JPS63260488A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カード技術に用いうる改善された光学的記録媒
体に関するものである。

［従来の技術］ 一般に、光ディスクおよび光カードは、基板の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出Ｉｉｆ能な小さ
な（例えば、約１μ）ピットをらせん状又は円形のトラ
ック形態にして高密度情報を記憶することができる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応Ｐ：
！！（記録層）の表面に集束したレーザを走査し、この
レーザ光線が照射された表面のみがピットを形成し、こ
のピットをらせん状、円形または直線状トラックの形態
で形成する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネ
ルギーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成でき
る。例えば、ヒートモート記録方式では、レーザ感応層
（記録層）は熱エネルギーを吸収し、その個所に、蒸発
又は融解により小さな凹部（ピット）を形成できる。ま
た、別のヒートモート記録方式では、照射されたレーザ
・エネルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可
能な濃度差を有するピットを形成てきる。

この光ディスクおよび光カートに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ピットが形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される０例えば、レーザ光かト
ラックに沿って走査され、ディスクにより反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。ピットトが形成されている部分は、レーザ光の反射は
低くなりフォトディテクターの出力は低下する。一方、
ピットが形成されていない部分は、レーザ光は充分に反
射されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクおよび光カートに用いる光学的記録
媒体として、これまでアルミニウム蒸若膜などの金属薄
膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系
非晶質ガラス膜などの無機′Ｐ４ｍを主に用いたものが
提案されている。これらの薄膜は、一般に３５０〜８０
０ｎ■付近の波長光て感応性であるとともに、レーザ光
に対する反射率が高いため、レーザ光の利用率が低い等
の欠点かある。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば、　７８
０ｎ−以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な
有ａ薄膜の研究がなされている。この様な有４１！薄膜
は、例えば発振波長が８３０ｎ■付近の半導体レーザに
よりピットを形成できる点で有効なものである。

しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上１、満足できる
有ａ薄膜が開発されているものとはいえないのが現状で
ある。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、この様な現状に鑑みてなされたものであり、
その目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機ｇ膜からなる
記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機薄膜からな
る記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は感度および記録に伴う光学特性の変
化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は塗工法による製造が可能な光学記録
媒体を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］および［作用］即ち１
本発明は下記一般式［Ｉ］で表わされるアズレニウム塩
化合物を含有する記録層を有することを特徴とする光学
記録媒体である。

一般式［Ｉ］ （但し、一般式［Ｉ］において、　Ｒ１１Ｒ２，Ｒ３゜
Ｒ４，Ｒｓ、　ＲｓおよびＲ７は水素原子、ハロゲン原
子又は１価の有機残基を表わし、又はＲｏとＲ２，Ｒａ
とＲ：ｌ、　Ｒ３とＲ４，Ｒ訛Ｉｔｓ、　ＲｓとＲ６お
よびＲ６とＲ７の組合せのうち少なくとも１つの組合せ
て置換又は未置換の縮合環を形成してもよい。Ｘは硫黄
原子、酸素原子又はセレン原子を示す。Ｚは置換されて
もよいピラン、チオピラン、セレナピラン、ベンゾピラ
ン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、ナフトピ
ラン、ナフトチオピラン又はナフトセレナピランを完成
するに必要な原子群からなる炭化水素基を示すａＲ６お
よびＲ９は水素原子、Ｗｌ換もしくは未置換のアルキル
基、置換もしくは未置換のアリール基又は置換もしくは
未置換のスチリル基を示す。ｎはｌ、２又は３．ｍはＯ
又は１の整数を示す。Ａｏはアニオン残基を示す、） 以下１本発明の詳細な説明する。

本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作用
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記一
般式［Ｉ］で示されるアズレニウム塩化合物を含有する
薄膜からなる記録層を有することに特徴がある。

一般式　［Ｉ］において、　Ｒｔ＋　Ｒ１＊　Ｒｉ＋　
Ｒ４＋　Ｒ’ｌ＊Ｈ６およびＲ７は水素原子、ハロゲン
原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子）又は１価の有機
残基を表わす。

１価の有機残基としては、広範なものから選択すること
かできるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキ
シル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もしくは
未置換のアリール基（フェニル、トリル、キシリル、エ
チルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、
クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェ
ニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換もしく
は未置換の複素環基（ピリジル、キノリル、カルバゾリ
ル、フリル、チェニル、ピラゾリルなど）置換もしくは
未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニルエチル
、２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベンジル、
２−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシ
ベンジル、ニトロベンジル）、アシル基（アセチル、プ
ロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、トリオ
イル、ナフトイル、・フタロイル、フロイルなど）、置
換もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ、
ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、
ベンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換スチリル
基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミ
ノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシスチ
リル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、ニト
ロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−エーテル基
、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カルボン酸ア
ミド、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ基
（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ
、ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ、
ニトロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルア
ゾなど）を挙げることができる。

また、Ｒ，とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ，、Ｒ，とＲ
，、ＲｓとＲ６およびＲ６とＲ，の組合わせのうち、少
なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮合環を形成
してもよい、縮合環としては、置換又は未置換の芳香族
環（ベンゼン、ナフタレン、クロロベンゼン、ブロモベ
ンゼン、メチルベンゼン、エチルベンゼン、メトキシベ
ンゼン、エトキシベンゼンなど）、複素環（フラン環、
ベンゾフラン環、ピロール環、チオフェン環、ピリジン
環、キノリン環、チアゾール環など）、脂肪族環（ジメ
チレン、トリメチレン、テトラメチレンなど）等が挙げ
られる。

Ｘは、硫黄原子、酸素原子、セレン原子又はテルル原子
を示す。

Ｚは、ピラン、チオピラン、セレナピラン、ベンゾピラ
ン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、ナフトピ
ラン、ナフトチオピラン又はナフトセレナピランを完成
するに必要な原子群を示している。これらの環にはアル
キル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル
、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−アシル、ｔ−アシル、
ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、を−オクチル、２−エチ
ルヘキシルなど）、アルコキシ′ｌ＆（メトキシ。

エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もしくは
未置換アリール基（フェニル、トリル、キシツル、ビフ
ェニル、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシ
フェニル、ジェトキシフェニル、ヒドロキシフェニル、
クロロフェニル、ジクロロフェニル、ブロモフェニル、
ジブロモフェニル、ニトロフェニル、ジエチルアミノフ
ェニル、ジメチルアミノフェニル、ジベンジルアミノフ
ェニルなど）、スチリル、４−フェニル−１，３−ブタ
ジェニル、メトキシスチリル、ジメトキシスチリル、エ
トキシスチリル、ジェトキシスチリル、ジメチルアミノ
スチリル、４−（Ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，
１−ブタジェニル、４−（ｐ−ジエチルアミノフェニル
）−１，：ｌ−ブタジェニルなどのスチリル基もしくは
４−フェニル−１，３−ブタジェニル又はその置換体又
は３−カルバゾリル、９−メチル−３−カルバゾリル、
９−エチル−３−カルバゾリル、９−カルバゾリルなど
の複素環基によって置換されることができる。

ＲａおよびＲ９は、水素原子、アルキル基（特に炭素原
子数ｌ〜１５のアルキル基：例えば、メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル
、イソアミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシル
）、アルコキシ、２Ｉｓｉ（メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、ブトキシ、アミロキシ、ヘキソキシ、オクトキ
シなど）、アリール基（フェニル、α−ナフチル、β−
ナフチルなど）、置換アリール基（トリル、キシリル、
ビフェニル、エチルフェニル、メトキシフェニル、エト
キシフェニル、アミロキシフェニル、ジメトキシフェニ
ル、ジェトキシフェニル、ヒドロキシフェニル、クロロ
フェニル、ジクロロフェニル、ブロモフェニル、ジブロ
モフェニル、ニトロフェニル、ジエチルアミノフェニル
、ジメチルアミノフェニル、ジベンジルアミノフェニル
など）、スチリル基又は４−フェニル−１，３−ブタジ
ェニル基（スチリル、４−フェニル−１，３−ブタジェ
ニル）、を換スチリル基又は４−フェニル−１，３−ブ
タジェニル基（メトキシスチリル、ジメトキシスチリル
、エトキシスチリル、ジェトキシスチリル、ジメチルア
ミノスチリル、ジエチルアミノスチリル、４−（ｐ−ジ
メチルアミノフェニル）−１，３−ブタジェニル、４−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，：ｌ−ブタジェ
ニルなど）、置換又は未置換の複素環基（３−カルバゾ
リル、９−メチル−３−カルバゾリル、９−エチル−３
−カルバゾリル、９−カルバゾリル）を表わす。

Ｒ８とＲ９は、結合してベンゼン環を形成してもよい。

また、Ａｏは、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン
、過ｋＭ素酸塩イオン、硝酸塩イオン、ベンゼンスルホ
ン酸塩イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチ
ル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩
イオン、テトラフルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニ
ルホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベ
ンゼンスルホン酸塩イオン、酢酸塩イオン、トリフル１
口酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩イオン、安息香酸塩
イオン、シュウ酸塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン
酸塩イオン、オレイン酸塩イオン、ステアリン酸塩イオ
ン、クエン酸塩イオン、−水素二リン酸塩イオン、二水
素−リン酸塩イオン、ペンタクロロスズ酸塩イオン、ク
ロロスルホン酸塩イオン、フルオロスルホン酸塩イオン
、トリフルオロメタンスルホン酸塩イオン、ヘキサフル
オロヒ酸塩イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸塩イオ
ン、モリブデン酸塩イオン、タングステン酸塩イオン、
チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イオンなどの陰イオン
を示す。

一般式［Ｉ］におけるＡｏはＲ，及び／又はＲ９自体カ
ア−ｔンｘ、　例エバーＳＯ３゜、　−０３Ｏ３゜、−
ＣＯＯｅ、　ＳＯ２゜Ｎｌ１−　、−５Ｏ２−Ｎｏ−Ｇ
Ｏ−、５Ｏ２−Ｎｏ−３０２−を含むときには存在しな
い。

ｎはｌ、２又は３、ｍは０又はｌの整数である。

以下、本発明で用いられるアズレニウム塩化合物の具体
例を下記に列挙するが、これらに制限されるものではな
い。

前記ノ一般式［Ｉ］て表わされる化合物の例Ｃ１１３ ■ ＣＨ。

し５ｔｉｌｌυ （ｌＯ） ＣＨ３ （２６）　　　　　　　　　ｔ−ＣＪｓしｔ′３ｃｏ３
＋ｓｏ、ｅ 油記一般式［Ｉ］で表わされる化合物はジャーナル　オ
ブ　ザ　ケミカル　ソサイエテイー（Ｊｏｕｒｎａｌ　
ｏｒ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｓｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）　
１６：ｌ−１６７頁（１９６１年）に記載されている様
に、アルデヒド基を有するアズレン化合物と活性メチル
基を有すピリリウム塩化合物とを強酸の存在下適当な溶
媒中で加熱反応させることにより得られる。

活性メチル基を有すピリリウム塩は、例えば２−メチル
−４，６−ジフェニルピリリウム塩がシュナイダ−（５
ｃｈｎｅｉｄｅｒ）等著、ベル（Ｂｅｒ　）誌、５４巻
、　２２８９頁（１９２１年）に、また２−メチル−４
，６−ジフェニルチオピリリウム塩がウイツンガ−（Ｗ
ｉｚｉｎｇｅｒ）等著、ヘルヴ　ケミ　アクタ（１ｌｃ
ｌｖ、　Ｃｈｅｗ、＾ｃｔａ、　）誌、　３９ａ、　２
２１頁（１９５６年）に、・また２、６−ジーｔ−ブチ
ル−４−メチルチオピリリウムが米国特許第４：１１５
９８：１号明細書に記載され、これらの方法によって得
ることができる。

一般式［Ｉ］に用いられるアズレン環としては、その原
料コスト及び誘導されるアズレニウム化合物の溶解性の
点で植物から抽出されるグアイアズレンを用いるのが工
業的には最適である。

本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に。

基板ｌの上に前記一般式［Ｉ］で示されるアズレニウム
塩化合物を含有する記録層２を設けることにより形成す
ることができる。

基板ｌとしては、ポリカーボネート、ポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラスあるいは金属類などを用いることができる。

記録層２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］で示され
るアズレニウム塩化合物を１．１または２種以上組合せ
て用いることができ、さらに他の染料１例えば、前記一
般式［Ｉ］の化合物以外のポリメチン系、アズレン系、
ビリリウム系、スクアリウム系、クロコニウム系、トリ
フェニルメタン系、キサンチン系、アントラキノン系、
シアニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、テト
ラヒドロコリン系、トリフエッチアジン系、フェナンス
レン系、金属キレート錯体系染料など、あるいは金属お
よび全屈化合物など、例えば八で、　Ｔｅ。

［１ｉ、　Ｓｎ、　Ｉｎ、　Ｓｃ、　ＳｎＯ，ＴａＯ２
，八ｓ、　Ｃｄなどと混合分散あるいは植層してもよい
。

記録）３２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法によ
り基板ｌ上に形成される。塗布法を用いる場合には、ア
ズレニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散し
た溶液を基板ｌ上に塗布することによって形成すること
ができる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性を
考慮してバインダーを記録層中に混合して成膜すること
もてきる。

塗布の際に使用できる有機溶媒は、前述のアズレニウム
塩化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とするか
によって異なるが、一般にはメタノール、エタノール、
イソプロパツール、ジアセトンアルコール、メチルセロ
ソルブ等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロへキサ、ノンなとのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドな
どのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキ、
シト類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレング
リコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロ
ロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、ジクロルエ
チレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族
ハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン
、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族
類、あるいはｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、リタロイ
ンなどの脂肪族炭化水素類などを用いることかできる。

また、好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選択
することができる。具体的にはニトロセルロース、リン
酸セルロース、硫酸セルロース。

酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、醋酸セルロ
ース、ミリスチン酸セルロース、バルミチン酸セルロー
ス、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・醋酸セルロ
ースなどのセルロースエステル類、メチルセルロース、
エチルセルロース。

プロピルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロー
スエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、ポリビニルブチラール。

ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール。

ポリビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−
ブタジェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコ
ポリマー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコ
ポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共
重合樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア
クリレート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸
、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリ
ロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフ
タレートなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イソ
ブロピリデンジフェニレンーコ−１，４−０シクロヘキ
シレンジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオ
キシ−３，３′−）ユニレンチオカーボネート）、ポリ
（４，４’−イソブロピリデンジフェニレンカーボネー
トーコーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロ
ピリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’
　−５ｅｃ−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、
ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーボ
ネート−ブロック−オキシエチレン）などのポリアリ−
レート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類、
ポリウレタン類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂類、
ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレン、
ポリブテン、ポリイソブチレンなとのポリオレフィン類
、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム等のエ
ラストマー類などを用いることができ、その他場合によ
り樹脂以外の鯨ロウ、ミツロウ、ラノリン、カルナバワ
ックス、キャンデリラワックス、モンタンワックス、セ
レシンワックス等の天然ワックス、パラフィンワックス
、マイクロクリスタリンワックス等の石油ワックス、酸
化ワックス、エステルワックス、フィッシャートロプシ
ュワックス等の合成ワックス、ラウリン酸、ミリスチン
酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニンｓ！ｇの高
級脂肪酸、カナアリルアルコール。ベヘニルアルコール
等の高級アルコール、ショ糖の脂肪酸エステル、ソルビ
タンの脂肪酸エステル等のエステル類、オレイルアミド
等のアミド類を適宜混合させることかできる。

以上のバインダーにジオクチルフタレート、ジブチルフ
タレート、トリクレジルフォスフェート等の可塑剤、鉱
油、植！油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン酸
ソーダ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録層の
成膜性、塗膜安定性を高めることがてきる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーディング法、
マイヤーバーコーティング法、プレートコーティング法
、ローラーコ・−ティング法、カーテンコーティング法
などのコーティング法を用いて行うことがてきる。

記録層２中のアズレニウム塩化合物の含有量は通常４０
〜１００重量％、好ましくは５０〜１００重量％か望ま
しい。４１）重量％未満ては記録層の十分な光吸収性と
再生レーザー光に対して十分な光反射率を得ることがで
きない。

また、記録層２の膜厚は１００人〜２０ｇｍ、好ましく
は２００人〜１μ−か適当である。なお、記録レーザー
光に対して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成で
き得るならば可能な限り薄いほうがよい。

さらに１本発明の光学記録媒体は、第２図に示すように
、記録層２上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護層３を設けることができる。

該保護層３は、基板ｌ側から光を照射する場合は不透明
でも差支えない。

また、第３図に示すように、基板ｌと記録層２の間に下
引層４を設けても良い。

また、第４図に示す様に、保護層３及び下引層４を共に
用いることも可能である。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（Ｃ）溶剤からの基板の保護および（
ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられる。

（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシラ
ンカップリング剤などの種々の物質を用いることかてき
、（ｂ）、（Ｃ）の目的に対しては上記高分子材料以外
に無機化合物例えば５ｉ０２．　ＭｇＦ２．　Ｓｉｎ、
　Ｔｉｅｓ、　ＺｎＯ。

ＴｉＮ、　ＳｉＮなど、金属または半金属例えばＺｎ、
　Ｃｕ。

Ｓ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｇｃ、　Ｓｅ、　Ｃｄ、八ｇ、
　Ａｉ’などを用し）ることかてきる。（ｄ）の目的に
対しては金属例えばＡｉ＋、　八ｇなど、または金属光
沢を有する有機薄膜、例えばアズレン染料、メチン染料
などを用いることができる。そして（ｅ）、　（ｆ）の
目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑
性樹脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は５
０人〜１（１０μｍ、好ましくは２００人〜３０絡■が
適当である。

また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護お
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を目
的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ材
料を使用することができる。保護層の１漠厚は０．ｌＩ
Ｌ■以上、好ましくはＩＨ以上が適当である。

この際、下引き層および／または保護層中には本発明の
一般式［Ｉ］のアズレニウム塩化合物が含有されていて
もよい。また、下引き層または保護層には安定剤、分散
剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤な
どが含有されていてもよい。

さらに、本発明による光学記録媒体の別の構成としては
、第１図からｉ４図に示した同一構成の２枚の記録媒体
（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録層
２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンドイッ
チ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着したいわ
ゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明の光学記録媒体は、アルゴンレーザ（発振波長４
８８ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６：１
３ｎｓ）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４
２ｎｍ）などのガスレーザの照射によって記録すること
も可能であるが、好ましくは７５０ｎｓ以上の波長を有
するレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半導体
レーザ（発振波長８３０ｎｍ）などの近赤外あるいは赤
外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記
録する方法が適している。

また、読み出しのためには、前述のレーザ光線を用いる
ことができる。この際、書込みと読み出しを同一波長の
レーザで行なうことができ、また異なる波長のレーザで
行なうこともできる。

［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するか、これ
らに限定されるものではない。

実施例１ 直径１：ｌＯｓ■φ、厚さ１．２量−のポリメチルメタ
クリレート（以下ｒＰ＆ｎＡＪと略記する）基板上に、
エボキンーアクリレート系紫外線硬化樹脂を用いてｚＰ
法（フォト・ポリマー法）で、厚さ３０ｐａのプレグル
ーブを設け、その上に前記アズレニウム塩化合物Ｎｏ、
（１１）のアズレニウム塩化合物２重量部をジクロルエ
タン９８ｆｉ量部に溶解させた液をスピナーコーティン
グ法により塗布した後、乾燥して８００人の有機薄膜記
録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモーターで１８００ｒｐ
−に回転させて、発振波￥ｃ１１：ｌ（ｌｎｗの半導体
レーザな用いて、基板側より記録層にスポットサイズ１
．５鉢■φ、記録パワー６膳Ｗ、記録周波数２　ＭＨｚ
で情報を書き込み、読み出しパワー０．８−Ｗで再生し
、その再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィル
ター、バンド幅３０ＫＨｚ　）　Ｌ／てＣ／Ｎ比を測定
した。

次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、繰り返し１０５回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を６０℃、
９０％ＲＨの条件下に２０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の透過率（８：ｌＯｎｍ測定）
およびＣ／Ｎ比を測定した。その結果を表１に示す。

表　　　１ 実施例２〜９ 実施例１で用いたアズレニウム塩化合物Ｎｏ。

（１１）の化合物をＮｏ、（２）、（４）、（８）、（
１２）、（１９）、（２１）。

（２６）、（２９）にかえて、実施例１と同様の方法で
記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の光学記録媒
体を作製した。

を記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の方
法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例１０および１１ 下記化合物Ｎｏ、（３１）および（コ２）と前記アズレ
ニウム塩化合￥＠Ｎｏ、（１５）とをそれぞれｌ：ｌの
重量比でジクロルエタンに混合し、実施例１と同様の方
法で塗布し、乾燥膜厚８５Ｇ人の有機薄膜記録層を設け
、それぞれ実施例ｉｏ、　ｔｌの光学記録媒体を作製し
た。

この様にして作成した実施例１０．１１の光学記録媒体
を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３に
示す。

化合物Ｎｏ、（３１） し、＋１．　　　　　Ｕ＆υ、”　　　　　　　　に　
２Ｉ＋　。

化合物Ｎｏ、（３２） 比較例１ 実施例１Ｏで用いた化合物Ｎｏ、（１５）を除いた以外
は、実施例１Ｏと同様の方法て光学的記録媒体を作製し
、同様に測定した。その結果を表３に併示する。

実施例１２ 前記化合物Ｎｏ、（１７）の化合物２重量部とニトロセ
ルロースｍ１ｆｌ（オーパレスラッカー、ダイセル化学
■製）１重量部をメチルエチルケトン９７ｉ量部に混合
させた液をスピナー塗布法により、プレグルーブを設け
た直径１３０ｍ５φ、厚さ１．２ａｍのＰＭＭＡ基板上
に塗布し、乾燥膜Ｊ１１１０００人の有機薄膜記録層を
得た。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１３〜１５ 実施例１２で用いた化合物Ｎｏ、（１７）を前記化合物
Ｎｏ、（１）、（１８）、（２４）にかえて、実施例１
２と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例１
３〜１５の光学記録媒体を作製した。

上記実施例１３〜１５の光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１６および１７ 前記の化合物Ｎｏ、（６）８よびＮｏ、（７）の化合物
５００ｍｇを蒸着用モリブデンボードに入れ、１ｘｌＯ
−６■ｓＨｇ以下に排気した後、プレグルーブを設けた
直径１３０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍのＰＭＭＡ基板上に
蒸着した。蒸着中は真空室内の圧力が１０−’ｍｍ１１
ｇ以上に上昇しない様にヒータを制御しながら、９５０
人の有機薄膜記録層を形成し、それぞれ実施例１６．１
７の光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法て測定した。その結果を表５に示す。

実施例１８ つオーレッドサイズの厚さ０．４１ポリカーボネート（
以下ｒＰＣＪと略記する）基板上に、熱プレス法により
プレグルーブを設け、その上に前記アズレニウム塩化合
物Ｎｏ、（１１）の化合物４重量部をジアセトンアルコ
ール９６重量部に混合させた液をバーコード法により塗
布した後、乾燥して１０００人の有機薄膜記録層を得た
。さらに、その上にエチレン−酢ビドライフィルムを介
してつオーレッドサイズの厚さ０．：］ｍｍのＰＣ基板
と、熱ロール法により密着し、密着構造の光学記録媒体
を作製した。

この様にして作製した光学記録媒体をＸ−Ｙ方向に駆動
するステージ上に取り付け、発振波長８：１Ｏｎｓの半
導体レーザな用いて、厚さ０．４゛ｍ−のＰＣ基板側よ
り、有機薄膜記録層にスポットサイズ３、昨−φ、記録
パワー４．０ｍ！ａｔで記録パルス８ＱＩＬｓｅｃでＹ
軸方向に情報を書き込み、読み出しパワー０．４ｓｌで
再生し、そのコントラスト比部の信号強度）を測定した
。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験を行ない、その後の透
過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表６
に示す。

表　　６ ［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明の光学記録媒体によれば、長
波長側に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長発振レー
ザーを用いても高感度に記録が可能であり、良好なピッ
ト形状の形成により、高いＧ／Ｎ比か得られる。

また、塗工法による製造が可能で、熱に対する安定性の
良い、保存性に優れた再生劣化の少ない光学記録媒体を
提供することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。 ｌ・・・基板 ２・・・記録層 ３・・・保護層 ４・・・下引層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式［ I ］で表わされるアズレニウム塩化合物
   を含有する記録層を有することを特徴とする光学記録媒
   体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］において、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ
   ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６およびＲ＿７は水素原子
   、ハロゲン原子又は１価の有機残基を表わし、又はＲ＿
   １とＲ＿２、Ｒ＿２とＲ＿３、Ｒ＿３とＲ＿４、Ｒ＿４
   とＲ＿５、Ｒ＿５とＲ＿６およびＲ＿６とＲ＿７の組合
   せのうち少なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮
   合環を形成してもよい。Ｘは硫黄原子、酸素原子又はセ
   レン原子を示す。Ｚは置換されてもよいピラン、チオピ
   ラン、セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチオピラン
   、ベンゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフトチオピラ
   ン又はナフトセレナピランを完成するに必要な原子群か
   らなる炭化水素基を示す。Ｒ＿８およびＲ＿９は水素原
   子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未
   置換のアリール基又は置換もしくは未置換のスチリル基
   を示す。ｎは１、２又は３、ｍは０又は１の整数を示す
   。Ａ＾■はアニオン残基を示す。）