JPS6230090A - 光情報記録媒体 - Google Patents

光情報記録媒体

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JPS6230090A
JPS6230090A JP60297944A JP29794485A JPS6230090A JP S6230090 A JPS6230090 A JP S6230090A JP 60297944 A JP60297944 A JP 60297944A JP 29794485 A JP29794485 A JP 29794485A JP S6230090 A JPS6230090 A JP S6230090A
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淳夫 吉川
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Kuraray Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔座業上の利用分野〕 本発明は、レーザ光を用いて情報全記録・丹生すること
のできる新規な高感度かつ高密度な光情報記録媒体に関
する。更に詳しくは高密度エネルギービームであるレー
ザ光を照射された部位が溶融、分解等により変形又は除
去さ扛ることにより生じる反射率或いは透過率の笈化を
オリ用して情報全記録・丹生するのに適したヒートモー
ドの光情報記録媒体に関する。
〔従来の技術〕
レーザ光による光記録は１ｌｌＦき込みないし読み出し
ヘッドが非接触でおる為、記録材料が＊Ｓ劣化しないと
いう特徴音もつことから、撫々の光記録材料の研究開発
が行わ２１．ている。特に元ディスク、レーザプリンタ
、ファクシミリ等の分野においてはレーザ光を用いた数
多くの光情報記録材料が知らｎている。その代表的なも
のとしては、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ等の金属、付会又
は酸化物に見らｎる金属系物質を光吸収性物質として記
録層に用いることが知らｎている。しかしながら、金属
系物質は熱伝導率や融点が高いばかりでなく、表面反射
率も大きい為、レーザ光のエネルギー金有効に利用する
ことができないという欠点がある。又、これらの金属系
物質は毒性の点で大きな問題がある。
一方、前記金属系以外の光情報記録部材としてハ、フル
オレセイン、スーダンブラックＢ１　コンゴーレッド、
スーダンブルー、ローダミン６Ｇ等の有＠染料金光吸収
性物質として記録層に用いる仁とも知られている（例え
ば特開昭５６−５５２８９号２よび特公昭５７−２０９
１９１号など）。
一般に有機物の熱体４率は金属の１／１０〜１／１００
と小さいことから、光熱ｆ換にエリ元生した熱が有効に
利用できるばかりでなく、水平方向への熱の散逸が低減
さ７’Ｌることから、忠央な信号の記録、即ち編密度記
録が可能となる。しかしながら、これら公知の有機物は
王に町視元狽域に吸収を示すさｎ１近亦外元領域（〜８
００．ｗ）に発振波長を有し、装置全体の小製化、軽蓋
化が計れる半導体レーザによるｂ己録には通していない
。
２！ｌＩ公外充填域に秋収金示す有機化付物としてはシ
アニン色素等が例えば％開昭５８−１１４９８９号にて
知ら往ている。しかしながらシアニン色素は水分、酸素
または元等に対する安定性が悪いので記録状態が安矩に
昧てないとい９欠点がめる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明したように従来提案さｎている有機系の光記録
材料は十分な光吸収能或いは光反射能を有しないか、或
いは耐久性、保存安定性等に問題があり光記録材料とし
ての必要性能を満足するものはないのが現状である。
ことができる高感波かつ高督匿な有機系の光情報本発明
の第２の目的は近赤外光領域（〜８００ｓ＋ｒ）に発振
波長ｆｔ、有する半牽体レーザを用いて記録・今生が行
なえる光情報記録媒体全提供するにある。
又、本発明の他の目的は、耐久性があり、かつ記録状態
が安定に保たｎる光情報記録媒体を提供するにある。
又、更に他の目的は生産性の良い、光情報記録媒体を提
供するにるる。
〔問題点全解決する几めの手段〕
本発明者らは広範に亘る研′！Ａをした結果、モノ・ア
ゾ化合物の金属錯体群の中に町税元及び近赤外光領域に
於て大きな分子吸光係数を有するもの金兄い出した。そ
して該金属細体を含む記録層にレーザ元全照射したとこ
ろ、効率良く光熱変換を起こし、レーザ光を照射した部
位が反射″４Ａ或は透過率に太さな賀化を生じることを
認め、本発明に至つｉｏ 即ち、本発明の光情報記録媒体は、基本的には支持体及
び記録層からなり、該記録層が、下記の一般式（１）で
表わされるモノアゾ化合物の金属錯体全含有すること全
特徴とするものである。
（式中、Ｘは、それが結合している屋累原子及び炭素原
子と一緒になって電子供与性基又は電子吸引性基でｔＭ
換されていてもよい複素環全形成する残基であり、Ｙは
、そｒが結合している二つの炭素原子と一緒になって電
子供与性基で置換されていてもよい芳香環を形成する残
基である。また、２はヒドロキシルｉｔたはカルボキシ
ル基である。）上記式中、電子供与性基としては、モノ
メチルアミノ、モノエチルアミノ等の炭素数４までの低
級モノアルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ、ジブチルアミノ叫の炭素数４までの低級ジアルキ
ルアミノ基、メトキシ、エトキン等の炭素数４までの低
級アルコキシ基、メチル、エチル等の炭素数４までの低
級アルキル基、アミノ基又は水酸基等が皐げられる。向
上記アルキル部位は例えばスルホン化さｎていてもよい
０好ましい電子供与性基は、２がヒドロキシル基の場合
はジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、水酸基、メト
キシ基またはメチル基であり、２がカルボキシル基の場
合はジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基または水酸基
である。
一方、電子吸引性基としては塩素、ｆＡ累等のハロゲン
原子、ニトロ基、ニトリル基、トリフッ化メチル基、カ
ルボキシル基等が挙げられる０好ましい電子吸引性基は
塩素、芙索又はニトロ基である。
これらの置換基は一棟又は二種でも良い。
又、′４Ｉ素環としては、ピリジル、チアゾツル、ベン
ゾチアゾリル、キノリル、ピリミジル又はヒドロキンベ
ンゾチアゾリル等の複素環全例示することができる。好
ましい複素環はチアゾリル及びベンゾチアゾリルである
。一方芳香環としては、フェニル環、ナフチル環等全例
示することができる。ここで芳香環としてベンゼン環全
選択した場合、前記電子供与性基で置換さｎているのが
よい。
該電子供与基は助合効果及び沼体の安定性全噌犬させる
効果を有する。
本発明に於て錯体を形成するモノアゾ化合物の代表例と
しては、２がヒドロキシル基の場合は次のものが挙げら
する。
１）チアゾリルアゾ化合物。
Ｈ３ ２）ヒドロキシベンゾチアゾリルアゾ化合物。
）ベンゾチアゾリルアゾ化合物。
・　ピリジルアゾ化合物。
５）キノリルアゾ化合物。
じ−Ｎ＝Ｎセ◎（ｃ−０彫 ６）ピリミジルアゾ化合物。
Ｒ○ またＺがカルボキシル基の場合の代表例は次のものが挙
げられる。
１）チアゾリルアゾ化合物。
２）ベンゾチアゾリルアゾ化合物。
３）　ピリジルアゾ化合物。
これらの化合物は例えば、分析化学、　Ｖｏｌ、　１１
゜Ｐ６２１−Ｐ６２８（１９６２）や日本化学雑誌、第
８３巻、第１１号、Ｐ１１８５−Ｐ１１８９（１９６２
）に記載の方法等に準じて合成される。
本発明においてモノアゾ化合物と錯体を形成する金属と
しては、一般に該モノアゾ化合物と錯体を形成する能力
のある金属なら特に制限はないが鉄、コバルト、ニッケ
ルから選択される鉄族元素が特によく、銅、銀、金から
選択される銅族元素も用いられる。これらの金属からな
る錯体は一般にモノアゾ化合物自身の吸収極太波長より
も長波長側に吸収極大波長を有し、同時にその分子吸光
係数（ε）も増大するので記録レーザ光を効率良く吸収
し、光熱変換を起こすことから好適に用いられる。特に
金属として二価の鉄を選択した錯体はその吸収極大波長
が長波長領域にあり、半導体レーザ発振波長領域に大き
な分子吸光係数を有するので、実用的に有利である。こ
の特性吸収帯の帰属は必ずしも明確ではないが、鉄→配
位子型電荷移動に因るものと考えられる。
本発明で用いられるモノアゾ化合物と配位金、萬との比
は、通常化学量論的に１／Ｌ、２／１　等に設定される
が、生成物の光学特性を大きく左右する場合もあシ、目
的に応じ適正比を選ぶことが望ましい。
本発明において用いられる上記モノアゾ化合物の金属錯
体は、任意の方法により合成される。例えば水及び／又
は有機溶媒中、前記式（Ｉ）で示されるモノアゾ化合物
の一種又は二種以上と金属塩の一種又は二種以上を反応
せしめることにより得られる。
該金属錯体の合成に用いる金属塩としては、目的とする
金属の塩化物、水酸化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、
硫酸アンモニウム塩、蓚酸塩、過塩素酸塩、酢酸塩、蟻
酸塩、炭酸塩、ステアリン酸塩又はホウ酸塩等を挙げる
ことができる。
本発明の光記録媒体における記録層は、前記モノアゾ化
合物の金属錯体単独又は、他の材料との組み合わせから
なシ、ガラス、アルミニウム、セラミックス等の無機材
料やポリメチルメタクリレ−ト、ポリカーボネート、ポ
リエステル等の合成樹脂材料よりなる支持体上に設けら
れる。該支持体は透明或いは不透明であシ、記録及び再
生レーザ光の入射方向によシ各々に適した光学特性を有
する支持体が用いられる。特に透明な支持体面側からの
入射では、面上に付着した塵埃又はキズ等の欠陥に影響
されることなく記録・再生が行なえることから、よシ好
適に用いられる。記録層を設けた円板状の２枚の透明な
支持体をそれぞれの記録層面を内側に配置し′−空隙を
有するように貼シ合せた所謂エアーサンドインチ構造の
記録材料とすることもできる。支持体の形状は、その使
用目的により選択し得、円板状、テープ状、シート状等
が例示されるが、特に円板状の場合、トラッキングを円
滑に行なう為にプリグループを設けても良い。
又、記録層に用いる金属錯体は、必要に応じて二種以上
のモノアゾ化合物及び／又は金属元素から構成されてい
ても良く、それらを、混合することにより、レーザ光吸
収波長を選択或いは調整することも可能である。
これらの記録層は、真空蒸着法あるいは、前記金属錯体
を単独か或いは樹脂等の他の材料と組み合わせて適当な
溶媒に溶解し、スピンコード法、ディッピング法、バー
コード法、キャスト法等の簡便な塗布方法にて設層する
ことができる。この際後者においては必要に応じて、安
定剤、界面活性剤、分散剤、レベリング剤等を用いても
良い。
設層される記録層の膜厚は１０〜５００ｎｍ　　が好ま
しく、同時に記録レーザ光に対する透過率が７０％以下
であることが好ましい。透過率が７０チよシも大きくな
ると充分な光吸収能或いは光反射能を有さなくなる。
前記の組み合せて使用される樹脂としては、熱可塑性或
いは自己酸化性樹脂が好適であシ、ポリカーボネート、
ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリエチレン
、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルブチラール、ポ
リ酢酸ビニル、ニトロセルロース、ポリビニルアルコー
ル、メチルセルロース等、広範な樹脂から適宜選択する
ことが可能である。特にニトロセルロースは、強い酸化
作用を有することから望ましい。樹脂に対する該有機金
属錯体の重量比は一般に０．１１以上、好ましくは１０
％以上、特に好ましくは３０％以上である。少なすぎる
と、充分な光吸収能或いは光学的な濃淡差が得られない
場合がある。
本発明の光情報記録媒体は、基本的には、第１図に示す
様に支持体１０と記録層２０から構成される。記録又は
再生レーザ光は矢印１００又は２００で示される。必要
に応じて第２図に示す様に支持体上に下引層３０を、又
、第３図及び第４図に示す様に記録層上に５ｉＯｚ等の
保護層４０を設けることができる。特に下引層としては
ニトロセルロースが好ましい。更には、第５図及び第６
図に示す様にＡＪ、　Ａｇ、　Ａｕ　　等の金属の反射
層５０又は第６図に示す様に５ｉＯｚ、５ｉｓＮ４等の
透明誘電体層６０を設けることも可能である。一般に金
属の反射層を設ける場合には、更に真空蒸着法等の工程
が必要となるばかシでなく、繰シ返し反射による光記録
材料の光学特性が、記録層の膜厚に太きく依存すること
から、膜厚を厳密に制御する必要が生じる。本発明の光
記録材料は金属の反射層を設けなくとも、記録再生に必
要な反射率或いは反射率変化が得られるという特長を有
する。
情報の記録は、高エネルギー密度のレーザ光を光記録材
料に照射し、記録層の一部に化学的変化又は物理的形状
変化を生じさせることによυなされる。即ち、レーザ光
を照射された部位が、光熱変換を経て発生した熱により
、溶融、分解等を受け、変形又は除去されることによシ
記録がなされる。問、レーザ光によるビット形成は低エ
ネルギーで行うことができ、レーザ光のビーム径を１μ
ｍ程度に集光した場合、好ましくは記録層面上でのパワ
ーが１〜１０　ｍＷ、　　照射時間が５０〜５００ｎ秒
の範囲内でビットが形成される。
一方、情報の読み出しは、出力を記録時の１１５〜１／
１０に減衰させ、記録層が化学的変化又は物理的形状変
化を引き起こさないように設定された低出力レーザ光を
連続光として照射し、ビットの有無による反射光量又は
透過光景の変化を検出することによシなされる。通常、
単一の光学系で記録・再生が可能な反射光によシ検出す
るのがよい。
〔実施例〕
以下、実施例によ）、本発明の詳細な説明する。
伺、実施例中の部とは全て重量部を表わす。また実施例
中のモノアゾ化合物は前述の略称で示した。
実施例Ｉ ＴＡＮのメタノ−溶液に１／２当量の硫酸第一鉄アンモ
ニウム塩（モール塩）水溶液を加え、…を調節すること
によシ水に難溶性の鉄錯体を得た。
該錯体は、クロロホルム中で吸収極大波長（以下λｍａ
ｘ　と略すことがある）が７８５　ｎｍ、分子吸光係数
（以下εと略すことがある）が１．９　Ｘ　１０’Ｊ−
ｍｏｌ・口　の吸収を示した。
次に１．２膜厚の円板状のポリメチルメタクリレ−）（
ＰＭＭＡ）基板上に、該錯体を抵抗加熱法で真空蒸着し
、膜厚１１５　ｎｍの薄膜を得た。蒸着時の真空度は１
　ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ１ボート温度は３００℃とした
。
第７図は上記蒸着薄膜に基板側から光を入射した際の透
過（Ｔ）、吸収（Ａ）、及び反射（Ｒ）スペクトルを示
したものである。これよシ該記録膜が８００　ｎｍ付近
に吸収極大を有し、半導体レーザを用いた光記録材料と
して好適であることが確認された。
第８図は半導体レーザ光（７ｓｏｎｍ）を基板側から入
射した際のＴ、Ａ、Ｒの記録膜膜厚依存性を示している
。逆に、膜面側から入射した場合には、Ｒは増大し、Ａ
は減少する。
第１図は、この様にして作製された光情報記録材料を模
式的に示している。ＰＭＭＡ基板１０上に記録層２０を
設層した光情報記録媒体を線速度１１ｍ／ｓｅｃで回転
させ、矢印１００の方向から発振波長７８０　ｎｍの半
導体レーザ光をビーム径１．２μｍに集光させてパルス
状に照射した。
この場合、レーザ光の照射面でのパワーは６　ｍＷ。
パルス幅は５００ｎｓｅｃ、デユーティ比５０チの条件
で行なった。この照射によシ、記録層には図９に示す様
なビット列７０が形成された。図中では、ビット底がＰ
ＭＭＡ基板に達していないが、照射エネルギーが比較的
大きい場合には、基板が露出することもある。走査型電
子顕微鏡による観察の結果、ビット周辺のリム８０も小
さく、ビットの形状は良好であった。矢に、同条件で回
転する記録ビット列上にｌ　ｍＷの半導体レーザ光を連
続光として照射し、反射光強度変化による信号の再生を
行なった所、５５ｄＢのＣＮＲが得られた。一方、同様
に作製した試料に記録膜面側から記録・再生を行なった
所、良好な再生信号が得られた。又、この光記録材料を
４０℃、９５％Ｒ）ｌの環境下に１０００時間放置して
も記録・再生特性に変化は認められず安定であった。
比較のために、該鉄錯体に代え、ＴＡＮを用い、レーザ
光を上記と同じ条件で照射したところ、照射部と未照射
部に反射光量の変化は認められなかった。
同、半導体レーザに代え、発振波長６３３　ｎｍのＨｅ
　−Ｎｅレーザ光を同条件で使用した際にも、良好な再
生信号が得られた。
実施例２ 実施例１のＴＡＮに代え、ＴＡＣを用いて同様の操作に
よシ鉄錯体を得た該錯体はクロロホルム中でλｍａＸが
７６２ｎｍ１　εが１．４　Ｘ　１０７１−ｍｏｌ　’
Ｑｆｆの吸収を示した。
矢に、蒸着ボート温度２６０°Ｃにて膜厚９　Ｑ　ｎｍ
の薄膜をＰＭＭＡディスク上に作製した。この試料を用
いて、記録パワーを５　ｍＷとした他は実施例１と同様
の条件で実験を行なった所、５３ｄＢの良好なＣＮＲが
得られた。
実施例３ ＴＡＮの１．４−ジオキサン溶液に１／２当量の硫酸第
一鉄アンモニウム塩水溶液を加え、田調節した後、クロ
ロホルム抽出することにより、鉄錯体を得た。該錯体は
クロロホルム中でλｍａｘが７６０ｎｍ、　　εが２．
７　Ｘ　１０　ｊ”ｍｏｌ−ｃｍの吸収を示した。
一方、ニトロセルロース（粘度１／２秒、窒素含量１２
％）のＤＭＦ溶液を３μｍのメンブランフィルタ−にて
濾過しだ後ＰＭＭＡディスク上にスピンコードし、乾燥
膜厚ｓ　ｏ　ｏ　ｎｍの下引層を設けた。次に鉄錯体の
りＯａホルム溶液を調製し、０．２１１ｍのメンブラン
フィルタ−にて濾過した後、上記ディスク上にスピンコ
ードして、乾燥膜厚５５ｎｍの記録層を設けた。この試
料に実施例１と同様の実験を行なった所、５３ｄＢの良
好なＣＮＲが得られた。
実施例４ 実施例３で得たＴＡＭの鉄錯体とニトロセルロースをジ
メチルホルムアミドに溶解し、０．２μｍメンブランフ
ィルタ−で濾過した後、ＰＭＭＡディスク上にスピンコ
ードして、乾燥膜厚７Ｑｎｍの記録層を設けた（鉄錯体
含１１９５％）。この試料を用いて実施例２と同様の実
験を行なった所、５１　ｄＢの良好なＣＮＲが得られた
。
実施例５ ＢＴＡＥＰの１，４−ジオキサン溶液に１／２　当量の
硫酸第一鉄アンモニウム塩水溶液を加え、田調節するこ
とによ邊、鉄錯体を得た。該錯体はクロロホルム中でλ
ｍａｘが７８　Ｏｒｉｍ、εが２．３Ｘ１０’１−ｍｏ
ｌ　−ｔｙｎ　　の吸収を示した。次に核錯体とポリエ
チレンオキサイド（分子量４００万以上）をクロロホル
ムに溶解し、０．２μｍメンブランフィルタ−にて濾過
した後、実施例３と同様にしてニトロセルロースの下引
層（８００ｎｍ　）を設けたＰＭＭＡディスク上にスピ
ンコードして乾燥膜厚８５ｎｍの記録層を設けた（鉄錯
体含量９５チ）。
この試料を用いて実施例１と同様の実験を行なった所、
５２ｄＢの良好なＣＮＲが得られた。
実施例６ ３、５−ＤｉＢｒ　−Ｐ　ＡＭＢめ１，４−ジオキサン
溶液に１／２尚量の塩化ニッケル水溶液を加え、田調節
することによシ、ニッケル錯体を得た。該錯体はエタノ
ール中でλｍａｘが６４６　ｎｍ、　　εが１．３×１
０　ｊ！−ｍｏｌ−閏　の吸収を示した。
次に該錯体のジメチルホルムアミド溶液をＰＭＭＡディ
スク上にスピンコードすることＫよシ乾燥膜厚５５　ｎ
ｍの記録層を設けた。
この試料に、Ｈｅ　−Ｎｅ　ｖ−ザ光（６３３ｎｍ）を
実施例１と同様の条件で照射した後、信号の再生を行な
った所、５４ｄＢの良好なＣＮＲが得られた。
比較の為に、該ニッケル錯体に代え、３．５−ＤｉＢｒ
　−Ｐ　ＡＭＢを用い、レーザ光を上記と同じ条件で照
射した所、照射部と未照射部に反射光量の変化は認めら
れなかった。
実施例７〜１５ 他の金属錯体を用いた場合の記録再生特性を第１衣に示
す。記録はパルス幅５００ｎｓｅｃ、デユーティ−比５
０茅、線速度１１ｍ／ｓｅｅとし、再生パワーは全て１
ｍＷとした。又、レーザ光は基板側から入射した。いず
れの場合も良好なＣＮＲが得られた。
以下余白
【図面の簡単な説明】
第１図〜６図は本発明の記録媒体の種々の実施態様の構
造を示す断面図である。 第７図は本発明の実施態様に従う照射波長に対する吸収
率（Ａ）、反射率（Ｒ’）及び透過率（Ｔ”）を示す図
である。 第８図は本発明の実施態様によって提供された基体上の
記録層の膜厚に付する吸収率（Ａ）、反射率（Ｒ’）及
び透過率（Ｔ’ｌを示す図である。 第９図は本発明の実施態様の記録媒体において記録され
た状態における構造を示す断面図である。 図中１００及び２００は記録又は再生レーザ光の入射方
向を示す０また１０は支持体、２０は記録層、３０は下
引層、４０は保護層、５０は反射層、そして６０は透明
誘電体層を示す。

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）支持体及び記録層からなり、該記録層が一般式▲
    数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘは、それが結合している窒素原子及び炭素原
    子と一緒になつて複素環を形成する残基であり、Ｙは、
    それが結合している二つの炭素原子と一緒になつて芳香
    環を形成する残基である。又、Ｚはヒドロキシル基又は
    カルボキシル基である。） で示されるモノアゾ化合物と金属との錯体を含有するこ
    とを特徴とする光情報記録媒体。
  2. （２）複素環が少なくとも１つの電子供与性基又は電子
    吸引性基で置換されているか、または芳香環が少なくと
    も１つの電子供与性基で置換されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項記載の光情報記録媒体。
  3. （３）該複素環がチアゾリル、ベンゾチアゾリル、ピリ
    ジル、キノリル、ピリミジル及びヒドロキシベンゾチア
    ゾリルからなる群より選択された複素環である特許請求
    の範囲第１項記載の光情報記録媒体。
  4. （４）該複素環がチアゾリル又はベンゾチアゾリルであ
    る特許請求の範囲第３項記載の光情報記録媒体。
  5. （５）該芳香環がフェニル又はナフチルである特許請求
    の範囲第１項記載の光情報記録媒体。
  6. （６）置換基Ｚがヒドロキシル基である特許請求の範囲
    第１項記載の光情報記録媒体。
  7. （７）該電子供与性基がアルキル基又はアルコキシ基か
    ら選択された一種以上の基である特許請求の範囲第２項
    記載の光情報記録媒体。
  8. （８）該電子供与性基が、アミノ基、置換アミノ基、及
    び水酸基からなる群より選択された一種以上の基である
    特許請求の範囲第２項記載の光情報記録媒体。
  9. （９）該電子吸引性基がハロゲン原子、ニトロ基、ニト
    リル基及びトリフツ化メチル基からなる群より選択され
    た一種以上の基である特許請求の範囲第２項記載の光情
    報記録媒体。
  10. （１０）記録層がモノアゾ化合物と金属の錯体のみから
    構成される特許請求の範囲第１項記載の光情報記録媒体
    。
  11. （１１）金属が鉄属元素である特許請求の範囲第１０項
    記載の光情報記録媒体。
  12. （１２）金属が鉄である特許請求の範囲第１１項記載の
    光情報記録媒体。
  13. （１３）記録層がモノアゾ化合物と金属との錯体及び他
    の材料との組み合わせである特許請求の範囲第１項記載
    の光情報記録媒体。
  14. （１４）他の材料が樹脂である特許請求の範囲第１３項
    記載の光情報記録媒体。
  15. （１５）樹脂が熱可塑性樹脂である特許請求の範囲第１
    ４項記載の光情報記録媒体。
  16. （１６）樹脂が、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレ
    ン、ポリエチレン、ポリエチレンオキサイド、またはポ
    リビニルブチラールである特許請求の範囲第１５項記載
    の光情報記録媒体。
  17. （１７）樹脂が自己酸化性樹脂である特許請求の範囲第
    １４項記載の光情報記録媒体。
  18. （１８）自己酸化性樹脂がニトロセルロースである特許
    請求の範囲第１６項記載の光情報記録媒体。
  19. （１９）金属が鉄属元素である特許請求の範囲第１３項
    記載の光情報記録媒体。
  20. （２０）該鉄属元素が鉄である特許請求の範囲第１９項
    記載の光情報記録媒体。
  21. （２１）基体が無機材料よりなる特許請求の範囲第１３
    項記載の光情報記録媒体。
  22. （２２）基体がガラス、セラミック、アルミニウム、ま
    たはアルミニウムの合金である特許請求の範囲第２１項
    記載の光情報記録媒体。
  23. （２３）基体が合成樹脂よりなる特許請求の範囲第１項
    記載の光情報記録媒体。
  24. （２４）基体がポリメタクリル酸メチルまたはポリカー
    ボネイトである特許請求の範囲第２３項記載の光情報記
    録媒体。
  25. （２５）保護層で被覆されている特許請求の範囲第１項
    記載の光情報記録媒体。
  26. （２６）基板と記録層の間に反射層を設けた特許請求の
    範囲第１項記載の光情報記録媒体。
  27. （２７）記録層の上に反射層を設けた特許請求の範囲第
    １項記載の光情報記録媒体。
  28. （２８）反射層と記録層の間に透明誘電体層を設けた特
    許請求の範囲第２６項記載の光情報記録媒体。
  29. （２９）基板と記録層との間に下引層を設けた特許請求
    の範囲第１項記載の光情報記録媒体。
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