JPS63260489A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カード技術に用いうる改みされた光学的記録媒
体に関するものである。

［従来の技術］ 一般に、光ディスクおよび光カートは、基板の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約１ｇ）ピットをらせん状又は円形のトラック
形態にして高密度情報を記憶することができる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層（
記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ
光線が照射された表面のみかピットを形成し、このピッ
トをらせん状、円形または直線状トラックの形態で形成
する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギー
を吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。例
えば。

ヒートモード記録方式では、レーザ感応層（記録層）は
熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により
小さな四部（ピット）を形成できる。また、別のヒート
モード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの
吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有
するピットを形成できる。

この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ピットが形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される０例えば、レーザ光がト
ラックに沿って走査され、ディスクにより反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。ピットが形成されている部分は、レーザ光の反射は低
くなりフォトディテクターの出力は低下する。一方、ピ
ットが形成されていない部分は、レーザ光は充分に反射
されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクおよび光カードに用いる光学的記録
媒体として、これまてアルミニウム蒸着膜などの全屈Ｂ
　Ｗｉ、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイ
ド系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが
提案されている。これらの薄膜は、一般に３５０〜８０
０ｎｍ付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ光
に対する反射率か高いため、レーザ光の利用率が低い等
の欠点がある。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば、７８０
ｎｍ以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機薄膜の研究がなされている。この様な有機薄膜は、例
えば発振波長か８３０口■付近の半導体レーザによりピ
ットを形成できる点て有効なものである。

しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定て、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機薄膜が開発されているものとはいえないのか現状であ
る。

［発明か解決しようとする闇題点］ 本発明は、この様な現状に鑑みてなされたものであり、
その目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機薄膜からなる
記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機薄膜からな
る記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は感度および記録に伴う光学特性の変
化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は塗工法による製造が可能な光学記録
媒体を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］および［作用］■！ｐ
ら、本発明は下記一般式［ＩＩ又は　ｔＴＩ］で表わさ
れるアズレニウム塩化合物を含有する記録層を有するこ
とを特徴とする光学記録媒体である。

一般式［ＩＩ Ｒ１＋ Ｒ５Ｘｏ 一般式［ＩＩ　］ １１１゜ （但し、一般式［１］および　［Ｉｌｌにおいて、Ａ１
５Ｒ１６ Ｉｌ＋？ 又は−〇　　　を示す。Ｒ１＋　Ｒｔ、　Ｒｆｆ＋　Ｒ
４，Ｒｓ。

Ｒ＋ａ ｎ　Ｇ＋　Ｒ７＋　Ｒ１１＋　Ｒ９，ＲＩＯ＋　ＲＩｌ
＋　ＩＩ２およびＩＩ３は水素原子、ハロゲン原子又は
１価の有機残基を表わし、又はＲ，とＲ２，ＲｚとＲユ
、ＬとＲ，、Ｒ，とＲ５，ＲＳとＲ６およびＲ６とＲ２
の組合せのうち少なくとも１つの組合せで置換又は未置
換の縮合環を形成してもよい。Ｙは置換又゛は未置換の
５員環もしくは６員環を形成する２価の炭化水素基を示
す。ｎは０又は１、ｍはｌ又は２、ｐは１又は２．（１
は０又はｌの整数を示す。ｘｏはアニオン残基を示す。

Ｒ１４は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、
環式アルキル基、アリル基、置換もしくは未置換のアラ
ルキル基又は置換もしくは未置換のアリール基を示す。

Ｚは置換又は未置換の複素環を完成するに必要な原子群
を示す。ｒはＯ又はｌの整数を示す。

Ｑは硫黄原子、酸素原子又はセレン原子な示す。Ｐは置
換されてもよいピラン、チオピラン、セレナピラン、ベ
ンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、
ナフトピラン、ナフトチオピラン又はナフトセレナピラ
ンを完成するに必要な原子群からなる炭化水素基を示す
。ＩＬｓおよび１（、ｂは水素原子、置換もしくは未置
換のアルキル基、を換もしくは未置換のアリール基又は
置換もしくは未置換のスチリル基を示す、Ｓは０又はｌ
の整数を示す。

Ｒ１？およびＲｔ８は水素原子、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換も
しくは未置換のスチリル基又は置換もしくは未置換の複
素環基を示す） 以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作用
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記一
般式［ＩＩ又は　［Ｉｌｌで示されるアズレニウム塩化
合物を含有するｊＪＭからなる記録層を有することに特
徴がある。

一般式［ＩＩおよび　［Ｉｌｌにおいて、Ｒ，、ＩＩ、
。

１１−＋、　Ｒ−、Ｒ５，Ｒ６，Ｒ？、　Ｒ６，１１９
，１，。＋　Ｒ１１＋　Ｉｌｌ□およびＲ１）は水素原
子、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子）又
は１価の有機残基を表わす。

１価の有機残基としては、広範なものから選択すること
ができるが、特にアルキル、！！ｉ（メチル、エチル、
ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル
、ｎ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチ
ルヘキシル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メト
キシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換も
しくは未置換のアリール基（フェニル、トリル、キシリ
ル、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェ
ニル、クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミ
ノフェニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換
もしくは未置換の複素環基（ピリジル、キノリル、カル
バゾリル、フリル、チェニル、ピラゾリルなど）置換も
しくは未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニル
エチル、２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベン
ジル、２−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メ
トキシベンジル、ニトロベンジルなど）、アシル基（ア
セチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイ
ル、トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイルな
ど）、置換もしくは未置換アミノ２！（アミノ、ジメチ
ルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチ
ルアミノ、ベンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置
換スチリル基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジ
エチルアミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メ
トキシスチリル、エトキシスチリル、メチルスチリルな
ど）、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−
エーテル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カ
ルボン酸アミド、シアノ基又は置換もしくは未置換アリ
ールアゾ基（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナ
フチルアゾ、ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェ
ニルアゾ、ニトロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ
、トリルアゾなど）を挙げることができる。

また、Ｒ，とＲ，、Ｒ，とＲ３、Ｒ３とＲ４、Ｒ４とＲ
５，ＲｓとＲ６およびＲ６とＲ７の組合わせのうち、少
なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮合環を形成
してもよい。縮合環としては、置換又は未置換の芳香族
環（ベンゼン、ナフタレン、クロロベンゼン、フロモベ
ンゼン、メチルベンゼン、エチルベンゼン、メトキシベ
ンゼン、エトキシベンゼンなど）、複素環（フラン環、
ベンゾフラン環、とロール環、チオフェン環、ピリジン
環、キノリン環、チアゾール環など）、脂肪族環（ジメ
チレン、トリメチレン、テトラメチレンなど）等が挙げ
られる。

Ｙは置換又は未置換の５員環もしくは６員環を形成する
２価の炭化水素基（−ＣＨ＊　　　Ｃ１ｌ＊−。

ど）を示し、これらの５員環又は６員環はベンゼン環、
ナフタレン環などと縮合されてもよい。

ｎは０又は１．ｍはｌ又は２．Ｐはｌ又は２、ｑは０又
はｌの整数を示す。

また　ｘ８は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン
、過塩素Ｓ塩イオン、硝酸塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル
硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イ
オン、テトラフルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニル
ホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベン
ゼンスルホン酸塩イオン、酢酸塩イオン、トリフルオロ
酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩イオン、安息香酸塩イ
オン、シュウ酸塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン酸
塩イオン、オレイン酸塩イオン。

ステアリン酸塩イオン、クエン酸塩イオン、−水素二リ
ン酸塩イオン、二水素−リン酸塩イオン、ペンタクロロ
スズ酸塩イオン、クロロスルホン酸塩イオン、フルオロ
スルホン酸塩イオン、トリフルオロメタンスルホン酸塩
イオン、ヘキサフルオロヒ酸塩イオン、ヘーキサフルオ
ロアンチモン酸塩イオン、モリブデン酸塩イオン、タン
グステン酸塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩
イオンなどの瞼イオンを示す。

、−−−−２−ｍ−〜 は、水素原子、アルキル基（例えば、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、５ｅＣ−ブチル基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ
−オクチル基、ｔ−オクチルノ人など）、置換アルキル
基（例えば、２−ヒドロキシエチル広、３−ヒドロキシ
プロピル基。

４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエチル基、カ
ルボキシメチル基、２−カルボキシエチル基、３−カル
ボキシプロピル基、２−スルホエチル基、３−スルホプ
ロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフェートプロ
ピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メチルスル
ホニル）−カルバミルメチル基、３−（アセチルスルフ
ァミル）プロピル基、４−（アセチルスルファミル）ブ
チル基など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキシ
ル基など）、アリル基（ＣＨ＊＝　ＣＨ−ＣＩＩ＊−）
などのアルケニル基、アラルキル基（例えば、ベンジル
基、フェネチル基、α−ナフチルメチルス（、β−ナフ
チルメチル基など）、置換アラルキル基（例えば、カル
ボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベン
ジル基など）、アリール基（例えば、フェニル基など）
または置換アリール基（例えば、カルボキシフェニル基
、スルホフェニル基、ヒドロキシフェニル基など）を示
す。

Ｚは、２１換または未置換の複素環１例えばチアゾール
系列の核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾール、
４−フェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、５−
フェニルチアゾール、４．５−ジメチルチアゾール、４
．５−ジフェニルチアゾール、４−（２−チェニル）−
チアゾールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えば
ベンゾチアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−
メチルベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチアゾール
、５．６ジメチルベンゾチアゾール、５−ブロモベンゾ
チアゾール、５−フェニルベンゾチアゾール、５−メト
キシベンゾチアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール
、５．６−シメトキシベンゾチアゾール、５．６−チオ
キシメチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾ
チアゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４，５
，６．７−チトラヒトロペンゾチアゾールなど）、ナフ
トチアゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄｌチ
アゾール、ナンド［ｔ、ｚ−ｄ］チアゾール、５−メト
キシナフト［１，２−ｄｌチアゾール、５−エトキシナ
フト［１，２−ｄ］チアゾール、８−メトキシナフト［
２，１−ｄ］チアゾール、７−メトキシナフト［２，１
−ｄ］チアゾールなど）、チオナフテン［７，６−ａ］
チアゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフテン
［７，６−ｄ］チアゾール）、オキサゾール系列の核（
例えば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾー
ル、４−フェニルオキサゾール、４．５−ジフェニルオ
キサゾール、４−エチルオキサゾール、４．５−ジメチ
ルオキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ベンゾ
オキサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５
−クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾオキサ
ゾール、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−メチル
ベンゾオキサゾール、５．６−ジメ°チルベンゾオキサ
ゾール、５−メトキシベンゾオキサゾール、６−メトキ
シベンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサゾ
ール、６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフ
トオキサゾール系列の核（例えばナツト［２，１−ｄ］
オキサゾール、ナツト［ｔ、ｚ−ｄ］オキサゾールなど
）、セレナゾール系列の核（例えば４−メチルセレナゾ
ール、４−フェニルセレナゾールなど）、ベンゾセレナ
ゾール系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−クロ
ロベンゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾール
、５．６−シメチルベンゾセレナゾール、５−メトキシ
ベンゾセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベンゾ
セレナゾール、５．６−チオキシメチレンベンゾセレナ
ゾール、５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、４．５，
６．７−チトラヒトロペンゾセレナゾールなど）、ナフ
トセレナゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄ］
セレナゾール、ナフト［１，２−ｄ］セレナゾール）、
チアゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチ
アゾリン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリ
ン、４．４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンなど）
、オキサゾリン系列の核（例えばオキサゾリン）、セレ
ナゾリン系列の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリ
ン系列の核（例えばキノリン、６−メチルキノリン、６
−クロロキノリン、６−メドキシキノリン、６−ニトキ
シキノリン、６−ヒトロキシキノリン）、４−キノリン
系列の核（例えばキノリン、６−メドキシキノリン、７
−メチルキノリン、８−メチルキノリン）、ｌ−イソキ
ノリン系列の核（例えばイソキノリン、３．４−ジヒド
ロイソキノリン）、３−イソキノリン系列の核（例えば
イソキノリン）、３．３−ジアルキルインドレニン系列
の核（例えば３，３−ジメチルインドレニン、３．３−
ジメチル−５−クロロインドレ品ン、：ｌ、：１，５−
　トリメチルインドレニン、１，３．７−トリメチルイ
ンドレニン）、ピリジン系列の核（例えばピリジン、５
−メチルビリジン）、ベンゾイミダゾール系列の核（例
えばｌ−エチル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール
、ｌ−ヒドロキシエチル−５，６−ジクロロベンゾイミ
ダゾール、ｌ−エチル−５−ジクロロベンゾイミダゾー
ル、ｌ−エチル−５，６−ジブロモベンゾイミダゾール
、ｌ−エチル−５−フェニルベンゾイミダゾール、１−
エチル−５−フルオロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル
−５−ジアノベンゾイミダゾール、１−（β−アセトキ
シエチル）−５−シアノベンゾイミダゾール、ｌ−エチ
ル−５−クロロ−６−ジアノベンゾイミダゾール、１−
エチル−５−フルオロ−６−ジアノベンゾイミダゾール
、ｌ−エチル−５−アセチルへンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−カルボキシベンゾイミダゾール、ｌ−エチ
ル−５−エトキシカルボニルベンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−スルファミルベンゾイミダゾール、ｌ−エ
チル−５−Ｎ−エチルスルファミルベンゾイミダゾール
、ｌ−エチル−５，６−ジフルオロベンゾイミダゾール
、ｌ−エチル−５，６−ジアノベンゾイミダゾール、ｌ
−エチル−５−エチルスルホニルベンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５−メチルスルホニルベンゾイミダゾール
、１−エチル−５−トリフルオロメチルベンゾイミダゾ
ール、ｌ−エチル−５−トリフルオロメチルスルホニル
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−トリフルオロメ
チルスルフィニルベンゾイミダゾールなど）を完成する
に必要な原子群を表わす。

ｒは０又はｌの整数を示す。

、、−ｐ−−−、、 Ｒ１１１Ｒ１６ 原子、酸素原子又はセレン原子を示す。Ｐは置換されて
もよいピラン、チオピラン、セレナピラン、ベンゾピラ
ン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、ナフトピ
ラン、ナフトチオピラン又はナフトセレナピランを完成
するに必要な原子群からなる炭化水素基を示す。

これらの環にはアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ア
シル、ｔ−アシル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−
オクチル、２−エチルヘキシルなど）、アルコキシ基（
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置
換もしくは未置換アリール基（フェニル、トリル、キシ
リル、ビフェニル、エチルフェニル、メトキシフェニル
、エトキシフェニル、ジェトキシフェニル、ヒドロキシ
フェニル、クロロフェニル、ジクロロフェニル、ブロモ
フェニル、ジブロモフェニル、ニトロフェニル、ジエチ
ルアミノフェニル、ジメチルアミノフェニル、ジベンジ
ルアミノフェニルなど）、スチリル、４−フェニル−１
，３−ブタジェニル、メトキシスチリル、ジメトキシス
チリル、エトキシスチリル、ジェトキシスチリル、ジメ
チルアミノスチリル、４−（ｐ−ジメチルアミノフェニ
ル）−１，：ｌ−ブタジェニル、４−（ｐ−ジエチルア
ミノフェニル）−１，３−ブタジェニルなどのスチリル
基もしくは４−フェニル−】、３−ブタジェニル又はそ
の置換体又は３−カルバゾリル、９−メチル−３−カル
バゾリル、９−エチル−３−カルバゾリル、９−カルバ
ゾリルなどの複素環基によって置換されることかてきる
。

＋１．．５およびＲ１６は、水素原子、アルキル、！！
ｉ（特に炭素原子数１〜１５のアルキル基：例えば、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−
ブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、オクチル、ノ
ニル、ドデシル）、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ
、プロポキシ、ブトキシ、アミロキシ、ヘキソキシ、オ
クトキシなど）、アリールｍ＜フェニル、α−ナフチル
、β−ナフチルなど）、置換アリール基（トリル、キシ
リル、ビフェニル、エチルフェニル、メトキシフェニル
、エトキシフェニル、アミロキシフェニル、ジメトキシ
フェニル、ジェトキシフェニル、ヒドロキシフェニル、
クロロフェニル、ジクロロフェニル、ブロモフェニル、
ジブロモフェニル、ニトロフェニル、ジエチルアミノフ
ェニル、ジメチルアミノフェニル、ジベンジルアミノフ
ェニルなど）、スチリル基又は４−フェニル−１，３−
ブタジェニル、！！（スチリル、４−フェニル−１，３
−ブタジェニル）、置換スチリル基又は４−フェニル−
１，３−ブタジェニル基（メトキシスチリル、ジメトキ
シスチリル、エトキシスチリル、ジェトキシスチリル、
ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミノスチリル、４
−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジェ
ニル、４−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３−
ブタジェニルなど）、置換又は未を換の複素環基（３−
カルバゾリル、９−メチル−３−カルバゾリル、９−エ
チル−３−カルバゾリル、９−カルバゾリル）を表わす
。

Ｒ、、とＲ１６は、結合してベンゼン環を形成してもよ
い。

ＳはＯ又はｌの整数を示す。

＋＋　、　。

Ａ・二〇　　　において、Ｒ１７およびＲ１１１はｔａ 水素原子又はアルキル基（例えば、メチル基、エチル基
、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基
、５ｅｃ−ブチル基、　１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ
−オクチル基、ｔ−オクチル基など）を示し、さらに他
のアルキル基、例えば置換アルキル基（例えば、２−ヒ
ドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒ
ドロキシブチル基、２−アセトキシエチル基、カルボキ
シメチル基、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシ
プロピル基、２−スルホエチル基、３−スルホプロピル
基、４−スルホブチル基、３−スルフェートプロピル基
、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メチルスルホニル
）−カルバミルメチル基、３−（アセチルスルファミル
）プロピル基、４−（アセチルスルファミル）ブチル基
など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基な
ど）、アリル基（ＣＨ，＝　ＣＨ−Ｃ１１□−）、アラ
ルキル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナ
フチルメチル基、β−ナフチルメチル基など）、置換ア
ラルキル基（例えば、カルボキシベンジル基、スルホベ
ンジル基、ヒドロキシベンジル基など）を包含する。さ
らに、　ＲＩ７およびＲｌａは置換もしくは未置換のア
リール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、トリル基
、キシリル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニ
ル基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェニル基、
ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基
、ジプロピルアミノフェニル基、ジベンジルアミノフェ
ニル基、ジフェニルアミノフェニル基など）、置換もし
くは未置換の複素環基（例えば、ピリジル基、キノリル
基、レピジル基、メチルビリジル基、フリル基、チェニ
ル基、インドリル基、ピロール基、カルバゾリル基、Ｎ
−エチルカルバゾリル基など）又は置換もしくは未置換
のスチリル基（例えば、スチリル基、メトキシスチリル
基、ジメトキシスチリル基、トリメトキシスチリル基、
エトキシスチリル基、ジメチルアミノスチリル基、ジエ
チルアミノスチリル基、ジプロピルアミノスチリル基、
ジベンジルアミノスチリル基、ジフェニルアミノスチリ
ル基、２．２−ジフェニルビニル基、２−フェニル−２
−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−
２−フェニルビニル基、２−（ジエチルアミノフェニル
）−２−フェニルビニル基、２−（ジベンジルアミノフ
ェニル）−２−フェニルビニル基、２゜２−ジ（ジエチ
ルアミノフェニル）ビニル基。

２．２−ジ（メトキシフェニル）ビニル基、２゜２−（
エトキシフェニル）ビニル基、２−（ジメチルアミノフ
ェニル）−２−メチルビニル基。

２−（ジエチルアミノフェニル）−２−エチルビニル基
など）を示す。

以下、本発明で用いられるアズレニウム塩化合物の具体
例を下記に列挙するが、これらに制限されるものてはな
い。

前記一般式［１１および［Ｉｌｌて表わされる化合物の
例 Ｃ１１３ＣＲＯ４θ ＣｌＯ４θ Ｃ１１ｓ　　　　　　　　　　ＣＲＯ＜ｅ覗 Ｃ１１３ＣＲＯ４゜ ＣａＩ＋□７ Ｃ１１３ＣＲＯ４゜ ＣＩｌｚ　　　　　　　　　Ｂ０４ｅ Ｃ１１３ＣＲＯ４ｅ Ｃ１１３→Ｄ−Ｓ　Ｏｘ　ｅ ＣＨ３Ｃ１’０４゜ Ｃｌ−１ゴ　　　　　　　　　Ｃ２Ｏ４゜Ｃｌゴ　　　
　　　　　　ＣｌＯ２゜ ＣＨ’　　　　　ｃＩ！ｏ、・ （２１）　　　　　　　　ＣＨｘ ＣＩＩｓ　　　　　　　　　　ＣＲＯ４ｅＣ１（ｉ　　
　　　　　　　　ＣＲＯ＜ｅ前記一般式［Ｉ］および［
１１１て表わされる化合物は米国特許第２７３４９００
号１町細書に開示されているシアニンの合成方法と同様
に、アズレン化合物あるいはアズレン化合物誘導体と、
活性メチル基を有する複素環４級アンモニウム塩化合物
、活性メチル基を有するピリリウム塩化合物、あるいは
活性エチレン基を有する化合物とを、中間類を形成する
、例えば２−クロロ−１−ホルミルヒドロキシエチレン
シクロヘキサン、イソホロンの様なヒドロキシ化合物、
ジヒドロキシ化合物、カルボニル化合物、ジアミノ化合
物あるいはトリメトキシ化合物等と反応させることによ
って合成することができる。

一般式［Ｉ］に用いられるアズレン環としては、その原
料コスト及び誘導されるアズレニウム化合物の溶解性の
点で植物から抽出されるグアイアズレンを用いるのが工
業的には最適である。

本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に、基板１の
上に前記一般式［Ｉ］又は　［ＩＩ］て示されるアズレ
ニウム塩化合物を含有する記録層２を設けることにより
形成することかできる。

ノ＾板１としては、ポリカーボネート、ポリエステル、
アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなとのプラスチ
ック、ガラスあるいは金属類などを用いることができる
。

記録層２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］又は　［
１１で示されるアズレニウム塩化合物を１種または２種
以上組合せて用いることができ、さらに他の染料１例え
ば、前記一般式［Ｉ］又は［■１の化合物以外のポリメ
チン系、アズレン系、ビリリウム系、スクアリウム系、
クロコニウム系、トリフェニルメタン系、キサンチン系
、アントラキノン系、シアニン系、フタロシアニン系、
ジオキサジン系、テトラヒドロコリン系、トリフエッチ
アジン系、フェナンスレン系、金属キレート錯体系染料
など、あるいは金属および金属化合物など、例えば＾ｉ
’、　Ｔｅ、　Ｂｉ、　Ｓｎ、　Ｉｎ、　Ｓｅ。

ＳｎＯ，ＴｅＯ□、　Ａｓ、　Ｃｄなどと混合分散ある
いは積層してもよい。

記録層２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法により
基板ｌ上に形成される。塗布法を用いる場合には、アズ
レニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散した
溶液を基板ｌ上に塗布することによって形成することか
てきる。また必要に応じてＪＡＩＩＱ性および塗１模安
定性を考慮してバインダーを記録層中に混合して成膜す
ることもできる。

塗布の際に使用できる有機溶媒は、前述のアズレニウム
塩化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とするか
によりて異なるか、一般にはメタノール、エタノール、
イソプロパツール、ジアセトンアルコール、メチルセロ
ソルブ等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなど
のアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ール七ツメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル
、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、ジクロルエチレ
ン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、モ
ノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類、
あるいはｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、リグロインな
どの脂肪族炭化水素類などを用いることができる。

また、好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選択
することができる。Ａ体重にはニトロセルロース、リン
酸セルロース、硫酸セルロース。

酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、醋酸セルロ
ース、ミリスチン酸セルロース、バルミチン酸セルロー
ス、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・醋酸セルロ
ースなどのセルロースエステル類、メチルセルロース、
エチルセルロース。

プロピルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロー
スエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、ポリビニルブチラール。

ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール。

ポリビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−
ブタジェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコ
ポリマー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコ
ポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共
重合樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア
クリレート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸
、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリ
ロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフ
タレートなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イソ
ブロビリデンジフェニレンーコ−１，４−０シクロヘキ
シレンジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオ
キシ−３，３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ
（４，４’−イソプロビリデンジフェニレンカーボネー
トーコーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロ
ピリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４″
−５ｅｃ−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポ
リ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーボネ
ート−ブロック−オキシエチレン）などのポリアリ−レ
ート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類、ポ
リウレタン類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂類、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレン、ポ
リブテン、ポリイソブチレンなとのポリオレフィン類、
天然ゴム、インプレンゴム、クロロプレンゴム等のエラ
ストマー類などを用いることかてき、その他場合により
樹脂以外の鯨ロウ、ミツロウ、ラノリン、カルナバワッ
クス、キャンデリラワックス、モンタンワックス、セレ
シンワックス等の天然ワックス、パラフィンワックス、
マイクロクリスタリンワックス等の石油ワックス、酸化
ワックス、エステルワックス、マイヤシャートロブシュ
ワックス等の合成ワックス、ラウリン醜、ミリスチン酸
、バルミチン酸、ステアリン触、ベヘニン酸等の高級脂
肪酸、カナアリルアルコール。ベヘニルアルコール等の
高級アルコール、ショ糖の脂肪酸エステル、ソルビタン
の脂肪酸エステル等のエステル類、オレイルアミド等の
アミド類を適宜混合させることができる。

以上のバインダー９ジオクチルフタレート、ジブチＪレ
フタレート、トリクレジＪレフオスフェート等の可塑剤
、鳳油、植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホ
ン酸ソーダ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエー
テル等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録
層の成膜性、塗膜安定性を高めることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行うことができる。

記録層２中のアズレニウム塩化合物の含有量は通常４０
〜１００重量％、好ましくは５０〜ｔｏｏ　ｉ１量％が
望ましい、４０重量％未満では記録層の十分な光吸収性
と再生レーザー光に対して十分な光反射率を得ることが
できない。

また、記録層２の膜厚は１００人〜２０μｍ、好ましく
は２００人Ｓ１％−が適当である。なお、記録レーザー
光に対して十分な光反射性を有する薄膜な安定に形成で
き得るならば可ス距な限り薄いほうがよい。

さらに、本発明の光学記録媒体は、第２図に示すように
、記録層２上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護層３を設けることができる。

該保護層３は、基板ｌ側から光を照射する場合は不透明
でも差支えない。

また、第３図に示すように、基板ｌと記録層２の間に下
引層４を設けても良い。

また、第４図に示す様に、保護層３及び下引層４を共に
用いることも可能である。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護および（
「）プレグルーブの形成などを目的として設けられる。

（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ボリア′ミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分
子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシ
ランカップリング剤などの種々の物質を用いることがで
き。

（ｂ）、（ｃ）のし１的に対しては上記高分子材料以外
に無機化合物例えばＳ　ｉ　Ｏｚ　＋　ＭｇＦ　２１　
Ｓ　ｉｏ　＋　Ｔ　ｉ　０２　、ＺｎＯ＊ＴｉＮ、　Ｓ
ｉＮなど、金属または半金属例えばＺｎ、　Ｃｕ。

Ｓ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　Ｃｄ、　Ａｇ
、　ＡＲなどを用いることができる。（ｄ）の目的に対
しては金属例えばＡｆ、八ｇなど、または金属光沢を有
する有機９ｉ膜、例えばアズレン染料、メチン染料など
を用いることができる。そして（ｅ）、　（ｆ）の目的
に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は５０人
〜１００４ｍ　、好ましくは２００人〜３０終−が適当
である。

また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護お
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を目
的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ材
料を使用することができる。保護層の膜厚は１０口Å以
上、好ましくは１０００Å以上が適当である。

この際、下引き層および／または保護層中には本発明の
一般式［Ｉ］のアズレニウム塩化合物が含有されていて
もよい。また、下引き層または保護層には安定剤、分散
剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤な
どが含有されていてもよい。

さらに、本発明による光学記録媒体の別の構成としては
、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒体
（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録層
２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンドイッ
チ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着したいわ
ゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明の光学記録媒体、は、アルゴンレーザ（発振波長
４８８ｎｓ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３
３ｎｓ）、ヘリウムーカトミウムレー′ザ（発振波Ｊｊ
４４２ｎｍ）などのガスレーザの照射によって記録する
ことも可能であるが、好ましくは７５０ｎｍ以上の波長
を有するレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半
導体レーザ（発振波長８３０ｎｍ）などの近赤外あるい
は赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によっ
て記録する方法が適している。

また、読み出しのためには、前述のレーザ光線を用いる
ことができる。この際、書込みと読み出しを同一波長の
レーザで行なうことかでき、また異なる波長のレーザで
行なうこともできる。

［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、これ
らに限定されるものではない。

実施例１ 直径１３０層鳳φ、厚さ１．２■履のポリメチルメタク
リレート（以下ｒ　ＰＭＭ＾」と略記する）基板上に、
エポキシ−アクリレート系紫外線硬化樹脂を用いて２Ｐ
法（フォト・ポリマー法）で、厚さ３０ｐｓのプレグル
ーブを設け、その上に前記アズレニウム塩化合物Ｎｏ、
（１）のアズレニウム塩化合物２重量部をジクロルエタ
ン９８重量部に溶解させた液をスピナーコーティング法
により塗布した後、乾燥して８００人の有機薄膜記録層
を得た。

この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモーターで１８００ｒｐ
■に回転させて、発振波長８３０ｎ−の半導体レーザな
用いて、基板側より記録層にスボットサイズ１．５ｇｏ
＋φ、記録パワー６ｍＷ、記録周波数２Ｍｌ１ｚて情報
を書き込み、読み出しパワー０．８ｍＷで再生し、その
再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィルター、
バンド幅３０にＩｌｚ　）　シてＣ／Ｎ比を測定した。

次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、繰り返し１０’回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を６０℃、
９０％Ｉｔ）ｌの条件下に２０００時間放置して、環境
保存安定性試験を行なった後の透過率（８３０ｎ■測定
）およびＣ／Ｎ比を測定した。その結果を表１に示す。

表　　　ｌ 実施例２〜９ 実施例１で用いたアズレニウム塩化合物Ｎｏ。

（１）の化合物をＮｏ、（４）、（７）、（９）、（１
１）、（１６）、（１７）。

（２１）、（２３）にかえて、実施例１と同様の方法で
記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の光学記録媒
体を作製した。

上記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の方
法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例１Ｏおよび１１ 下記化合物Ｎｏ、　（３１）および（３２）と前記アズ
レニウム塩化合物Ｎｏ、（１８）とをそれぞれｔｉｔの
重量比でジクロルエタンに混合し、実施例１と同様の方
法で塗布し、乾燥膜厚８５０人の有機薄膜記録層を設け
、それぞれ実施例ｔｏ、　ｔｔの光学記録媒体を作製し
た。

この様にして作成した実施例ｔｏ、　ｔｔの光学記録媒
体を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３
に示す。

化合物Ｎｏ、（３１） 化合物Ｎｏ、（３２） 比較例１ 実施例１０て用いた化合ＱＮｏ、（１８）を除いた以外
は、実施例１０と同様の方法で光学的記録媒体を作製し
、同様に測定した。その結果を表３に併示する。

実施例１２ 前記化合物Ｎｏ、（２）の化合物２重量部とニトロセル
ロース樹脂（オーバレスラッカー、ダイセル化学■製）
１重量部をメチルエチルケトン９７重量部に混合させた
液をスピナー塗布法により、プレグルーブを設けた直径
１３０ｍ＠φ、厚さ１．２■−のＰＭＭ＾基板上に塗布
し、乾燥膜厚１０００人の有機薄膜記録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１３〜１５ 実施例１２で用いた化合物Ｎｏ、（２）を前記化合物Ｎ
ｏ、（５）、（１０）、（１９）にかえて、実施例１２
と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例１３
〜１５の光学記録媒体を作製した。

上記実施例１３〜１５の光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１６および！７ 前記の化合物Ｎｏ、　（１２）およびＮｏ、　（２２）
の化合物５００ｍｇを蒸着用モリブデンボートに入れ、
１ｘＩｎ−’ｍ５１１ｇ以下に排気した後、プレグルー
ブを設けた直径　１３０ｍｍφ、厚さ１．２■鳳のＰＭ
ＩＩＩＡ基板上に蒸着した。蒸着中は真空室内の圧力が
１０−’ｍｍ１１ｇ以上に上昇しない様にヒータを制御
しながら、９５０人の右ｍ薄膜記録層を形成し、それぞ
れ実施例１６．１７の光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表５に示す。

実施例！８ つオーレッドサイズの厚さ０．４■■ボリカーボネー１
〜（以下ｒＰｃＪと略記する）基板上に、熱プレス法に
よりプレグルーブを設け、その上に前記アズレニウム塩
化合物Ｎｏ、（１）の化合物４重量部をジアセトンアル
コール９６重量部に混合させた液をバーコード法により
塗布した後、乾燥して１０００人の有機ｆｌＪ膜記録層
を得た。さらに、その上にエチレン−酢ビドライフィル
ムを介してつオーレットサイズの厚さ０．：１■鳳のＰ
Ｃ基板と、熱ロール法により密着し、密着構造の光学記
録媒体を作製した。

この様にして作製した光学記録媒体をｘ−Ｙ方向に駆動
するステージ上に取り付け１発振波長８：ｌＯｔ＋＋ｓ
の半導体レーザを用いて、厚さ０．４−　　のｐｃ基板
側より、有機薄膜記録層にスポットサイズ３．０終−φ
、記録パワー４．０ｍ！＃で記録パルス８０終ｓｅｃで
Ｙ軸方向に情報を書き込み、読み出しパワー０．４膳Ｗ
で再生し、そのコントラスト比（Ａ：　Ａ　＝未記録部
の信号強度、Ｂ＝記録部の信号強度）を測定した。

さらに、前記条件て作製した同−記！２媒体を実施例１
と同様の条件の環境保存安定性試験を行ない、その後の
透過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表
６に示す。

表　　６ ［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明の光学記録媒体によれば、長
波長側に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長発振レー
ザーを用いても高感度に記録がｕ（能であり、良好なビ
ット形状の形成により、高いＣ／Ｎ比が得られる。

また、塗工法による製造が可能で、熱に対する安定性の
良い、保存性に優れた再生劣化の少ない光学記録媒体を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。 ｌ・・・基板 ２・・・記録層 ３・・・保護層 ４・・・下引層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式［ I ］又は［II］で表わされるアズレニウ
   ム塩化合物を含有する記録層を有することを特徴とする
   光学記録媒体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］および［II］において、Ａは▲
   数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
   等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を示す。Ｒ＿１
   、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７、
   Ｒ＿８、Ｒ＿９、Ｒ＿１＿０、Ｒ＿１＿１、Ｒ＿１＿２
   およびＲ＿１＿３は水素原子、ハロゲン原子又は１価の
   有機残基を表わし、又はＲ＿１とＲ＿２、Ｒ＿２とＲ＿
   ３、Ｒ＿３とＲ＿４、Ｒ＿４とＲ＿５、Ｒ＿５とＲ＿６
   およびＲ＿６とＲ＿７の組合せのうち少なくとも１つの
   組合せで置換又は未置換の縮合環を形成してもよい。Ｙ
   は置換又は未置換の５員環もしくは６員環を形成する２
   価の炭化水素基を示す。ｎは０又は１、ｍは１又は２、
   ｐは１又は２、ｑは０又は１の整数を示す。Ｘ＾■はア
   ニオン残基を示す。 Ｒ＿１＿４は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル
   基、環式アルキル基、アリル基、置換もしくは未置換の
   アラルキル基又は置換もしくは未置換のアリール基を示
   す。Ｚは置換又は未置換の複素環を完成するに必要な原
   子群を示す。ｒは０又は１の整数を示す。 Ｑは硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を示す。Ｐは置
   換されてもよいピラン、チオピラン、セレナピラン、ベ
   ンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、
   ナフトピラン、ナフトチオピラン又はナフトセレナピラ
   ンを完成するに必要な原子群からなる炭化水素基を示す
   。Ｒ＿１＿５およびＲ＿１＿６は水素原子、置換もしく
   は未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
   基又は置換もしくは未置換のスチリル基を示す。ｓは０
   又は１の整数を示す。 Ｒ＿１＿７およびＲ＿１＿８は水素原子、置換もしくは
   未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基
   、置換もしくは未置換のスチリル基又は置換もしくは未
   置換の複素環基を示す）