JPS63260485A

JPS63260485A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JPS63260485A
Application number: JP62093203A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Santo; 剛三東; Yoshihiro Oguchi; 小口　芳弘
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-04-17
Filing date: 1987-04-17
Publication date: 1988-10-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野］本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カード技術に用いつる改善された光学的記録媒
体に関するものである。

［従来の技術］一般に、光ディスクおよび光カードは、基板の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約１μ）ピットをらすん状又は円形のトラック
形態にして高密度情報を記憶することができる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層（
記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ
光線が照射された表面のみがピットを形成し、このピッ
トをらせん状、円形または直線状トラックの形態て形成
する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギー
を吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる０例
えば、ヒートモード記録方式ては、レーザ感応層（記録
層）は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解
により小さな凹部（ピット）を形成できる。また、別の
ヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・エネル
ギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃度
差を有するピットを形成できる。

この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ピットが形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される０例えば、レーザ光がト
ラックに沿って走査され、ディスクにより反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。ピットが形成されている部分は、レーザ光の反射は低
くなりフォトディテクターの出力は低下する。一方、ピ
ットが形成されていない部分は、レーザ光は充分に反射
されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクおよび光カードに用いる光学的記録
媒体として、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄
膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが提案
されている。これらの薄膜は、一般に３５０〜８００ｎ
−付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対
する反射率か高いため、レーザ光の利用率か低い等の欠
点かある。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば、　７８
０ｎ−以上）の光エネルギーて光学的な物性変化可能な
有機薄膜の研究がなされている。この様な有機薄膜は１
例えば発振波長か８３０　ｎ　ｔｓ付近の半導体レーザ
によりピットを形成てきる点で有効なものである。

しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機薄膜が開発されているも、　のとはいえないのが現状
である。

［発明が解決しようとする問題点］本発明は、この様な現状に鑑みてなされたものであり、
その目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機薄膜からなる
記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機薄膜からな
る記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は感度および記録に伴う光学特性の変
化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は塗工法による製造が可能な光学記録
媒体を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］および［作用］即ち１
本発明は下記一般式［Ｉ］で表わされるアズレニウム塩
化合物を含有する記録層を有することを特徴とする光学
記録媒体である。

一般式［Ｉ］（但し、一般式［Ｉ］において、Ｒ＋、　ｆ１２．　Ｒ
３゜Ｉｔ＜、　Ｒｓ、ＲａおよびＲ７は水素原子、ハロ
ゲン原子又は１価の有機残基を表わし、又はＲ１とＲ２
，Ｒ２とＲ２，Ｒ２とＲ４，Ｒ４とＲ，、Ｒ，とＲ６お
よびＲ６とＲ７の組合せのうち少なくとも１つの組合せ
でと換又は未置換の縮合環を形成してもよい。Ｘは置換
又は未置換の複素環を完成するに必要な原子群を示す。

ｎはｌ、２又は３．ｍは０又はｌの整数を示す。

ｚｏはアニオン残基を示す。）以下１本発明の詳細な説明する。

本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作用
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記一
般式［１１で示されるアズレニウム塩化合物を含有する
薄膜からなる記録層を有することに特徴がある。

一般式［Ｉ］において、　Ｒｔ＋　Ｒｔ＋　Ｒ３１Ｒ４
１Ｒ８ｌＲ６およびＲ７は水素原子、ハロゲン原子（塩
素原子、臭素原子、沃素原子）又は１価の有機残基を表
わす。

１価の有機残基としては、広範なものから選択すること
ができるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキ
シル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もしくは
未置換のアリール基（フェニル、トリル、キシリル、エ
チルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、
クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェ
ニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換もしく
は未置換の複素環基（ピリジル、キノリル、カルバゾリ
ル、フリル、チェニル、ピラゾリルなど）置換もしくは
未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニルエチル
、２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベンジル。

２−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシ
ベンジル、ニトロ・ベンジル）、アシル基（アセチル、
プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、トリ
オイル、ナフトイル、フタロイル、７０イルなど）、置
換もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ、
ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、
ベンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換スチリル
基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミ
ノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシスチ
リル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、ニト
ロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−エーテル基
、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カルボン酸ア
ミド、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ基
（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ
、ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ、
ニトロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルア
ゾなど）を挙げることができる。

また、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ１とＲ４、Ｒ４とＲ
５、Ｒ１とＲ６およびＲ６とｎ？の組合わせのうち、少
なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮合環を形成
してもよい。縮合環としては、芳香族環（ベンゼン、ナ
フタレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メチルベ
ンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシ
ベンゼンなど）、複素環（フラン頌、ベンゾフラン環、
ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、キノリン環、
チアゾール環など）、脂肪族環（ジメチレン、トリメチ
レン、テトラメチレンなど）等が挙げられる。

Ｘは、置換または未置換の複素環、例えばチアゾール系
列の核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾール、４
−フェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、５−フ
ェニルチアゾール、４．５−ジメチルチアゾール、４，
５−ジフェニルチアゾール、４−（２−チェニル）−チ
アゾールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えばベ
ンゾチアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−メ
チルベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチアゾール、
５．６ジメチルベンゾチアゾール、５−ブロモベンゾチ
アゾール、５−フェニルへンゾチアゾール、５−メトキ
シベンゾチアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール、
５．６−シメトキシベンゾチアゾール、５，６−シオキ
シメチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾチ
アゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４，５，
６．７−チトラヒトロペンゾチアゾールなど）、ナフト
チアゾール系列の核（例えばナツト［２，１−ｄｌチア
ゾール、ナフト［１，２−ｄ］チアゾール、５−メトキ
シナフト［１，２−ｄｌチアゾール、５−エトキシナフ
ト［１，２−ｄ］チアゾール、８−メトキシナフト［２
，１−ｄｌチアゾール、７−メトキシナフト［２，１−
ｄｌチアゾールなど）、チオナフテン［７，６−ｄ］チ
アゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフテン［
７，６−ｄ］チアゾール）、オキサゾール系列の核（例
えば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール
、４−フェニルオキサゾール、４．５−ジフェニルオキ
サゾール、４−エチルオキサゾール、４，５−ジメチル
オキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ベンゾオ
キサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５−
クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾオキサゾ
ール、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−メチルベ
ンゾオキサゾール。

５．６−シメチルベンゾオキサゾール、５−メトキシベ
ンゾオキサゾール、６−メトキシベンゾオキサゾール、
５−ヒドロキシベンゾオキサゾール。

６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフトオキ
サゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄ］オキサ
ゾール、ナツト［１，２−ｄｌオキサゾールなど）、セ
レナゾール系列の核（例えば４−メチルセレナゾール、
４−フェニルセレナゾールなど）、ベンゾセレナゾール
系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−クロロベン
ゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾール、５．
６−シメチルベンゾセレナゾール、５−メトキシベンゾ
セレナゾール、５−メチル−６−メトキシベンゾセレナ
ゾール、５．６−シオキシメチレンベンゾセレナゾール
、５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、４．５，６．７
−チトラヒトロペンゾセレナゾールなど）、ナフトセレ
ナゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄコ　セレ
ナゾール、ナンド［ｌ、２−ｄ］セレナゾール）、チア
ゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチアゾ
リン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリン、
４，４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンなど）、オ
キサゾリン系列の核（例えばオキサゾリン）、セレナゾ
リン系列の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリン系
列の核（例えばキノリン、６−メチルキノリン、６−ク
ロロキノリン、６−メドキシキノリン、６−ニトキシキ
ノリン、６−ヒトロキシキノリン）、４−キノリン系列
の核く例えばキノリン、６−メドキシキノリン、７−メ
チルキノリン、８−メチルキノリン）、ｌ−イソキノリ
ン系列の核（例えばイソキノリン、３，４−ジヒドロイ
ソキノリン）、３−イソキノリン系列の核（例えばイソ
キノリン）、：ｌ、３〜ジアルキルインドレニン系列の
核（例えば３，３−ジメチルインドレニン、コ、コージ
メチルー５−クロロインドレニン、］、：ｌ、５−トリ
メチルインドレニン、３，３．７−ドリメチルインドレ
ニン）、とリジン系列の核（例°えばピリジン、５−メ
チルピリジン）、ベンゾイミダゾール系列の核（例えば
ｌ−エチル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、ｌ
−ヒドロキシエチル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾ
ール、ｌ−エチル−５−ジクロロベンゾイミダゾール、
１−エチル−５，６−ジブロモベンゾイミダゾール、ｌ
−エチル−５−フェニルベンゾイミダゾール、ｌ−エチ
ル−５−フルオロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５
−シアノベンゾイミダゾール、ｌ−（β−アセトキシエ
チル）−５−シアソベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−
５−クロロ−６−シアノベンゾイミダゾール、１−エチ
ル−５−フルオロ−６−シアノベンゾイミダゾール２１
−エチル−５−アセチルベンゾイミダゾール、１−エチ
ル−５−カルボキシベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−
５−エトキシカルボニルベンゾイミダゾール、ｌ−エチ
ル−５−スルファミルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル
−５−Ｎ−エチルスルファミルベンゾイミダゾール、ｌ
−エチル−５，６−ジフルオロベンゾイミダゾール、■
−エチルー５．６−ジシアツベンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−エチルスルホニルベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−メチルスルホニルベンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５−トリフルオロメチルベンゾイミダゾー
ル、ｌ−エチル−５−トリフルオロメチルスルホニルベ
ンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−トリフルオロメチ
ルスルフィニルベンゾイミダゾールなど）を完成するに
必要な原子群を表わす。

また、ｚｏは、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン
、過塩素酸塩イオン、硝酸塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル
硫酸塩イオン、エチルＭＥ酸塩イオン、プロピル硫酸塩
イオン、テトラフルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニ
ルホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベ
ンゼンスルホン酸塩イオン、酢酸塩イオン、トリフルオ
０酢酸塩イオン、プロピオン酢醜塩イオン、安息香酸塩
イオン、シュウ酸塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン
酸塩イオン、オレイン酸塩イオン、ステアリン酸塩イオ
ン、クエン酸塩イオン、−水素ニリン酸塩イオン、三水
素−リン酸塩イオン、ペンタクロロスズ耐塩イオン、ク
ロロスルホン酸塩イオン、フルオロスルホン酸塩イオン
、トリフルオロメタンスルホン酸塩イオン、ヘキサフル
オロヒ醜塩イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸塩イオ
ン、モリブデン酸塩イオン、タングステン酸塩イオン、
チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イオンなどの陰イオン
を示す。

一般式［Ｉ］におけるｎは１．２又は３、ｍは０又はｌ
の整数である。

以下、本発明で用いられるアズレニウム塩化合物の具体
例を下記に列挙するが、これらに制限されるものではな
い。

前記一般式［１］て表わされる化合物の例Ｃ１１゜ｌｆ３（ｌＯ）ＣＮ。

し６１１１テＣ１１゜Ｃ１１゜Ｃ１１３前記一般式［Ｉ］て表わされる化合物はジャーナル　オ
ブ　ザ　ケミカル　ソサイエティー（Ｊｏｕｒｎａｌ　
ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）　
１６：１〜１６７頁（１９６１年）に記載されている様
に、アルデヒド基を有するアズレン化合物と活性メチル
基を有する複素環４級アンモニウム塩化合物とを適当な
溶媒中で加熱反応させることにより得られる。

一般式［Ｉ］に用いられるアズレン環としては、その原
料コスト及び誘導されるアズレニウム化合物の溶解性の
点で植物から抽出されるグアイアズレンを用いるのが工
業的には最適である。

本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に、基板ｌの
上に前記一般式［Ｉ］で示されるアズレニウム塩化合物
を含有する記録層２を設けることにより形成することが
できる。

基板ｌとしては、ポリカーボネート、ポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラスあるいは金属類などを用いることができる。

記録層２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］で示され
るアズレニウム塩化合物を１種または２種以上組合せて
用いることができ、さらに他の染料、例えば、前記一般
式［Ｉ］の化合物以外のポリメチン系、アズレン系、ピ
リリウム系、スクアリウム系、クロコニウム系、トリフ
ェニルメタン系、キサンチン系、アントラキノン系、シ
アニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、テトラ
ヒドロコリン系、トリフエッチアジン系、フェナンスレ
ン系、金属キレート錯体系染料など、あるいは金属およ
び金属化合物など１例えばＡｊＪ、　Ｔｅ。

１１ｉ、　Ｓｎ、　Ｉｎ、　Ｓｅ、　ＳｎＯ，Ｔｅａ、
、　Ａｓ、　Ｃｄなどと混合分散あるいは積層してもよ
い。

記録層２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法により
基板ｌ上に形成される。塗布法を用いる場合には、アズ
レニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散した
溶液を基板ｌ上に塗布することによって形成することが
できる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性を考
慮してバインダーを記録層中に混合してｔ脱することも
てきる。

塗布の際に使用できる有機溶媒は、前述のアズレニウム
塩化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とするか
によって異なるが、一般にはメタノール、エタノール、
イソプロパツール、ジアセトンアルコール、メチルセロ
ソルブ等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなど
のアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル
、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、ジクロルエチレ
ン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、モ
ノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類、
あるいはｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、リグロインな
どの脂肪族炭化水素類などを用いることがてきる。

また、好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選択
することかできる。具体的にはニトロセルロース、リン
酸セルロース、硫酸セルロース。

酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪醸セルロ
ース、ミリスチン酸セルロース、バルミチン酸セルロー
ス、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・醋酸セルロ
ースなどのセルロースエステル類、メチルセルロース、
エチルセルロース。

プロピルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロー
スエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ離
融ビニル、ポリビニルブチラール。

ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール。

ポリビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−
ブタジェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコ
ポリマー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコ
ポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共
重合樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア
クリレート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸
、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリ
ロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフ
タレートなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イソ
ブロビリデンジフェニレンーコ−１，４−０シクロヘキ
シレンジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオ
キシ−３，３′−）ユニしンチオカーボネート）、ポリ
（４，４’−イソプロビリデンジフェニレンカーボネー
トーコーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロ
ピリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’
　−５ｅｃ−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、
ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーボ
ネート−ブロック−オキシエチレン）などのポリアリ−
レート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類、
ポリウレタン類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂類、
ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレン、
ポリブテン、ポリイソブチレンなとのポリオレフィン類
、天然ゴム、インプレンゴム、クロロブレンゴム等のエ
ラストマー類などを用いることができ、その他場合によ
り樹脂以外の鯨ロウ、ミツロウ、ラノリン、カルナバワ
ックス、キャンデリラワックス、モンタンワックス、セ
レシンワックス等の天然ワックス、パラフィンワックス
、マイクロクリスタリンワックス等の石油ワックス、酸
化ワックス、エステルワックス、フィッシャートロプシ
ュワックス等の合成ワックス、ラウリン酸、ミリスチン
酸、バルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸等の高級
脂肪酸、カテアリルアルコール、ベヘニルアルコール等
の高級アルコール、ショ糖の脂肪酸エステル、ソルビタ
ンの脂肪酸エステル等のエステル類、オレイルアミド等
のアミド類を適宜混合させることができる。

以上のバインダーにジオクチルフタレート、ジツチルフ
タレート、トリクレジルフォスフェート等の可塑剤、鉱
油、植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン酸
ソーダ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録層の
１＆膜性、塗膜安定性を高吟ることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行うことがてきる。

記Ｑ層２中のアズレニウム塩化合物の含有量は通常４０
〜１００重量％、好ましくは５０〜１００重量％が望ま
しい、４０重量％未満では記録層の十分な光吸収性と再
生レーザー光に対して十分な光反射率を得ることができ
ない。

また、記録層２の膜厚は１００人〜ＺＱＩＬ＠、好まし
くは２００人〜１．−が適当である。なお、記録レーザ
ー光に対して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成
でき得るならば可能な限り薄いほうがよい。

さらに、本発明の光学記録媒体は、第２図に示すように
、記録層２上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護層３を設けることかてきる。

該保護層３は、基板ｌ側から光を照射する場合は不透明
でも差支えない。

また、第３図に示すように、基板ｌと記録層２の間に下
引層４を設けても良い。

また、第４図に示す様に、保護層３及び下引層４を共に
用いることも可能である。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保ａＩおよび
（ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられる
。（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノ
マー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分
子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシ
ランカップリング剤などの種々の物質を用いることがで
き、（ｂ）、（ｃ）の目的に対しては上記高分子材料以
外に無機化合物例えば５ｔｏｆｆｉ、　ＭｇＦｔ、　ｓ
ｔｏ、　Ｔｉｅ、、　ＺｎＯ。

ＴｉＮ、　ＳｉＮなど、金属または半金属例えばＺｎ、
　Ｃｕ。

Ｓ、旧、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　Ｃｄ、Ａｇ、　Ａ
ｊ！などを用いることができる。（ｄ）の目的に対して
は金属例えばＡｉｌ、　Ａｇなど、または金属光沢を有
する有機薄膜。

例えばアズレン染料、メチン染料などを用いることがで
きる。そして（ｅ）、　Ｃｒ）の目的に対しては紫外線
硬化樹脂、８硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いるこ
とができる。下引き層の膜厚は５０人〜１００Ｉ＆ｍ　
、好ましくは２００人〜３０終ｌが適当である。

また、保ｗＩ層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護
および記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を
目的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ
材料を使用することができる。保護層の膜厚は０．１ｐ
ｍ以上、好ましくは１μ■以上が適当である。

この際、下引き層および／または保：ｌＩＮ中には本発
明の一般式［Ｉ］のアズレニウム塩化合物が含有されて
いてもよい、また、下引き層または保護層には安定剤、
分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑
剤などが含有されていてもよい。

さらに１本発明による光学記録媒体の別の構成としては
、゛第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒
体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録
層２を内側に配置して密對したいわゆるエアーサンドイ
ッチ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着したい
わゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明の光学記録媒体は、アルゴンレーザ（発振波長４
８８０■）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６：１
３ｎｓ）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４
２ｎｍ）などのガスレーザの照射によって記録すること
も可能であるか、好ましくは７５ｎｓ１以上の波長を有
するレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半導体
レーザ（発振波長８３０ｎ■）などの近赤外あるいは赤
外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記
録する方法が適している。

また、読み出しのためには、前述のレーザ光線を用いる
ことができる。この際、書込みと読み出しを同一波長の
レーザて行なうことができ、また異なる波長のレーザで
行なうこともできる。

［実施例］以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、これ
らに限定されるものではない。

実施例１直径１：ｌｏｍ重φ、厚さ１．２ｍ霞のポリメチルメタ
クリレート（以下ｒ　ＰＭＭＡＪと略記する）基板上に
、エポキシ−アクリレート系紫外線硬化樹脂を用いて２
Ｐ法（フォト・ポリマー法）で、厚さ３０終朧のプレグ
ルーブを設け、その上に前記アズレニウム塩化合物Ｎｏ
、（１５）のアズレニウム塩化合物２重量部をジクロル
エタン９８重量部に溶解させた液をスピナーコーティン
グ法により塗布した後、乾燥して８００人の有ａ薄膜記
録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモーターで１８００ｒｐ
−に回転させて、発振波長８：ｌＯｎ■の半導体レーザ
な用いて、基板側より記録層にスポットサイズ１．５μ
ｍφ、記録パワー６■Ｗ、記録周波数２６１１（ｚで情
報を書き込み、読み出しパワー０．８−Ｗで再生し、そ
の再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィルター
、バンド＠３０Ｋｌｌｚ　）　Ｌ／てＣ／Ｎ比を測定し
た。

次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、縁り返し１０’回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を６０℃、
９０％ＲＨの条件下に２０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の透過率（８３０ｎｍ測定）お
よびＣ／Ｎ比を測定した。その結果を表１に示す。

表　　　１実施例２〜９実施例１で用いたアズレニウム塩化合物Ｎｏ。

（Ｉ５）の化合物をＮｏ、（２）、（４）、（５）、（
１２）、（１Ｂ）、（２２）。

（２４）　、　（２９）にかえて、実施例１と同様の方
法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の光学記
録媒体を作製した。

上記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の方
法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例１０および１１下記化合物Ｎｏ、（３１）および（３２）と前記アズレ
ニウム塩化合％Ｎｏ、（１１）とをそれぞれｌ：ｌの重
量比でジクロルエタンに混合し、実施例１と同様の方法
で塗布し、乾燥膜厚８５０人の有機薄膜記Ｑ層を設け、
それぞれ実施例１０．１１の光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した実施例ｔｏ、　ｉｔの光学記録媒
体を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３
に示す。

化合物Ｎｏ、（コ１）し２１１５　　　　　ＧＪｌ（Ｊ４−　　　　　　　１
；２１１６化合ｅｌＮｏ、（：１２）比較例１実施例ＩＯで用いた化合物Ｎｏ、（１１）を除し）だ以
外は、実施例１０と同様の方法で光学的記録媒体を作製
し、同様に測定した。その結果を表３に併示する。

実施例１２前記化合物Ｎｏ、（１９）の化合物２重量部とニトロセ
ルロース樹脂（オーバレスラッカー、ダイセル化学■製
）１重量部をメチルエチルケトン９７重量部に混合させ
た液をスピナー塗布法により、プレグルーブを設けた直
径１３０ｍ−φ、厚さ１．２ｍｍのＰＭＭＡ基板上に塗
布し、乾燥膜厚１０００人の有機薄膜記録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１３〜１５実施例１２て用いた化合物Ｎｏ、（１９）を前記化合物
Ｎｏ、（１）、（１７）、（２１）にかえて、実施例１
２と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例１
３〜１５の光学記録媒体を作製した。

上記実施例１３〜１５の光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１６および１７前記の化合物Ｎｏ、（６）およびＮｏ、（９）の化合物
５００１ｇを蒸着用モリブデンボードに入れ、ｌ×１０
−’５ｍ１１ｇ以下に排気した後、プレグルーブを設け
た直径１：１０５ｍφ、厚さ１．２１のＰＩＩＩＭＡ基
板上に蒸着した。蒸着中は真空室内の圧力が１０−’ｓ
ａｎｇ以上に上昇しない様にヒータを制御しながら、９
５０人の有４１１ＦＭ膜記録層を形成し、それぞれ実施
例１６．１７の光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表５に示す。

実施例１８つオーレッドサイズの厚さ０．４ｍｓポリカーボネート
（以下ｒＰｃＪと略記する）基板上に、熟プレス法によ
りプレグルーブを設け、その上に前記アズレニウム塩化
合物Ｎｏ、（１５）の化合物４重量部をジアセトンアル
コール９６重量部に混合させた液をバーコード法により
塗布した後、乾燥して１１１００人の有機薄膜記録層を
得た。さらに、その上にエチレン−酢ビドライフィルム
を介してつオーレッドサイズの厚さ０．３１のＰＣ基板
と、熱ロール法により密着し、密着構造の光学記録媒体
を作製した。

この様にして作製した光学記録媒体なＸ−Ｙ方向に駆動
するステージ上に取り付け、発振波長８３０口■の半導
体レーザな用いて、厚さ０．４ｍｍのＰＣ基板側より、
有機薄膜記録層にスポットサイズ３．０μ−φ、記録パ
ワー４．０ｍＷで記録パルス８０終ＳｅＣてＹ軸方向に
情報を書き込み、読み出しパワー０．４ｍＷで再生し、
そのコントラスト比部の信号強度）を測定した。

さらに、前記条件て作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験を行ない、その後の透
過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表６
に示す。

表　　６［発明の効果コ以上説明した様に、本発明の光学記録媒体によれば、長
波長側に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長発振レー
ザーを用いても高感度に記録が可能であり、良好なピッ
ト形状の形成により、高いＣＡＮ比が得られる。

また、塗工法による製造が可能で、熱に対する安定性の
良い、保存性に優れた再生劣化の少ない光学記録媒体を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。ｌ・・・基板２・・・記録層３・・・保護層４・・・下引層

Claims

【特許請求の範囲】下記一般式［ I ］で表わされるアズレニウム塩化合物
を含有する記録層を有することを特徴とする光学記録媒
体。一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］において、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ
＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６およびＲ＿７は水素原子
、ハロゲン原子又は１価の有機残基を表わし、又はＲ＿
１とＲ＿２、Ｒ＿２とＲ＿３、Ｒ＿３とＲ＿４、Ｒ＿４
とＲ＿５、Ｒ＿５とＲ＿６およびＲ＿６とＲ＿７の組合
せのうち少なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮
合環を形成してもよい。ｘは置換又は未置換の複素環を
完成するに必要な原子群を示す。ｎは１、２又は３、ｍ
は０又は１の整数を示す。Ｚ＾■はアニオン残基を示す。）