JPS58173696A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JPS58173696A JPS58173696A JP57056963A JP5696382A JPS58173696A JP S58173696 A JPS58173696 A JP S58173696A JP 57056963 A JP57056963 A JP 57056963A JP 5696382 A JP5696382 A JP 5696382A JP S58173696 A JPS58173696 A JP S58173696A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituted
- laser
- recording medium
- methine dye
- Prior art date
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- Granted
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/259—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on silver
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ特に半導体レーザによる書込み記録に
適した光学記録媒体に関し、詳しくは光デイスク技術に
用いうる改善された光学記録媒体に関するものである。
適した光学記録媒体に関し、詳しくは光デイスク技術に
用いうる改善された光学記録媒体に関するものである。
一般に、光ディスクは、基体の上に設けた薄い配録層に
形成された光学的に検出oJ能な小さな(例えば、約1
μ)ビットをらせん状又は円形のトラック形態にして高
密度情報を記憶することができる。この様なディスクに
情報を誓込むには、レーザ感応層の表面に集束したレー
ザを走査し、このレーザ光線が照射された表面のみがビ
ットを形成し、このビットをらせん状又は円形トラック
の形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なビットを形成できる。
形成された光学的に検出oJ能な小さな(例えば、約1
μ)ビットをらせん状又は円形のトラック形態にして高
密度情報を記憶することができる。この様なディスクに
情報を誓込むには、レーザ感応層の表面に集束したレー
ザを走査し、このレーザ光線が照射された表面のみがビ
ットを形成し、このビットをらせん状又は円形トラック
の形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なビットを形成できる。
例えば、ヒ−トモード記録方式では、レーザ感応層は熱
エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により小
さな凹部(ビット)を形成できる。また、別のヒートモ
ード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸
収により、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有す
るビットを形成できる。
エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により小
さな凹部(ビット)を形成できる。また、別のヒートモ
ード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸
収により、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有す
るビットを形成できる。
この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に沿って走査し、ビットが形成された部分とビットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出される。例えば、レーザがトラックに沿っ1走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクター(よってモニターされる。ビットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
ビットが形成されている時はレーザ光線は下1−の反射
面によって充分に反射されフォトディテクターの出力は
大きくなる。
に沿って走査し、ビットが形成された部分とビットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出される。例えば、レーザがトラックに沿っ1走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクター(よってモニターされる。ビットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
ビットが形成されている時はレーザ光線は下1−の反射
面によって充分に反射されフォトディテクターの出力は
大きくなる。
この様な光ディスクに用いる記録媒体として、これまで
アルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸
化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの
無機物質を主に用い九ものが提案されている。これらの
薄膜は、一般に350〜800nm付近の波長光で感応
性であるとともに、レーザ光に対する反射率が高いため
、レーザ光の利用率が低いなどの欠点がある。
アルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸
化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの
無機物質を主に用い九ものが提案されている。これらの
薄膜は、一般に350〜800nm付近の波長光で感応
性であるとともに、レーザ光に対する反射率が高いため
、レーザ光の利用率が低いなどの欠点がある。
この様なことから、近年比較的長波長(例えば、780
nm以上)の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機薄膜の研究がなされている。
nm以上)の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機薄膜の研究がなされている。
この様な有機薄膜は、例えば発振波長が830nm付近
の半導体レーザによりビットを形成できる点で有効なも
のである。
の半導体レーザによりビットを形成できる点で有効なも
のである。
しかし、一般に長波蚤側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機薄膜が開発されているものとは言えないのが現状であ
る。
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機薄膜が開発されているものとは言えないのが現状であ
る。
本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機薄膜を有
する光学記録媒体を提供することにある。
する光学記録媒体を提供することにある。
本発明の別の目的は、熱く対して安定な有機薄膜を有す
る光学記録媒体を提供することにある。
る光学記録媒体を提供することにある。
本発明の有機薄膜は、下記一般式(11又は(2)で示
すクロコニックメチン染料を含有する点に特徴を有して
いる。
すクロコニックメチン染料を含有する点に特徴を有して
いる。
一般式
%式%
式中、鳩およびへは、アルキル基(例えば、メチル基、
エチル基、n−プロピル基、iso −プロピル基、n
−ブチル基、冠−ブチル基、is。
エチル基、n−プロピル基、iso −プロピル基、n
−ブチル基、冠−ブチル基、is。
−ブチル基、t−ブチル基、n−アミル基、を−アミル
基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、t−オクチル基
など)、置換アルキル基(例えば2−ヒドロキシエチル
基、3−ヒドロキシプロピル基、4−ヒドロキシブチル
基、2−アセトキシエチル基、カルボキシメチル基、2
−カルボキシエチル基、3−カルボキシプロピル基、2
−スルホエチル基、3−スルホプロピル基、4−スルホ
ブチル基、3−スルフェートプロピル基、4−スルフエ
ートフチル基、N−(メチルスルホニル)−カルバミル
メチル基、3−(アセチルスルファミル)プロピル基、
4−(アセチルスルファミル)ブチル基など)、環式ア
ルキル基(例えば、シクロヘキシル基など)、アリル基
(C)l、=CH−C鶴−)、アラルキル基(例えば、
ベノジル基、フェネチル基、3−7エニルプロビル基、
α−す7チルメチル基、β−ナフチルメチル基など)、
置換アラルキル基(例えハ、カルボキシベンジル基、ス
ルホベンジル基、ヒドロキシペンジル基など)、アリー
ル基(例えば、フェニル基など)または置換アリール基
(例えば、カルボキシフェニル基、スルホフェニル基、
ヒドロキシフェニル基なト)ヲ示ス。
基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、t−オクチル基
など)、置換アルキル基(例えば2−ヒドロキシエチル
基、3−ヒドロキシプロピル基、4−ヒドロキシブチル
基、2−アセトキシエチル基、カルボキシメチル基、2
−カルボキシエチル基、3−カルボキシプロピル基、2
−スルホエチル基、3−スルホプロピル基、4−スルホ
ブチル基、3−スルフェートプロピル基、4−スルフエ
ートフチル基、N−(メチルスルホニル)−カルバミル
メチル基、3−(アセチルスルファミル)プロピル基、
4−(アセチルスルファミル)ブチル基など)、環式ア
ルキル基(例えば、シクロヘキシル基など)、アリル基
(C)l、=CH−C鶴−)、アラルキル基(例えば、
ベノジル基、フェネチル基、3−7エニルプロビル基、
α−す7チルメチル基、β−ナフチルメチル基など)、
置換アラルキル基(例えハ、カルボキシベンジル基、ス
ルホベンジル基、ヒドロキシペンジル基など)、アリー
ル基(例えば、フェニル基など)または置換アリール基
(例えば、カルボキシフェニル基、スルホフェニル基、
ヒドロキシフェニル基なト)ヲ示ス。
特に、本発明においては、これらの有機残基のうち、疎
水性のものが好ましい。
水性のものが好ましい。
zIおよびZ、け、置換または未置換の複素環、例えば
、チアゾール系列の核(例えばチアゾール、4−メチル
チアゾール、4−フェニルチアゾール、5−メチルチア
ゾール、5−フェニルチアゾール、4,5−ジメチルチ
アゾール、4.5−ジフェニルチアゾール、4−(2−
チェニル)−チアゾールなど)、ベンゾチアゾール系列
の核(例えばべ/ジチアゾール、5−クロロベンゾチア
ゾール、5−メチルベンゾチアゾール、6−メチルベン
ゾチアゾール、5.6−シメチルペンゾチアゾール、5
−プロモペ/ゾチアゾール、5−フェニルベンゾチアゾ
ール、5−メトキシベンゾチアゾール、6−メトキシベ
ンゾチアゾール、5,6−シメトキシペンゾチアゾール
、5.6−シオキシメチレンベンゾチアゾール、5−ヒ
ドロキシベンゾチアゾール、6−ヒドロキシベンゾチア
ゾール、4,5,6.7−チトラヒドロベンゾチアゾー
ルなど)、ナフトチアゾール系列の核(例えばナフ)[
2,1−d〕チアゾール、ナツト[1,2−d〕チアゾ
ール、5−メトキシナフト(1,2−a)チアゾール、
5−エトキシナフト[1,2−d〕チアゾール、8−メ
トキシナフト(2,1−d)チアゾール、7−メトキシ
ナフト(2,1−d〕チアゾールなど)、チオナフテン
[7,6−d]チアゾール系列の核(例えば7−メドキ
シチオナフテン(7,6−d)チアゾール)、オキサゾ
ール系列の核(例えば4−メチルオキサゾール、5−メ
チルオキサゾール、4−フェニルオキサソール、4.5
−ジフェニルオキサゾール、4−エチルオキサゾール、
4,5−ジメチルオキサゾール、5−フェニルオキサゾ
ール)、ベンゾオキサゾール系列の核(例えばベンゾオ
キサゾール、5−クロロベンゾオキサゾール、5−メチ
ルベンゾオキサゾール、5−フェニルベンゾオキサゾー
ル、6−メチルベンゾオキサゾール、5.6−シメチル
ベンゾオキサゾール、5−メトキシベンゾオキサゾール
、6−メトキシベンゾオキサゾール、5−ヒドロキシベ
ンゾオキサゾール、6−ヒドロキシベンゾオキサゾール
など)、ナフトオキサゾール系列の核(例えばナフ)(
2,1−d)オキサゾール、ナフト[1,2−d)オキ
サゾールなど)、セレナゾール系列の核(例えば4−メ
チルセレナゾール、4−フェニルセレナゾールナト)、
ベンゾセレナゾール系列の核(例えばベンゾセレナゾー
ル、5−クロロベンゾセレナゾール、5−メチルベンゾ
センナゾール、5,6−シメチルペンゾセンナゾール、
5−メトキシベンゾセレナソール、5−メチル−6−メ
トキシベンゾセレナソール、5.6−シオキシメチレン
ペンゾセレナゾール、5−ヒドロキシベンゾセレナシー
/l/、4.5.6.7−チトラヒドロベンゾセレナ
ソールなど)、ナフトセレナゾール系列の核(例えばカ
プト[2,1−d:]セレナゾール、ナフトCt、2−
a〕セレナゾール)、チアゾリン系列の核(例えばチア
ゾリン、4−メチルチアゾリン、4−ヒドロキシメチル
−4−メチルチアゾリン、4.4−ビス−ヒドロキシメ
チルチアゾリンなど)、オキ、サシリン系列の核(例え
ばオキサゾリン)、セレナシリ/系列の核(例えばセレ
ナゾリン)、2−キノリン系列の核(例えばキノリン、
6−メチルキノリン、6−クロロキノリン、6−メドキ
シキノリン、6−ニトキシキノリン、6−ヒドロキシキ
ノリン)、4−キノリン系列の核(例えばキノリン、6
−メドキ/キノリン、7−メチルキノリン、8−メチル
キノリ/)、l−イソキノリン系列の核τ例えばイソキ
ノリン、3,4−ジヒドロイソキノリン)、3−イソキ
ノリン系列の核(例えばイソキノリン)、3.3−ジア
ルキルインドレニン系列の核(例えば3,3−ジメチル
インドレニ7.3.3−ジメチル−5−クロロイyドレ
ニ/、3.3.5−トリメチシイXドレニン、3,3.
7−)リメチルイ/ドV二ノ)、ピリジン系列の核(例
えばピリジン、5−メチルピリジン)、ベンゾイミダゾ
ール系列の核(例えば1−エチル−5,6−ジクロロベ
ンゾイミダゾール、l−ヒドロキシエチル−5,6−ジ
クロロベンゾイミダゾール、l−エチル−5−クロロベ
ンツイミダゾール、1−エチル−5,6〜ジブpモペン
ゾイミダゾール、■−エチルー5−フェニルペ/ソイミ
タソール、■−エチルー5−フルオロベ/ソイミダゾー
ル、1−エチル−5−シアノベンシイミグゾール、1−
(β−アセトキシエチル)−5−シアノペ/ソイミタソ
ール、1−エチル−5−クロロ−6−シアノベンシイミ
グゾール、l−エチル−5−フルオロ−6−ジアツペン
ソイミタソール、l−エチル−5−アセチルベンシイミ
ダゾール、1−エチル−5−カルポキシベ/シイミダゾ
ール、l−エチル−5−エトキシカルボニルベンシイミ
ダゾール、1−エチル−5−スルファミルベンゾイミダ
ゾール、1−エチル−5−N−エチルスル7アミルベン
ソイミタソール、1−エチル−5,6−ジフルオロベン
ソイミダゾール、1−エチル−5,6−ジシアツベンソ
イミp−ソール、l−エチル−5−エチルスルホニルベ
ン/イミダゾール、l−エチル−5−メチルスルホニル
ベンツイミダゾール、l−エチル−5−トリフルオロメ
チルベンゾイミダゾール、l−エチル−5−)!Jフル
オロメチルスルホニルベンゾイミダゾール、l−エチル
−5−トリフルオeま、塩化物イオン、臭化物イオン、
ヨウ化物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、P−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル
硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イ
オンなどの陰イオンを表わし、Xoは塊および(または
)瓜自体が陰イオン基、例えば−8O,”’、0803
、−000°、So、”’N)I−1−so。
、チアゾール系列の核(例えばチアゾール、4−メチル
チアゾール、4−フェニルチアゾール、5−メチルチア
ゾール、5−フェニルチアゾール、4,5−ジメチルチ
アゾール、4.5−ジフェニルチアゾール、4−(2−
チェニル)−チアゾールなど)、ベンゾチアゾール系列
の核(例えばべ/ジチアゾール、5−クロロベンゾチア
ゾール、5−メチルベンゾチアゾール、6−メチルベン
ゾチアゾール、5.6−シメチルペンゾチアゾール、5
−プロモペ/ゾチアゾール、5−フェニルベンゾチアゾ
ール、5−メトキシベンゾチアゾール、6−メトキシベ
ンゾチアゾール、5,6−シメトキシペンゾチアゾール
、5.6−シオキシメチレンベンゾチアゾール、5−ヒ
ドロキシベンゾチアゾール、6−ヒドロキシベンゾチア
ゾール、4,5,6.7−チトラヒドロベンゾチアゾー
ルなど)、ナフトチアゾール系列の核(例えばナフ)[
2,1−d〕チアゾール、ナツト[1,2−d〕チアゾ
ール、5−メトキシナフト(1,2−a)チアゾール、
5−エトキシナフト[1,2−d〕チアゾール、8−メ
トキシナフト(2,1−d)チアゾール、7−メトキシ
ナフト(2,1−d〕チアゾールなど)、チオナフテン
[7,6−d]チアゾール系列の核(例えば7−メドキ
シチオナフテン(7,6−d)チアゾール)、オキサゾ
ール系列の核(例えば4−メチルオキサゾール、5−メ
チルオキサゾール、4−フェニルオキサソール、4.5
−ジフェニルオキサゾール、4−エチルオキサゾール、
4,5−ジメチルオキサゾール、5−フェニルオキサゾ
ール)、ベンゾオキサゾール系列の核(例えばベンゾオ
キサゾール、5−クロロベンゾオキサゾール、5−メチ
ルベンゾオキサゾール、5−フェニルベンゾオキサゾー
ル、6−メチルベンゾオキサゾール、5.6−シメチル
ベンゾオキサゾール、5−メトキシベンゾオキサゾール
、6−メトキシベンゾオキサゾール、5−ヒドロキシベ
ンゾオキサゾール、6−ヒドロキシベンゾオキサゾール
など)、ナフトオキサゾール系列の核(例えばナフ)(
2,1−d)オキサゾール、ナフト[1,2−d)オキ
サゾールなど)、セレナゾール系列の核(例えば4−メ
チルセレナゾール、4−フェニルセレナゾールナト)、
ベンゾセレナゾール系列の核(例えばベンゾセレナゾー
ル、5−クロロベンゾセレナゾール、5−メチルベンゾ
センナゾール、5,6−シメチルペンゾセンナゾール、
5−メトキシベンゾセレナソール、5−メチル−6−メ
トキシベンゾセレナソール、5.6−シオキシメチレン
ペンゾセレナゾール、5−ヒドロキシベンゾセレナシー
/l/、4.5.6.7−チトラヒドロベンゾセレナ
ソールなど)、ナフトセレナゾール系列の核(例えばカ
プト[2,1−d:]セレナゾール、ナフトCt、2−
a〕セレナゾール)、チアゾリン系列の核(例えばチア
ゾリン、4−メチルチアゾリン、4−ヒドロキシメチル
−4−メチルチアゾリン、4.4−ビス−ヒドロキシメ
チルチアゾリンなど)、オキ、サシリン系列の核(例え
ばオキサゾリン)、セレナシリ/系列の核(例えばセレ
ナゾリン)、2−キノリン系列の核(例えばキノリン、
6−メチルキノリン、6−クロロキノリン、6−メドキ
シキノリン、6−ニトキシキノリン、6−ヒドロキシキ
ノリン)、4−キノリン系列の核(例えばキノリン、6
−メドキ/キノリン、7−メチルキノリン、8−メチル
キノリ/)、l−イソキノリン系列の核τ例えばイソキ
ノリン、3,4−ジヒドロイソキノリン)、3−イソキ
ノリン系列の核(例えばイソキノリン)、3.3−ジア
ルキルインドレニン系列の核(例えば3,3−ジメチル
インドレニ7.3.3−ジメチル−5−クロロイyドレ
ニ/、3.3.5−トリメチシイXドレニン、3,3.
7−)リメチルイ/ドV二ノ)、ピリジン系列の核(例
えばピリジン、5−メチルピリジン)、ベンゾイミダゾ
ール系列の核(例えば1−エチル−5,6−ジクロロベ
ンゾイミダゾール、l−ヒドロキシエチル−5,6−ジ
クロロベンゾイミダゾール、l−エチル−5−クロロベ
ンツイミダゾール、1−エチル−5,6〜ジブpモペン
ゾイミダゾール、■−エチルー5−フェニルペ/ソイミ
タソール、■−エチルー5−フルオロベ/ソイミダゾー
ル、1−エチル−5−シアノベンシイミグゾール、1−
(β−アセトキシエチル)−5−シアノペ/ソイミタソ
ール、1−エチル−5−クロロ−6−シアノベンシイミ
グゾール、l−エチル−5−フルオロ−6−ジアツペン
ソイミタソール、l−エチル−5−アセチルベンシイミ
ダゾール、1−エチル−5−カルポキシベ/シイミダゾ
ール、l−エチル−5−エトキシカルボニルベンシイミ
ダゾール、1−エチル−5−スルファミルベンゾイミダ
ゾール、1−エチル−5−N−エチルスル7アミルベン
ソイミタソール、1−エチル−5,6−ジフルオロベン
ソイミダゾール、1−エチル−5,6−ジシアツベンソ
イミp−ソール、l−エチル−5−エチルスルホニルベ
ン/イミダゾール、l−エチル−5−メチルスルホニル
ベンツイミダゾール、l−エチル−5−トリフルオロメ
チルベンゾイミダゾール、l−エチル−5−)!Jフル
オロメチルスルホニルベンゾイミダゾール、l−エチル
−5−トリフルオeま、塩化物イオン、臭化物イオン、
ヨウ化物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、P−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル
硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イ
オンなどの陰イオンを表わし、Xoは塊および(または
)瓜自体が陰イオン基、例えば−8O,”’、0803
、−000°、So、”’N)I−1−so。
−N”’ −CO−、−80,−炉−So、−を含むと
きKは存在しない。J気、例えば水素陽イオン、ナトリ
ウム陽イオン、アンモニウム陽イオン、カリウム陽イオ
ン、ピリジウム陽イオンなどの陽イオンを表わす。mお
よびnは、0又は1である。
きKは存在しない。J気、例えば水素陽イオン、ナトリ
ウム陽イオン、アンモニウム陽イオン、カリウム陽イオ
ン、ピリジウム陽イオンなどの陽イオンを表わす。mお
よびnは、0又は1である。
次に、本発明で用いるクロコニックメチン染料の代表例
を下記に列挙するが、便宜上ベタイ:y@造−で表わす
。しか(7、これらの染料の調製においては、ベタイン
形や塩の形にある染料の混合物が得られるので、混合物
として使用される。
を下記に列挙するが、便宜上ベタイ:y@造−で表わす
。しか(7、これらの染料の調製においては、ベタイン
形や塩の形にある染料の混合物が得られるので、混合物
として使用される。
に2#iラ
しtFjsC2Hs CI
H@C1(、CH。
しtFjsC2Hs CI
H@C1(、CH。
これらのクロコニックメチン染料は、1種または2種以
上組合せて用いることができる。
上組合せて用いることができる。
また、これらのクロコニックメチン染料は、特公昭51
−41061号公報に記載された様に、例えばクロコン
酸i九はその誘導体(例えばモノ、ジアルキルエステル
)とシアニン染料化学分野で知られた2−メチル−シク
ロアンモニウム四級塩または対応する2−メチレン塩基
との縮合によって調製できる。
−41061号公報に記載された様に、例えばクロコン
酸i九はその誘導体(例えばモノ、ジアルキルエステル
)とシアニン染料化学分野で知られた2−メチル−シク
ロアンモニウム四級塩または対応する2−メチレン塩基
との縮合によって調製できる。
次に、本発明で用いる代表的なりロコニックメチン染料
の合成例を示す。
の合成例を示す。
合成例1(前記例示の化合物A 29)りo コア @
1.209 (0,00845モ”) sキナルジン
エチオシト5.06 t (0,0169モル)、及び
n−ブタノール50−よりなる混合液を110 ′Cま
で加熱した後、ピリジン4−を添加し、 110〜11
6℃で10分間反応させた。次に、トリエチルアミ74
ydを加え、5分間同温度で攪拌後、冷却放置したと
ころ、析出染料を得た。この析出した染料を戸遇した後
、n−ブタノールにょる洗浄とテトラヒドロフランによ
る洗浄を順次施してから減圧乾燥した。この結果、収量
2.12(収率55X)の精製染料を得た。この染料の
ジメチルスルホキシド中での吸収特性を第1図〈示す。
1.209 (0,00845モ”) sキナルジン
エチオシト5.06 t (0,0169モル)、及び
n−ブタノール50−よりなる混合液を110 ′Cま
で加熱した後、ピリジン4−を添加し、 110〜11
6℃で10分間反応させた。次に、トリエチルアミ74
ydを加え、5分間同温度で攪拌後、冷却放置したと
ころ、析出染料を得た。この析出した染料を戸遇した後
、n−ブタノールにょる洗浄とテトラヒドロフランによ
る洗浄を順次施してから減圧乾燥した。この結果、収量
2.12(収率55X)の精製染料を得た。この染料の
ジメチルスルホキシド中での吸収特性を第1図〈示す。
λmaxは845nm であった。
本発明の光学記鍮媒体は、例えば第2図に示す如き構造
とすることができる。第2図に示す光学記動媒体は、基
板1の上に前述のクロコニックメチン染料を含有させた
有機薄膜2を設けることによって形成できる。
とすることができる。第2図に示す光学記動媒体は、基
板1の上に前述のクロコニックメチン染料を含有させた
有機薄膜2を設けることによって形成できる。
基板lとしては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリオ
レフイノ樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。有機薄膜2は、前述
のクロコニックメチン染料の真空蒸着によって形成でき
、またバインダー中に前述のクロコニックメチン染料を
含有させた塗工液を基板lに塗工することによって形成
することができる。クロコニックメチン染料をバインダ
ーとともに薄膜を形成させる際、クロコニックメチン染
料はノ(インダー中で分散状態で含有されていてもよく
、あるいは非晶質状態で含有されていてもよい。クロコ
ニックメチ/染料の好適な)(インダーとしては、広範
な樹脂から選択することができる。具体的には、ニトロ
セルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロース、酢酸
セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース
、ミリスチン酸セルロース、パルミチ/酸セルロース、
酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸−酪酸セルロース
ナトのセルロースエステル類、メチルセルロース、エチ
ルセルロース、フロビルセルロース ブチルセルロース
などのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリ
ビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビニル
ピロリドン方どのビニル樹脂類、スチレ/−プルジエン
コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、
スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコポリマー、
塩化ビニル−塩化ビニリデンコポリマー、塩化ビニル−
酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチル
メタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリブチル
アクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リアクリルアミド、ポリアクリロニトリルなどのアクリ
ル樹脂類、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエス
テル類、ポリ(4,4’−イソグロビリデンジフエニレ
ンーコ−1,4−シクロヘキシレンジメチレンカーボネ
ート)、ポリ(エチレンジオキシ−3,3−フェニレン
チオカーボネート)、ポリ(4,4’−イソグロビリデ
ンジフエニレンカーボネートーコーテレフタレートう、
ポリ(4,4’−インクロビリデンジフエニレンカーボ
ネート)、ポリ(4,4’−就−ブチリデンジフェニレ
ンカーボネート)、ポリ(4,4’−イソブロビリデン
ジフエニレンカーポネートーブロックーオキシエチレン
)などのボリアリレート樹脂類、あるいはポリアミド類
、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂類、
ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンな
どのポリオレフィン類などを用いることができる。
レフイノ樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。有機薄膜2は、前述
のクロコニックメチン染料の真空蒸着によって形成でき
、またバインダー中に前述のクロコニックメチン染料を
含有させた塗工液を基板lに塗工することによって形成
することができる。クロコニックメチン染料をバインダ
ーとともに薄膜を形成させる際、クロコニックメチン染
料はノ(インダー中で分散状態で含有されていてもよく
、あるいは非晶質状態で含有されていてもよい。クロコ
ニックメチ/染料の好適な)(インダーとしては、広範
な樹脂から選択することができる。具体的には、ニトロ
セルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロース、酢酸
セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース
、ミリスチン酸セルロース、パルミチ/酸セルロース、
酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸−酪酸セルロース
ナトのセルロースエステル類、メチルセルロース、エチ
ルセルロース、フロビルセルロース ブチルセルロース
などのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリ
ビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビニル
ピロリドン方どのビニル樹脂類、スチレ/−プルジエン
コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、
スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコポリマー、
塩化ビニル−塩化ビニリデンコポリマー、塩化ビニル−
酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチル
メタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリブチル
アクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リアクリルアミド、ポリアクリロニトリルなどのアクリ
ル樹脂類、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエス
テル類、ポリ(4,4’−イソグロビリデンジフエニレ
ンーコ−1,4−シクロヘキシレンジメチレンカーボネ
ート)、ポリ(エチレンジオキシ−3,3−フェニレン
チオカーボネート)、ポリ(4,4’−イソグロビリデ
ンジフエニレンカーボネートーコーテレフタレートう、
ポリ(4,4’−インクロビリデンジフエニレンカーボ
ネート)、ポリ(4,4’−就−ブチリデンジフェニレ
ンカーボネート)、ポリ(4,4’−イソブロビリデン
ジフエニレンカーポネートーブロックーオキシエチレン
)などのボリアリレート樹脂類、あるいはポリアミド類
、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂類、
ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンな
どのポリオレフィン類などを用いることができる。
塗工の際に使用する有機溶剤は、ツクイングーの種類お
よびクロコニックメチン染料をノ(インダー中に分散状
態か非晶質状態の何れかによって異なるが、一般には、
メタノール、エタノール、イソプロパツールなどのアル
コール類、アセトン、メチルエチルケト/、シクロヘキ
サノンなどのケトン類、N、N−ジメチルホルムアミ)
’、N、N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジ
メチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒド
ロフラン、ジオキサ/、エチレンクリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルな
どのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂
肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン
、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ルベンゼンなどの芳香族類などを用いることができる。
よびクロコニックメチン染料をノ(インダー中に分散状
態か非晶質状態の何れかによって異なるが、一般には、
メタノール、エタノール、イソプロパツールなどのアル
コール類、アセトン、メチルエチルケト/、シクロヘキ
サノンなどのケトン類、N、N−ジメチルホルムアミ)
’、N、N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジ
メチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒド
ロフラン、ジオキサ/、エチレンクリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルな
どのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂
肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン
、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ルベンゼンなどの芳香族類などを用いることができる。
素工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、グーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、グーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。
バインダーとともに有機薄膜2を形成する際、クロコニ
ックメチン染料の含有量は、有機薄膜2中において、1
〜90重量パーセント、好ましくは20〜70重量パー
セントである。また有機薄膜2の乾燥膜厚は10ミクロ
ン以下、好ましくは、2ミクロン以下である。
ックメチン染料の含有量は、有機薄膜2中において、1
〜90重量パーセント、好ましくは20〜70重量パー
セントである。また有機薄膜2の乾燥膜厚は10ミクロ
ン以下、好ましくは、2ミクロン以下である。
また、本発明の光学記録媒体は、第3図に示す様に基板
lと有機薄膜2の間に反射層3を設けることができる。
lと有機薄膜2の間に反射層3を設けることができる。
反射層3は、アルミニウム、嫁、クロムなどの反射性金
属の蒸着f−まだはラミネート層とすることができる。
属の蒸着f−まだはラミネート層とすることができる。
有機酵@2は、第4図に示す集束されたレーザ光線4の
照射によってビット5を形成することができる。ビット
5の深さを有機薄膜2の膜厚と同一にすると、ピット領
域における反射率を増加はせることができる。読み出し
の際、書込みに用いたレーザ光線と同一の波長を有する
が、強度の小さいレーザ光線を用いれば、読み出し光が
ピット領域で大きく反射されるが、非ピット領域におい
ては吸収される。また、別の方法は有機薄膜2が吸収す
る@lの波長のレーザ光線で実時間書込みを行ない、読
み出しに有機薄膜2を実質的に透過する第2の波長のレ
ーザ光線を用いることである。読み出しレーザ光線は、
ピット領域と非ビット領域における異なるKNによって
生じる反射相の変化に応答することができる。
照射によってビット5を形成することができる。ビット
5の深さを有機薄膜2の膜厚と同一にすると、ピット領
域における反射率を増加はせることができる。読み出し
の際、書込みに用いたレーザ光線と同一の波長を有する
が、強度の小さいレーザ光線を用いれば、読み出し光が
ピット領域で大きく反射されるが、非ピット領域におい
ては吸収される。また、別の方法は有機薄膜2が吸収す
る@lの波長のレーザ光線で実時間書込みを行ない、読
み出しに有機薄膜2を実質的に透過する第2の波長のレ
ーザ光線を用いることである。読み出しレーザ光線は、
ピット領域と非ビット領域における異なるKNによって
生じる反射相の変化に応答することができる。
本発明の光学記録媒体は、アルゴンレーザ(発振波長4
88nrn)、ヘリウム−ネオンレーザ(発振波長63
3nm)、ヘリウム−カドミウムレーザ(発振波長44
21m)などのガスレーザーの照射によって記録するこ
ともげ能であるが、好ましくVi750nm以上の波長
を有するレーザ、蒔にガリウムーアルミニウムーヒ素半
導体し−い1寸 ザ(発振波長7sonm)などの近赤外ある赤外す 領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記録
する方法が適している。また、読み出しのためには、前
述のレーザ光線を用いることができる。この際、書込み
と読み出しを同一波長のレーザで行なうことができ、ま
た異なる波長のレーザで行なうことができる。
88nrn)、ヘリウム−ネオンレーザ(発振波長63
3nm)、ヘリウム−カドミウムレーザ(発振波長44
21m)などのガスレーザーの照射によって記録するこ
ともげ能であるが、好ましくVi750nm以上の波長
を有するレーザ、蒔にガリウムーアルミニウムーヒ素半
導体し−い1寸 ザ(発振波長7sonm)などの近赤外ある赤外す 領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記録
する方法が適している。また、読み出しのためには、前
述のレーザ光線を用いることができる。この際、書込み
と読み出しを同一波長のレーザで行なうことができ、ま
た異なる波長のレーザで行なうことができる。
本発明によれば、十分に改善された8/N比を得ること
ができ、しかも本発明で用いる有機薄膜は、相反則不軌
が小さく、レーザ光線の如く強照度エネルギー光線の有
用度を高くすることができる。さらに、発振波長75Q
nm以上の波長を有するレーザ光線による記録を可能に
することができる。
ができ、しかも本発明で用いる有機薄膜は、相反則不軌
が小さく、レーザ光線の如く強照度エネルギー光線の有
用度を高くすることができる。さらに、発振波長75Q
nm以上の波長を有するレーザ光線による記録を可能に
することができる。
以下、本発明を実施例に従って祥細に説明する0
実施例1
ニトロセルロース溶液(ダイセル化1工業■111;#
−バーレスΦラッカーニトロセルロース25 WtXの
メチルエチルケトン溶液)12重量部、/%29のクロ
コニックメチン染料3重量部、およびメチルエチルケト
ン110重量部より成る混合液をサンドミルで2時間分
散した後、この分散液をパイレックス基板上にデイツビ
/グ法により塗布した後、100℃の温度で2時間乾燥
して、0.6S’/iの記録層を得た。
−バーレスΦラッカーニトロセルロース25 WtXの
メチルエチルケトン溶液)12重量部、/%29のクロ
コニックメチン染料3重量部、およびメチルエチルケト
ン110重量部より成る混合液をサンドミルで2時間分
散した後、この分散液をパイレックス基板上にデイツビ
/グ法により塗布した後、100℃の温度で2時間乾燥
して、0.6S’/iの記録層を得た。
こうして作成した光学記録媒体をターンテーブル上に取
付け、ターンテーブルをモーターで180Orpmの回
転を与えながら、スポットサイズ1.0μに集束した5
mWおよび8肺のガリウムーアルミニウムーヒ素半導体
レーザ光11(発振波長78011m )を記録層面に
トラック状で照射して記録を行なった。
付け、ターンテーブルをモーターで180Orpmの回
転を与えながら、スポットサイズ1.0μに集束した5
mWおよび8肺のガリウムーアルミニウムーヒ素半導体
レーザ光11(発振波長78011m )を記録層面に
トラック状で照射して記録を行なった。
この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが認められた。また、こ
の光ディスクに低出力のガリウムーアルミニウムーヒ素
半導体レーザを入射し、反射光の検知を行なったところ
、十分な8/N比を有する波形が得られ丸。
観察したところ、鮮明なピットが認められた。また、こ
の光ディスクに低出力のガリウムーアルミニウムーヒ素
半導体レーザを入射し、反射光の検知を行なったところ
、十分な8/N比を有する波形が得られ丸。
実施例2
ニトロセルロース溶液(ダイセル化学工業■カ
製;オーバーレス・ラツ急−,ニトロセルロース25
wt%のメチルエチルケトン溶液)10重量部、43の
クロコニックメチン染料3重量部’112011i1部
のメチルセロソルブに混合し、十分に攪拌して溶解させ
た。次いで、この溶液をパイレックス基板上に500r
pmで乾燥後の塗布量が0.6f/m”となる様スピン
ナー塗布した後、100℃の温度で2時間乾燥して、記
録層を2形成した。この記録層に実施例1と同様のレー
ザyfS線を照射したところ、実施例1と同様の結果が
得られた。
wt%のメチルエチルケトン溶液)10重量部、43の
クロコニックメチン染料3重量部’112011i1部
のメチルセロソルブに混合し、十分に攪拌して溶解させ
た。次いで、この溶液をパイレックス基板上に500r
pmで乾燥後の塗布量が0.6f/m”となる様スピン
ナー塗布した後、100℃の温度で2時間乾燥して、記
録層を2形成した。この記録層に実施例1と同様のレー
ザyfS線を照射したところ、実施例1と同様の結果が
得られた。
実施例3
/165のクロコニックメチン染料5Q□qを蒸着用モ
リブテンボートチ入れ、I X 10−廿以Fに排気し
た後、パイレックス基板上に蒸着した。蒸着中は真空室
内の圧力が10 以上に上昇しない様にヒーターを制御
した。こうしてパイレックス基板上に有機薄膜を形成し
て光学記録媒体を調製した。この有機薄膜からなる記録
層に実施例1と同様のレーザ光線を照射したところ、実
施例1とtF+]様の結果が得られた。
リブテンボートチ入れ、I X 10−廿以Fに排気し
た後、パイレックス基板上に蒸着した。蒸着中は真空室
内の圧力が10 以上に上昇しない様にヒーターを制御
した。こうしてパイレックス基板上に有機薄膜を形成し
て光学記録媒体を調製した。この有機薄膜からなる記録
層に実施例1と同様のレーザ光線を照射したところ、実
施例1とtF+]様の結果が得られた。
実施例4
実施例1で用いた429のクロコニックメチン染料に代
えて、/1611のクロコニックメチン染料を用いたは
一6\は、実施例1と全く同様の方法で光学記録媒体を
作成してから、同様のレーザ光線を照射したところ、実
施例1と同様の結果が得られた。
えて、/1611のクロコニックメチン染料を用いたは
一6\は、実施例1と全く同様の方法で光学記録媒体を
作成してから、同様のレーザ光線を照射したところ、実
施例1と同様の結果が得られた。
実施例5
実施例1で用いたΔに29のクロコニックメチン染料に
代えて1.、+614のクロコニックメチン染料を用い
たほかは、実施例1と全く同様の方法で光学記録媒体を
作成してから、同様のレーザ光線を照射したところ、実
施例1と同様の結果が得られた。
代えて1.、+614のクロコニックメチン染料を用い
たほかは、実施例1と全く同様の方法で光学記録媒体を
作成してから、同様のレーザ光線を照射したところ、実
施例1と同様の結果が得られた。
実施例6
実施例3で用いた/165のクロコニックメチン染料に
代えて、/V;20のクロコニックメチン染料を用いた
ほかは、実施例3と全く同様の方法で光学記録媒体を作
成してから、同様のレーザ光線を照射したところ、実施
例1と同様の結果が得られた。
代えて、/V;20のクロコニックメチン染料を用いた
ほかは、実施例3と全く同様の方法で光学記録媒体を作
成してから、同様のレーザ光線を照射したところ、実施
例1と同様の結果が得られた。
一11!施例7
実施例1で用いた慮29のクロコニックメチン染料に代
えて、/%31のクロコニックメチン染料を用いたほか
は、実施例1と全く同様の方法で光学記録媒体を作成し
てから、同様のレーザ光線を照射したところ、実施例1
と同様の結果が得られた。
えて、/%31のクロコニックメチン染料を用いたほか
は、実施例1と全く同様の方法で光学記録媒体を作成し
てから、同様のレーザ光線を照射したところ、実施例1
と同様の結果が得られた。
実施例8
実施例1で用いた74629のクロコニックメチン染料
に代えて、/1632のクロコニックメチ7東科を用い
たほかは、実施例1と全く同様の方法で光学記録媒体を
作成してから、同様のレーザ光線を照射したところ、実
施例1と同様の結果が得られた。
に代えて、/1632のクロコニックメチ7東科を用い
たほかは、実施例1と全く同様の方法で光学記録媒体を
作成してから、同様のレーザ光線を照射したところ、実
施例1と同様の結果が得られた。
第1図は、/1629のクロコニックメチン染料の分光
吸収特性を示す説明図、@2図および第3図をよ本発明
の光学記録媒体の断面図、第4図は本発明の光学記録媒
体を用いた実施態様を示す説明図である。 1・・・基板、2・・・有機薄膜、3−・・反射層、4
・−・レーザ光線、5・・・ビット。 特許出願人 キャノン株式会社
吸収特性を示す説明図、@2図および第3図をよ本発明
の光学記録媒体の断面図、第4図は本発明の光学記録媒
体を用いた実施態様を示す説明図である。 1・・・基板、2・・・有機薄膜、3−・・反射層、4
・−・レーザ光線、5・・・ビット。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式(1)および(2)で示されるクロコニック
メチ/染料の少なくとも1種を含有する有機薄膜を有す
ることを特徴とする光学記録媒体。 一般式 (式中、埃および鳥は、置換もしくは未置換のアルキル
基、環式アルキル基、アリル基、置換もしくは未置換の
アラルキル基または置換もしくは未置換のアリール基を
示す。Z、およびZ。 は、置換−またけ未置換の複素環を完成するに必オンを
示す。)
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57056963A JPS58173696A (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | 光学記録媒体 |
US07/512,587 US5079127A (en) | 1982-04-06 | 1989-04-24 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
US07/512,588 US5079128A (en) | 1982-04-06 | 1990-04-24 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
US07/769,636 US5246814A (en) | 1982-04-06 | 1991-10-01 | Process for recording on optical recording medium |
US07/769,397 US5278026A (en) | 1982-04-06 | 1991-10-01 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
US08/086,113 US5320930A (en) | 1982-04-06 | 1993-07-06 | Optical recording medium and process for recording thereon |
US08/221,904 US5382497A (en) | 1982-04-06 | 1994-04-01 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57056963A JPS58173696A (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58173696A true JPS58173696A (ja) | 1983-10-12 |
JPH0125717B2 JPH0125717B2 (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=13042183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57056963A Granted JPS58173696A (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58173696A (ja) |
Cited By (146)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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