な操作であるが、その数値その
ものは装置によって異なるのが普通である。
するためには、例えば、不活性ガスやフルオロカーボン
モノマーのガスを導入口（４）から導入する前に真空容
器（１）内を、少なくとも10-6Torr台にまで排気口
（６）から予備排気することによって達成される。スパ
ッタ膜については、概ね、この予備排気によって膜中の
酸素含有量を５原子％未満とすることができる。一方、
プラズマ重合膜では放電パワーを低くしてなるべくマイ
ルドな条件で成膜する必要がある。放電パワーが高い
と、モノマーガスの分解が進み膜中の残留ラジカルが増
加するため、真空容器内の残留酸素、あるいは成膜後に
大気中にさらした場合には、大気中の酸素または水分に
より酸化され易くなるので好ましくない。さらに、モノ
マーガスの圧力をあげたり、流量を多くすることも、膜
中の酸素含有量を少なくするのに効果がある。このよう
な成膜条件の制御は、一般的なスパッタ法、プラズマ重
合法の装置において可能な操作であるが、その数値その
ものは装置によって異なるのが普通である。
（実施例） 以下実施例を示すが、本発明は、その要旨を越えない
限り以下の実施例を限定されるものではない。
限り以下の実施例を限定されるものではない。
実施例１〜４、比較例１〜４ 第１図に示したと同様の装置を用いて、ポリカーボネ
ート基板にフルオロカーボン膜を形成した。
ート基板にフルオロカーボン膜を形成した。
まず、真空容器を５×10-6Torr以下まで排気した後第
１表に示した成膜条件で４フッ化エチレン樹脂のスパッ
タ膜又は６フッ化プロピレンのプラズマ重合膜を形成し
た。
１表に示した成膜条件で４フッ化エチレン樹脂のスパッ
タ膜又は６フッ化プロピレンのプラズマ重合膜を形成し
た。
比較例１は予備排気を５×10-5Torrとした場合であ
り、比較例２〜４は放電パワーを高くして残留ラジカル
を生成させた場合である。
り、比較例２〜４は放電パワーを高くして残留ラジカル
を生成させた場合である。
得られたフルオロカーボン膜が形成された基板に記録
膜を形成した。記録膜は、Arガスと体積比で５％のNF3
ガスを混合して導入口（４）より導入し、全圧を５×10
-3Torrとし、基板側電極（２）とターゲット側電極
（２）間に高周波電源（７）から13.56MHz、100Wの高周
波電力を印加してグロー放電を生じせしめスパッタリン
グすることにより形成した。ターゲット（８）には、原
子比Te85％、Se15％の合金を用い、基板（３）上に40nm
のスパッタ膜を堆積させた。該堆積膜中のSe含有量は13
原子％、Ｆ含有量は15原子％であった。
膜を形成した。記録膜は、Arガスと体積比で５％のNF3
ガスを混合して導入口（４）より導入し、全圧を５×10
-3Torrとし、基板側電極（２）とターゲット側電極
（２）間に高周波電源（７）から13.56MHz、100Wの高周
波電力を印加してグロー放電を生じせしめスパッタリン
グすることにより形成した。ターゲット（８）には、原
子比Te85％、Se15％の合金を用い、基板（３）上に40nm
のスパッタ膜を堆積させた。該堆積膜中のSe含有量は13
原子％、Ｆ含有量は15原子％であった。
記録特性は、半導体レーザーを用い、C/N（Carrier t
o Noise）比を測定した。さらに、80℃、85％RHの加速
条件で１週間の加速試験を行った後のC/N比の変化も第
１表に示す。酸素含有量が５原子％より多い場合には、
初期特性が悪いか、または、加速試験後に大幅にC/N比
が低下する。一方、酸素含有量を５原子％未満とした場
合には、初期特性及び経時安定性ともに優れている。
o Noise）比を測定した。さらに、80℃、85％RHの加速
条件で１週間の加速試験を行った後のC/N比の変化も第
１表に示す。酸素含有量が５原子％より多い場合には、
初期特性が悪いか、または、加速試験後に大幅にC/N比
が低下する。一方、酸素含有量を５原子％未満とした場
合には、初期特性及び経時安定性ともに優れている。
（発明の効果） 本発明によれば経時安定性、C/N比（carrier to nois
e ratio）、ピット形状を更に向上しえた記録媒体を得
ることができる。
e ratio）、ピット形状を更に向上しえた記録媒体を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の記録用媒体を製造するに用いる装置の
一例の概略図である。 図中１は真空容器、２は電極、３は基板、４はガス導入
口、５はシャッター、６は排気口、７は高周波電源をそ
れぞれ示す。
一例の概略図である。 図中１は真空容器、２は電極、３は基板、４はガス導入
口、５はシャッター、６は排気口、７は高周波電源をそ
れぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にフルオロカーボンのスパッタ膜あ
るいはプラズマ重合膜からなる下引き層を設け、該下引
き層上に穴あけタイプの記録層を配置した光学的記録用
媒体において、該フルオロカーボン下引き層中の酸素含
有量が５原子％未満であることを特徴とする光学的記録
用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63057086A JPH087879B2 (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 光学的記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63057086A JPH087879B2 (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 光学的記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232551A JPH01232551A (ja) | 1989-09-18 |
| JPH087879B2 true JPH087879B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=13045681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63057086A Expired - Lifetime JPH087879B2 (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 光学的記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087879B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4386192B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2009-12-16 | 日本ゼオン株式会社 | フルオロカーボン膜用洗浄剤 |
-
1988
- 1988-03-10 JP JP63057086A patent/JPH087879B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01232551A (ja) | 1989-09-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129 Year of fee payment: 13 |