JPH03171439A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、記録層の密着性が優れ耐熱性が良好であり、
そのために情報の記録・再生性能、再生劣化特性、及び
耐久性が共に優れた情報記録媒体に関する。

［発明の技術的背Ｊλ］ 近年において、レーザー光等の高エネルギー密度のビー
ムを用いる情報記録媒体が開発され、実用化されている
。この情報記録媒体は光ディスクと称され、ビデオ・デ
ィスク、オーディオ・ディスク、さらには大容量静止画
像ファイルおよび人容量コンピュータ用ディスク・メモ
リーとして使用され得るものである。

このような情報記録媒体は、基本構造として、プラスチ
ック、ガラス等からなる円盤状の透明基板と、この上に
設けられたＢｉ，Ｓｎ，Ｉｎ、Ｔｅ，Ｓｅ等の金属また
は半金属からなる記録層とを有する。光ディスクへの情
報の書き込み（記録）は、たとえばレーザビームを光デ
ィスクＣ照射することにより行なわれ、記録層の照射側
の層の部分がその光を吸収して局所的に温度上昇する結
果、ピット形成等の物理的変化あるいは相変化等の化学
的変化を生じてその光学的特性を変えることにより情報
が記録される。光ディスクからの情報の読み取り（再生
）もまた、レーザビームを光ディスクに照射することな
どにより行なわれ、記録層の光学的特性の変化に応じた
反射光または透過光を検出することにより情報が再生さ
れる。

そして、上記光ディスクへの情報の書き込みおよび読み
取りのためのレーザビームの照射は、通常ディスク表面
の所定の位置に行われる。

このような情報記録媒体において、記録感度の向上と耐
久性の向上のために、基板と記録層との間に、フッ素と
炭素とを主成分とし、炭素原子数（Ｃ）に対するフッ素
原子数（Ｆ）の比（Ｆ／Ｃ）が１．０以上１．８以下に
調整された光透過性の下地層を、ポリテトラフルオロエ
チレンのスパッタにより形成させた光情報記録媒体が提
案されている（例えば、特開昭６４−７３４８号公報）
。

また、特開昭６３−７４　１　３９号公報には、最小ピ
ットサイズを小さくする一方で、高感度及びビット形状
の改善をもたらすものとして、基板上にフルオロカーボ
ン膜からなる下引き層を設け該下引き層］二にＴｅを含
む穴あけタイプの記録層を配置した光学的記録用媒体に
おいて、上記下引き層の記録層に接・・する側の表面か
ら１０ｎｍ以内の層の炭素とフッ素の原子数比をＥＳＣ
Ａ法による測定値として、炭素１に対してフッ素０．８
以上１．４未満としたことを特徴とする光学的記録用媒
体が記載されている。そして、このような下引き層とし
ては、フルオロカーボンのプラズマ重合膜が好ましいと
され、ポリテトラフルオロエチレンのスパッタ膜を下引
き層とした場合、感度は極めて良いものの、付着力か弱
過ぎるために、ビット形状が不揃で、大きな穴しか開か
ず、そのためＣ／Ｎの場所むら、記録パワー依存性が大
きく、正確なデジタル信号の記録再生は不可能であった
ことが示されている。

上記のような情報記録媒体において、良好な記録・再生
性能を得るためには、上記下地層の膜厚をある程度以上
、例えば、ｓｏｏ２以上の膜厚にすることが必要である
。また、上記フッ素系樹脂からなる下地層の前記記録層
との密着性を増大させるためには、下地層中の炭素原子
数（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ）の比（　Ｆ／Ｃ　
）を小さくすることが望ましい。下地層の上記Ｆ／Ｃ比
が大きいと、下地層と記録層との接着性が低下すると共
に、得られる情報記録媒体の記録・再生性能が悪化する
。下地層をフッ素系樹脂のスパッタにより形成させる場
合に、このＦ／Ｃ比を小さくするには、スパッタの際の
電力（パワー）を小さくする必要があり、そのために下
地層の形成速度は小さくなる。従って、・土記Ｆ／Ｃ比
が小さく膜厚の大きい下地層を形成させるためには、極
めて長時間のスバツタ工程を必要とし、情報記録媒体の
生産性は極めて低いものとなるという問題がある。

［発明の目的］ 本発明は、記録層との、又は記録層と基板との接着性が
極めて優れている下地層を有し、そのために、記録・再
生性能、再生劣化特性、及び耐久性が優れており、しか
も高い生産性で製造することができる情報記録媒体を提
供することを目的とする。

［発明の要旨］ 本発明は、円盤状基板の表面にフッ素系樹脂からなる下
地層が設けられ、該下地層の上にレーザ光により情報の
記録及び／又は再生が可能な記録層が設けられてなる情
報記録媒体であって、該下地層の該記録層に接触する側
の層の部分の炭素原子数（ＣＡ）に対するフッ素原子数
（　Ｆ　Ａ）の比（ＦＡ／ＣＡ）が、該下地層のその他
の部分の炭素原子数（ｃｎ）に対するフッ素原子数（Ｆ
ｎ）の比（Ｆｎ／ＣＢ）よりも小さいものであることを
特徴とする情報記録媒体にある。

本発明はまた、円盤状基板の表面にフッ素系網脂からな
る下地層が設けられ、該下地層の上にレーザ光により情
報の記録及び／又は再生が可能な記録層が設けられてな
る情報記録媒体であって、該下地層の該記録層に接触す
る側の層の部分の炭素原子数（ＣＡ）に対するフッ素原
子数（　Ｆ　Ａ）の比（ＦＡ／ＣＡ）及び該下地層の該
基板に接触する側の層の部分の炭素原子数（ＣＣ）に対
するフッ素原子数（　Ｆ　Ｃ）の比（ＦＣ／ＣＣ）が、
該下地層のそれら以外の部分の炭素原子数（ＣＤ）に対
するフッ素原子数（Ｆｏ）の比（Ｆ，／ｃｏ）よりも小
さいものであることを特徴とする情報記録媒体にある。

本発明の情報記録媒体の好ましい態様は以下の通りであ
る。

１）上記下地層が、原材料としてのフッ素系樹脂のスパ
ッタにより形成されたものであることを特徴とする上記
情報記録媒体。

２）上記下地層を形成させるための原材料フッ素系樹脂
が、ポリテトラフルオロエチレン、デトラフルオロエチ
レンーバーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（
ＰＦＡ）．テトラフルオロエチレンーヘキサフル才ロプ
ロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン
ーヘキサフルオロブロピレンーパーフルオロアルキルビ
ニルエーテル共重合体（ＥＰＥ）．ポリフツ化ビニル、
ポリ三フッ化エチレン、ポリフツ化ビニリデン、ボリ六
フッ化プロピレン、ポリクロロトリフルオロエチレンお
よびポリカーボンモノフルオライドから選ばれる少なく
とも一種の樹脂であることを特徴とする上記情報記録媒
体。

３）１一記下地居を形成させるための原材料フツ素系樹
脂が、ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴と
する上記情報記録媒体。

４）上記下地層の全体層厚が、５００〜１００００Ｘ、
更に好ましくは６００〜２０００Ｘの層厚であり、上記
記録層に接触する側の層の部分の層厚（ＬＡ）が、５０
〜３００又であることを特徴とする上記情報記録媒体。

５）Ｆ記下地層の全体層厚が、５００〜１００００Ｘ、
更に好ましくは６００〜２０００Ｘの層厚であり、上記
記録層に接触する側の層の部分の層厚（　Ｌ　Ａ）が、
５０〜３００又であり、上記基板に接触する側の層の部
分の層厚（ＬＣ）が、５０〜１　５０Ｘであることを特
徴とする上記情報記録媒体。

６）上記下地層の上記記録層に接触する側の層の部分の
炭素原子数（ＣＡ）に対するフッ素原子数（　Ｆ　Ａ）
の比（ＦＡ／ＣＡ）が、０．６〜１．２の範囲内の値で
あることを特徴とする−１二記情報記録媒体。

７）１二記下地層の−Ｌ記基板に接触する側の層の部分
の炭素原子数（ＣＣ）に対するフッ素原子数（Ｆｃ）の
比（ＦＣ／ｃｃ）が、０．６〜１．２の範囲内の値であ
ることを特徴とする上記情報記録媒体。

８）上記下地層の上記記録層に接触する側の層の部分以
外の部分の炭素原子数（ＣＢ）に対するフッ素原子数（
ＦＢ）の比（ＦＢ／ｃｎ）、又は、上記記録層に接触す
る側の層の部分及び上記基板に接触する側の層の部分以
外の部分の炭素原子数（ｃｏ）に対するフッ素原子数（
ＦＩＧ）の比（ＦＤ　／ＣＯ）が１．３〜２，０の範囲
内の値であることを特徴とする上記情報記録媒体。

９）上記下地層が、原材料としてのフッ素系樹脂のスパ
ッタにより形威されたものであり、下地層の炭素原子数
（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ）の比（Ｆ／Ｃ）が、
スパツタ時の電力（パワー）を変化させることにより制
御されたものであることを特徴とする上記情報記録媒体
。

１０）上記下地層が、原材料としてのフッ素系樹脂のス
パッタにより形成されたものであり、下地層の炭素原子
数（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ）の比（　Ｆ／Ｃ　
）が、スパッタ時の雰囲気のガスの、種類及び／又は組
成及び／又は流量及び／又は圧力を変化させることによ
り制御されたものであることを特徴とする上記情報記録
媒体。

１１）上記下地層が、原材料としてのフッ素系樹脂のス
パッタにより形成されたものであり、下地層の炭素原子
数（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ）の比（　Ｆ／Ｃ　
）が、スパッタ時のターゲット（原材料）とするフッ素
系樹脂の種類を変化させることにより制御されたもので
あることを特徴とする上記情報記録媒体。

１２）上記記録層が、レーザ光により情報の記録及び／
又は再生が可能なＴｅを含むことを特徴とする上記情報
記録媒体。

１３）上記記録層が、Ｔｅ及びＳｅを含む記録層である
ことを特徴とする上記情報記録媒体。

１４）上記記録層が、ＳｅａＴｅｂＭｃ　（但し、ａ，
ｂ及びＣは原子数％で表わして、２≦ａ≦３５、５０≦
ｂ≦９８、０≦Ｃ≦４５の範囲内の値であり、Ｍは、Ｐ
ｂ，Ｉｎ％Ｇｅ％Ｓ、Ｓｂ，　　Ａｓ．　　Ｂｉ，　　
Ｓｎ，　　Ａｌｌ、　Ｇａ，　　Ｔｆｉ，Ｚｎ，　　Ｃ
ｄ，　　Ａｕ，　　Ｐｔ，　　Ａｇ，　　Ｃｕ，　　Ｎ
ｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＷおよびＴａから選ばれ
る少なくとも一種の金属を表わす〉で表わされる組成を
有することを特徴とする上記情報記録媒体。

１５）土記Ｍで表わされる金属が、ｐｂであることを特
徴とする上記情報記録媒体。

．１６）土記Ｔｅを含む記録層の上に、二酸化ケイ素、
酸化スズ、弗化マグネシウム、酸化チタン、Ｔｅａ．（
但し、１≦Ｘ≦２）、酸化ジルコニウムおよび酸化亜鉛
から選ばれる少なくとも一種の材料からなる層を積層す
ることを特徴とする上記情報記録媒体。

１７）上記記録層の上に、ＴｅａＸ　（１．５≦Ｘ≦２
）からなる層を積層することを特徴とする上記情報記録
媒体。

１８）上記記録層が、レーザ光により情報の記録及び／
又は再生が可能な色素を含むことを特徴１１ とする上記情報記録媒体。

１９）該記録層に含まれる色素が、シアニン系色素、ア
ズレニウム系色素、スクワリリウム系色素、フタロシア
ニン系色素、ピリリウム系色素、チオビリリウム系色素
、インドフェノール系色素、インドアニリン系色素、ト
リフェニルメタン系色素、キノン系色素、アミニウム系
色素、ジインモニウム系色素、金属錯塩系色素、などか
ら選ばれる色素の一種又は二種以上からなることを特徴
とする上記情報記録媒体。

２０）上記記録層が、更に金属錯体系色素を上記色素又
は色素混合物１モル部に対して０．００１〜０．２モル
部含むことを特徴とする上記情報記録媒体。

２１）上記記録層の層厚が、５００〜２０００又の範囲
にあることを特徴とする−Ｌ記情報記録媒体及びその製
造方法。

２２）上記基板の材料が、ポリカーボネート、ポリオレ
フィンまたはセルキャストボリメチルメタクリレートで
あることを特徴とする上記情報記１　２ 録媒体。

［発明の詳細な記述］ 本発明の情報記録媒体は、円盤状基板の表面にフッ素系
樹脂からなる下地層が設けられ、該下地層の上にレーザ
光により情報の記録及び／又は再生が可能な記録層が設
けられてなる基本構成を有する情報記録媒体であって、
該下地層の炭素原子数（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ
）の比（Ｆ／Ｃ）が、前記のように下地層．の厚さ方向
で異なった分布を有することに特徴を有するものである
。

上記基板は、従来の情報記録媒体の基板として用いられ
ている各種の材料から任意に選択することができる。基
板の光学的特性、平面性、加工性、取扱い性、経時安定
性および製造コストなどの点から、基板材料の例として
は、ソーダ石灰ガラス等のガラス；セルキャストボリメ
チルメタクリレート、射出成形ポリメチルメタクリレー
ト等のアクリル樹脂：ボリ塩化ビニル、塩化ビニル共重
合体等の塩化ビニル系樹脂：エポキシ樹脂：ポリエチレ
ンテレフタレート等ポリエステル類：ボリカーボネート
および非品質ポリオレフィンを挙げることができる。こ
れらのうちで、好ましいものはポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、非晶質ポリオレ
フィンおよびポリエチレンテレフタレートであり、特に
ポリカーポネートが好ましい。

また、裁板」二にはトラッキング用グループの］−］的
でプレグループが、またはアドレス信号等の情報を表わ
す凹凸の形成等の目的でプレピットが設けられている。

上記プレグループまたはプレピットは、上記基板の表面
に、アクリル酸のエステルのような千ノマー（又はオリ
ゴマー）と光重合開始剤との混合物を用いてプレグルー
プ層を形成させるか、基板が樹脂製である場合には、成
形により基板表面に直接プレグループまたはプレビット
を形成させてもよい。

次に、上記基板の表面に設けられている下地層について
、添付する図面を参照して詳述する。

第１図は、本発明の情報記録媒体の−失施例の断面を模
式的に示す断面図である。

１　５ 第１図において、情報記録媒体１は、基板２と、基板２
の表面に設けられた下地層３と、下地層３の上に設けら
れた記録層４とからなっている。

そして、下地層３はフッ素系樹脂からなっており、下地
層３の記録層４に接触する側の下地層３Ａの部分の炭素
原子数（ＣＡ）に対するフッ素原子数（　Ｆ　Ａ）の比
（ＦＡ／ＣＡ）が、下地層３のその他の部分の下地層３
Ｂの炭素原子数（　Ｃ　Ｂ）に対するフッ素原子数（Ｆ
Ｂ）の比（ＦＢ／ＣＢ）よりも小さくなるように構成さ
れている。

上記比（ＦＡ／ＣＡ）の値は、上記比（ＦＢ／ＣＢ）と
の関係が上記の条件を満足する限り特に限定されないが
、記録層４との接着性及び耐熱性を良好にするために、
０．６〜１．２の範囲内の値であることが好ましい。比
（ＦＡ／ＣＡ）が上記範囲よりも小さいと耐熱性が悪く
なり、かつ、接着力が増加し過ぎるために、記録感度の
低下をもたらす傾向にある。また、上記範囲よりも大き
いと記録層４との接着性が悪くなり記録ビットの不均１
　６ 等が生じる傾向にある。

また、−Ｌ記比（ＦＢ／ＣＢ）の値も上記の条件を満足
する限り特に限定されないが、下地層３Ｂの形成速度を
増大させ、かつ耐熱性を良好にするために、１．３〜２
．０の範囲内の値であることが好ましい。比（ＦＩ］／
ＣＢ）が上記範囲よりも小さいと、膜の形成速度が遅く
なる条件でしか成膜できず、所望の膜厚を形成するため
に長時間を要する傾向にある。

比（ＦＡ／ＣＡ）及び比（　Ｆ　ｎ　／　Ｃ　Ｂ）は、
それぞれ下地層３Ａ及び下地層３Ｂ内において均−であ
ってもよいが、これらの比の両者が前記の関係を満足す
る限りにおいて、各層内において連続的に又は段階的に
任意に変化していてもよい。従って、下地層３は、下地
層３Ａと下地層３Ｂとを比（　Ｆ　Ａ　／　Ｃ　Ａ）と
比（ＦＢ／ＣＢ）とが異なる層として区別されるように
設けてもよく、また、下地層３Ｂから下地層３Ａの方へ
炭素原子数（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ）の比（　
Ｆ／Ｃ　）が連続的に低下し、例えば、下地層３の基板
２と接触する側から記録層４に接触する側の方へ次第に
低下し、下地層３Ａと下地層３Ｂとの境界が明瞭でない
ように設けてもよい。

下地層３の全体（３Ａ＋３Ｂ）の層厚（Ｌ）は、５００
〜１　００００Ｘ、特に６００〜２０００Ｘの層厚であ
ることが好ましい。下地層３Ａの部分の層厚（ＬＡ）は
、５０〜３００Ｘであることが好ましい。後記するよう
に、下地層の形成速度を増大させる点から、下地層３Ａ
の部分の層厚（ＬＡ）は小さい方が望ましい。上記のよ
うに、下地層３Ａと下地層３Ｂとの境界が明瞭でない場
合もあるが、その場合には、比（ＦＡ／ＣＡ）の値を考
慮して下地層３Ａと下地層３Ｂとの境界を定めることが
できる。

後述するように、スパッタにより下地層３を形成させる
際に、スパッタ電力を大きくすると、下地層３の炭素原
子数（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ）の比（Ｆ／Ｃ）
は大きくなり、スパツタ速度も増大し短時間に下地層３
を形成できるので、下地層３Ｂの比（ＦＲ／ＣＩ１）を
大きくし、かつ、下地層３Ｂの層厚Ｌ．を大きくするこ
とが、生産性を向上させる点から望ましい。比（ＦＢ／
ＣＲ）を大きくしても、下地層３Ａの比（ＦＡ／ＣＡ）
及び層厚ＬＡが前記のような範囲の値であれば、情報記
録媒体の品質が低下することはない。

下地層３は、従来樹脂を基板にスパッタしてＦ地層を形
成させるために使用，されている種々のスパッタ装置、
例えば、イオンビームスパッタ装置、ＲＦグロー放電ス
パッタ装置、ＤＣグロー放電スパッタ装置、マグネトロ
ンスパッタ装置などを使用して、原材料としてのフッ素
系樹脂をターゲットとしてスパッタすることにより形成
することができる。

上記フッ素系樹脂としては、例えばポリテトラフルオロ
エチレン、テトラフルオロエチレンーパーフルオロアル
キルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）　、テトラフル
オロエチレンーヘキサフルオロプロピレン共重合体（Ｆ
ＥＰ）、テトラフルオロエチレンーヘキサフルオロブロ
ビレンーパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体
（ＥＰ１　９ Ｅ）、ポリフッ化ビニル、ポリ三フッ化エチレン、ポリ
フッ化ビニリデン、ポリ六フッ化プロピレン、ポリクロ
ロトリフルオロエチレン、ポリカーボンモノフルオライ
ドおよびポリジカーボンモノフルオライド等を挙げるこ
とができる。夕一ゲットとしての熱的強度の点から、特
に好ましいものはポリテトラフルオロエチレンである。

下地層３を形成するためのスパッタの条件は、それ自体
公知のものを採用することができる。

例えば、ＲＦマグネトロンスパッタ装置によりスパッタ
する場合は、０．１〜１００ミリＴｏｒｒの圧力、１０
０〜６００Ｗの電力、５０〜１８０ｍｍのターゲット距
離で、Ａｒ，Ｎ２、０２、Ｎｅ，Ｋｒ％ｘｅ．Ｈ２、こ
れらの混合物などのガスを使用する条件で行うことが好
ましい。

下地層３の炭素原子数（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ
）の比（Ｆ／Ｃ）を所望の値に制御する手段としては、
スパッタ時の電力（パワー）を変化させる方法、スパッ
タ時の雰囲気のガスの、種類及び／又は組成及び／又は
流量及び／又は圧力を変化させる方法、ターゲット（原
材料）とするフッ素系樹脂の種類を変化させる方法、及
びこれらの方法の組み合わせなどがある。

一般的に、スパッタの電力が大きいほど、下地層３の炭
素原子数（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ）の比（　Ｆ
／Ｃ　）は大きくなり、スパッタ速度も増大し短時間に
下地層３を形成することができる。また、一般に、スパ
ッタ時の雰囲気のガスとして、アルゴンのような不活性
ガスに、水素ガス、炭化水素ガス、フッ化炭素ガスなど
を混合したガスを使用すると、水素ガスなどの混入量が
増加するほど上記比（　Ｆ／Ｃ　）が小さくなる。また
般に、ターゲットとするフッ素系樹脂としてフッ素原子
含有量の小さいものを使用するほど、上記比（Ｆ／Ｃ）
が小さくなる。

第２図は、他の本発明の情報記録媒体の一実施例の断面
を模式的に示す断面図である。

第２図において、情報記録媒体１１は、基板１２と、基
板１２の表面に設けられた下地層１３と、下地層１３の
上に設けられた記録層１４とからなっている。

そして、下地層１３はフッ素系樹脂からなっており、下
地層１３の記録層１４に接触する側の下地層１３Ａの部
分の炭素原子数（ＣＡ）に対するフッ素原子数（ＦＡ）
の比（ＦＡ／ＣＡ）、及び下地層１３の基板１２に接触
する側の下地層１３Ｃの部分の炭素原子数（ＣＣ）に対
するフッ素原子数（　Ｆ　Ｃ）の比（ＦＣ／ＣＣ）が、
下地層１３のそれら以外の部分の下地層１３Ｄの炭素原
子数（ＣＤ）に対するフッ素原子数（Ｆｏ）の比（ＦＤ
／ＣＤ）よりも小さくなるように構成されている。

上記下地層１３Ａの上記比（ＦＡ／ＣＡ）は、第１図に
おいて、下地層３Ａについて記載した比（ＦＡ／ＣＡ）
の値と同じ範囲の値であることが好ましい。また、下地
層１３Ｄの比（Ｆｎ／ＣＤ）は、第１図において、下地
層３Ｂについて記載した比（ＦＲ／ｃｎ）の値と同じ範
囲の値であることが好ましい。また、下地層１３Ｃの比
（ＦＣ／ＣＣ）の値は、上記比（ＦＤ／ＣＤ）よりも小
さいものである限り特に限定されないが、基板１２との
接着性を良好にするために、０．６〜１．２の範囲内の
値であることが好ましい。比（ＦＣ／Ｃ．，）が上記範
囲よりも小さいと、耐熱性が悪〈なりレーザビームによ
り変形を生じやすくなると同時に、成膜時間も長時間を
要する傾向にある。また、上記範囲よりも大きいと、基
板との接着性が悪くなり、基板とのはがれが生じ、記録
ビットの乱れが生じる傾向にある。更に、比（ＦＡ／Ｃ
Ａ）と比（ＦＣ／ＣＣ）との関係は特に限定されず、両
者が同じでもあるいは何れが大きくてもよい。

比（ＦＡ／ＣＡ）、比（ＦＣ／Ｃｃ）及び比（Ｆ■）／
ＣＤ）は、それぞれ下地層１３Ａ、下地層１３Ｃ及び下
地層１３Ｄ内において均一であってもよいが、これらの
比が前記の関係を満足する限りにおいて、各層内におい
て連続的に又は段階的に任意に変化していてもよい。従
って、下地層１３は、下地層１３Ａと下地層１３Ｄとを
比（ＦＡ／ＣＡ）と比（Ｆｏ／Ｃｏ）とが異なる層とし
て区別されるように、そして下地層１３Ｃと下地層１３
Ｄとを比（ＦＣ／ＣＣ）と比（ＦＤ／ＣＤ）とが異なる
層として区別されるように設けてもよく、また、下地層
１３Ｄから下地層１３Ａ及び下地層１３Ｃの方へ炭素原
子数（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ）の比（Ｆ／Ｃ）
が連続的に低下し、下地層１３Ａ又は下地層１３Ｃと下
地層１３Ｄとの境界が明瞭でないように設けてもよい。

下地層１３の全体（１　３Ａ＋１　３Ｃ＋１　３Ｄ）の
層厚（Ｌ）は、１００〜３０００又、特に３００〜２０
００Ｘの層厚であることが好ましい。下地層１３Ａの部
分の層厚（ＬＡ）は、５０〜３００又であることが好ま
しく、下地層１３Ｃの部分の層厚（Ｌｃ）は、５０〜１
　５０Ｘであることが好ましい。前記したように、下地
層の形成速度を増大させる点から、下地層１３Ａの部分
の層厚（ＬＡ）及び下地層１３Ｃの部分の層厚（Ｌｃ）
は小さい方が望ましい。上記のように、下地層１３Ａと
下地層１３Ｄとの境界が明瞭でない場合もあるが、その
場合には、比（ＦＡ／ＣＡ）の値を考慮して下地層１３
Ａと下地層１３Ｄとの境界を定めることができる。また
下地層１３Ｃと下地層１３Ｄとの境ｚ　３ 界が明瞭でない場合もあるが、その場合にも上記と同様
にして境界を定めることができる。

前記したように、スパッタにより下地層１３を形成させ
る際に、スパッタ電力を大きくすると、下地層１３の炭
素原子数（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ）の比（　Ｆ
／Ｃ　）は大きくなり、スパッタ速度も増大し短時間に
下地層３を形成できるので、下地層１３Ｄの比（ＦＤ／
Ｃｏ）を大きくし、かつ、下地層１３Ｄの層厚Ｌ。を大
きくすることが、生産性を向上させる点から望ましい。

比（ＦＤ／Ｃｏ）を大きくしても、下地層１３Ａの比（
ＦＡ／ＣＡ）及び層厚ＬＡが前記のような範囲の値であ
れば、情報記録媒体の品質が低下することはない。

下地層１３を上記のように形成するためのスパッタ装置
、ターゲット材料、スパツタ条件などについては、第１
図について記載したものと同様である。

本発明の情報記録媒体は、上記のようにして形成された
下地層の４一に記録層が設けられている。

２　４ 上記記録層の一つは、レーザ光により情報の記録及び／
又は再生が可能なＴｅを含む記録層である。

上記記録層は、Ｔｅ及びＳｅを含む記録層であることが
好ましい。

更に、上記記録層は、Ｓｅ．Ｔｅ．，Ｍ，（但し、ａ，
ｂ及びＣは原子数％で表わして、２≦ａ≦３５、５０≦
ｂ≦９８、Ｏ≦Ｃ≦４５の範囲内の値であり、Ｍは、Ｐ
ｂ，Ｉｎ．Ｇｅ，Ｓ，Ｓｂ，Ａｓ，Ｂｉ，Ｓｎ，ＡＬＬ
，Ｇａ，Ｔｌ、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，
Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｍｏ、ＷおよびＴａから選ば
れる少なくとも一種の金属を表わす）で表わされる組成
を有することが好ましい。

更にまた、上記記録層は、ＳｅａＴｅ１，Ｐｂ，（但し
、ａ，ｂＥＬ．Ｊｃは上記の通りである）で表わされる
組成を有することが好ましい。

本発明の情報記録媒体の記録層上には、二酸化ケイ素、
酸化スズ、弗化マグネシウム、酸化チタン、Ｔ　ｅ　Ｏ
　Ｘ　　（但し、ｌ≦Ｘ≦２）、酸化ジルコニウムおよ
び酸化亜鉛のいずれかの材料からなる層が積層されてい
ることが好ましい。

これらの材料の中では特に、ＴｅａＸ　（但し、Ｘは１
≦Ｘ≦２の範囲内の数字であり、特に、１．５≦Ｘ≦２
の範囲内の数字であることが好ましい〉からなる層が積
層されていることが好ましい。

前記Ｔｅを含む記録層は特に記録感度に優れたものであ
るが、記録層の形成後に経時的な感度劣化が起こり易い
。Ｔｅ単体に比較してＳｅが混入してることにより耐久
性の向上は見られるが充分ではない。上記一般式中のＭ
の他の金属を添加した場合には、例えば光吸収性の増加
、反射率の向上また記録層表面の平担性の良化等の効果
があるが、耐久性の向上への寄与は見られない。Ｔｅを
含む記録層上にＴ　ｅ　Ｏ　ｘ　　（但し、１≦Ｘ≦２
〉などからなる層を積層．した場合、耐久性の向上は勿
論のこと、記録感度をほとんど低下させることなく、小
さなビットが形成され易くなることができる。このよう
に小さなビット形成が容易になることにより、特に記録
された情報の分解能が高くなること、また高いＣ／Ｎを
得るための記録パワーの適応範囲を表すラチチュードが
広くなるなどの記録再生特性の向上が見られる。さらに
、耐久性の面では、特に繰返し再生した場合でもＣ／Ｎ
の低下が少なく読取り耐久性が、向上している。

記録層の層厚は、情報の書き込みの容易さと反射率との
兼ね合いから、１００〜３０００Ｘの範囲が好ましく、
特に好ましくは、２００〜１　２００Ｘの範囲である。

またＴｅＯＸなどからなる層の層厚は、２０〜３００Ｘ
の範囲が好ましい。

記録層は、上記の記録層材料を用いて蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティングなどの公知の方法により基
板上に形成される。Ｔｅａ．などからなる層も記録層と
同じように蒸着、スパッタリング、イオンプレーテイン
グなどの公知の方法により基板上に形成される。

上記記録層の他のものは、レーザ光により情報の記録及
び／又は再生が可能な色素を含む記録層である。上記色
素は特に限定されるものではなく、どのようなものでも
良い。例えば、シアニン系色素、アズレニウム系色素、
スクワリリウム系色素、フタロシアニン系色素、ピリリ
ウム系色素、チオピリリウム系色素、インドフェノール
系色素、インドアニリン系色素、トリフエニルメタン系
色素、キノン系色素、アミニウム系色素、ジインモニウ
ム系色素、金属錯塩系色素、などを挙げることができる
。好ましくは、シアニン系色素及びフタロシアニン系色
素を挙げることができる。

これらのうちでも記録再生用レーザとして近赤外光を発
振する半導体レーザの利用が実用化されている点から、
７００〜９００ｎｍの近赤外領域の光に対する吸収率が
高い色素が好ましい。

なお、これらの色素は単独でもあるいは二種以上の混合
物として用いてもよい。また、シアニン系色素を用いる
場合に、上記金属錯塩系色素またはアミニウム系色素や
ジインモニウム系色素をクエンチャーとして一緒に用い
ることが好ましい。

その場合、クエンチャーは全色素１モル部に対して０．
０１〜０．３モル部含むことが好ましい。

上記色素を含む記録層の形成は、上記色素、さらに所望
により結合剤を溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで
この塗布液を基板表面に塗布してｔ？．膜を形成したの
ち乾燥することにより行なうことができる。

上記色素塗布液調製用の溶剤としては、酢酸エチル、酢
酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチル
ケトンなどのケトン、ジクロルメタン、１．２−ジクロ
ルエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素、テ
トラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどの
エーテル、エタノール、ｎ−プロバノール、イソプロパ
ノール、ｎ−ブタノールなどのアルコール、ジメチルホ
ルムアミドなどのアミド、２，２，３．３−テトラフロ
ロプロパノール等フッ素系溶剤などを挙げることができ
る。なお、これらの非炭化水素系有機溶剤は、５０容量
％以内である限り、脂肪族炭化水素溶剤、脂環族炭化水
素溶剤、芳香族炭化水素溶剤などの炭化水素系溶媒を含
んでいてもよい。

塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、
滑刑なと各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。

結合剤を使用する場合に結合剤としては、例えばゼラチ
ン、ニトロセルロース、酢酸セルロース等のセルロース
誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高
分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
スチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ
塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポ
リ酢酸ビニル共重合体等のビニル系網脂、ポリアクリル
酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、
ポリビニルアルコール、塩素化ポリオレフィン、エポキ
シ樹脂、ブチラール網脂、ゴム誘導体、フェノール・ホ
ルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物など
の合成４Ｔ機高分子物質を挙げることができる。

塗布方法としては、スプレー法、スビンコート法、ディ
ップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクター
ロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる
。色素の良好な配向状態を形成するためには、スピンコ
ート法を用いることが好ましい。

色素を含む記録層の材料として結合剤を併用する場合に
、結合剤に対する色素の比率は一般に０．０１〜９９％
（重量比）の範囲にあり、好ましくは１．０〜９５％（
重量比）の範囲にある。

上記色素記録層の上に更に金属からなる反射層が設けら
れている。反射層を設けることにより、反射率の向上の
効果、情報に再生時におけるＳ／Ｎの向上および記録時
における感度の向上の効果も得ることができる。

反射層の材料としては、Ｍｇ．Ｓｅ，Ｙ、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏＷ．Ｍｎ，Ｒｅ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，ｌ　ｒ，Ｐｔ．Ｃ
ｕ，Ａｇ．Ａｕ．Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｎ、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ
，Ｇｅ，３１ Ｔｅ，Ｐｂ，Ｐｏ．Ｓｎ，Ｂｉなどの金属および半金属
を挙げることができる。さらにステンレス鋼などの合金
であってもよい。本発明では、温度４００゜Ｋにおける
熱伝導率が高い、少なくとも１０ｗ／ｍ−ｋ以上の金属
からなる反射層が設けられることが好ましい。これによ
り、色素記録層にレーザ光を照射した際の熱を反射層に
急速に伝導することができる。これらの中でもＡｕ、Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ｐｔ％Ａｎ、Ｃｒ，Ｎｉおよびステンレス鋼
が特に好ましい。これらの物質は単独で川いてもよいし
、あるいは二種以上の組合せでまたは合金として用いて
もよい。

上記のような記録層の上には保護層が設けられてもよい
。保護層としては、軟質樹脂材料からなる軟質保護層と
硬質樹脂材料からなる硬質保護層との積層体が好ましい
。この積層体は、軟質保護層側を記録層側にして、記録
層上に積層する。軟質樹脂材料の例としては、ポリウレ
タン、ポリ塩化ビニリデン、エヂレン・酢酸ビニル」（
重合体、シリコンゴム、スチレン・ブタジエン・ゴム、
ボ３　２ リ塩化ビニリデン、ポリアクリル酸エステルを挙げるこ
とができる。通常、これらは、溶液塗布、ラテックス′
？ＩＰＩｊｉ、熔融塗布などの方法により記録層上に塗
布され、必要により乾燥、加熱などの処理を行なって軟
質保護層とされる。軟質保護層の層厚は通常１　００Ｘ
〜５μｍの範囲にあり、好ましくは０．３〜３μｍの範
囲にある。硬質樹脂材料の例としては、紫外線硬化樹脂
、熱硬化樹脂などが挙げられる。通常、これらは、溶液
塗布などの方法により軟質保護層上に塗布され、必要に
より紫外線照射、加熱などの処理を行なって硬質保護層
とされる。硬質保護層の層厚は通常０．１〜１０μｍの
範囲にあり、好ましくは１〜３μｍの範囲にある。

基板の記録層が設けられる側とは反対側の表面には、耐
傷性、防湿性などを高めるために、たとえば二酸化ケイ
素、酸化スズ、弗化マグネシウムそして上記Ｔ　ｅ　Ｏ
ウなどの無機物質、あるいは熱可塑性樹脂、光硬化型樹
脂なとの高分子物質からなる薄膜が、真空蒸着、スパッ
タリンクまたは塗布等の方法により設けられていてもよ
い。

本発明の情報記録媒体を用いて、以下に述べるような光
情報記録方法により、情報を記録することができる。本
発明により製造された情報記録媒体は、ＣＤフォーマッ
ト信号の記録に特に適しているため、これを例にとって
説明する。

まず、情報記録媒体を１．２〜１．４ｍ／秒の定線速度
で回転させながら、表面にプレグループを有する基板側
から半導体レーザー光などの記録用の光を、基板側から
該プレグループのグループにレーザー光を照射してＣＤ
フォーマットのＥＦＭ信号を、該グループの記録層にピ
ットを形成することにより記録する。一般に、記録光と
しては７５０〜８５０ｎｍの範囲の発振波長を有する半
導体レーザービームが用いられる。一般に３〜１５ｍＷ
のレーザーバワーで記録される。

これにより記録層には長さが０．７０〜４．０μｍのビ
ットが０．７０〜４．０μｍの間隔で同心内状もしくは
スバイラル状に形成される。

記録に際しては、上記トラッキング用プレグループを用
いてトラッキング制御を行なわれる。

本発明の情報の記録は、プレグループのグループの底部
の領域に行なわれる。

情報の再生は、記録媒体を上記と同一の定線速度で四転
させながら半導体レーザー光を基板側から照射して、そ
の反射光を検出することにより行なうことができる。

以下余白 ３　５ 次に本発明の実施例を記載する。ただし、これらの各例
は本発明を制限するものではない。

［実施例１］ 基板、下地層及び記゛録層が第１図に示すような構成を
有する情報記録媒体を製造した。

トラッキング用溝を有する円盤状のポリカーボネート基
板（外径：１２０ｍｍ、内径：１５ｍ　ｍ　，厚さ：１
．２ｍｍ，内径４　６　ｍ　ｍ〜外径１１７．ｍｍの範
囲に深さａ　Ｏ　Ｏ　；，，半値幅０．６５μｍ１ピッ
チ１．６μｍの溝がスパイラル状に設けられているもの
）を用意した。

この基板２の表面に、ポリテトラフルオロエチレンを使
用し、スバツタガス：アルゴン、圧力５ミリＴｏｒｒ，
電力４００Ｗ、ターゲット距＠ｉｏｍｍの条件で８．５
分間スバツタして、層厚１７００Ｘの下地層３Ｂを形成
した。

下地層３Ｂの、炭素原子数（Ｃｌｌ）に対するフッ素原
子数（　Ｆ　Ｒ）ノ比（ＦＢ／ＣＢ）は、ｘｐｓ　＜ｘ
線光電子分光法）（Ｘ−Ｒａｙ　ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ　ｓｐｅｃｔｒｏ−ｓｃｏｐｙ）のＣＩＳ及びＦ
＋ｓの信弓一強度から算出した結３　６ 果、１．４であった。以下の記載において、炭素原子数
（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ）の比（Ｆ／Ｃ）は、
上記と同様にして求めた。

次いで、下地層３Ｂの上に、電力を１５０Ｗに変え、ス
パッタ時間を１分間に変えた他は下地層３Ｂの形成と同
様にスパッタして、層厚１００Ｘの下地層３Ａを形成し
た。

下地層３Ａの、炭素原子数（ＣＡ）に対するフッ素原子
数（ＦＡ）の比（ＦＡ／ＣＡ）は、１．１であった。

次いで、この下地層上に、Ｔｅ，Ｓｅおよびｐｂをそれ
ぞれ７８原子数％：１８原子数％：４原子数％の割合で
、スパッタガス：アルゴン、圧力５ミリＴｏｒｒ、電力
１２５Ｗ，ターゲット距離１０ｍｍの条件で５分間スパ
ッタを行なって層厚７００Ｘの記録層を形成した。

この記録層上に、スパッタガス：アルゴン、圧力５ミリ
Ｔｏｒｒ、電力１００Ｗ、ターゲット距離１０ｍｍの条
件で３分間ＴｅＯ２のスバツタを行なって、層厚１００
大のＴｅａ，６の層を形成した。

このようにして、基板、下地層、記録層およびＴ　ｅ　
Ｏ　＋．　ｓの層からなる情報記録媒体を製造した。

上記のようにして製造した情報記録媒体に、波長：　７
８０ｎｍのレーザ光を使用して、線速度＝１．３ｍ／秒
、レーザバワー：５ｍＷ、記録イ４クーは、ケンウッド
ＥＦＭエンコーダーからの基準信号をコンベンショナル
な方法［３ＴはＴ／３を２パルス、４ＴはＴ／３を３パ
ルス、すなわち、ｎＴはＴ／３を（ｎ−１）バルス］で
変調して記録した。

記録された信号の再生を、波長：　７８０ｎｍ、線速度
＋１．３ｍ／秒、レーザパワー：０．５ｍＷで行って、
ケンウッド製のＣＤデコーダーに人力し、Ｃ１エラーを
測定した。

その結果を第１表に示す。

［実施例２］ 下地層３Ｂを形成させる際のスバ・ンタ時間を８分間に
変えて下地層３Ｂの層厚な１　６００Ｘにし、下地層３
Ａを形成させる際のスパッタ時間を２分間に変えて下地
層３Ａの層厚を２００Ｘにした他は、実施例１における
と同様にして、情報記録媒体を製造した。

下地層３Ａの、炭素原子数（　Ｃ　Ａ）に対するフッ素
原子数（ＦＡ）の比（ＦＡ／ＣＡ）は、１．１であり、
下地層３Ｂの、炭素原子数（ＣＢ）に対するフッ素原子
数（Ｆ８）の比（ＦＢ／ＣＢ）は、１．４であった。

得られた情報記録媒体について、実施例１におけると同
じ方法でＣ１エラーを測定した。その結果を第１表に示
す。

［実施例３］ 下地層３Ｂを形成させる際のスパッタ時間を７．５分間
に変えて下地層３Ｂの層厚を１５００又にし、下地層３
Ａを形成させる際のスパッタ時間を３分間に変えて下地
層３Ａの層厚を３００又にした他は、実施例１における
と同様にして、情報記録媒体を製造した。

下地層３Ａの、炭素原子数（ＣＡ）に対するフツ３　９ 素原子数（ＦＡ）の比（ＦＡ／ＣＡ）は、１．１であり
、下地層３Ｂの、炭素原子数（ＣＤ）に対するフッ素原
子数（ＦＢ）の比（ＦＢ／Ｃｎ）は、１．４であった。

得られた情報記録媒体について、実施例１におけると同
じ方法でＣ１エラーを測定した。その結果を第１表に示
す。

［比較例１］ 下地層３Ｂを形成させる際のスパッタ時間を９分間に変
えて下地層３Ｂの層厚を１ｓｏｏ；，にし、下地層３Ａ
を形成させなかった他は、実施例１におけると同様にし
て、情報記録媒体を製造した。

下地層３Ｂの、炭素原子数（ＣＲ）に対するフッ素原子
数（　Ｆ　Ｂ）の比（ＦＢ／Ｃ［ｌ）は、１．４であっ
た。

得られた情報記録媒体について、実施例１におけると同
じ方法で０１エラーを測定した。その結果を第１表に示
す。

［実施例４］ ４　０ 下地層３Ｂを形成させる際のスパッタ時間を７．５分間
に変えて下地層３Ｂの層厚を１５００大にし、下地層３
Ａを形成させる際のスパッタガスをアルゴン８５％と水
素１５％との混合ガスに変え、電力を４００Ｗに変え、
スパッタ時間を１．５分間に変えて層厚３００又の下地
層３Ａを形成した他は、実施例１におけると同様にして
情報記録媒体を製造した。

下地層３Ａの、炭素原子数（ＣＡ）に対するフッ素原子
数（ＦＡ）の比（ＦＡ／ＣＡ）は、１．０であり、下地
層３Ｂの、炭素原子数（ＣＢ）に対す乞フッ素原子数（
ＦＢ）の比（ＦＲ／ＣＢ）は、１．４であった。

得られた情報記録媒体について、実施例１におけると同
じ方法でＣ１エラーを測定した。その結果を第１表に示
す。

［実施例５］ 下地層３Ａを形成させる際のスパッタガスをアルゴン９
０％と水素１０％との混合ガスに変えたた他は、実施例
４におけると同様にして情報記録媒体を製造した。

下地層３Ａの、炭素原子数（ＣＡ）に対するフッ素原子
数（ＦＡ）の比（ＦＡ／ＣＡ）は、１．１５であり、下
地層３Ｂの、炭素原子数（Ｃａ）に対するフッ素原子数
（ＦＢ）の比（ＦＢ／ＣＢ）は、１．４であった。

得られた情報記録媒体について、実施例１におけると同
じ方法でＣ１エラーを測定した。その結果を第１表に示
す。

［実施例６］ 基板、下地層及び記録層が第２図に示すような構成を有
する情報記録媒体を製造した。

トラッキング用溝を有する円盤状のポリカーボネート基
板（外径：１２０ｍｍ、内径：１５ｍｍ，厚さ：１．２
ｍｍ，内径４６ｍｍ〜外径１１７ｍｍの範囲に深さａ　
ｏ　Ｏ　Ｘ，半値幅０．６５μｍ、ピッチ１．６μｍの
溝がスパイラル状に設けられているもの）を用意した。

この基板１２の表面に、ポリテトラフルオロエチレンを
使用し、スパッタガス：アルゴン、圧力５ミリＴｏｒｒ
、電力１５０Ｗ，ターゲット距離１０ｍｍの条件で１分
間スパッタして、層厚１００Ｘの下地層１３Ｃを形成し
た。

下地層１３Ｃの、炭素原子数（ＣＣ）に対するフッ素原
子数（ＦＣ）の比（Ｆ（：／ＣＧ）は、１．１であった
。

次いで、下地層１３Ｃの上に、電力を４００Ｗに変え、
スパッタ時間を７分間に変えた他は下地層１３Ｃの形成
と同様にスパッタして、層厚１４００Ｘの下地層１３Ｄ
を形成した。

ド地層１３Ｄの、炭素原子数（　Ｃ　Ｄ）に対するフッ
素原子数（　Ｆ　ｏ）の比（ＦＤ／ＣＤ）は、１．４で
あった。

次いで、下地層１３Ｄの上に、電力を１５０Ｗに変え、
スパッタ時間を３分間に変えた他は下地層１３０の形成
と同様にスパッタして、層厚３００Ｘの下地層１３Ａを
形成した。

下地層１３Ａの、炭素原子数（ＣＡ）に対するフッ素原
子数（ＦＡ）の比（ＦＡ／ＣＡ）は、１．１であった。

４　３ 次いで、この下地層上に、Ｔｅ，Ｓｅおよびｐｂをそれ
ぞれ７８原子数％＝１８原子数％：４原子数％の割合で
、スパッタガス：アルゴン、圧力５ミリＴｏｒｒ、電力
１２５ｗ、ターゲット距離１０ｍｍの条件で５分間スパ
ッタを行なって層厚７００Ｘの記録層を形成した。

この記録層上に、スパッタガス：アルゴン、圧力５ミリ
Ｔｏｒｒ，電力１００Ｗ，ターゲット距離１０ｍｍの条
件で３分間ＴｅＯ２のスパッタを行なって、層厚１００
大のＴｅａ，．の層を形成した。

このようにして、基板、下地層、記録層およびＴ　ｅ　
Ｏ　＋＋６の層からなる情報記録媒体を製造した。

得られた情報記録媒体について、実施例１におけると同
じ方法でＣ１エラーを測定した。その結果を第１表に示
す。

４　４ 第 １ 表 第１表の結果から明らかなように、各実施例で得られた
本発明の情報記録媒体は、下地層の記録層に接触する側
に、炭素原子数（Ｃ）に対するフッ素原子数（Ｆ）の比
（Ｆ／Ｃ）の小さい部分を有しない比較例１で得られた
情報記録媒体に比較して、Ｃ１エラーが著しく小さく顕
著に優れた性能を有する情報記録媒体である。

［発明の効果］ 本発明の情報記録媒体は、下地層の炭素原子数（Ｃ）に
対するフッ素原子数（Ｆ）の比（Ｆ／Ｃ）か、下地層の
厚さ方向で異なり、記録層と接触する側、又は記録層と
接触する側と基板と接触する側とが他の部分よりも小さ
くなるように構成されているので、記録層との、又は記
録層と基板との接着性が極めて優れている下地層を有し
、そのために、記録・再生性能、再生劣化特性、及び耐
久性が優れており、しかも高い生産性で製造することが
できる情報記録媒体である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の情報記録媒体の一実施例の断面を模
式的Ｃ示す断面図である。 第２図は、他の本発明の情報記録媒体の一実施例の断面
を模式的に示す断面図である。 １、１１：情報記録媒体、 ２、１２：基板、 ３Ａ、３Ｂ、１３Ａ，１３Ｃ，１３Ｄ＋下地層４、１４
：記録層、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １。円盤状基板の表面にフッ素系樹脂からなる下地層が
   設けられ、該下地層の上にレーザ光により情報の記録及
   び／又は再生が可能な記録層が設けられてなる情報記録
   媒体であって、該下地層の該記録層に接触する側の層の
   部分の炭素原子数（Ｃ＿Ａ）に対するフッ素原子数（Ｆ
   ＿Ａ）の比（Ｆ＿Ａ／Ｃ＿Ａ）が、該下地層のその他の
   部分の炭素原子数（Ｃ＿Ｂ）に対するフッ素原子数（Ｆ
   ＿Ｂ）の比（Ｆ＿Ｂ／Ｃ＿Ｂ）よりも小さいものである
   ことを特徴とする情報記録媒体。 ２。円盤状基板の表面にフッ素系樹脂からなる下地層が
   設けられ、該下地層の上にレーザ光により情報の記録及
   び／又は再生が可能な記録層が設けられてなる情報記録
   媒体であって、該下地層の該記録層に接触する側の層の
   部分の炭素原子数（Ｃ＿Ａ）に対するフッ素原子数（Ｆ
   ＿Ａ）の比（Ｆ＿Ａ／Ｃ＿Ａ）及び該下地層の該基板に
   接触する側の層の部分の炭素原子数（Ｃ＿Ｃ）に対する
   フッ素原子数（Ｆ＿Ｃ）の比（Ｆ＿Ｃ／Ｃ＿Ｃ）が、該
   下地層のそれら以外の部分の炭素原子数（Ｃ＿Ｄ）に対
   するフッ素原子数（Ｆ＿Ｄ）の比（Ｆ＿Ｄ／Ｃ＿Ｄ）よ
   りも小さいものであることを特徴とする情報記録媒体。 ３。該下地層が、フッ素系樹脂のスパッタにより形成さ
   れたものであることを特徴とする請求項１及び２のいず
   れか一項記載の情報記録媒体。 ４。該記録層が、レーザ光により情報の記録及び／又は
   再生が可能なＴｅを含むことを特徴とする請求項１及び
   ２のいずれか一項記載の情報記録媒体。