JPH05169822A - 光学記録媒体の製造方法 - Google Patents
光学記録媒体の製造方法Info
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- JPH05169822A JPH05169822A JP4071276A JP7127692A JPH05169822A JP H05169822 A JPH05169822 A JP H05169822A JP 4071276 A JP4071276 A JP 4071276A JP 7127692 A JP7127692 A JP 7127692A JP H05169822 A JPH05169822 A JP H05169822A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 長波長側に吸収帯を有すると共に熱に対して
安定で生産性に優れた有機被膜を有する光学記録媒体の
製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 下記一般式（１）で示される化合物を含有す
る有機被膜を基板上に具備する光学記録媒体の製造方法
において、該有機被膜を基板上に塗布することによって
形成することを特徴とする。 【外１】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は水素原子、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のスチリル基または置換もしく
は未置換の複素環基を示す。ｍは０又は１であり、ｎは
０、１または２である。Ｘは陰イオンである。）
安定で生産性に優れた有機被膜を有する光学記録媒体の
製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 下記一般式（１）で示される化合物を含有す
る有機被膜を基板上に具備する光学記録媒体の製造方法
において、該有機被膜を基板上に塗布することによって
形成することを特徴とする。 【外１】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は水素原子、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のスチリル基または置換もしく
は未置換の複素環基を示す。ｍは０又は１であり、ｎは
０、１または２である。Ｘは陰イオンである。）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ特に半導体レー
ザによる書込み記録に適した光学記録媒体の製造方法に
関し、詳しくは、光ディスク技術に用いうる改善された
光学記録媒体の製造方法に関するものである。
ザによる書込み記録に適した光学記録媒体の製造方法に
関し、詳しくは、光ディスク技術に用いうる改善された
光学記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ディスクは、基板の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約１μ）ピットをらせん状又は円形のトラッ
ク形態にして高密度情報を記憶することができる。この
様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層の表面
に集束したレーザを走査し、このレーザ光線が照射され
た表面のみがピットを形成し、このピットをらせん状又
は円形トラックの形態で形成する。レーザ感応層は、レ
ーザ・エネルギーを吸収して光学的に検出可能なピット
を形成できる。例えば、ヒートモード記録方式では、レ
ーザ感応層は熱エネルギーを吸収し、その箇所に蒸発又
は融解により小さな凹部（ピット）を形成できる。ま
た、別のヒートモード記録方式では、照射されたレーザ
・エネルギーの吸収により、その箇所に光学的に検出可
能な濃度差を有するピットを形成できる。
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約１μ）ピットをらせん状又は円形のトラッ
ク形態にして高密度情報を記憶することができる。この
様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層の表面
に集束したレーザを走査し、このレーザ光線が照射され
た表面のみがピットを形成し、このピットをらせん状又
は円形トラックの形態で形成する。レーザ感応層は、レ
ーザ・エネルギーを吸収して光学的に検出可能なピット
を形成できる。例えば、ヒートモード記録方式では、レ
ーザ感応層は熱エネルギーを吸収し、その箇所に蒸発又
は融解により小さな凹部（ピット）を形成できる。ま
た、別のヒートモード記録方式では、照射されたレーザ
・エネルギーの吸収により、その箇所に光学的に検出可
能な濃度差を有するピットを形成できる。
【０００３】この光ディスクに記録された情報は、レー
ザをトラックに沿って走査し、ピットが形成された部分
とピットが形成されていない部分の光学的変化を読み取
ることによって検出される。例えば、レーザがトラック
に沿って走査され、ディスクにより反射されたエネルギ
ーがフォトディテクターによってモニターされる。ピッ
トが形成されていない時、フォトディテクターの出力は
低下し、一方ピットが形成されている時はレーザ光線は
下層の反射面によって充分に反射されフォトディテクタ
ー出力は大きくなる。
ザをトラックに沿って走査し、ピットが形成された部分
とピットが形成されていない部分の光学的変化を読み取
ることによって検出される。例えば、レーザがトラック
に沿って走査され、ディスクにより反射されたエネルギ
ーがフォトディテクターによってモニターされる。ピッ
トが形成されていない時、フォトディテクターの出力は
低下し、一方ピットが形成されている時はレーザ光線は
下層の反射面によって充分に反射されフォトディテクタ
ー出力は大きくなる。
【０００４】この様な光ディスクに用いる記録媒体とし
て、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビス
マス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系非晶質ガ
ラス膜などの無機物質を主に用いたものが提案されてい
る。これらの薄膜は、一般に３５０〜８００ｎｍ付近の
波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対する反射
率が高いため、レーザ光の利用率が低いなどの欠点があ
る。
て、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビス
マス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系非晶質ガ
ラス膜などの無機物質を主に用いたものが提案されてい
る。これらの薄膜は、一般に３５０〜８００ｎｍ付近の
波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対する反射
率が高いため、レーザ光の利用率が低いなどの欠点があ
る。
【０００５】この様なことから、近年比較的長波長（例
えば、７８０ｎｍ以上）の光エネルギーで光学的な物性
変化可能な有機被膜の研究がなされている。この様な有
機被膜は、例えば発振波長が８３０ｎｍ付近の半導体レ
ーザによりピットを形成できる点で有効なものである。
えば、７８０ｎｍ以上）の光エネルギーで光学的な物性
変化可能な有機被膜の研究がなされている。この様な有
機被膜は、例えば発振波長が８３０ｎｍ付近の半導体レ
ーザによりピットを形成できる点で有効なものである。
【０００６】しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ
有機化合物は、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点
でも技術的な問題点があることなどから、必ずしも特性
上、満足できる有機被膜が開発されているものとは言え
ないのが現状である。
有機化合物は、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点
でも技術的な問題点があることなどから、必ずしも特性
上、満足できる有機被膜が開発されているものとは言え
ないのが現状である。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】本発明の目的は、
長波長側に吸収帯をもつ、有機被膜を有する光学記録媒
体の製造方法を提供することにある。
長波長側に吸収帯をもつ、有機被膜を有する光学記録媒
体の製造方法を提供することにある。
【０００８】本発明の別の目的は、熱に対して安定な有
機被膜を有する光学記録媒体の製造方法を提供すること
にある。
機被膜を有する光学記録媒体の製造方法を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光学記録媒体の
製造方法は、下記一般式（１）で示される化合物を含有
する有機被膜を基板上に具備する光学記録媒体の製造方
法に於て、該有機被膜を基板上に塗布することによって
形成することに特徴を有している。
製造方法は、下記一般式（１）で示される化合物を含有
する有機被膜を基板上に具備する光学記録媒体の製造方
法に於て、該有機被膜を基板上に塗布することによって
形成することに特徴を有している。
【００１０】
【外２】
【００１１】上記一般式（１）中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4
は水素原子又はアルキル基（例えば、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ
−オクチル基、ｔ−オクチル基など）を示し、さらに他
のアルキル基、例えば置換アルキル基（例えば、２−ヒ
ドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒ
ドロキシブチル基、２−アセトキシエチル基、カルボキ
シメチル基、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシ
プロピル基、２−スルホエチル基、３−スルホプロピル
基、４−スルホブチル基、３−スルフエートプロピル
基、４−スルフエートブチル基、Ｎ−（メチルスルホニ
ル）−カルバミルメチル基、３−（アセチルスルファミ
ル）プロピル基、４−（アセチルスルファミル）ブチル
基など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基
など）、アリル基（ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＨ2−）、アラルキ
ル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチ
ルメチル基、β−ナフチルメチル基など）、置換アラル
キル基（例えば、カルボキシベンジル基、スルホベンジ
ル基、ヒドロキシベンジル基など）を包含する。さら
に、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は置換もしくは未置換のアリー
ル基（例えば、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キ
シリル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル
基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ジ
メチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、
ジプロピルアミノフェニル基、ジベンジルアミノフェニ
ル基、ジフェニルアミノフェニル基など）、置換もしく
は未置換の複素環基（例えば、ピリジル基、キノリル
基、レピジル基、メチルピリジル基、フリル基、チエニ
ル基、インドリル基、ピロール基、カルバゾリル基、Ｎ
−エチルカルバゾリル基など）又は置換もしくは未置換
のスチリル基（例えば、スチリル基、メトキシスチリル
基、ジメトキシスチリル基、トリメトキシスチリル基、
エトキシスチリル基、ジメチルアミノスチリル基、ジエ
チルアミノスチリル基、ジプロピルアミノスチリル基、
ジベンジルアミノスチリル基、ジフェニルアミノスチリ
ル基、２、２−ジフェニルビニル基、２−フェニル−２
−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−
２−フェニルビニル基、２−（ジエチルアミノフェニ
ル）−２−フェニルビニル基、２−（ジベンジルアミノ
フェニル）−２−フェニルビニル基、２、２−ジ（ジエ
チルアミノフェニル）ビニル基、２、２−ジ（メトキシ
フェニル）ビニル基、２、２−ジ（エトキシフェニル）
ビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−２−メチ
ルビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−２−エ
チルビニル基など）を示す。ｍは、０又は１であり、ｎ
は０、１又は２である。
は水素原子又はアルキル基（例えば、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ
−オクチル基、ｔ−オクチル基など）を示し、さらに他
のアルキル基、例えば置換アルキル基（例えば、２−ヒ
ドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒ
ドロキシブチル基、２−アセトキシエチル基、カルボキ
シメチル基、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシ
プロピル基、２−スルホエチル基、３−スルホプロピル
基、４−スルホブチル基、３−スルフエートプロピル
基、４−スルフエートブチル基、Ｎ−（メチルスルホニ
ル）−カルバミルメチル基、３−（アセチルスルファミ
ル）プロピル基、４−（アセチルスルファミル）ブチル
基など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基
など）、アリル基（ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＨ2−）、アラルキ
ル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチ
ルメチル基、β−ナフチルメチル基など）、置換アラル
キル基（例えば、カルボキシベンジル基、スルホベンジ
ル基、ヒドロキシベンジル基など）を包含する。さら
に、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は置換もしくは未置換のアリー
ル基（例えば、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キ
シリル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル
基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ジ
メチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、
ジプロピルアミノフェニル基、ジベンジルアミノフェニ
ル基、ジフェニルアミノフェニル基など）、置換もしく
は未置換の複素環基（例えば、ピリジル基、キノリル
基、レピジル基、メチルピリジル基、フリル基、チエニ
ル基、インドリル基、ピロール基、カルバゾリル基、Ｎ
−エチルカルバゾリル基など）又は置換もしくは未置換
のスチリル基（例えば、スチリル基、メトキシスチリル
基、ジメトキシスチリル基、トリメトキシスチリル基、
エトキシスチリル基、ジメチルアミノスチリル基、ジエ
チルアミノスチリル基、ジプロピルアミノスチリル基、
ジベンジルアミノスチリル基、ジフェニルアミノスチリ
ル基、２、２−ジフェニルビニル基、２−フェニル−２
−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−
２−フェニルビニル基、２−（ジエチルアミノフェニ
ル）−２−フェニルビニル基、２−（ジベンジルアミノ
フェニル）−２−フェニルビニル基、２、２−ジ（ジエ
チルアミノフェニル）ビニル基、２、２−ジ（メトキシ
フェニル）ビニル基、２、２−ジ（エトキシフェニル）
ビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−２−メチ
ルビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−２−エ
チルビニル基など）を示す。ｍは、０又は１であり、ｎ
は０、１又は２である。
【００１２】
【外３】 ベンゼンスルホン酸塩イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸
塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、
プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオンを表わす。
塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、
プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオンを表わす。
【００１３】次に、前記一般式（１）で示されるポリメ
チン化合物の代表例を挙げる。
チン化合物の代表例を挙げる。
【００１４】
【外４】
【００１５】
【外５】
【００１６】これらのポリメチン化合物は、Ｂｅｒｎａ
ｒｄ Ｓ．ＷｉｌｄｉらのＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ
（ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカルソサエテ
ィ）８０ ３７７２〜３７７７（１９５８）やＨ．Ｓｃ
ｈｍｉｄｔらのＡｎｎ（リービッヒ・アンナーレンデル
・ケミー）６２３ ２０４〜２１６あるいはＲ．Ｗｌｚ
ｉｎｇｅｒらのＨｅｌｖ．Ｃｈｉｍｉｃａ．Ａｃｔａ
（ヘルベテイカ・シミカ・アクタ）２４ ３６９などに
よって開示された合成法に準じて合成することによって
容易に得られる。
ｒｄ Ｓ．ＷｉｌｄｉらのＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ
（ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカルソサエテ
ィ）８０ ３７７２〜３７７７（１９５８）やＨ．Ｓｃ
ｈｍｉｄｔらのＡｎｎ（リービッヒ・アンナーレンデル
・ケミー）６２３ ２０４〜２１６あるいはＲ．Ｗｌｚ
ｉｎｇｅｒらのＨｅｌｖ．Ｃｈｉｍｉｃａ．Ａｃｔａ
（ヘルベテイカ・シミカ・アクタ）２４ ３６９などに
よって開示された合成法に準じて合成することによって
容易に得られる。
【００１７】本発明の有機被膜は、光ディスク記録に用
いることができる。例えば、図１に示す様な基板１の上
に前述の有機被膜２を形成した記録媒体とすることがで
きる。かかる有機被膜２は、前述の一般式（１）で示さ
れる化合物をバインダー中に前述のポリメチン化合物を
含有させた塗工液を塗布することによって形成すること
ができる。塗工によって被膜を形成する際、前述のポリ
メチン化合物はバインダー中に分散状態で含有されてい
てもよく、あるいは非晶質状態で含有されていてもよ
い。好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選択す
ることができる。具体的にはニトロセルロース、リン酸
セルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピ
オン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セル
ロース、パルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオン酸
セルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセルロースエ
ステル類、メチルセルロース、エチルセルロース、プロ
ピルセルロース、ブチルセルロース、などのセルロース
エーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸
ビニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセター
ル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなど
のビニル樹脂類、スチレンーブタジエンコポリマー、ス
チレン−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタ
ジエン−アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢
酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリブチルア
クリレート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリ
アクリルアミド、ポリアクリロニトリルなどのアクリル
樹脂類、ポリスチレンテレフタレートなどのポリエステ
ル類、ポリ（４，４′−イソプロピリデンジフェニレン
−コ−１，４−シクロヘキシレンジメチレンカーボネー
ト）、ポリ（エチレンジオキシ−３，３′−フェニレン
チオカーボネート）、ポリ（４，４′−イソプロピリデ
ンジフェニレンカーボネート−コ−テレフタレート）、
ポリ（４，４′−イソプロピリデンジフェニレンカーボ
ネート）、ポリ（４，４′−ｓｅｃ−ブチリデンジフェ
ニレンカーボネート）、ポリ（４，４′−イソプロピリ
デンジフェニレンカーボネート−ブロック−オキシエチ
レン）などのポリアリレート樹脂類、あるいはポリアミ
ド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂
類、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレ
ンなどのポリオレフィン類などを用いることができる。
いることができる。例えば、図１に示す様な基板１の上
に前述の有機被膜２を形成した記録媒体とすることがで
きる。かかる有機被膜２は、前述の一般式（１）で示さ
れる化合物をバインダー中に前述のポリメチン化合物を
含有させた塗工液を塗布することによって形成すること
ができる。塗工によって被膜を形成する際、前述のポリ
メチン化合物はバインダー中に分散状態で含有されてい
てもよく、あるいは非晶質状態で含有されていてもよ
い。好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選択す
ることができる。具体的にはニトロセルロース、リン酸
セルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピ
オン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セル
ロース、パルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオン酸
セルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセルロースエ
ステル類、メチルセルロース、エチルセルロース、プロ
ピルセルロース、ブチルセルロース、などのセルロース
エーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸
ビニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセター
ル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなど
のビニル樹脂類、スチレンーブタジエンコポリマー、ス
チレン−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタ
ジエン−アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢
酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリブチルア
クリレート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリ
アクリルアミド、ポリアクリロニトリルなどのアクリル
樹脂類、ポリスチレンテレフタレートなどのポリエステ
ル類、ポリ（４，４′−イソプロピリデンジフェニレン
−コ−１，４−シクロヘキシレンジメチレンカーボネー
ト）、ポリ（エチレンジオキシ−３，３′−フェニレン
チオカーボネート）、ポリ（４，４′−イソプロピリデ
ンジフェニレンカーボネート−コ−テレフタレート）、
ポリ（４，４′−イソプロピリデンジフェニレンカーボ
ネート）、ポリ（４，４′−ｓｅｃ−ブチリデンジフェ
ニレンカーボネート）、ポリ（４，４′−イソプロピリ
デンジフェニレンカーボネート−ブロック−オキシエチ
レン）などのポリアリレート樹脂類、あるいはポリアミ
ド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂
類、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレ
ンなどのポリオレフィン類などを用いることができる。
【００１８】塗工の際に使用できる有機溶剤は、バイン
ダーの種類や前述の化合物をバインダー中に含有させる
際、分散状態とするか、あるいは非晶質状態とするかに
よって異なってくるが、一般には、メタノール、エタノ
ール、イソプロパノールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケト
ン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシド
などのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエ
ステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチ
レン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの樹脂族ハ
ロゲン化炭化水素類、あるいはベンゼン、トルエン、キ
シレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベ
ンゼンなどの芳香族類などを用いることができる。
ダーの種類や前述の化合物をバインダー中に含有させる
際、分散状態とするか、あるいは非晶質状態とするかに
よって異なってくるが、一般には、メタノール、エタノ
ール、イソプロパノールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケト
ン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシド
などのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエ
ステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチ
レン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの樹脂族ハ
ロゲン化炭化水素類、あるいはベンゼン、トルエン、キ
シレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベ
ンゼンなどの芳香族類などを用いることができる。
【００１９】塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコ
ーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコー
ティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコ
ーティング法、ローラーコーティング法、カーテンコー
ティング法などのコーティング法を用いて行なうことが
できる。
ーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコー
ティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコ
ーティング法、ローラーコーティング法、カーテンコー
ティング法などのコーティング法を用いて行なうことが
できる。
【００２０】バインダーとともに有機被膜２を形成する
際、前述のポリメチン化合物の含有量は、有機被膜２中
において１〜９０重量％、好ましくは２０〜７０重量％
である。また、有機被膜２の乾燥膜厚は１０ミクロン以
下、好ましくは２ミクロン以下である。
際、前述のポリメチン化合物の含有量は、有機被膜２中
において１〜９０重量％、好ましくは２０〜７０重量％
である。また、有機被膜２の乾燥膜厚は１０ミクロン以
下、好ましくは２ミクロン以下である。
【００２１】基板１としては、ポリエステル、アクリル
樹脂、ポリオレフィン樹脂、フエノール樹脂、エポキシ
樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガ
ラスあるいは金属類などを用いることができる。
樹脂、ポリオレフィン樹脂、フエノール樹脂、エポキシ
樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガ
ラスあるいは金属類などを用いることができる。
【００２２】また、本発明は、図２に示す様に基板１と
有機被膜２の間に反射層３を設けることができる。反射
層３は、アルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の
蒸着層又はラミネート層とすることができる。
有機被膜２の間に反射層３を設けることができる。反射
層３は、アルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の
蒸着層又はラミネート層とすることができる。
【００２３】有機被膜２は、図３に示す集束されたレー
ザ光線４の照射によってピット５を形成することができ
る。ピット５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にする
と、ピット領域における反射率を増加させることができ
る。読み出しの際、書込みに用いたレーザ光線と同一の
波長を有するが、強度の小さいレーザ光線を用いれば、
読み出し光がピット領域で大きく反射されるが、非ピッ
ト領域においては吸収される。また、別の方法は有機被
膜２が吸収する第１の波長のレーザ光線で実時間書込み
を行ない、読み出しに有機被膜２を実質的に透過する第
２の波長のレーザ光線を用いることである。読み出しレ
ーザ光線は、ピット領域と非ピット領域における異なる
膜厚によって生じる反射率の変化に応答することができ
る。
ザ光線４の照射によってピット５を形成することができ
る。ピット５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にする
と、ピット領域における反射率を増加させることができ
る。読み出しの際、書込みに用いたレーザ光線と同一の
波長を有するが、強度の小さいレーザ光線を用いれば、
読み出し光がピット領域で大きく反射されるが、非ピッ
ト領域においては吸収される。また、別の方法は有機被
膜２が吸収する第１の波長のレーザ光線で実時間書込み
を行ない、読み出しに有機被膜２を実質的に透過する第
２の波長のレーザ光線を用いることである。読み出しレ
ーザ光線は、ピット領域と非ピット領域における異なる
膜厚によって生じる反射率の変化に応答することができ
る。
【００２４】本発明の有機被膜は、アルゴンレーザ（発
振波長４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波
長６３３ｎｍ）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波
長４４２ｎｍ）などのガスレーザの照射によって記録す
ることも可能であるが、好ましくは７５０ｎｍ以上の波
長を有するレーザ、特にガリウム−アルミニウム−ヒ素
半導体レーザ（発振波長７８０ｎｍ）などの近赤外ある
いは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によ
って記録する方法が適している。また、読み出しのため
には、前述のレーザ光線を用いることができる。この
際、書込みと読み出しを同一波長のレーザで行なうこと
ができ、また異なる波長のレーザで行なうことができ
る。
振波長４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波
長６３３ｎｍ）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波
長４４２ｎｍ）などのガスレーザの照射によって記録す
ることも可能であるが、好ましくは７５０ｎｍ以上の波
長を有するレーザ、特にガリウム−アルミニウム−ヒ素
半導体レーザ（発振波長７８０ｎｍ）などの近赤外ある
いは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によ
って記録する方法が適している。また、読み出しのため
には、前述のレーザ光線を用いることができる。この
際、書込みと読み出しを同一波長のレーザで行なうこと
ができ、また異なる波長のレーザで行なうことができ
る。
【００２５】本発明によれば、十分に改善されたＳ／Ｎ
比を得ることができ、しかも本発明で用いる有機被膜は
相反則不軌が小さく、レーザ光線の如く強照度エネルギ
ー光線の利用度を高くすることができる。さらに、発振
波長７５０ｎｍ以上の波長を有するレーザ光線による記
録を可能にすることができる。
比を得ることができ、しかも本発明で用いる有機被膜は
相反則不軌が小さく、レーザ光線の如く強照度エネルギ
ー光線の利用度を高くすることができる。さらに、発振
波長７５０ｎｍ以上の波長を有するレーザ光線による記
録を可能にすることができる。
【００２６】以下、本発明を実施例に従って詳細に説明
する。
する。
【００２７】
（実施例１）ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業
（株））（製；オーハーレスラッカー：ニトロセルロー
ス２５重量％のメチルエチルケトン溶液）１２重量部、
前述の化合物Ｎｏ．（１）の化合物３重量部およびメチ
ルエチルケトン７０重量部をボールミルで十分に混合し
た。この混合した液をアルミ蒸着ガラス板上に浸漬コー
ティング法により塗布した後、乾燥して０．６ｇ／ｍ2
の記録層を得た。
（株））（製；オーハーレスラッカー：ニトロセルロー
ス２５重量％のメチルエチルケトン溶液）１２重量部、
前述の化合物Ｎｏ．（１）の化合物３重量部およびメチ
ルエチルケトン７０重量部をボールミルで十分に混合し
た。この混合した液をアルミ蒸着ガラス板上に浸漬コー
ティング法により塗布した後、乾燥して０．６ｇ／ｍ2
の記録層を得た。
【００２８】こうして作成した光ディスク記録体をター
ンテーブル上に取り付け、ターンテーブルをモータで１
８００ｒｐｍの回転を与えながら、スポットサイズ１．
０ミクロンに集束した５ｍＷおよび８ＭＨｚのガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波長７８０ｎ
ｍ）を記録層面にトラック状で照射して記録を行なっ
た。
ンテーブル上に取り付け、ターンテーブルをモータで１
８００ｒｐｍの回転を与えながら、スポットサイズ１．
０ミクロンに集束した５ｍＷおよび８ＭＨｚのガリウム
−アルミニウム−ヒ素半導体レーザ（発振波長７８０ｎ
ｍ）を記録層面にトラック状で照射して記録を行なっ
た。
【００２９】この記録された光ディスクの表面を走査型
電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピットが認められ
た。また、この光ディスクに低出力のガリウム−アルミ
ニウム−ヒ素半導体レーザを入射し、反射光の検知を行
なったところ、十分なＳ／Ｎ比を有する波形が得られ
た。
電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピットが認められ
た。また、この光ディスクに低出力のガリウム−アルミ
ニウム−ヒ素半導体レーザを入射し、反射光の検知を行
なったところ、十分なＳ／Ｎ比を有する波形が得られ
た。
【００３０】（実施例２）前述の化合物Ｎｏ．（２）の
化合物を実施例１と同様の方法でアルミ蒸着ガラス板の
上に浸漬コーティング法により塗工して０．６ｇ／ｍ2
の記録層を有する光ディスク記録体を作成した。
化合物を実施例１と同様の方法でアルミ蒸着ガラス板の
上に浸漬コーティング法により塗工して０．６ｇ／ｍ2
の記録層を有する光ディスク記録体を作成した。
【００３１】この光ディスク記録体に実施例１と同様の
方法で情報を記憶させてから再生したところ、十分なＳ
／Ｎ比を有する波形が認められた。又情報を書き込みし
た後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、
鮮明なピットが形成されていた。
方法で情報を記憶させてから再生したところ、十分なＳ
／Ｎ比を有する波形が認められた。又情報を書き込みし
た後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、
鮮明なピットが形成されていた。
【００３２】（実施例３）前述の化合物Ｎｏ．（４）の
化合物を実施例１と同様の方法でアルミ蒸着ガラス板の
上に浸漬コーティング法により塗工して０．６ｇ／ｍ2
の記録層を有する光ディスク記録体を作成した。
化合物を実施例１と同様の方法でアルミ蒸着ガラス板の
上に浸漬コーティング法により塗工して０．６ｇ／ｍ2
の記録層を有する光ディスク記録体を作成した。
【００３３】この光ディスク記録体に実施例１と同様の
方法で情報を記憶させてから再生したところ、十分なＳ
／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を書き込み
した後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、鮮明なピットが形成されていた。
方法で情報を記憶させてから再生したところ、十分なＳ
／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を書き込み
した後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、鮮明なピットが形成されていた。
【００３４】（実施例４）前述の化合物Ｎｏ．（８）の
化合物を実施例１と同様の方法でアルミ蒸着ガラス板の
上に浸漬コーティング法により塗工して０．８ｇ／ｍ2
の記録層を有する光ディスク記録体を作成した。
化合物を実施例１と同様の方法でアルミ蒸着ガラス板の
上に浸漬コーティング法により塗工して０．８ｇ／ｍ2
の記録層を有する光ディスク記録体を作成した。
【００３５】この光ディスク記録体に実施例１と同様の
方法で情報を記憶させてから再生したところ、十分なＳ
／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を書き込み
した後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、鮮明なピットが形成されていた。
方法で情報を記憶させてから再生したところ、十分なＳ
／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を書き込み
した後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、鮮明なピットが形成されていた。
【００３６】（実施例５）前述の化合物Ｎｏ．（９）の
化合物を実施例１と同様の方法でアルミ蒸着ガラス板の
上に浸漬コーティング法により塗工して０．６ｇ／ｍ2
の記録層を有する光ディスク記録体を作成した。
化合物を実施例１と同様の方法でアルミ蒸着ガラス板の
上に浸漬コーティング法により塗工して０．６ｇ／ｍ2
の記録層を有する光ディスク記録体を作成した。
【００３７】この光ディスク記録体に実施例１と同様の
方法で情報を記憶させてから再生したところ、十分なＳ
／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を書き込み
した後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、鮮明なピットが形成されていた。
方法で情報を記憶させてから再生したところ、十分なＳ
／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を書き込み
した後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、鮮明なピットが形成されていた。
【００３８】（実施例６）前述の化合物Ｎｏ．（１０）
の化合物を実施例１と同様の方法でアルミ蒸着ガラス板
の上に浸漬コーティング法により塗工して０．６ｇ／ｍ
2の記録層を有する光ディスク記録体を作成した。
の化合物を実施例１と同様の方法でアルミ蒸着ガラス板
の上に浸漬コーティング法により塗工して０．６ｇ／ｍ
2の記録層を有する光ディスク記録体を作成した。
【００３９】この光ディスク記録体に実施例１と同様の
方法で情報を記憶させてから再生したところ、十分なＳ
／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を書き込み
した後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、鮮明なピットが形成されていた。
方法で情報を記憶させてから再生したところ、十分なＳ
／Ｎ比を有する波形が認められた。又、情報を書き込み
した後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、鮮明なピットが形成されていた。
【００４０】
【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば長波長
側に吸収帯をもつ有機被膜を有し、半導体レーザで情報
の記録が可能な光学記録媒体を生産性良く得ることがで
きる。
側に吸収帯をもつ有機被膜を有し、半導体レーザで情報
の記録が可能な光学記録媒体を生産性良く得ることがで
きる。
【図１】本発明の光ディスク記録体の断面図。
【図２】本発明の光ディスク記録体の断面図。
【図３】本発明の光ディスク記録体の有機被膜への小さ
な凹部の形成によって情報が記録された状態を示す説明
図。
な凹部の形成によって情報が記録された状態を示す説明
図。
１ 基板 ２ 有機被膜 ３ 反射層 ４ レーザ光線 ５ ピット
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で示される化合物を含
有する有機被膜を基板上に具備する光学記録媒体の製造
方法において、該有機被膜を基板上に塗布することによ
って形成することを特徴とする光学記録媒体の製造方
法。 【外１】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は水素原子、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のスチリル基または置換もしく
は未置換の複素環基を示す。ｍは０又は１であり、ｎは
０、１または２である。Ｘは陰イオンである。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071276A JPH05169822A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 光学記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071276A JPH05169822A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 光学記録媒体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57102579A Division JPS58219090A (ja) | 1982-04-06 | 1982-06-14 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05169822A true JPH05169822A (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=13456032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4071276A Pending JPH05169822A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 光学記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05169822A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011031396A2 (en) * | 2009-08-18 | 2011-03-17 | International Business Machines Corporation | Near-infrared absorbing film compositions |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP4071276A patent/JPH05169822A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011031396A2 (en) * | 2009-08-18 | 2011-03-17 | International Business Machines Corporation | Near-infrared absorbing film compositions |
| WO2011031396A3 (en) * | 2009-08-18 | 2011-06-30 | International Business Machines Corporation | Near-infrared absorbing film compositions |
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