JPH0714221A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0714221A JPH0714221A JP15549493A JP15549493A JPH0714221A JP H0714221 A JPH0714221 A JP H0714221A JP 15549493 A JP15549493 A JP 15549493A JP 15549493 A JP15549493 A JP 15549493A JP H0714221 A JPH0714221 A JP H0714221A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical recording
- layer
- substrate
- reflectance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録層が反射層形成時にダメージを受けるこ
とがなく、反射率の低下および変動を生じない光記録媒
体の製造方法を提供することにある。 【構成】 基板上に設けられた色素を含む記録層上に、
アルゴンガス環境下にて、金，銀およびそれらの合金の
中から選ばれたターゲットを用いてスパッタ法により反
射層を形成する光記録媒体の製造方法において、前記タ
ーゲットと前記基板との距離Ｘ（ｍｍ）が５５≦Ｘ≦８
５であり、かつ、前記スパッタ法により反射層を形成す
る際に、単位電力当たりの製膜速度Ｙ（Å／（ｓｅｃ×
ｋＷ））がＹ≦５５であることを特徴とする光記録媒体
の製造方法。 【効果】 本発明の製造方法は製造過程で光記録媒体の
反射率の低下および変動が抑制されるので、読取りエラ
ーを生じることのない光記録媒体を提供することができ
る。
とがなく、反射率の低下および変動を生じない光記録媒
体の製造方法を提供することにある。 【構成】 基板上に設けられた色素を含む記録層上に、
アルゴンガス環境下にて、金，銀およびそれらの合金の
中から選ばれたターゲットを用いてスパッタ法により反
射層を形成する光記録媒体の製造方法において、前記タ
ーゲットと前記基板との距離Ｘ（ｍｍ）が５５≦Ｘ≦８
５であり、かつ、前記スパッタ法により反射層を形成す
る際に、単位電力当たりの製膜速度Ｙ（Å／（ｓｅｃ×
ｋＷ））がＹ≦５５であることを特徴とする光記録媒体
の製造方法。 【効果】 本発明の製造方法は製造過程で光記録媒体の
反射率の低下および変動が抑制されるので、読取りエラ
ーを生じることのない光記録媒体を提供することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は記録層に色素を含んだラ
イトワンス型の光記録媒体の製造方法に関する。
イトワンス型の光記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来のライトワンス型の光記録媒体として
は、例えば図１に斜視図示すような構造のものが知られ
ている。図１において、１は透光性を有するドーナツ板
状の基板である。この基板１の上には有機色素からなる
記録層２が形成されている。記録層２は、基板１を透過
して照射されたレーザー光を吸収して発熱し、溶融，蒸
発，昇華，変形または変性し、該記録層２や基板１の表
面にピットを形成する作用を有する層である。
は、例えば図１に斜視図示すような構造のものが知られ
ている。図１において、１は透光性を有するドーナツ板
状の基板である。この基板１の上には有機色素からなる
記録層２が形成されている。記録層２は、基板１を透過
して照射されたレーザー光を吸収して発熱し、溶融，蒸
発，昇華，変形または変性し、該記録層２や基板１の表
面にピットを形成する作用を有する層である。
【０００３】記録層２の上には、反射層３が形成されて
いる。反射層３の厚さは、通常５０〜２００ｎｍ程度で
ある。さらに、反射層３の上には、反射層３等を保護す
るための保護層４が形成されている。
いる。反射層３の厚さは、通常５０〜２００ｎｍ程度で
ある。さらに、反射層３の上には、反射層３等を保護す
るための保護層４が形成されている。
【０００４】光記録媒体の反射層は、蒸着法，スパッタ
法，イオンプレート法等により製造される。蒸着法は高
い反射率の層が得られるが、基板と反射層の密着性が悪
い。イオンプレート法は高反射率で密着性のよい層を得
られるが、量産性に劣る。そこで、基板と反射層の密着
性がよく、量産性に優れるスパッタ法が使用されてい
る。
法，イオンプレート法等により製造される。蒸着法は高
い反射率の層が得られるが、基板と反射層の密着性が悪
い。イオンプレート法は高反射率で密着性のよい層を得
られるが、量産性に劣る。そこで、基板と反射層の密着
性がよく、量産性に優れるスパッタ法が使用されてい
る。
【０００５】上記光記録媒体は既存のコンパクトディス
クに用いられるプレーヤにより再生できることが望まれ
ている。このため、反射率６５％以上であることが実用
上要求されている。また、反射率をＲ％とすると面内分
布が±０．０３Ｒ％を越えると、反射率の変動が大きく
なり、再生時に読取りエラーを生じやすい。
クに用いられるプレーヤにより再生できることが望まれ
ている。このため、反射率６５％以上であることが実用
上要求されている。また、反射率をＲ％とすると面内分
布が±０．０３Ｒ％を越えると、反射率の変動が大きく
なり、再生時に読取りエラーを生じやすい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述の構成
を有する光記録媒体では、その反射率は記録層の膜厚に
依存して変化することが知られている。特に、色素を含
むデリケートな記録層上に、スパッタ法を用いて、原子
量が大きい金，銀およびそれらの合金からできている層
を形成する場合、基板に入射する高エネルギー粒子によ
り記録層がダメージを受けてしまうことがある。
を有する光記録媒体では、その反射率は記録層の膜厚に
依存して変化することが知られている。特に、色素を含
むデリケートな記録層上に、スパッタ法を用いて、原子
量が大きい金，銀およびそれらの合金からできている層
を形成する場合、基板に入射する高エネルギー粒子によ
り記録層がダメージを受けてしまうことがある。
【０００７】このため、光記録媒体の反射率が所望の反
射率よりも低くなる。また、反射率の面内部分布が所定
の範囲を越える等の理由から、再生時に読取りエラーを
生じやすい。
射率よりも低くなる。また、反射率の面内部分布が所定
の範囲を越える等の理由から、再生時に読取りエラーを
生じやすい。
【０００８】本発明の目的は、記録層が反射層形成時に
ダメージを受けることがなく、反射率の低下および変動
を生じない光記録媒体の製造方法を提供することにあ
る。
ダメージを受けることがなく、反射率の低下および変動
を生じない光記録媒体の製造方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板上
に設けられた色素を含む記録層上に、アルゴンガス環境
下にて、金，銀およびそれらの合金の中から選ばれたタ
ーゲットを用いて反射層を形成する光記録媒体の製造方
法において、前記ターゲットと前記基板との距離Ｘ（ｍ
ｍ）が５５≦Ｘ≦８５であり、かつ、反射層を形成時、
単位電力当たりの製膜速度Ｙ（Ａ／（ｓｅｃ×ｋＷ））
がＹ≦５５であることを特徴とする光記録媒体の製造方
法である。
に設けられた色素を含む記録層上に、アルゴンガス環境
下にて、金，銀およびそれらの合金の中から選ばれたタ
ーゲットを用いて反射層を形成する光記録媒体の製造方
法において、前記ターゲットと前記基板との距離Ｘ（ｍ
ｍ）が５５≦Ｘ≦８５であり、かつ、反射層を形成時、
単位電力当たりの製膜速度Ｙ（Ａ／（ｓｅｃ×ｋＷ））
がＹ≦５５であることを特徴とする光記録媒体の製造方
法である。
【００１０】
【作用】本発明は、基板とターゲットとの距離、およ
び、製膜速度を最適化することにより、スパッタ粒子が
プラズマ中を通過する過程でプラズマガスと衝突する回
数を調整し、基板に入射するスパッタ粒子のエネルギー
を適正化する。このため、反射層を形成する際に、色素
がスパッタ粒子によりダメージを受けることがない。
び、製膜速度を最適化することにより、スパッタ粒子が
プラズマ中を通過する過程でプラズマガスと衝突する回
数を調整し、基板に入射するスパッタ粒子のエネルギー
を適正化する。このため、反射層を形成する際に、色素
がスパッタ粒子によりダメージを受けることがない。
【００１１】
【実施例】以下、実施例を説明するが本発明はこれに限
定されるものではない。
定されるものではない。
【００１２】幅０．６μｍ、深さ２０００Åの溝を１．
６μｍ間隔でスパイラル状にもつ厚さ１．２ｍｍの、記
録可能コンパクトディスク用ポリカーボネート基板上
に、シアニン系色素ＮＫ−２９２９（（株）日本感光色
素研究所製）をメタノールに２．５ｗｔ％含有させた液
をスピンコート法にて塗布し、溶媒を蒸発させ、厚さ１
３００Åの記録層を有するディスクを作製した。
６μｍ間隔でスパイラル状にもつ厚さ１．２ｍｍの、記
録可能コンパクトディスク用ポリカーボネート基板上
に、シアニン系色素ＮＫ−２９２９（（株）日本感光色
素研究所製）をメタノールに２．５ｗｔ％含有させた液
をスピンコート法にて塗布し、溶媒を蒸発させ、厚さ１
３００Åの記録層を有するディスクを作製した。
【００１３】次に、この色素塗布ディスクにスパッタ法
により色素塗布面に金を１０００Å製膜した。この時、
アルゴンガス環境下にて、ターゲットと基板との距離
（以下、ＴＳ間距離という）を５５ｍｍとし、単位電力
当たりの製膜速度を４０（Å／（ｓｅｃ×ｋＷ））とし
た。
により色素塗布面に金を１０００Å製膜した。この時、
アルゴンガス環境下にて、ターゲットと基板との距離
（以下、ＴＳ間距離という）を５５ｍｍとし、単位電力
当たりの製膜速度を４０（Å／（ｓｅｃ×ｋＷ））とし
た。
【００１４】Ａｕ成膜面に紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法にて塗布した後、紫外線を照射して保護層を形成
した。得られた光記録媒体を試料Ｎｏ４とする。
ート法にて塗布した後、紫外線を照射して保護層を形成
した。得られた光記録媒体を試料Ｎｏ４とする。
【００１５】試料Ｎｏ４の光記録媒体の平均反射率Ｒを
測定した。ここで、平均反射率Ｒとは記録媒体の半径２
５ｍｍと４０ｍｍと５８ｍｍとの箇所を各々３点測定
し、合計９箇所の反射率の平均値である。また、平均反
射率Ｒと上記９個の測定値との差を求め、その最大値幅
を反射率の面内ばらつきとした。反射率の面内ばらつき
は絶対値である。
測定した。ここで、平均反射率Ｒとは記録媒体の半径２
５ｍｍと４０ｍｍと５８ｍｍとの箇所を各々３点測定
し、合計９箇所の反射率の平均値である。また、平均反
射率Ｒと上記９個の測定値との差を求め、その最大値幅
を反射率の面内ばらつきとした。反射率の面内ばらつき
は絶対値である。
【００１６】得られた、平均反射率Ｒと反射率の面内ば
らつきとを表１の試料Ｎｏ４の欄に示す。なお、表１に
は、平均反射率Ｒから決められる反射率の許容ばらつき
±０．０３Ｒも表している。
らつきとを表１の試料Ｎｏ４の欄に示す。なお、表１に
は、平均反射率Ｒから決められる反射率の許容ばらつき
±０．０３Ｒも表している。
【００１７】
【表１】
【００１８】上記実施例に対して、表１に示す条件のよ
うにＴＳ間距離と単位電力当たりの製膜速度とを変化し
て、試料Ｎｏ１〜３，試料Ｎｏ５〜１５を作製し、さら
に、平均反射率Ｒと反射率の面内ばらつきとを測定し
た。結果を表１に示す。
うにＴＳ間距離と単位電力当たりの製膜速度とを変化し
て、試料Ｎｏ１〜３，試料Ｎｏ５〜１５を作製し、さら
に、平均反射率Ｒと反射率の面内ばらつきとを測定し
た。結果を表１に示す。
【００１９】表１より明らかなように、ＴＳ間距離Ｘ
（ｍｍ）が５５≦Ｘ≦８５であり、かつ、単位電力当た
りの製膜速度Ｙ（Å／（ｓｅｃ×ｋＷ））がＹ≦５５で
あるような、実施例となる試料Ｎｏ４，５，７，８，１
０，１１は、平均反射率Ｒが６５％以上であり、かつ、
面内ばらつきが±０．０３Ｒの範囲に入る。しかし、比
較例となる他の試料は平均反射率Ｒが６５％未満、およ
び／または、面内ばらつきが±０．０３Ｒの範囲外であ
る。
（ｍｍ）が５５≦Ｘ≦８５であり、かつ、単位電力当た
りの製膜速度Ｙ（Å／（ｓｅｃ×ｋＷ））がＹ≦５５で
あるような、実施例となる試料Ｎｏ４，５，７，８，１
０，１１は、平均反射率Ｒが６５％以上であり、かつ、
面内ばらつきが±０．０３Ｒの範囲に入る。しかし、比
較例となる他の試料は平均反射率Ｒが６５％未満、およ
び／または、面内ばらつきが±０．０３Ｒの範囲外であ
る。
【００２０】上記実施例では、記録層としてシアニン色
素を使用したが、記録層としてはメロシアニン色素，フ
タロシアニン色素，含金属アゾ色素等を使用できる。
素を使用したが、記録層としてはメロシアニン色素，フ
タロシアニン色素，含金属アゾ色素等を使用できる。
【００２１】保護層として使用される紫外線硬化型樹脂
は紫外線を照射して硬化する際に収縮する。この時、記
録層は応力を受けて変形することがある。そこで、記録
層に使用される色素を用いる場合、紫外線硬化型樹脂の
硬化収縮率を１０％以下とすることが好ましい。
は紫外線を照射して硬化する際に収縮する。この時、記
録層は応力を受けて変形することがある。そこで、記録
層に使用される色素を用いる場合、紫外線硬化型樹脂の
硬化収縮率を１０％以下とすることが好ましい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
は製造過程で光記録媒体の反射率の低下および変動が抑
制されるので、読取りエラーを生じることのない光記録
媒体を提供することができる。
は製造過程で光記録媒体の反射率の低下および変動が抑
制されるので、読取りエラーを生じることのない光記録
媒体を提供することができる。
【図１】従来のライトワンス型光記録媒体の構造を示す
一部を切欠いた斜視図である。
一部を切欠いた斜視図である。
１ 基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 保護層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に設けられた色素を含む記録層上
に、アルゴンガス環境下にて、金，銀およびそれらの合
金の中から選ばれたターゲットを用いてスパッタ法によ
り反射層を形成する光記録媒体の製造方法において、 前記ターゲットと前記基板との距離Ｘ（ｍｍ）が５５≦
Ｘ≦８５であり、かつ、前記スパッタ法により反射層を
形成する際に、単位電力当たりの製膜速度Ｙ（Ａ／（ｓ
ｅｃ×ｋＷ））がＹ≦５５であることを特徴とする光記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15549493A JPH0714221A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15549493A JPH0714221A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714221A true JPH0714221A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15607282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15549493A Pending JPH0714221A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714221A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6007889A (en) * | 1998-06-22 | 1999-12-28 | Target Technology, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6451402B1 (en) | 1998-06-22 | 2002-09-17 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6544616B2 (en) | 2000-07-21 | 2003-04-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6764735B2 (en) | 1998-06-22 | 2004-07-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6790503B2 (en) | 1998-06-22 | 2004-09-14 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6841219B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-01-11 | Han H. Nee | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6905750B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-06-14 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7045187B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7572517B2 (en) | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP15549493A patent/JPH0714221A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6905750B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-06-14 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6841219B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-01-11 | Han H. Nee | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6451402B1 (en) | 1998-06-22 | 2002-09-17 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7045187B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6764735B2 (en) | 1998-06-22 | 2004-07-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6790503B2 (en) | 1998-06-22 | 2004-09-14 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6280811B1 (en) | 1998-06-22 | 2001-08-28 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6852384B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-02-08 | Han H. Nee | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6007889A (en) * | 1998-06-22 | 1999-12-28 | Target Technology, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6896947B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-05-24 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6544616B2 (en) | 2000-07-21 | 2003-04-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7572517B2 (en) | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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