JPS58220792A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JPS58220792A JPS58220792A JP57103603A JP10360382A JPS58220792A JP S58220792 A JPS58220792 A JP S58220792A JP 57103603 A JP57103603 A JP 57103603A JP 10360382 A JP10360382 A JP 10360382A JP S58220792 A JPS58220792 A JP S58220792A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- compound
- recording medium
- laser
- ethyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
- G11B7/2472—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ特に半導体レーザによる書込み記録に
適した光学記録媒体に関し、詳しくは光デイスク技術に
用いうる改善された光学記録媒体に関するものである。
適した光学記録媒体に関し、詳しくは光デイスク技術に
用いうる改善された光学記録媒体に関するものである。
一般に、光ディスクは、基体の上に設けた薄い記録層に
形成された光学的に検出可能な小さな（例えば、約１μ
ビツトをらせん状又は円形のトラック形態にして高密度
情報を記憶することができる。この様なディスクに情報
を書込むには、レーザ感応層の表面に集束したレーザを
走査し、仁のレーザ光線が照射された表面のみがビット
を形成し、このビットをらせん状又は円形トラックの形
態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギーを
吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。例え
ば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層は熱エネ
ルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解によ９小さな
凹部（ピット）を形成できる。また、別のヒートモード
記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸収に
より、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有するピ
ットを形成できる。
形成された光学的に検出可能な小さな（例えば、約１μ
ビツトをらせん状又は円形のトラック形態にして高密度
情報を記憶することができる。この様なディスクに情報
を書込むには、レーザ感応層の表面に集束したレーザを
走査し、仁のレーザ光線が照射された表面のみがビット
を形成し、このビットをらせん状又は円形トラックの形
態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギーを
吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。例え
ば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層は熱エネ
ルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解によ９小さな
凹部（ピット）を形成できる。また、別のヒートモード
記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸収に
より、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有するピ
ットを形成できる。
この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に沿って走査し、ピットが形成された部分とピットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出される。例えば、レーザがトラックに沿って走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによってモニターされる。ピットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
ピットが形成されている時はレーザ光線は下層の反射面
によって充分に反射されフォトディテクターの出力は大
きくなる。
に沿って走査し、ピットが形成された部分とピットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出される。例えば、レーザがトラックに沿って走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによってモニターされる。ピットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
ピットが形成されている時はレーザ光線は下層の反射面
によって充分に反射されフォトディテクターの出力は大
きくなる。
この様な光ディスクに用いる記録媒体として、これまで
アルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸
化テルル薄膜やカルコゲナイ□１１ ト系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが
提案されている。これらの薄膜は、一般に３５０〜８０
０ ｎｍ付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ
光に対する反射率が高いため、レーザ光の利用率が低い
などの欠点がある。
アルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸
化テルル薄膜やカルコゲナイ□１１ ト系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが
提案されている。これらの薄膜は、一般に３５０〜８０
０ ｎｍ付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ
光に対する反射率が高いため、レーザ光の利用率が低い
などの欠点がある。
この様なことから、近年比較的長波長（例えば、７８０
ｎｍ以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機被膜の研究がなされている。
ｎｍ以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機被膜の研究がなされている。
この様な有機被膜は、例えば発振波長が８６０ｎｍ付近
の牛導体レーザによりピットを形成できる点で有効なも
のである。
の牛導体レーザによりピットを形成できる点で有効なも
のである。
しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機被膜が開発されているものとは言えないのが現状であ
る。
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機被膜が開発されているものとは言えないのが現状であ
る。
本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機被膜を有
する光学記録媒体を提供することにある。
する光学記録媒体を提供することにある。
本発明の別の目高は、熱に対して安定な有機被膜を有す
る光学記録媒体を提供することにある。
る光学記録媒体を提供することにある。
本発明の光学記録媒体は、下記一般式（１）で示される
シアニン化合物を含有する有機被膜を有することに特徴
を有している。
シアニン化合物を含有する有機被膜を有することに特徴
を有している。
一般式（１）
２、およびｚ２は、置換または未置換の含窒素複素環、
例えば、チアゾール系列の核（例えばチアゾール、４−
メチルチアゾール、４−）二ニルチアゾール、５−メチ
ルチアゾ、−ル、５−フェニルチアゾール、４．５−ジ
メチルチアゾール、４．５−ジフェニルチアゾール、４
−（２−チェ、二／Ｉ／）−チアゾールなど）、ベンゾ
チアゾール系列の核（例えばベンゾチアゾール、５−り
四ロペンゾチアゾール、５−メチルベンゾチアゾール、
６−メチルベンゾチアゾール、５．６−シメチルペンゾ
チアゾール、５−ブ四モ、ベンゾチアゾール、５−フェ
ニルベンゾチアゾール、５−メトキシベンゾチアゾール
、６−メトキシベンゾチアゾール、５．６−ジメ、トキ
シベンゾチアゾール、５，６−シオキシメチレンベ／ゾ
チアゾール、５−ヒドロキシベンゾチアゾール、６−ヒ
ドロキシベンゾチアゾール、４，５，６．７−テトジヒ
ドロベンゾチアゾールなど）、ナフトチアゾール系列の
核（例えばす７ ） （２，１−（Ｌ）チアゾール、ナ
ツト（１、２−ａ）チアゾール、５−メトキシナフト（
１、２−（１）チアゾール、５−エトキシナフト（１、
２−＋１）チアゾール、８−メトキシナフト（２，１−
ｄ）チアゾール、７−メトキシナフト（２゜１−ｄ）チ
アゾールなど〉、チオナンテン（７，６−ｄ）チアゾー
ル系列の核（例えば７−メドキシチオナフテン（７，６
−＋１）チアゾール）、オキサゾール系列の核（例えば
４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール、４
−フェニルオキサゾール、４，５−ジフェニルオキサゾ
ール、４−エチルオキサゾール、４，５−ジメチルオキ
サゾール、５−フェニルオキサゾ−、／Ｉ／）、ベンゾ
オキサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５
−クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾオキサ
ゾール、５−フェニルベンゾオキサゾール１６−メチル
ベンゾオキサゾール、５，６−シメチルペンノオキサゾ
ール、５−メトキシベンゾオキサゾール、６−メトキシ
ベンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサソー
ル、６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフト
オキサゾール系列の核（例えばナツト〔２゜１−ｄ〕オ
キサゾール、ナ７ ） （１，，２−ｄ）オキサゾール
など）、セレナゾール系列の核（例えば４−メチルセレ
ナゾール、４−フェニルセレナソールなど）、ベンゾセ
レナゾール系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−
クロロベンゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾ
ール、５．６−ジメチル、ベンゾセレナゾール、５−メ
トキシベンゾセレナゾール、５−１−メチル−６−メド
キシベンゾセレナゾール１．、：：５．６−シオキシメ
チレンペンゾセレナゾール、５−ヒドロキシベンゾセレ
ナゾール、４，６．Ｓ、７−チトラヒドロペンゾセレナ
ゾールなど）、ナフトセレナゾール系列の核（例えばナ
フ） （２，１−（１）セレナゾール、ナンド（１、２
−１ｉ）セレナゾール・）、チアゾリン系列の核（例え
ばチアゾリン、４−メチルチアゾリン、４−ヒドロキシ
メチル−４−メチルチアゾリン、４，４−とスーヒドロ
キシメチルチアゾリンなど）、オキサゾリン系列の核（
例えばオキサゾリン）、セレナゾリン系列の核（例えば
セレナゾリン）、２−キノリン系列の核（例えばキノリ
ン、６−メチルキノリン、６−クロｐキノリン、６−メ
ドキシキノリン、６−ニトキシキノリン、６−ヒドロキ
シキノリン）、４−キノリン系列の核（例えばキノリン
、６−メドキシキノリン、７−メチルキノリン、８−メ
チルキノリン）、１−イソキノリン系列の核（例えばイ
ソキノリン、５．４−ジヒドロイソキノリン）、３−イ
ソキノリン系列の核（例えばインキノリン）、５．５−
ジアルキルインドレニン系列＋７） 核（例えば５，３
−ジメチルインドレニン、５．５−ジメチル−５−クロ
ロイソドレニン、３，５．５−トリメチルイソドレニ；
／、５，５．７− トリメチルインドレニン）、ピリジ
ン系列の核（例えばピリジン、５−メチルピリジン）、
ベンゾイミダゾール系列の核（例えば１−エチル−５，
６−シクロロペンソイミダゾー〃、１−ヒドロキシエチ
ル−５，６−ジクロルベンゾイミダゾール、１−エチル
−５−クロロベンゾイミダゾール、１−エチル−５，６
−ジブロモベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フェ
ニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フルオロベ
ンゾイミダゾ−〃、１−エチル−５−シアノベンゾイミ
ダゾール、１−（β−アセトキクエチル）−５−シアノ
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−クロロ−６−シ
アノベンゾイミダゾール、１−エチ／ｌ／ −５−フル
オロ−６−ジアツペンゾイミダゾー〃、１−エチル−５
−アセチルベンゾイミダゾ−〃、１−エチル−５−カル
ボキンベンゾイミダソール、１−エチル−５−エトキシ
カルボニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−スル
ファミルベンソイミタソール、１−エチル−５−Ｎ−エ
チルスルファミルベンゾイミダゾール、１−エチル−５
，６−ジ７／！／オロペンゾイミダゾール、１−エチ／
ｌ／−５，６−ジシアノ、ベンゾイミダゾール、１−エ
チル１．５−エチルスルホニルベンゾイミダソール、１
−エチル−５−メチルス、ルホニルペンソイミＩｌ”ソ
ー／１／、１−エチル−５−トリフルオロメチルベンゾ
イミダゾ−々、１−エチ＃−５−）リフルオロメチルス
ルホニルベンゾイミダゾール、１−エチ／Ｉ／−５−）
！Ｊフルオロメチルスルフィニルベンゾイミダゾールな
ど）を完成するに必要な非金属原子群を表わす。
例えば、チアゾール系列の核（例えばチアゾール、４−
メチルチアゾール、４−）二ニルチアゾール、５−メチ
ルチアゾ、−ル、５−フェニルチアゾール、４．５−ジ
メチルチアゾール、４．５−ジフェニルチアゾール、４
−（２−チェ、二／Ｉ／）−チアゾールなど）、ベンゾ
チアゾール系列の核（例えばベンゾチアゾール、５−り
四ロペンゾチアゾール、５−メチルベンゾチアゾール、
６−メチルベンゾチアゾール、５．６−シメチルペンゾ
チアゾール、５−ブ四モ、ベンゾチアゾール、５−フェ
ニルベンゾチアゾール、５−メトキシベンゾチアゾール
、６−メトキシベンゾチアゾール、５．６−ジメ、トキ
シベンゾチアゾール、５，６−シオキシメチレンベ／ゾ
チアゾール、５−ヒドロキシベンゾチアゾール、６−ヒ
ドロキシベンゾチアゾール、４，５，６．７−テトジヒ
ドロベンゾチアゾールなど）、ナフトチアゾール系列の
核（例えばす７ ） （２，１−（Ｌ）チアゾール、ナ
ツト（１、２−ａ）チアゾール、５−メトキシナフト（
１、２−（１）チアゾール、５−エトキシナフト（１、
２−＋１）チアゾール、８−メトキシナフト（２，１−
ｄ）チアゾール、７−メトキシナフト（２゜１−ｄ）チ
アゾールなど〉、チオナンテン（７，６−ｄ）チアゾー
ル系列の核（例えば７−メドキシチオナフテン（７，６
−＋１）チアゾール）、オキサゾール系列の核（例えば
４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール、４
−フェニルオキサゾール、４，５−ジフェニルオキサゾ
ール、４−エチルオキサゾール、４，５−ジメチルオキ
サゾール、５−フェニルオキサゾ−、／Ｉ／）、ベンゾ
オキサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５
−クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾオキサ
ゾール、５−フェニルベンゾオキサゾール１６−メチル
ベンゾオキサゾール、５，６−シメチルペンノオキサゾ
ール、５−メトキシベンゾオキサゾール、６−メトキシ
ベンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサソー
ル、６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフト
オキサゾール系列の核（例えばナツト〔２゜１−ｄ〕オ
キサゾール、ナ７ ） （１，，２−ｄ）オキサゾール
など）、セレナゾール系列の核（例えば４−メチルセレ
ナゾール、４−フェニルセレナソールなど）、ベンゾセ
レナゾール系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−
クロロベンゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾ
ール、５．６−ジメチル、ベンゾセレナゾール、５−メ
トキシベンゾセレナゾール、５−１−メチル−６−メド
キシベンゾセレナゾール１．、：：５．６−シオキシメ
チレンペンゾセレナゾール、５−ヒドロキシベンゾセレ
ナゾール、４，６．Ｓ、７−チトラヒドロペンゾセレナ
ゾールなど）、ナフトセレナゾール系列の核（例えばナ
フ） （２，１−（１）セレナゾール、ナンド（１、２
−１ｉ）セレナゾール・）、チアゾリン系列の核（例え
ばチアゾリン、４−メチルチアゾリン、４−ヒドロキシ
メチル−４−メチルチアゾリン、４，４−とスーヒドロ
キシメチルチアゾリンなど）、オキサゾリン系列の核（
例えばオキサゾリン）、セレナゾリン系列の核（例えば
セレナゾリン）、２−キノリン系列の核（例えばキノリ
ン、６−メチルキノリン、６−クロｐキノリン、６−メ
ドキシキノリン、６−ニトキシキノリン、６−ヒドロキ
シキノリン）、４−キノリン系列の核（例えばキノリン
、６−メドキシキノリン、７−メチルキノリン、８−メ
チルキノリン）、１−イソキノリン系列の核（例えばイ
ソキノリン、５．４−ジヒドロイソキノリン）、３−イ
ソキノリン系列の核（例えばインキノリン）、５．５−
ジアルキルインドレニン系列＋７） 核（例えば５，３
−ジメチルインドレニン、５．５−ジメチル−５−クロ
ロイソドレニン、３，５．５−トリメチルイソドレニ；
／、５，５．７− トリメチルインドレニン）、ピリジ
ン系列の核（例えばピリジン、５−メチルピリジン）、
ベンゾイミダゾール系列の核（例えば１−エチル−５，
６−シクロロペンソイミダゾー〃、１−ヒドロキシエチ
ル−５，６−ジクロルベンゾイミダゾール、１−エチル
−５−クロロベンゾイミダゾール、１−エチル−５，６
−ジブロモベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フェ
ニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フルオロベ
ンゾイミダゾ−〃、１−エチル−５−シアノベンゾイミ
ダゾール、１−（β−アセトキクエチル）−５−シアノ
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−クロロ−６−シ
アノベンゾイミダゾール、１−エチ／ｌ／ −５−フル
オロ−６−ジアツペンゾイミダゾー〃、１−エチル−５
−アセチルベンゾイミダゾ−〃、１−エチル−５−カル
ボキンベンゾイミダソール、１−エチル−５−エトキシ
カルボニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−スル
ファミルベンソイミタソール、１−エチル−５−Ｎ−エ
チルスルファミルベンゾイミダゾール、１−エチル−５
，６−ジ７／！／オロペンゾイミダゾール、１−エチ／
ｌ／−５，６−ジシアノ、ベンゾイミダゾール、１−エ
チル１．５−エチルスルホニルベンゾイミダソール、１
−エチル−５−メチルス、ルホニルペンソイミＩｌ”ソ
ー／１／、１−エチル−５−トリフルオロメチルベンゾ
イミダゾ−々、１−エチ＃−５−）リフルオロメチルス
ルホニルベンゾイミダゾール、１−エチ／Ｉ／−５−）
！Ｊフルオロメチルスルフィニルベンゾイミダゾールな
ど）を完成するに必要な非金属原子群を表わす。
ｚ５Ｆｉ、５員又は６員環を形成する２価の炭化水素基
（例えば、−０Ｈ，−０馬−、−０Ｈ２−ＯＨ２−ＯＨ
２＋。
（例えば、−０Ｈ，−０馬−、−０Ｈ２−ＯＨ２−ＯＨ
２＋。
−ａｎ＝ａＨ−、−ａｎ＝ｏＨ−ｏｑ −）を示し、こ
れらの５員又は６員環は、ベンゼン環、ナフタレン環な
どと縮合されていてもよい。
れらの５員又は６員環は、ベンゼン環、ナフタレン環な
どと縮合されていてもよい。
Ｒ５およびＲ２は、水素原子又はアル中ル基（例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｇｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、５ｅａ−ブチル基、１ｓｏ−ブチ
ル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル２Ｔｉ、ｔ−アミル基
、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基な
ど）を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキ
ル基’ （ｆ！ｌｔｆ、２−ヒドロキシエチル基、３
−に：１’ロキシプロビル基、４−ヒドロキクブチル基
、２−アセトキシエチル基、カルボキシメチル基、２−
カルボキシエチル基、３−カルボキシエチル基、２−ス
ルホエチル基、５−スルホプロピル基、４−スルホブチ
ル基、３−スル７エートグロビル基、４−スルフェート
ブチル＆、１１−（メチルスルホニル）−カルバミルメ
チル基、３−（アセチルスル７アミ／Ｌ／）プｎピル基
１４−（アセチルスルファミル）ブチル基など）、環式
アルキル基（例えば、シクロヘキシル基など）、アリル
基（ＯＨ，＝ＣＪＨ＝ＯＨ，）、アラルキル基（例えば
、ベンジル基、７エネチル基、α−ナフチルメチル基、
β−ナフチルメチル基など）、置換アラルキル基（例え
は、カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロ
キクベンジル基など）を包含する。
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｇｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、５ｅａ−ブチル基、１ｓｏ−ブチ
ル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル２Ｔｉ、ｔ−アミル基
、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基な
ど）を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキ
ル基’ （ｆ！ｌｔｆ、２−ヒドロキシエチル基、３
−に：１’ロキシプロビル基、４−ヒドロキクブチル基
、２−アセトキシエチル基、カルボキシメチル基、２−
カルボキシエチル基、３−カルボキシエチル基、２−ス
ルホエチル基、５−スルホプロピル基、４−スルホブチ
ル基、３−スル７エートグロビル基、４−スルフェート
ブチル＆、１１−（メチルスルホニル）−カルバミルメ
チル基、３−（アセチルスル７アミ／Ｌ／）プｎピル基
１４−（アセチルスルファミル）ブチル基など）、環式
アルキル基（例えば、シクロヘキシル基など）、アリル
基（ＯＨ，＝ＣＪＨ＝ＯＨ，）、アラルキル基（例えば
、ベンジル基、７エネチル基、α−ナフチルメチル基、
β−ナフチルメチル基など）、置換アラルキル基（例え
は、カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロ
キクベンジル基など）を包含する。
Ａは、酸素原子、硫黄原子、置換もしくは未置換のイミ
ド基（イミド、メチルイミド、エチルイミド、プロピル
イミド１．ブチルイミド、ベンジルイミドなど）又は２
価の有機残基を示す。
ド基（イミド、メチルイミド、エチルイミド、プロピル
イミド１．ブチルイミド、ベンジルイミドなど）又は２
価の有機残基を示す。
２価の有機残基としては、例えば
などを挙げることができる。但し、Ｒ，、Ｒ４およびへ
は水素原子又はアルキル基（前述のＲ４と馬の例で挙げ
たものと同様のもの）を示す。Ｊ、ｍおよびｎは０又は
１であり、ｐおよびｑは０，１又は２である。
は水素原子又はアルキル基（前述のＲ４と馬の例で挙げ
たものと同様のもの）を示す。Ｊ、ｍおよびｎは０又は
１であり、ｐおよびｑは０，１又は２である。
次に、前記一般式（１）で示される化合物の代表例を挙
げる。
げる。
化合物肩 化合物例
化合物置 化合物例
し２ｎｓ−ｊｌ ＹＢ Ｌｊ ２ ｊｌ ｓ化合＃肩
化合物例 化合物層 化合物例 ′２ｆ１５１′２Ｊｌｉ５ 化合物層 化合物例 これらのシアニン化合物は、インダン−２−オン、シク
ロヘキサノン、シクロペンタジン、シクロヘキセン−オ
ン、シクロペンタジェン−オンあるいｉｊ：、１，２，
５．４−テトラヒドロナフタレン−２−オンなどの環状
クトン化合物とジクアノメタン、バルビッール酸あるい
はその誘導体又はローダニンあるいはその誘導体との脱
水縮合反応させて得た化合物を通常のシアニン化学の分
野で使用されているベンゾチアゾリウム塩、ベンゾオキ
サシリウム塩、キノリクム塩、ナフトチアゾリウム塩と
反応させることによって容易に得ることができる。
化合物例 化合物層 化合物例 ′２ｆ１５１′２Ｊｌｉ５ 化合物層 化合物例 これらのシアニン化合物は、インダン−２−オン、シク
ロヘキサノン、シクロペンタジン、シクロヘキセン−オ
ン、シクロペンタジェン−オンあるいｉｊ：、１，２，
５．４−テトラヒドロナフタレン−２−オンなどの環状
クトン化合物とジクアノメタン、バルビッール酸あるい
はその誘導体又はローダニンあるいはその誘導体との脱
水縮合反応させて得た化合物を通常のシアニン化学の分
野で使用されているベンゾチアゾリウム塩、ベンゾオキ
サシリウム塩、キノリクム塩、ナフトチアゾリウム塩と
反応させることによって容易に得ることができる。
本発明の有機被膜は、光デイスク記録（τ用いることか
で籾る。例えば、第１図に示す様な基板１の上に前述の
有機被膜２を形成した記録媒体とすることができる。か
＼る有機被膜２は、前述の一般式（１）で示される化合
物を真空蒸着によって形成でき、またバインダー中に前
述のシアニン化合物を含有させた塗工液を塗布すること
によっても形成することができる。塗工によって被膜を
形成する際、前述のシアニン化合物はバインダー中に分
散状態で含有されていてもよく、あるいは非晶質状態で
含有されていてもよい。好適なバインダーとしては、広
範な樹脂から選択することがで自る。具体的には、ニト
ロセルロース、リン酸セルロース、硫酸セルリース、Ｉ
ｌ［セルロース、フロピオン酸セルロース、酪酸セルロ
ース、〉リスチン酸セルロース、バルミチン酸セルロー
ス、酢酸プロピオン酸セルロース、酢酸・酪酸セルロー
スなどのセルロースエステル類、メチルセルロース、エ
チルセルロース、プロピルセルロース、メチルセルロー
スなどのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩
イεビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、
ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドンナトのビニル樹脂類、スチレン−ブタジ
ェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマ
ー、スチレン−ブタジェン−アク９０ニトリルコポリマ
ー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリｉ−などの共重合樹
脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレ
ート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリ
メタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニト
リルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレー
トなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イソグロビ
リデンジノニニレンーコ−１，４−シクロヘキシレンジ
メチレンカーボネート〉、ポリ（エチレンジオキシ−６
，３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，４
’−イソプロビリデンジフェニレンヵーボネートーコー
テレフタレート）、ポリ（４，４′−イソプロピリデン
ジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’−８ｅＱ
−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４
，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーボネート−
プロツク−オキシエチレン）ナトのボリアリレート樹脂
類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキシ樹
脂類、フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを
用いることができる。
で籾る。例えば、第１図に示す様な基板１の上に前述の
有機被膜２を形成した記録媒体とすることができる。か
＼る有機被膜２は、前述の一般式（１）で示される化合
物を真空蒸着によって形成でき、またバインダー中に前
述のシアニン化合物を含有させた塗工液を塗布すること
によっても形成することができる。塗工によって被膜を
形成する際、前述のシアニン化合物はバインダー中に分
散状態で含有されていてもよく、あるいは非晶質状態で
含有されていてもよい。好適なバインダーとしては、広
範な樹脂から選択することがで自る。具体的には、ニト
ロセルロース、リン酸セルロース、硫酸セルリース、Ｉ
ｌ［セルロース、フロピオン酸セルロース、酪酸セルロ
ース、〉リスチン酸セルロース、バルミチン酸セルロー
ス、酢酸プロピオン酸セルロース、酢酸・酪酸セルロー
スなどのセルロースエステル類、メチルセルロース、エ
チルセルロース、プロピルセルロース、メチルセルロー
スなどのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩
イεビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、
ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドンナトのビニル樹脂類、スチレン−ブタジ
ェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマ
ー、スチレン−ブタジェン−アク９０ニトリルコポリマ
ー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリｉ−などの共重合樹
脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレ
ート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリ
メタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニト
リルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレー
トなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イソグロビ
リデンジノニニレンーコ−１，４−シクロヘキシレンジ
メチレンカーボネート〉、ポリ（エチレンジオキシ−６
，３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，４
’−イソプロビリデンジフェニレンヵーボネートーコー
テレフタレート）、ポリ（４，４′−イソプロピリデン
ジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’−８ｅＱ
−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４
，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーボネート−
プロツク−オキシエチレン）ナトのボリアリレート樹脂
類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキシ樹
脂類、フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを
用いることができる。
塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダーの種類や
前述の化合物をバインダー中に含有させる際、分散状態
とするか、あるいは非晶質状態とするかによつ−Ｃ異な
ってくるが、一般には、メタノール、エタノール、イソ
プロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチルセ
ルロース、シクロヘキサノンなどのクトン類、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ドなどのアミド類、ジメチルスルホキシトなどのスルホ
キシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレン
グリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化
水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リフロ
イン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳
香族類などを用いることかで色る。
前述の化合物をバインダー中に含有させる際、分散状態
とするか、あるいは非晶質状態とするかによつ−Ｃ異な
ってくるが、一般には、メタノール、エタノール、イソ
プロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチルセ
ルロース、シクロヘキサノンなどのクトン類、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ドなどのアミド類、ジメチルスルホキシトなどのスルホ
キシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレン
グリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化
水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リフロ
イン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳
香族類などを用いることかで色る。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ロー９−コーティング法、カーテンコーティング法な
ど−の；−テイング法を用いて行なうことがでへる。
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ロー９−コーティング法、カーテンコーティング法な
ど−の；−テイング法を用いて行なうことがでへる。
バインダーとともに有機被膜２を形成する際、前述のシ
アニン化合物の含有量は、有機被膜２中において１”〜
９０重量％、好ましくは２０〜７０重量％である。まだ
、有機被膜２の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は、１０ミク
ロン以下、好ましくは２ミクロン以下であ、る。
アニン化合物の含有量は、有機被膜２中において１”〜
９０重量％、好ましくは２０〜７０重量％である。まだ
、有機被膜２の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は、１０ミク
ロン以下、好ましくは２ミクロン以下であ、る。
基板１としては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フェノール樹Ｊ］＃ 、エポキシ樹脂、
ポリアミド、ポリイミドなどのグラスチック、ガラスあ
るいは金属類などを用いることができる。
レフィン樹脂、フェノール樹Ｊ］＃ 、エポキシ樹脂、
ポリアミド、ポリイミドなどのグラスチック、ガラスあ
るいは金属類などを用いることができる。
また、本発明は、第２図に示す様に基板１と有機被膜２
０間に反射層３を設けることができる。反射層３は、ア
ルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又は
ラミネート層とすることができる。
０間に反射層３を設けることができる。反射層３は、ア
ルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又は
ラミネート層とすることができる。
有機被膜２は、第６図に示す集束されたレーザ光線４の
照射によってピット５を形成することがで救る。ピット
５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にすると、ピット領
域における反射率を増加させることができる。読み出し
の際、書込みに用いたレーザ光線と同一の波長を有する
が、強度の小さいレーザ光線を用いれば、読み出し光が
ピット領域で大きく反射されるが、非ピット領域におい
ては吸収される。また、別の方法は有機被膜２が吸収す
る第１の波長のレーザ光線で実時間書込みを行ない、読
み出しに有機被膜２を実質的に透過する第２の波長のレ
ーザ光線を用いることである。読み出しレープ光線は、
ピット領域と非ピット領域における異なる膜厚によって
生じる反射相の変化に応答することができる。。
照射によってピット５を形成することがで救る。ピット
５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にすると、ピット領
域における反射率を増加させることができる。読み出し
の際、書込みに用いたレーザ光線と同一の波長を有する
が、強度の小さいレーザ光線を用いれば、読み出し光が
ピット領域で大きく反射されるが、非ピット領域におい
ては吸収される。また、別の方法は有機被膜２が吸収す
る第１の波長のレーザ光線で実時間書込みを行ない、読
み出しに有機被膜２を実質的に透過する第２の波長のレ
ーザ光線を用いることである。読み出しレープ光線は、
ピット領域と非ピット領域における異なる膜厚によって
生じる反射相の変化に応答することができる。。
本発明の有機被膜は、アルゴンレーザ（発振波長４８８
ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３３ｎｍ
）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４２ ｎ
ｍ ）などのガスレニザの照射によって記録することも
可能であるが、好ましくは７５ Ｄ ｎｍ以上の波長を
有するレーザ、特にガリウムーア、ルミニクムーヒ素半
導体レーザ（発振波長７８０ ｎｍ ）などの淫赤外あ
るいは赤外領域に発振波長を有するし１．１．：、７！
“光線の照射によって記録する方法が適している。また
、読み出しのためには、前述のレーザ光線を用いること
ができる。この際、書込みと読み出しを同一波長のレー
ザで行なうことができ、また異なる波長のレーザで行な
うことができる。
ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３３ｎｍ
）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４２ ｎ
ｍ ）などのガスレニザの照射によって記録することも
可能であるが、好ましくは７５ Ｄ ｎｍ以上の波長を
有するレーザ、特にガリウムーア、ルミニクムーヒ素半
導体レーザ（発振波長７８０ ｎｍ ）などの淫赤外あ
るいは赤外領域に発振波長を有するし１．１．：、７！
“光線の照射によって記録する方法が適している。また
、読み出しのためには、前述のレーザ光線を用いること
ができる。この際、書込みと読み出しを同一波長のレー
ザで行なうことができ、また異なる波長のレーザで行な
うことができる。
本発明によれば、十分に改善されたい比を得ることがで
き、しかも本発明で用いる有機被膜は、相反則不軌が小
さく、レーザ光線の如く強照度エネルギー光線の利用度
を高くすることができる。さらに、発振波長７５０ ｎ
ｍ以上の波長を有するレーザ光線による記録を可能にす
ることができる。
き、しかも本発明で用いる有機被膜は、相反則不軌が小
さく、レーザ光線の如く強照度エネルギー光線の利用度
を高くすることができる。さらに、発振波長７５０ ｎ
ｍ以上の波長を有するレーザ光線による記録を可能にす
ることができる。
以下、本発明を実施例に従って詳細に説明する。
実施例１
ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業■製；オーハ
ーレスラッカー：ニトロセ／Ｌ１０−ス２５重ｉ′チの
メチルエチルケトン溶液）１２重量部、前述の化合物Ａ
（１）の化合物３重量部およびメチルエチルケトン７
０重量部をボールミルで十分に混合した。この混合した
液をアルミ蒸着ガラス板上に浸漬コーティング法により
塗布した後、乾燥して０．６□２の記録層を得た。
ーレスラッカー：ニトロセ／Ｌ１０−ス２５重ｉ′チの
メチルエチルケトン溶液）１２重量部、前述の化合物Ａ
（１）の化合物３重量部およびメチルエチルケトン７
０重量部をボールミルで十分に混合した。この混合した
液をアルミ蒸着ガラス板上に浸漬コーティング法により
塗布した後、乾燥して０．６□２の記録層を得た。
こうして作成した光デイスク記録体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモータで１８０ Ｏｒｐ
ｍの回転を与えながら、スポットサイズ１．０ミクロン
に集束した５ ｍＷおよび８ＭＨｇｌのガリクムーアル
ミニウムーヒ素牛導体レーザ（発振波長７８０ ｎｍ
）を記録層面にトラック状で照射して記録を行なった。
に取り付け、ターンテーブルをモータで１８０ Ｏｒｐ
ｍの回転を与えながら、スポットサイズ１．０ミクロン
に集束した５ ｍＷおよび８ＭＨｇｌのガリクムーアル
ミニウムーヒ素牛導体レーザ（発振波長７８０ ｎｍ
）を記録層面にトラック状で照射して記録を行なった。
この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが認められた。また、仁
の光ディスクに低出力のガリクムーアルミニウムーヒ素
半導体し−ずを入射し、反射光の検知を行なうたところ
°へ十分なＳハ比を有する波形が得られた。
観察したところ、鮮明なピットが認められた。また、仁
の光ディスクに低出力のガリクムーアルミニウムーヒ素
半導体し−ずを入射し、反射光の検知を行なうたところ
°へ十分なＳハ比を有する波形が得られた。
実施例２
前述の化合ｖｌＪム（６）の化合物を実施例１と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬＝−ティ／グ法に
より塗工して０．６１７−の記録層を有する光デイスク
記録体を作成した。
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬＝−ティ／グ法に
より塗工して０．６１７−の記録層を有する光デイスク
記録体を作成した。
この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから、再生したところ、十分な８／Ｎ比を有
する波形が認められた。又、情報を書込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。
記憶させてから、再生したところ、十分な８／Ｎ比を有
する波形が認められた。又、情報を書込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。
実施例３
前述の化合物Ａ （７）の化合物を実施例１と同様の方
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
抄塗工して０．６１７ｍ２の記録層を有する光デイスク
記録体を作成した。
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
抄塗工して０．６１７ｍ２の記録層を有する光デイスク
記録体を作成した。
この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから、再生したところ、十分なり１Ｍ比を有
する波形が認められた。又、情報を書込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。
記憶させてから、再生したところ、十分なり１Ｍ比を有
する波形が認められた。又、情報を書込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。
実施例４
前述の化合物Ａ（１２）の化合物を実施例１と同様の方
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
り塗工して０．８１７ｍ’の記録層を有する光デイスク
記録体を作成した。
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
り塗工して０．８１７ｍ’の記録層を有する光デイスク
記録体を作成した。
この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／１Ｊ比を
有する波形が認められた。又、情報を書込みした後の記
録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピ
ットが形成されていた。
記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／１Ｊ比を
有する波形が認められた。又、情報を書込みした後の記
録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピ
ットが形成されていた。
実施例５
前述の化合物Ａ（１３）の化合物を実施例１と同様の方
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
ゆ塗工して０．６ｆ／ｍ の記録層を有する光デイス
ク記録体を作成した。
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
ゆ塗工して０．６ｆ／ｍ の記録層を有する光デイス
ク記録体を作成した。
この光ディスク記録体に実施例１ど同様の方法で情報を
記憶させてから、再生したところ、十分なψ比、を有す
る波形が認められた。又、情報を書込みした後の記録層
面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピット
が形成されていた。 ：１・ 実施例６ 前述の化合物准（１）の化合物５００ダを蒸着用モリブ
デンボートに入れ、Ｉ Ｘ １０ ’ｍｘＨｆ以下に排
気した彼、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中は真
空室内の圧力、が１０＝ｍｍＨｆ以上に上昇しない様に
ヒーターを制御しながら、０．２ξクロンの蒸着膜を形
成させた。
記憶させてから、再生したところ、十分なψ比、を有す
る波形が認められた。又、情報を書込みした後の記録層
面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピット
が形成されていた。 ：１・ 実施例６ 前述の化合物准（１）の化合物５００ダを蒸着用モリブ
デンボートに入れ、Ｉ Ｘ １０ ’ｍｘＨｆ以下に排
気した彼、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中は真
空室内の圧力、が１０＝ｍｍＨｆ以上に上昇しない様に
ヒーターを制御しながら、０．２ξクロンの蒸着膜を形
成させた。
こうして作成した光デイスク記録体に実施例１と同様の
方法で情報を記憶させたところ、実施例１と同様の鮮明
なピットが認められ、また実施例１と同様の方法で情報
を再生したが、この際十分なφ比を有する波形が認めら
れた。
方法で情報を記憶させたところ、実施例１と同様の鮮明
なピットが認められ、また実施例１と同様の方法で情報
を再生したが、この際十分なφ比を有する波形が認めら
れた。
第１図および第２図は、本発明の弁棲徒旋春光ディスク
記録体≠毒社范鋒の断面図で、第３図はこの光デイスク
記録体の実施態様を示す説明図である。 １・・・基板 ２・・・有機被膜 ３・・・反射層 ４・・・レーザ光線 ５・・・ビット
記録体≠毒社范鋒の断面図で、第３図はこの光デイスク
記録体の実施態様を示す説明図である。 １・・・基板 ２・・・有機被膜 ３・・・反射層 ４・・・レーザ光線 ５・・・ビット
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式（１）で示される化合物を含有する有機被膜
を有することを特徴とする光学記録媒体。 一般式（１） （式中、２．およびｚ２は置換又は未置換Ｑ含窒素複素
環を完成するに必要な原子群を示す。２．は、５員又６
員環を形成する２価の炭化水素基を示す。Ｒ１およびＲ
２稈、水素原子又は置換もしくは未置換のアルキル基を
示す。ムは、酸素原子、硫黄原子、置換もしくは未置換
のイミド基又は２価の有機残基を示す。Ｊ、ｍおよびｎ
は０又は１を示し、ｐおよびｑは０．１又は２を示す。 ）
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103603A JPS58220792A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 光学記録媒体 |
| US07/512,587 US5079127A (en) | 1982-04-06 | 1989-04-24 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US07/512,588 US5079128A (en) | 1982-04-06 | 1990-04-24 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US07/769,397 US5278026A (en) | 1982-04-06 | 1991-10-01 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US07/769,636 US5246814A (en) | 1982-04-06 | 1991-10-01 | Process for recording on optical recording medium |
| US08/086,113 US5320930A (en) | 1982-04-06 | 1993-07-06 | Optical recording medium and process for recording thereon |
| US08/221,904 US5382497A (en) | 1982-04-06 | 1994-04-01 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103603A JPS58220792A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58220792A true JPS58220792A (ja) | 1983-12-22 |
| JPH0125714B2 JPH0125714B2 (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=14358343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57103603A Granted JPS58220792A (ja) | 1982-04-06 | 1982-06-16 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58220792A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59150795A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS61102292A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-20 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
-
1982
- 1982-06-16 JP JP57103603A patent/JPS58220792A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59150795A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPH0525676B2 (ja) * | 1983-02-17 | 1993-04-13 | Ricoh Kk | |
| JPS61102292A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-20 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0553636B2 (ja) * | 1984-10-26 | 1993-08-10 | Ricoh Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0125714B2 (ja) | 1989-05-18 |
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