JPH083913B2 - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPH083913B2
JPH083913B2 JP62061327A JP6132787A JPH083913B2 JP H083913 B2 JPH083913 B2 JP H083913B2 JP 62061327 A JP62061327 A JP 62061327A JP 6132787 A JP6132787 A JP 6132787A JP H083913 B2 JPH083913 B2 JP H083913B2
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ等による光学的書込み記録に適した
光学情報記録媒体に関し、詳しくは光ディスク及び光カ
ードなどに用いうる改善された光学記録媒体に関するも
のである。
［従来の技術］ 一般に、光ディスク或いは光カードは、基体の上に設
けた薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さ
な、例えば、約１μピットをらせん状又は円形または直
線状のトラック形態にして高密度情報を記憶することが
できる。この様なディスク或はカードに情報を書込むに
は、レーザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、こ
のレーザ光線が照射された表面のみがピットを形成し、
このピットをらせん状又は円形もしくは直線状のトラッ
クの形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネル
ギーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成でき
る。例えば、ヒートモード記録方式ではレーザ感応層は
熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により
小さな凹部（ピット）を形成できる。また、別のヒート
モード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの
吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有
するピットを形成できる。
この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、
レーザ光をトラックに沿って走査しピットが形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される。例えば光ディスクや光
カードの場合、レーザ光がトラックに沿って走査され、
ディスクやカードにより反射されたエネルギーがフォト
ディテクターによってモニターされる。ピットが形成さ
れている部分は、レーザ光の反射は低くなりフォトディ
テクターの出力は小さくなる。一方、ピットが形成され
ていない部分は、充分に反射がされ、フォトディテクタ
ーの出力は大きくなる。
この様な光ディスクおよび光カードなどに用いる光学
情報記録媒体として、これまでアルミニウム、金蒸着膜
などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカル
コゲナイト系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用い
たものが提案されている。これらの薄膜は、保存性が悪
い、分解能が低い、記録密度が低い、コスト高になるな
どの欠点を有する。
また、最近になって比較的長波長の光で物性変化し得
る有機色素薄膜を記録層に用いることが提案されてい
る。この有機色素薄膜は、上記欠点を除去するものであ
るが、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機色素は、熱
および光に対して安定性が低いなどの問題点がある。こ
れらの点を含めて、記録材料に用いられる有機色素とし
ては次のような性質が必要とされる。即ち、 1.毒性がないこと 2.800nm付近に吸収を持ち、吸光係数が大きいこと 3.有機溶剤に対する溶解性が良いこと 4.薄膜状態で800nm付近で大きな反射率を持つこと 5.薄膜状態で結晶化しにくいこと 6.紫外及び可視光安定性があること 7.熱的安定性があること 8.対湿安定性があること 9.合成が容易であること 等が挙げられる。
これらの性能を満足する色素として、最近、各種の有
機色素が提案されている。しかしながらこれらの有機色
素は光記録媒体に利用できる化合物であるが、一般に有
機記録材料の欠点として、再生光をくり返し照射するこ
とにより、CN値が低下する問題がある。これは再生光の
ような低エネルギーのレーザー光でも、くり返し照射す
ることにより、熱エネルギーとして蓄熱され、記録層が
融解あるいは分解するものと考えられるが、詳細は不明
である。
他方、光記録媒体において、基板と記録層との接着性
の向上、基板に対する耐溶剤性効果、反射率の向上、記
録層の保存安定性の向上などの目的で下引層を設けるこ
とが種々報告されている。下引層の材料としては、ポリ
アミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン
樹脂などの高分子材料やシランカップリング剤、無機化
合物として、MgF2,SiO,TiO2,ZnO,TiN,SiNなどや、Zn,C
u,S,Ni,Cr,Seなどの金属類が知られている。
しかし、これ等の下引層は前記の接着性の向上、耐溶
剤性等を目的とするものであり、高いCN値（SN値）を得
る効果のある下引層は現在あまり知られていない。
例えば、特開昭61−11292号公報には、CN値を向上さ
せる下引層として、ケイ素系縮合物が報告されている。
しかし、この下引層の最適膜厚は80〜120Åと極めて狭
く、内外周差での膜厚ムラに対してCN値が大幅に変動
し、製造上の制御が問題となる。また膜厚が1000Åをこ
えるとトラッキングエラー信号が得られないという問題
がある。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、上記の実状を鑑みなされたものであり、再
生劣化が起こりにくく、かつ高いCN値を得ることの出来
る光記録媒体を提供することを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 即ち、本発明は、基板上に有機色素を含有する記録層
を具備する光記録媒体において、該基板と該記録層の間
に下引層を有し、該下引層がアクリル変性ケイ素縮合物
及びケイ素縮合物の積層構造を有することを特徴とする
光記録媒体である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の光記録媒体は、下引層としてアクリル変性ケ
イ素縮合物からなる層（以下AS層と略す）とケイ素縮合
物からなる層（以下、Ｓ層と略す）との２層構造からな
る下引層を設けることを特徴とし、該下引層は基板上に
AS層を形成した後、さらにその上にＳ層を形成した２層
構造が好ましいが、AS層とＳ層を基板上に逆に積層した
構成でもよい。
本発明において、Ｓ層を形成するために用いられるケ
イ素縮合物は、アルコキシシラン類やそれらの加水分解
物を縮合させて得ることが出来る。ここでアルコキシシ
ランとは、オルトメチルシリケート、オルトエチルシリ
ケート、オルトｎ−プロピルシリケート、オルトｎ−ブ
チルシリケート、オルト２−メトキシエチルシリケート
やこれらの多量体が用いられる。また加水分解物とは、
上記アルコキシシランと水との反応生成物であるコロイ
ド状シリカを示す。Ｓ層の最適の膜厚は、150Å〜2000
Åで、より好ましくは、200Å〜700Åである。
本発明において、AS層を形成するために用いられるア
クリル変性ケイ素縮合物は、上記ケイ素縮合物に一部ア
クリル系樹脂が置換されているものを指し、例えば特開
昭60−84366号公報に記載されているポリメタクリル酸
ブチルとメチルジメトキシシランの付加物とポリシロキ
サンとの共重合体等が利用できる。アクリル系樹脂と
は、アクリル及びメタクリル系樹脂を意味し、それらと
共重合可能な成分を含む共重合体でも良い。AS層の最適
の膜厚は、150Å〜1.0μで、より好ましくは200Å〜200
0Åである。
本発明において、AS層は下記のように樹脂部分が基板
面に並び多層形で接着しているものと思われる。
Ｒは樹脂部分を示す。
本発明の光記録媒体は基板上に前記下引層を形成し、
該下引層の上に有機系色素を含有する記録層が設けられ
る。
有機系色素としては、下記に示す化合物が挙げられ
る。
一般式（Ｉ）で表わされるポリメチン系色素。
式中A,B,D及びＥは水素原子、アルキル基、アルケニ
ル基、置換又は未置換のアラルキル基、置換又は未置換
のアリール基、スチリル基、置換スチリル基、複素環
基、置換複素環基を示す。r1′，r2′は水素原子、アル
キル基、環式アルキル基、アルケニル基、アラルキル
基、置換アラルキル基、アリール基を示し、ｋは０又は
１、ｌは0,1又は２の整数、Ｘ はアニオンを示す。
一般式（II）で表わされる色素。
式中、A,B,D,E及びＸ は上記と同義で、r1，r2，
r3，r4，r5は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又は
アリール基を示す。Ｙは５員環又は６員環を完成するに
必要な原子群を有する２価の残基を示す。m,nは0,1又は
２の整数を示す。
一般式（III）で表わされる色素。
式中、A,B,D,E,r1，r2，r3,Y及びＸ は上記と同義で
ある。
一般式（IV）で表わされる色素。
式中、A,B,D,E,r1，r2，r3，r4,m及びｎは上記と同義
で、Ｚ は を示す。
一般式（Ｖ），（VI）又は（VII）で表わされるアズ
レニウム系色素。
式中、R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7は水素原子、ハロ
ゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子）又は１価の
有機残基を表わす。１価の有機残基としては、広範なも
のから選択することができる。例えば、アルキル基、ア
リール基、置換もしくは未置換のアラルキル基、置換も
しくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のスチリ
ル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シア
ノ基又はアリールアゾ基等が挙げられる。又、R1とR2，
R2とR3，R3とR4，R4とR5，R5とR6およびR6とR7の組合せ
のうち少なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮合
環を形成してもよい。縮合環としては５員,6員，または
７員環の縮合環であり、芳香族環（ベンゼン、ナフタレ
ン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メチルベンゼ
ン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベン
ゼンなど）、複素環（フラン環、ベンゾフラン環、ピロ
ール環、チオフェン環、ピリジン環、キノリン環、チア
ゾール環など）、脂肪族環（ジメチレン、トリメチレ
ン、テトラメチレンなど）が挙げられる。Ｘ は上記と
同義でアニオンを示す。
Ｆは２重結合によって結合した２価の有機残基を表わ
す。かかるＦを含む本発明の具体的な例として、下記一
般式（１）〜（11）で表わされるものを挙げることがで
きる。但し、式中のＱ は下記のアズレニウム塩核を示
し、式中のＱ を除く右辺がＦを示している。
アズレニウム塩核（Ｑ ） 一般式 Ｒ′１〜Ｒ′７はR1〜R7と同義である。
又、Ｑ で示すアズレニウム塩核と前記式（３）にお
ける右辺のアズレン塩核とは対称であってもよく又は非
対称であってもよい。
式中、Ｍは含窒素複素環を完成するに必要な非金属原
子群を表わす。
（８）Ｑ ＝（CHｐR10 qX 式中、R10は置換又は未置換のアリール基あるいはそ
れらのカチオン基を表わす。ｐは１から８までの整数を
表わす。ｑは１又は２である。
式中、R11は複素環基あるいはそれらのカチオン基を
表わす。
式中、R12は水素原子、アルキル基、置換もしくは未
置換のアリール基を表わす。
式中、Z2は置換されてもよいピラン、チアピラン、セ
レナピラン、テルロピラン、ベンゾピラン、ベンゾチア
ピラン、ベンゾセレナピラン、ベンゾテルロピラン、ナ
フトピラン、ナフトチアピラン又はナフトセレナピラ
ン、ナフトテルロピラン、を完成するに必要な原子群を
示す。Ｌは、硫黄原子、酸素原子又はセレン原子、テル
ル原子を表わす。R13及びR14は水素原子、アルコキシル
基、置換もしくは未置換のアリール基、アルアルケニル
基、複素環基を表わす。
次に、好適な色素として一般式（VIII），（IX），
（Ｘ），（XI）で表わされる色素を示す。
一般式（VIII） 一般式（IX） 一般式（Ｘ） 一般式（XI） 上記一般式（VIII），（IX），（Ｘ），（XI）中で、
L1，L2は硫黄原子、酸素原子、セレン原子又はテルル原
子を示し、Z1は置換されてもよいピリリウム、チオピリ
リウム、セレナピリリウム、テルロピリリウム、ベンゾ
ピリリウム、ベンゾチオピリリウム、ベンゾセレナピリ
リウム、ベンゾテルロピリリウム、ナフトピリリウム、
ナフトチオピリリウム、ナフトセレナピリリウム又はナ
フトテルロピリリウムを完成するに必要な原子群、Z2は
置換されてもよいピラン、チオピラン、セレナピラン、
テルロピラン、ベンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベン
ゾセレナピラン、ベンゾテルロピラン、ナフトピラン、
ナフトチオピラン、ナフトセレナピラン又はナフトテル
ロピランを完成するに必要な原子群を示す。ｓは０又は
１の整数である。R15は置換または未置換のアリール
基、もしくは置換または未置換の複素環基を示す。Ｍは
含窒素複素環を形成させるに足る非金属原子群を示す。
r3′〜r7′は前述のr1′，r2′と同義である。また、k,
n,r1′，r2′，r1,Y,Z ,X は前述と同義である。
上記一般式中の略号についてさらに詳しく述べる。
A,B,D及びＥは、水素原子又はアルキル基（例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル
基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、iso−ブチル基、ｔ
−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシ
ル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）を示し、
さらに他のアルキル基、例えば置換アルキル基（例え
ば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル
基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエチル
基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエチル基、３
−カルボキシプロピル基、２−スルホエチル基、３−ス
ルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフェー
トプロピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メチ
ルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−（アセチル
スルファミル）プロピル基、４−（アセチルスルファミ
ル）ブチル基など）、環式アルキル基（例えば、シクロ
ヘキシル基など）、アリル基(CH2＝CH-CH2-)、アルケニ
ル基（ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニ
ル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ド
デシニル基、プレニル基など）、アラルキル基（例え
ば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル
基、β−ナフチルメチル基など）、置換アラルキル基
（例えば、カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、
ヒドロキシベンジル基など）を包含する。さらに、Ａ、
Ｂ、ＤおよびＥは置換もしくは未置換のアリール基（例
えば、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル
基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、トリ
メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ジメチルア
ミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、ジプロピ
ルアミノフェニル基、ジベンジルアミノフェニル基、ジ
フェニルアミノフェニル基など）、置換もしくは未置換
の複素環基（例えば、ピリジル基、キノリル基、レピジ
ル基、メチルピリジル基、フリル基、チエニル基、イン
ドリル基、ピロール基、カルバゾリル基、Ｎ−エチルカ
ルバゾリル基など）又は置換もしくは未置換のスチリル
基（例えば、スチリル基、メトキシスチリル基、ジメト
キシスチリル基、トリメトキシスチリル基、エトキシス
チリル基、ジメチルアミノスチリル基、ジエチルアミノ
スチリル基、ジプロピルアミノスチリル基、ジベンジル
アミノスチリル基、ジフェニルアミノスチリル基、2,2
−ジフェニルビニル基、２−フェニル−２−メチルビニ
ル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−２−フェニル
ビニル基、２−（ジエチルアミノフェニル）−２−フェ
ニルビニル基、２−（ジベンジルアミノフェニル）−２
−フェニルビニル基、2,2−ジ（ジエチルアミノフェニ
ル）ビニル基、2,2−ジ（メトキシフェニル）ビニル
基、2,2−ジ（エトキシフェニル）ビニル基、２−（ジ
メチルアミノフェニル）−２−メチルビニル基、２−
（ジエチルアミノフェニル）−２−エチルビニル基な
ど）を示す。
r1′，r2′，r3′，r4′，r5′，r6′，r7′は水素原
子又はアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブ
チル基、iso−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル
基、iso−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、
ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基、ノニル基、ドデシル
基など）を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換ア
ルキル基（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒド
ロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、メトキシ
エチル基、２−アセトキシエチル基、カルボキシメチル
基、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシプロピル
基、２−スルホエチル基、３−スルホプロピル基、４−
スルホブチル基、３−スルフェートプロピル基、４−ス
ルフェートブチル基、Ｎ−（メチルスルホニル）−カル
バミルメチル基、３−（アセチルスルファミル）プロピ
ル基、４−（アセチルスルファミル）ブチル基など）、
環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基など）、ア
リル基(CH2＝CH-CH2-)、アルケニル基（ビニル基、プロ
ペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、
ヘプテニル基、オクテニル基、ドデシニル基、プレニル
基など）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フェネ
チル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基
など）、置換アラルキル基（例えば、カルボキシベンジ
ル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基、３−
フェニルプロピル基、メトキシベンジル基、メチルベン
ジル基、クロロベンジル基など）、さらに置換もしくは
未置換のアリール基（例えば、フェニル基、ナフチル
基、トリル基、キシリル基、メトキシフェニル基、ジメ
トキシフェニル基、トリメトキシフェニル基、エトキシ
フェニル基、ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミ
ノフェニル基、ジプロピルアミノフェニル基、ジベンジ
ルアミノフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、ヒ
ドロキシフェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフェ
ニル基、ブロモフェニル基、ジブロモフェニル基、ニト
ロフェニル基など）、を示す。
r1，r2，r3，r4，r5は水素原子、ハロゲン原子（塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子など）、アルキル基（メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｎ−ヘキシ
ル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｔ−オ
クチル基など）、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基など）、置換もしくは未
置換のアリール基（フェニル基、トリル基、キシリル
基、エチルフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシ
フェニル基、クロロフェニル基、ニトロフェニル基、ジ
メチルアミノフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチ
ル基など）を示す。Ｙは２価の炭化水素基で、例えば-C
H2-CH2-，-(CH2)3-， −CH＝CH−， などを表わし、これらの５員環又は６員環はベンゼン
環、ナフタレン環などと縮合されていても良い。
R1〜R7及びＲ′１〜Ｒ′７は水素原子、ハロゲン原子
（塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子など）の他に、アル
キル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキ
シル基、ｔ−オクチル基など）、アルコキシ基（メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など）、
置換もしくは未置換のアリール基（フェニル基、トリル
基、キシリル基、エチルフェニル基、メトキシフェニル
基、エトキシフェニル基、クロロフェニル基、ニトロフ
ェニル基、ジメチルアミノフェニル基、α−ナフチル
基、β−ナフチル基など）、置換もしくは未置換のアラ
ルキル基（ベンジル基、２−フェニルエチル基、２−フ
ェニル−１−メチルエチル基、ブロモベンジル基、２−
ブロモフェニルエチル基、メチルベンジル基、メトキシ
ベンジル基、ニトロベンジル基）、アシル基（アセチル
基、プロピオニル基、プチリル基、バレリル基、ベンゾ
イル基、トリオイル基、ナフトイル基、フタロイル基、
フロイル基など）、置換もしくは未置換アミノ基（アミ
ノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピ
ルアミノ基、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基な
ど）、置換もしくは未置換スチリル基（スチリル基、ジ
メチルアミノスチリル基、ジエチルアミノスチリル基、
ジプロピルアミノスチリル基、メトキシスチリル基、エ
トキシスチリル基、メチルスチリル基など）、ニトロ
基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シアノ基又は置換
もしくは未置換アリールアゾ基（フェニルアゾ基、α−
ナフチルアゾ基、β−ナフチルアゾ基、ジメチルアミノ
フェニルアゾ基、クロロフェニルアゾ基、ニトロフェニ
ルアゾ基、メトキシフェニルアゾ基、トリルアゾ基な
ど）を挙げることができる。
又Ｒ′１〜Ｒ′７もR1〜R7と同様に縮合環を形成して
も良い。
R8は、水素原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基
（メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など）又
はアリール基（フェニル基、トリル基、キシリル基な
ど）を表わす。
R9は、アルキル基（メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基など）、置換アルキル基（２−ヒドロキシ
エチル基、２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル
基、３−ヒドロキシプロピル基、３−メトキシプロピル
基、３−エトキシプロピル基、３−クロロプロピル基、
３−ブロモプロピル基、３−カルボキシプロピル基な
ど）、環式アルキル基（シクロヘキシル基、シクロプロ
ピル基）、アリル基、アラルキル基（ベンジル基、２−
フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、４−フェ
ニルブチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメ
チル基）、置換アラルキル基（メチルベンジル基、エチ
ルベンジル基、ジメチルベンジル基、トリメチルベンジ
ル基、クロロベンジル基、ブロモベンジル基など）、ア
リール基（フェニル基、トリル基、キシリル基、α−ナ
フチル基、β−ナフチル基）、又は置換アリール基（ク
ロロフェニル基、ジクロロフェニル基、トリクロロフェ
ニル基、エチルフェニル基、メトキシフェニル基、ジメ
トキシフェニル基、アミノフェニル基、ニトロフェニル
基、ヒドロキシフェニル基など）を表わす。
R10は置換又は未置換のアリール基（フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ビフェニル基、α−ナフチル基、
β−ナフチル基、アントラリル基、ピレニル基、メトキ
シフェニル基、ジメトキシフェニル基、トリメトキシフ
ェニル基、エトキシフェニル基、ジエトキシフェニル
基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、トリクロ
ロフェニル基、ブロモフェニル基、ジブロモフェニル
基、トリブロモフェニル基、エチルフェニル基、ジエチ
ルフェニル基、ニトロフェニル基、アミノフェニル基、
ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル
基、ジベンジルアミノフェニル基、ジプロピルアミノフ
ェニル基、モルホリノフェニル基、ピペリジニルフェニ
ル基、ピペラジノフェニル基、ジフェニルアミノフェニ
ル基、アセチルアミノフェニル基、ベンゾイルアミノフ
ェニル基、アセチルフェニル基、ベンゾイルフェニル
基、シアノフェニル基など）を表わす。
R11はフラン、チオフエン、ベンゾフラン、チオナフ
テン、ジベンゾフラン、カルバゾール、フェノチアジ
ン、フェノキサジン、ピリジンなどの複素環から誘導さ
れた１価の複素環基を表わす。
R12は水素原子、アルキル基（メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基など）又は置換もしくは未置換の
アリール基（フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフ
ェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、メト
キシフェニル基、エトキシフェニル基、ニトロフェニル
基、アミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、ジ
エチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、
α−ナフチル基、β−ナフチル基、アントラリル基、ピ
レニル基など）を表わす。
R13およびR14は水素原子、アルキル基（メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基など）、アルコキシル基
（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、エトキシエ
チル基、メトキシエチル基など）、アリール基（フェニ
ル基、トリル基、キシリル基、クロロフェニル基、ビフ
ェニル基、メトキシフェニル基など）、置換もしくは未
置換のスチリル基（スチリル基、ｐ−メチルスチリル
基、ｏ−クロロスチリル基、ｐ−メトキシスチリル基な
ど）、置換もしくは未置換の４−フェニル1,3−ブタジ
エニル基（４−フェニル1,3−ブタジエニル基、４−
（ｐ−メチルフェニル）−1,3−ブタジエニル基な
ど）、又は置換もしくは未置換の複素環基（キノリル
基、ピリジル基、カルバゾリル基、フリル基など）を表
わす。
Ｍはピリジン、チアゾール、ベンゾチアゾール、ナフ
トチアゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナ
フトオキサゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾー
ル、ナフトイミダゾール、２−キノリン、４−キノリ
ン、イソキノリン又はインドールなどの含窒素複素環を
完成するに必要な原子群で、ハロゲン原子（塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子など）、アルキル基（メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基など）、アリール基
（フェニル基、トリル基、キシリル基など）、アルアル
キル基（ベンジル基、ｐ−トリルメチル基など）によっ
て置換されていてもよい。
k,sは０又は１の整数でl,m,nは0,1又は２の整数であ
る。
Ｘ はアニオンで塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ
化物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩
イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸
塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオ
ン、テトラフルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニルホ
ウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベンゼ
ンスルフィン酸塩イオン、酢酸塩イオン、トリフルオロ
酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩イオン、安息香酸塩イ
オン、シュウ酸塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン酸
塩イオン、オレイン酸塩イオン、ステアリン酸塩イオ
ン、クエン酸塩イオン、一水素二リン酸塩イオン、二水
素一リン酸塩イオン、ペンタクロロスズ酸塩イオン、ク
ロロスルホン酸塩イオン、フルオロスルホン酸塩イオ
ン、トリフルオロメタンスルホン酸塩イオン、ヘキサフ
ルオロアンチモン酸塩イオン、モリブデン酸塩イオン、
タングステン酸塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン
酸塩イオンなどを表わす。
次に本発明で使用される有機色素の具体例を表１にあ
げるが、これらに限定はされるものではない。
またＺ が のときをＺ ａ、Ｚ がは のときをＺ ｂとして表わす。
また、便宜上表中の化合物の略号を以下に記す。
またＹ及びＭの構造を下記のように略す。
−(CH2)2−＝y1 −(CH2)3−＝y2 本発明は、上記の様な有機系色素単独で記録層を設け
ても良い。また、記録層の保存安定性、経時劣化防止等
のために、有機系色素に金属キレート化合物、他の赤外
吸収色素およびバインダー等を含有させてもよい。この
場合、有機系色素は記録層を形成する記録材料全量に対
し50〜99重量％程度、好ましくは70〜90重量％含有され
ることが望ましい。
好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選択する
ことができる。具体的にはニトロセルロース、リン酸セ
ルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピオ
ン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロ
ース、パルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオン酸セ
ルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセルロースエス
テル類、メチルセルロース、エチルセルロース、プロピ
ルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロースエー
テル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポ
リビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニ
ル樹脂類、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン
−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジエン
−アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニ
ルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチルメタクリ
レート、ポリメチルアクリレート、ポリブチルアクリレ
ート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリ
ルアミド、ポリアクリロニトリルなどのアクリル樹脂
類、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル
類、ポリ（4,4′−イソプロピリデン、ジフェニレン−
コ−1,4−シクロヘキシレンジメチレンカーボネー
ト）、ポリ（エチレンジオキシー3,3′−フェニレンチ
オカーボネート）、ポリ（4,4′−イソプロピリデンジ
フェニレンカーボネート−コ−テレフタレート）、ポリ
（4,4′−イソプロピリデンジフェニレンカーボネー
ト）、ポリ（4,4′−sec−ブチリデンジフェニレンカー
ボネート）、ポリ（4,4′−イソプロピリデンジフェニ
レンカーボネート−ブロック−オキシエチレン）などの
ポリアリレート樹脂類、或はポリアミド類、ポリイミド
類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂類、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンなどのポリオ
レフィン類などを用いることができる。
塗工の際に使用できる有機溶剤は、分散状態とする
か、あるいは非晶質状態とするかによって異なってくる
が、一般には、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチル
ホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミ
ド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモ
ノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロロホルム、
塩化メチレン、ジクロルエチレン、ジクロロエタン、四
塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化
炭化水素類、あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、
モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン、アニソールな
どの芳香族類などを用いることができる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。
基板としては、ガラス、ポリアミド、ポリエステル、
ポリオレフィン、ポリカーボネート、エポキシ、ポリイ
ミド、ポリメチルメタクリレート等が使用される。
［作用］ 本発明の光記録媒体は、基板上にアクリル変性ケイ素
縮合物からなる層とケイ素縮合物からなる層を積層した
２層構造の下引層を設けてなるので、アクリル変性ケイ
素縮合物からなるAS層はCN値を向上させ、またケイ素縮
合物からなるＳ層はくり返し読み出しによるCN劣化を防
止するために、両者が相乗的に作用し、高いCN値と、再
生くり返しに対して劣化しにくい光記録媒体を得ること
ができる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を示し、さらに具体的に説明す
る。
実施例１〜６ 直径130mm、内径15mmのアクリルディスク基板上にア
クリル変性ケイ素縮合物として表２に示したアクリル樹
脂に一部が置換されたポリシロキサンからなるAS層を形
成した後、ケイ素縮合物としてポリシロキサンからなる
Ｓ層をその上に設けた。これに下記の表１に示される色
素を用いて、スピナー塗布により700〜900Åの記録層を
形成した。
このようにして得た記録媒体の基板側から、830nmの
半導体レーザー光を用いて、回転数1800rpm、記録周波
数2MHz、記録パワー6mWで書き込みを行った後、５×104
回の再生くり返しを行い、CN値を測定した。
AS層,S層の膜厚、読み出しパワー(PR)及び初期と再生
くり返し後のCN値を表２に示す。
比較例１〜３ 実施例１と同じ基板上に、AS層あるいはＳ層のみの下
引層を形成した基板、及び下引層を設けない基板に表２
に示す色素を用いてスピナー塗布により700〜900Åの記
録層を形成し、実施例１と同様の方法で測定した。その
結果を表２に示す。
（注）…AS層成分はケイ素縮合物に一部置換されたアク
リル系樹脂を示す。
［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明によれば、基板上にアクリ
ル変性ケイ素縮合物からなるAS層とケイ素縮合物からな
るＳ層を積層した２層構造の下引層を設けることによ
り、高いCN値が得られ、また再生くり返しによるCN値の
劣化もほとんどないくり返し再生に対して強い光記録媒
体を得ることができる。
また、本発明において用いられる下引層は、1000Åを
こえる膜厚でも、トラッキングが安定にかかり、CN値が
低減することがなく、極めて有用なものである。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に有機色素を含有する記録層を具備
    する光記録媒体において、該基板と該記録層の間に下引
    層を有し、該下引層がアクリル変性ケイ素縮合物及びケ
    イ素縮合物の積層構造を有することを特徴とする光記録
    媒体。
  2. 【請求項２】有機系色素が一般式（Ｉ）で表わされる化
    合物である特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 （式中A,B,D及びＥは水素原子、アルキル基、アルケニ
    ル基、置換又は未置換のアラルキル基、アリール基、ス
    チリル基、置換スチリル基、複素環基、置換複素環基を
    示す。r1′，r2′は水素原子、アルキル基、環式アルキ
    ル基、アルケニル基、アラルキル基、置換アラルキル
    基、アリール基を示し、ｋは０又は１、ｌは0,1又は２
    の整数、Ｘ はアニオンを示す。）
  3. 【請求項３】有機系色素が一般式（II）、（III）又は
    （IV）で表わされる化合物である特許請求の範囲第１項
    記載の光記録媒体。 （式中、A,B,D及びＥは水素原子、アルキル基、アルケ
    ニル基、置換又は未置換のアラルキル基、置換又は未置
    換のアリール基、スチリル基、置換スチリル基、複素環
    基、置換複素環基を示し、Ｘ はアニオンを示す。r1，
    r2，r3，r4及びr5は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
    基又はアリール基を示す。 Ｙは５員環又は６員環を完成するに必要な原子群を有す
    る２価の残基を示す。Ｚ は を示す。m,nは0,1又は２の整数を示す。）
  4. 【請求項４】有機系色素が一般式（Ｖ），（VI）又は
    （VII）で表わされる化合物である特許請求の範囲第１
    項記載の光記録媒体。 （式中、R1，R2，R3，R4，R5，R6及びR7は水素原子、ハ
    ロゲン原子、アルキル基、アリール基、置換もしくは未
    置換のアラルキル基、置換もしくは未置換のアミノ基、
    置換もしくは未置換のスチリル基、ニトロ基、ヒドロキ
    シ基、カルボキシル基、シアノ基又はアリールアゾ基を
    示し、R1とR2，R2とR3，R3とR4，R4とR5，R5とR6および
    R6とR7の組合せのうち少なくとも１つの組合せで置換ま
    たは未置換の縮合環を形成してもよい。Ｘ はアニオン
    を示し、Ｆは２価の有機残基を示す。）
  5. 【請求項５】有機系色素が一般式（VIII），（IX），
    （Ｘ）又は（XI）で表わされる化合物である特許請求の
    範囲第１項記載の光記録媒体。 （式中、L1，L2は硫黄原子、酸素原子、セレン原子又は
    テルル原子を示し、Z1は置換されてもよいピリリウム系
    骨格を形成するに必要な原子群、Z2は置換されてもよい
    ピラン系骨格を形成するに必要な原子群を示す。R15は
    アリール基、もしくは置換または未置換の複素環基を示
    す。Ｍは含窒素複素環を形成させるに足る非金属原子群
    を示す。r1は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又は
    アリール基を示す。r1′，r2′，r3′，r4′，r5′，
    r6′及びr7′は水素原子、アルキル基、環式アルキル
    基、アルケニル基、アラルキル基、置換アラルキル基、
    アリール基を示し、Ｘ はアニオンを示す。ｋは０又は
    １、l,nは0,1又は２、ｓは０又は１の整数を示す。Ｙは
    ５員環又は６員環を完成するに必要な原子群を有する２
    価の残基を示す。 を示す。）
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