JPS63247086A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カート技術に用いつる改善された光学的記録媒
体に関するものである。

［従来の技術］ 一般に、光ディスクおよび光カードは、基板の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約ｌル）ビットをらせん状又は円形のトラック
形態にして高密度情報を記憶することができる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層（
記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ
光線が照射された表面のみがビットを形成し、このビッ
トをらせん状、円形または直線状トラックの形態で形成
する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギー
を吸収して光学的に検出可能なビットを形成できる。例
えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層（記録
層）は熱エネルギーを吸収し、その個所に窯発又は融解
により小さな凹部（ビット）を形成できる。また、別の
ヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・エネル
ギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃度
差を有するビットを形成できる。

この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ビットが形成された
部分とビットか形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される。例えば、レーザ光がト
ラックに沿って走査され、ディスクにより反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。ビットが形成されている部分は、レーザ光の反射は低
くなりフォトディテクターの出力は低下する。一方、ビ
ットが形成されていない部分は、レーザ光は充分に反射
されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクおよび光カードに用いる光学的記録
媒体として、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄
膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが提案
されている。これらのＦ１膜は、一般に３５０〜８００
ｎ膳付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ光に
対する反射率か高いため、レーザ光の利用率が低い等の
欠点がある。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば、７８０
ｎ−以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機薄膜の研究がなされている。この様な有機薄膜は、例
えば発振波長が８３０ｎｍ付近の半導体レーザによりビ
ットを形成できる点で有効なものである。

しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上１、満足できる
有機薄膜が開発されているものとはいえないのが現状で
ある。

［発明が解決しようとする問題点コ 本発明は、この様な現状に鑑みてなされたものであり、
その目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機％ＩＪ膜から
なる記録層を有する光学記録媒体を提供することにある
。

本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機薄膜からな
る記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は感度および記録に伴う光学特性の変
化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は塗工法による製造が可能な光学記録
媒体を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］および［作用］即ち、
本発明は下記一般式［Ｉ］又は［ＩＩ］で表わされるア
ズレニウム塩化合物を含有する記録層を有することを特
徴とする光学記録媒体である。

一般式［ＩＩ 一般式［ＩＩ　］ （但し、一般式［ＩＩおよび［ＩＩ］におし１て、Ｒ１
１Ｒ２１Ｒ：ｌｌ　Ｒ４１Ｒ５Ｉ　Ｒ６１Ｒ７１Ｒ６１
Ｒ９＋　ＲＩＯ＋Ｒ目、Ｒ１２・ＲＩ：ｌｌ　Ｒ１４１
ＩＩ５１　Ｒ１６１Ｒ１’Ｆ、　Ｒ１８１ＲＩ９１Ｒ２
ＧおよびＲ２１は水素原子、ハロゲン原子又は１価の有
機残基を表わし、又はＲ４とＲ２，Ｒ１とＲ３，Ｒ３と
Ｒ４，Ｒ４と１１５．　　Ｒ，とＲ６，ＲｓとＲ？、　
　ＲＩＳ　　とＲ１６゜１（１６とＲＩ７　＊　Ｒ１７
とＲＩＧ　、　Ｒ１６とＲＩ９　、　ＲａｇとＲ２Ｏお
よびＲｈｏとＲ２１の組合わせのうち少なくとも１つの
組合せで置換又は未置換の縮合環を形成してもよい。Ｙ
は置換又は未置換の５員環もしくは６員環を形成する２
価の炭化水素基を示す。ｎはＯ又は１．ｍはＯ又は１．
ｐはｌ又は２．ｑはｌ又は２の整数を示す。ｘｏはアニ
オン残基を示す。） 以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作用
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記一
般式［ＩＩ又は　［ＩＩ］で示されるアズレニウム塩化
合物を含有する薄膜からなる記録層を有することに特徴
がある。

一般式［ＩＩおよび［ＩＩ］において、　Ｒ，、Ｒ２゜
Ｒ３１Ｒ４１Ｒ５Ｉ　Ｒ６１”７１　Ｒａｎ　Ｒ９＋　
ＲＩＯ＋　ＲＩＩ＋　ＲＩ２＋ＲＩ：ＩＩ　Ｒ１４１Ｒ
Ｉ５＋　ＲＩ６＋　Ｌ７＊　Ｒ１６＋　ＲＩ９ｔ　Ｉ（
２０およびＲ２＋は水素原子、ハロゲン原子（塩素原子
、臭素原子、沃素原子）又は１価の有機残基を表わす。

１価の有機残基としては、広範なものから選択すること
がてきるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキ
シル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もしくは
未置換のアリール基（フェニル、トリル、キシリル、エ
チルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、
クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェ
ニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換もしく
は未置換の複素環基（ピリジル、キノリル、カルバゾリ
ル、フリル、チェニル、ピラゾリルなど）置換もしくは
未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニルエチル
、２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベンジル。

２−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシ
ベンジル、ニトロベンジル）、アシル基（アセチル、プ
ロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、トリオ
イル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど）、置換
もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ、ジ
メチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、ベ
ンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換スチリル基
（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミノ
スチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシスチリ
ル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、ニトロ
基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−エーテル基、
カルボキシル基、カルボン酸エステル、カルボン酸アミ
ド、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ基（
フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ、
ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ、ニ
トロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾ
など）を挙げることができる。

また、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ１とＲ４、しとＲｓ
、　　Ｒ，、とＲ６、Ｒ６とＲ７、ＬｓとＲＩＧ　、Ｉ
Ｉ６とＲＩ７　、ＲＩ７ｚとＲ１８＋　ｌ’ｌ＋ａとＲ
Ｉ９　、Ｒ１９とＬｏおよびＲ２０とＲ２１の組合わせ
のうち、少なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮
合環を形成してもよい。縮合環としては、５員、６員、
または７員環の縮合環であり、芳香族環（ベンゼン、ナ
フタレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メチルベ
ンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシ
ベンゼンなど）、複素環（フラン環、ベンゾフラン環、
ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、キノリン環、
チアゾール環など）、脂肪族環（ジメチレン、トリメチ
レン、テトラメチレンなど）が挙げられる。

Ｙは、置換又は未置換の５Ｑ環もしくは６員環を形成す
る２価の炭化水素基（−（：　Ｈ２−ＣＩＩ□−９１１
３ＣＬ 示し、これらの５員環または６員環は、ベンゼン環、ナ
フタレン環などと縮合されていてもよい。

また１式中のアニオン残、２Ｊｉｘ０は、塩素イオン、
臭素イオン、ヨウ素イオン、過塩素酸塩イオン、硝酸塩
イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、Ｐ−）ルエンス
ルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩
イオン、プロピル硫酸塩イオン、テトラフルオロホウ酸
塩イオン、テトラフェニルホウ酸塩イオン、ヘキサフル
オロリン酸塩イオン、ベンゼンスルフィン酸塩イオン、
酢酸塩イオン、トリフルオロ酢＃塩イオン、プロピオン
酢酸塩イオン、安息香酸塩イオン、シュウ酸塩イオン、
コハク酸塩イオン、マロン酸塩イオン、オレイン酸塩イ
オン、ステアリン酸塩イオン、クエン酸塩イオン、−水
素二リン酸塩イオン、二水素−リン酸塩イオン、ペンタ
クロロスズ酸塩イオン、クロロスルホン酸塩イオン、フ
ルオロスルホン酸塩イオン、トリフルオロメタンスルホ
ン酸塩イオン、ヘキサフルオロヒ酸塩イオン、ヘキサフ
ルオロアンチモン酸塩イオン、モリブデンｍ塩イオン、
タングステン酸塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン
酸塩イオンなどの陰イオンを示す。

ｎは０又はｌ、ｍは０又は１、ｐはｌ又は２、ｑはｌ又
は２の整数である。

以下、本発明で用いられるアズレニウム塩化合物の具体
例を下記に列挙するが、これらに制限されるものではな
い。

前記一般式［Ｉ］および［ＩＩ］で表わされる化合物の
例 ＣＩ！ しｔｈｅｌ置コ ｒ ＣＩ！ ｃｐｏ４゜ Ｃｊ） ｒ Ｃ２０４゜ Ｐ Ｂ「 Ｈ３ Ｃ１１３−○づ０３θ 前記一般式［Ｉ］および［ＩＩ］で表わされる化合物は
、米国特許第２７：１４９００号公報こ開示のシアニン
の合成方法と同様に、アズレン化合物またはアズレン化
合物誘導体と、中間類を形成する、例えば２−クロロ−
１−ホルミルヒドロキシエチレンシクロヘキサン、イソ
ホロンの様なヒドロキシ化合物、ジヒドロキシ化合物、
カルボニル化合物、ジアミノ化合物あるいはトリメトキ
シ化合物等を反応させることによって合成することがで
きる。

一般式［１］に用いられるアズレン環としては、その原
料コスト及び誘導されるアズレニウム化合物の溶解性の
点で植物から抽出されるグアイアズレンを用いるのが工
業的には最適である。

本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に、基板１の
上に前記一般式［１］及び［１１］で示されるアズレニ
ウム塩化合物を含有する記録層２を設けることにより形
成することができる。

基板ｌとしては、ポリカーボネート、ポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなとのプラスチッ
ク、ガラスあるいは金属類などを用いることができる。

記録層２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］及び［■
］で示されるアズレニウム塩化合物を１種または２種以
上組合せて用いることができ、さらに他の染料、例えば
、前記一般式［Ｉ］及び［１１］の化合物以外のポリメ
チン系、アズレン系、ビリリウム系、スクアリウム系、
クロコニウム系、トリフェニルメタン系、キサンチン系
、アントラキノン系、シアニン系、フタロシアニン系、
ジオキサジン系、テトラヒドロコリン系、トリフエッチ
アジン系、フェナンスレン系、金属キレート錯体系染料
など、あるいは金属および金属化合物など、例えばＡｌ
、　Ｔｅ、　Ｂｉ、　Ｓｎ、　Ｉｎ、　Ｓｅ。

ＳｎＯ，ＴｅＯ□、　Ａｓ、　Ｃｄなどと混合分散ある
いは積層してもよい。

記ＪＩＩｆＪ２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法
により基板ｌ上に形成される。塗布法を用いる場合には
、アズレニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分
散した溶液を基板ｌ上に塗布することによって形成する
ことかできる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定
性を考慮してバインダーを記録層中に混合してＪ＆膜す
ることもできる。

塗布の際に使用できる有機溶媒は、前述のアズレニウム
塩化合物を分散状悪とするか、或いは溶解状態とするか
によって異なるが、一般にはメタノール、エタノール、
イソプロパツール、ジアセトンアルコール、メチルセロ
ソルブ等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなど
のアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル
、酢酸エチル、酢□酸ブチルなどのエステル類、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、ジクロルエチ
レン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族八
ロゲン化炭化水索類、ベンゼン、トルエン、キシレン、
モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類
、あるいはｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、リグロイン
などの脂肪族炭化水素類などを用いることができる。

また、好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選択
することかてきる。具体的にはニトロセルロース、リン
酸セルロース、硫酸セルロース。

酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪醜セルロ
ース、ミリスチン酸セルロース、バルミチン酸セルロー
ス、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・醋酸セルロ
ースなどのセルロースエステル類、メチルセルロース、
エチルセルロース。

プロピルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロー
スエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、ポリビニルブチラール。

ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール。

ポリビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−
ブタジェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコ
ポリマー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコ
ポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共
重合樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア
クリレート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸
、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリ
ロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフ
タレートなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イソ
ブロピリデンジフェニレンーコ−１，４−０シクロヘキ
シレンジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオ
キシ−３，３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ
（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーボネー
トーコーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロ
ピリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’
　−５ｅｃ−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、
ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーボ
ネート−ブロック−オキシエチレン）などのポリアリ−
レート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類、
ポリウレタン類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂類、
ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレン、
ボリツテン、ポリイソブチレンなとのポリオレフィン類
、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロブレンゴム等のエ
ラストマー類などを用いることかてき、その他場合によ
り樹脂以外の鯨ロウ、ミツロウ、ラノリン、カルナバワ
ックス、キャンデリラワックス、モンタンワックス、セ
レシンワックス等の天然ワックス、パラフィンワックス
、マイクロクリスタリンワックス等の石油ワックス、酸
化ワックス、エステルワックス、フィッシャートロプシ
ュワックス等の合成ワックス、ラウリン酸、ミリスチン
酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸等の高級
脂肪酸、カナアリルアルコール。ベヘニルアルコール等
の高級アルコール、ショ糖の脂肪酸エステル、ソルビタ
ンの脂肪酸エステル等のエステル類、オレイルアミド等
のアミド類を適宜混合させることができる。

以上のバインダーにジオクチルフタレート、ジブチルフ
タレート、トリクレジフレフォスフェート等の可塑剤、
鉱油、植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン
酸ソーダ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ル等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録層
の成膜性、塗膜安定性を高めることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
Ｓローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行うことがてきる。

記録層２中のアズレニウム塩化合物の含有量は通常４０
〜１００重量％、好ましくは５０〜１００重量％が望ま
しい、４０重量％未満では記録層の十分な光吸収性と再
生レーザー光に対して十分な光反射率を得ることができ
ない。

また、記録層２の膜厚は１００人〜２０終鳳、好ましく
は２００人〜ｉｐ−が適当である。なお、記録レーザー
光に対して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成で
き得るならば可能な限り薄いほうがよい。

さらに、本発明の光学記録媒体は、第２図に示すように
、記録層２上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護層３を設けることができる。

該保護層３は、基板ｌ側から光を照射する場合は不透明
でも差支えない。

また、第３．図に示すように、基板ｌと記録層２の間に
下引層４を設けても良い。

また、第４図に示す様に、保護層３及び下引層４を共に
用いることも可能である。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護および（
ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられる。

（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシラ
ンカップリング剤などの種々の物質を用いることができ
、（ｂ）、（ｃ）の目的に対しては上記高分子材料以外
に無機化合物例えば５ｉｏ２．　ｍｇＦ、、　ｓｉｏ、
　ｒｈｏ、、　ＺｎＯ。

ＴｉＮ、　ＳｉＮなど、金属または半金属例えばＺｎ、
　Ｃｕ。

Ｓ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　Ｃｄ、　Ａｇ
、　ＡＲなどを用いることができる。（ｄ）の目的に対
しては金属例えばＡＲ，Ａｇなど、または金属光沢を有
する有機薄膜、例えばアズレン染料、メチン染料などを
用いることかできる。そして（ｅ）、　（ｆ）の目的に
対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、！可塑性樹脂
などを用いることができる。下引き層の膜厚は５０人〜
１１００ｐ　、好ましくは２００人〜３０３層が適当で
ある。

また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れ、などからの保護
および記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を
目的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ
材料を使用することがてきる。保護層の膜厚は１００Å
以上、好ましくは１０００Å以上か適当である。

この際、下引き層および／または保護層中には本発明の
一般式［１］又は　［Ｉｒｌのアズレニウム塩化合物が
含有されていてもよい。また、下引き層または保護層に
は安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活
性剤、可塑剤などが含有されていてもよい。

さらに、本発明による光学記録媒体の別の構成としては
、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒体
（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録層
２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンドイッ
チ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着したいわ
ゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明の光学記録媒体は、アルゴンレーザ（発振波長４
８８ｎ■）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３３
ｎ■）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４２
ｎｍ）などのガスレーザの照射によって記録することも
可能であるが、好ましくは７５０ｎ■以上の波長を有す
るレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半導体レ
ーザ（発振波長８３０ｎｍ）などの近赤外あるいは赤外
領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記録
する方法が適している。

また、読み出しのためには、前述のレーザ光線を用いる
ことができる。この際、書込みと読み出しを同一波長の
レーザで行なうことができ、また異なる波長のレーザで
行なうこともできる。

［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、これ
らに限定されるものではない。

実施例１ 直径１３０鳳ｌφ、厚さ１．２鳳■のポリメチルメタク
リレート（以下ｒ　ＰＭＭＡＪと略記する）基板上に、
エポキシ−アクリレート系紫外線硬化樹脂を用いて２Ｐ
法（フォト・ポリマー法）で、厚さ３０μ■のプレグル
ーブを設け、その上に前記アズレニウム塩化合物Ｎｏ、
（１）のアズレニウム塩化合物２重量部をジクロルエタ
ン９８重量部に溶解させた液をスピナーコーティング法
により塗布した後、乾爆して８００人の有機薄膜記録層
を得た。

この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモーターで１８００ｒｐ
ｍに回転させて、発振波長８：ｌＯｎｍの半導体レーザ
を用いて、基板側より記録層にスポットサイズｌ　、５
Ｈφ、記録パワー６ｍＷ、記録周波ａ２　Ｍｌｌｚで情
報を書き込み、読み出しパワー０．８］１ｗで再生し、
その再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィルタ
ー、ノ人ント幅３０ＫＨｚ　）　Ｌ／てＣ／Ｎ比を測定
した。

次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、繰り返し１０５回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件て作製した同一の記録媒体を６０℃、
９５％ＲＨの条件下に２０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の透過率（８：ｌｏｎｍ　ｉｌ
ｌ定）およびＣ／Ｎ比を測定した。その結果を表１に示
す。

表　　　１ 実施例２〜９ 実施例１で用いたアズレニウム塩化合物Ｎｏ、（１）の
化合物をＮｏ、（２）　、（：ｌ）　、　（７）　、　
（１０）　、（１１）　、（１３）　。

（１７）、（２０）にかえて、実施例１と同様の方法で
記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の光学記録媒
体を作製した。

上記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の方
法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例１Ｏおよび１１ 下記化合物Ｎｏ、（３１）および（３２）と前記アズレ
ニウム塩化合物Ｎｏ、（６）とをそれぞれ１：１の重量
比でジクロルエタンに混合し、実施例１と同様の方法で
塗布し、乾燥膜厚８５０人の有機薄膜記録層を設け、そ
れぞれ実施例１０．１１の光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した実施例１０．１１の光学記録媒体
を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３に
示す。

化合物Ｎｏ、（３１） しｔ’ｓ　　　　　Ｌ；ｊ’υ４”　　　　　　　　Ｇ
ｔＨｗｓ化合物Ｎｏ、　（３２） 比較例１ 実施例１０で用いた化合物Ｎｏ、（６）を除いた以外は
、実施例１０と同様の方法で光学的記録媒体を作製し、
同様に測定した。その結果を表３に併示する。

実施例１２ 前記化合物Ｎｏ、（４）の化合物２重量部とニトロセル
ロース樹脂（オー八レスラッカー、ダイセル化学鈎製）
１重量部をメチルエチルケトン９７重量部に混合させた
液をスピナー塗布法により、プレグルーブを設けた直径
１３０鳳ｍφ、厚さ１．２■■のＰＭＭＡ基板上に塗布
し、乾燥膜厚１０００人の有１１ＦＩ膜記録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１３〜１５ 実施例１２で用いた化合物Ｎｏ、（４）を前記化合物Ｎ
ｏ、（９）　、（１２）、（１６）にかえて、実施例１
２と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例１
３〜１５の光学記録媒体を作製した。

上記実施例１３〜１５の光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１６および１７ 前記の化合物Ｎｏ、（５）およびＮｏ、（８）の化合物
５００ｍｇを蒸着用モリブデンボードに入れ、ｌ×１０
−６ｍｍ１１ｇ以下に排気した後、プレグルーブを設け
た直径１３０ｍ■φ、厚さ１．２ｍｍのＰＭＩＩＩＡ基
板上に蒸着した。蒸着中は真空室内の圧力が１０−’ｉ
＋ｓＨｇ以上に上昇しない様にヒータを制御しながら、
９５０人の有機薄膜記録層を形成し、それぞれ実施例１
６．１７の光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表５に示す。

実施例１８ ウォーレットサイズの厚さ０．４１鳳ポリカーボネート
（以下ｒＰｃＪと略記する）基板上に、熱プレス法によ
りプレグルーブを設け、その上に前記アズレニウム塩化
合物Ｎｏ、（１）の化合物４重量部をジアセトンアルコ
ール９６重量部に混合させた液をバーコード法により塗
布した後、乾燥して１０００人の有機薄膜記録層を得た
。さらに、その上にエチレン−酢ビトライフィルムを介
してウォーレットサイズの厚さ０．３■麿のＰＣ基板と
、熱ロール法により密着し、密着構造の光学記録媒体を
作製した。

この様にして作製した光学記録媒体なＸ−Ｙ方向に駆動
するステージ上に取り付け、発振波長８：ｌＯｒ＋＋ａ
の半導体レーザな用いて、厚さ０．４ｍｍのＰＣ基板側
より、有機薄膜記録層にスポットサイズ３．０μ■φ、
記録パワー４．０■Ｗで記録パルス８０４ｓｅｃでＹ軸
方向に情報を書き込み、読み出しパワー０．４ｍＷで再
生し、そのコントラスト比−Ｂ （Ａ　　：Ａ＝未記録部の信号強度、Ｂ＝記録部の信号
強度）を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験を行ない、その後の透
過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表６
に示す。

表　　６ ［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明の光学記録媒体によれば、長
波長側に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長発振レー
ザーを用いても高感度に記録が可能であり、良好なピッ
ト形状の形成により、高いＣ７Ｎ比が得られる。

また、塗工法による製造が可能で、熱に対する安定性の
良い、保存性に優れた再生劣化の少ない光学記録媒体を
提供することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。 １・・・基板 ２・・・記録層 ３・・・保護層 ４・・・下引層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式［ I ］又は［II］で表わされるアズ
   レニウム塩化合物を含有する記録層を有することを特徴
   とする光学記録媒体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］および［II］において、Ｒ＿１
   、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７、
   Ｒ＿８、Ｒ＿９、Ｒ＿１＿０、Ｒ＿１＿１、Ｒ＿１＿２
   、Ｒ＿１＿３、Ｒ＿１＿４、Ｒ＿１＿５、Ｒ＿１＿６、
   Ｒ＿１＿７、Ｒ＿１＿８、Ｒ＿１＿９、Ｒ＿２＿０およ
   びＲ＿２＿１は水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機
   残基を表わし、又はＲ＿１とＲ＿２、Ｒ＿２とＲ＿３、
   Ｒ＿３とＲ＿４、Ｒ＿４とＲ＿５、Ｒ＿５とＲ＿６、Ｒ
   ＿６とＲ＿７、Ｒ＿１＿５とＲ＿１＿６、Ｒ＿１＿６と
   Ｒ＿１＿７、Ｒ＿１＿７とＲ＿１＿８、Ｒ＿１＿８とＲ
   ＿１＿９、Ｒ＿１＿９とＲ＿２＿０および＿２＿０とＲ
   ＿２＿１の組合わせのうち少なくとも１つの組合せで置
   換又は未置換の縮合環を形成してもよい、Ｙは置換又は
   未置換の５員環もしくは６員環を形成する２価の炭化水
   素基を示す、ｎは０又は１、ｍは０又は１、ｐは１又は
   ２、ｑは１又は２の整数を示す、ｘ＾■はアニオン残基
   を示す。）