JPS58219091A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS58219091A JPS58219091A JP57102580A JP10258082A JPS58219091A JP S58219091 A JPS58219091 A JP S58219091A JP 57102580 A JP57102580 A JP 57102580A JP 10258082 A JP10258082 A JP 10258082A JP S58219091 A JPS58219091 A JP S58219091A
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- JP
- Japan
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- recording medium
- ethyl
- film
- laser
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
- G11B7/2472—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/259—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on silver
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ特に半導体レーザによる書込み記録に
適した光学記録媒体に関し、詳しくは光デイスク技術に
用いうる改善された光学記録媒体に関するものである。
適した光学記録媒体に関し、詳しくは光デイスク技術に
用いうる改善された光学記録媒体に関するものである。
一般に、光ディスクは、基体の上に設は友薄い記録層に
形成された光学的に検出可能な小さな（例えば、約１μ
）ピットをらせん状又は円形のトラック形態に′して高
密度情報を記憶することができる。この様なディスクに
情報を書込むには、レーザ感応層の表面に集束したレー
ザを走査し、このレーザ光線が照射された表面のみがピ
ットを形成し、このピットをらせん状又は円形トラック
の形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。
形成された光学的に検出可能な小さな（例えば、約１μ
）ピットをらせん状又は円形のトラック形態に′して高
密度情報を記憶することができる。この様なディスクに
情報を書込むには、レーザ感応層の表面に集束したレー
ザを走査し、このレーザ光線が照射された表面のみがピ
ットを形成し、このピットをらせん状又は円形トラック
の形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。
例えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層は熱
エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により小
さな凹部（ピット）を形成できる。また、別のヒートモ
ード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸
収により、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有す
るピットを形成できる。
エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により小
さな凹部（ピット）を形成できる。また、別のヒートモ
ード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸
収により、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有す
るピットを形成できる。
この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に沿って走査し、ピットが形成された部分とピットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出される。例えば、レーザがトラックに沿って走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによってそニターされる。ピットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
、ピットが形成されている時はレーザ光線は下層の反射
面によって充分に反射され、フォトディテクターの出力
は大きくなる０ この様な光ディスクに用いる記録媒体として、これまで
アルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸
化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの
無機物質を主に用いたものが提案されている。これらの
薄膜は、一般に３５０〜・＋８００ ｎｍ付近の波長光
で感応性であるとともに、レーザ光に対する反射率が高
いため、レーザ光の利用率が低いなどの欠点がある０ この様なことから、近年比較的長波長（例えば、７８０
ｎｍ以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機被膜の研究がなされている。仁の様な有機薄膜は１例
えば発振波長が８３０ｎｍ付近の半導体レーザにょシビ
ットを形□ 成できる点で有効なものである。
に沿って走査し、ピットが形成された部分とピットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出される。例えば、レーザがトラックに沿って走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによってそニターされる。ピットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
、ピットが形成されている時はレーザ光線は下層の反射
面によって充分に反射され、フォトディテクターの出力
は大きくなる０ この様な光ディスクに用いる記録媒体として、これまで
アルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸
化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの
無機物質を主に用いたものが提案されている。これらの
薄膜は、一般に３５０〜・＋８００ ｎｍ付近の波長光
で感応性であるとともに、レーザ光に対する反射率が高
いため、レーザ光の利用率が低いなどの欠点がある０ この様なことから、近年比較的長波長（例えば、７８０
ｎｍ以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機被膜の研究がなされている。仁の様な有機薄膜は１例
えば発振波長が８３０ｎｍ付近の半導体レーザにょシビ
ットを形□ 成できる点で有効なものである。
しかし、一般に長波長側圧吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定で、しかも昇備性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機被膜が開発されているものとは言えないのが現状であ
る。
、熱に対して不安定で、しかも昇備性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機被膜が開発されているものとは言えないのが現状であ
る。
本発明の目的は、長波長側に吸収帯を４つ有機被膜を有
する光学記録媒体を提供することにある。
する光学記録媒体を提供することにある。
本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機被膜を有す
る光学記録媒体を提供することにある０ 本発明の光学記録媒体は、下記一般式（１）で示される
シアニン化合物を含有する有機被膜を有することに特徴
を有している。
る光学記録媒体を提供することにある０ 本発明の光学記録媒体は、下記一般式（１）で示される
シアニン化合物を含有する有機被膜を有することに特徴
を有している。
一般式（１）
Ｚｌおよびｚｔは、置換または未置換の含窒素複素環、
例えば、チアゾール系列の核（例えばチアゾール、４−
メチルチアゾール、４−７エニルチアゾール、５−メチ
ルチアゾール、５−フェニルチアゾール、４．５−ジメ
チルチアゾール、４．５−ジフェニルチアゾール、４−
（２−チェニル）−チアゾールなど）、ベンゾチアゾー
ル系列の核（例えばベンゾチアゾール、５−り。
例えば、チアゾール系列の核（例えばチアゾール、４−
メチルチアゾール、４−７エニルチアゾール、５−メチ
ルチアゾール、５−フェニルチアゾール、４．５−ジメ
チルチアゾール、４．５−ジフェニルチアゾール、４−
（２−チェニル）−チアゾールなど）、ベンゾチアゾー
ル系列の核（例えばベンゾチアゾール、５−り。
ロベンゾテアゾール、５−メチルベンゾチアゾール、６
−メチルペンゾテアソＩ、５．６ｙメチルベンゾチアゾ
ール、５−７”コモベンゾテアソール。５−フェニルベ
ンツチアゾール、５−メトキシベンゾチアゾール、６−
メトキシベンゾチアゾール、５．６−シメトキシベンゾ
テアゾール、５．６−シオキシメチレンベンゾチアゾー
ル、５−ヒドロキシベンゾチアゾール、６−ヒドロキシ
ベンゾチアゾール、４，５，６．７−チトラヒドロベン
ゾチアゾールなど）、ナフトチアゾール系列の核（例え
ば、ナツト（２，１−ｄ）チアゾール、ナツト（１，２
−ｄ）チアゾール、５−メトキシナフト（１，２−ｄ）
チアゾール、５−エトキシナフト（１，２−ｄ）チアゾ
ール。
−メチルペンゾテアソＩ、５．６ｙメチルベンゾチアゾ
ール、５−７”コモベンゾテアソール。５−フェニルベ
ンツチアゾール、５−メトキシベンゾチアゾール、６−
メトキシベンゾチアゾール、５．６−シメトキシベンゾ
テアゾール、５．６−シオキシメチレンベンゾチアゾー
ル、５−ヒドロキシベンゾチアゾール、６−ヒドロキシ
ベンゾチアゾール、４，５，６．７−チトラヒドロベン
ゾチアゾールなど）、ナフトチアゾール系列の核（例え
ば、ナツト（２，１−ｄ）チアゾール、ナツト（１，２
−ｄ）チアゾール、５−メトキシナフト（１，２−ｄ）
チアゾール、５−エトキシナフト（１，２−ｄ）チアゾ
ール。
８−メトキシナフト（２，１，−ｄ）チアゾール、７−
メトキシナフト（２，１−ｄ）チアゾールなど）、チオ
ナフテン（７，６−ｄ）チアゾール系列の核（例えば、
７−メドキシチオナフテン〔７゜６−ｄ）チアゾール）
、オキサゾール系列の核（例えば、４−メチルオキサゾ
ール、５−メチルオキサゾール、４−フェニルオキサゾ
ール、４、５− ジフェニルオキサゾール、４−エチル
オキサゾール、４．５−ジメチルオキサゾール、５−フ
ェニルオキサゾール）、ベンゾオキサゾール系列の核（
例えば、ベンゾオキサゾール、５−クロロベンゾオキサ
ゾール、５−メチルベンゾオキサゾール、５−フェニル
ベンゾオキサゾ−Ａ／、６−メチルベンゾオキサゾール
、５．６−シメチルペンゾオキサゾール、５−メトキシ
ベンゾオキサゾール、６−メトキシベンゾオキサゾール
、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、６−ヒドロキシ
ベンゾオキサゾールなど）、ナフトオキサゾール系列の
核（例えば、ナフト〔２゜り １−ｄ）、ｔキｚシーＪ、ナ７ ） （１，２−ｄ ）
、オキサゾールなど）、セレナゾール系列の核（例、
ｔｉｔ’、４−メチルセレナゾール、４−フェニルセレ
ナゾールなど）、ベンゾセレナゾール系列の核（例えば
、ベンゾセレナゾール、５−クロロベンゾセレナゾール
、５−メチルベンゾセレナゾール、５．６−シメチルペ
ンゾセレナゾール、５−メトキシベンゾセレナゾール、
５−メチル−６−メトキシベンゾセレナゾール、５．６
−シオキシメテレンペンゾセレナゾール、５−ヒドロキ
シベンゾセレナゾール、４，５，６．７−チトラヒトロ
ヘンゾセどナゾールなど）、ナフトセレナゾール系列の
核（例えば、ナフ）（２，１−ｄ）セレナゾール、ナフ
）（１，２−ｄ）セレナゾール）、チアゾリン系列の核
（例えば、チアゾリン、４−メチルチアゾリン、４−ヒ
ト゛ロキシメチルー４−メチルチアゾリン、４，４−ビ
スーヒト四キシメチルチアゾリンなど）、オキサゾリン
系列の核（例えば、オキサゾリン）、セレナゾリン系列
の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリン系列の核（
例えばキノリン、６−メチルキノリン、６−クロロキノ
リン、６−メドキシキノリン、６−ニトキシキノリン、
６−ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系列の核（例
えば、キノリン、６−メドキシキノリン、７−メチルキ
ノリン、８−メチルキノリン）％ ｔ−イソキノリン
系列の核（例えば、インキノリン、３．４−ジヒドロイ
ソキノリン）、３−イソキノリン系列の核（例えば、イ
ソキノリン）、３．３−ジアルキルインドレニン系列の
核（例えば、３．３−ジメチルインドレニン、３．３−
ジメチルン ー５−クロロイグドレニン、３，３．５−トリメテン ルイ〆ドレニン、 ３，３．７−トＩ）メチルインド
レニン）、ピリジン系列の核（例えばピリジン、５−メ
チルピリジン）、ベンゾイミダゾール系列の核（例えば
、ｌ−エチル−５，６−シクロロベンソイミタソール、
ｌ−ヒドロキシエチル−５゜６−シクロロベンゾイミダ
ゾール、ｌ−エテル−５−１０ロベンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５，６−シフ”ロモベンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５−フェニルベンソイミダゾール、ｌ−エ
チル−５−フルオロベンゾイミタソール、ｌ−エチル−
５−７アノベンゾイミタソール、ｌ−（β−アセトキシ
エチル）−５−シアノベン／イミ、ダゾール、ｌ−エチ
ル−５−クロロ−６−ジアツペンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−フルオロ−６−ジアツベンゾイミダゾール
、ｌ−エチル−５−アセチルベンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−カルボキシベンゾイミダゾール、ｌ−エチ
ル−５−エトキシカルボニルベンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−スルファミルペンツイミダゾール、ｌ−エ
チル−５−Ｎ−エチルスルファミルベンゾイミタソール
、ｌ−エチル−５，６−シフルオロペンゾイミタソール
。
メトキシナフト（２，１−ｄ）チアゾールなど）、チオ
ナフテン（７，６−ｄ）チアゾール系列の核（例えば、
７−メドキシチオナフテン〔７゜６−ｄ）チアゾール）
、オキサゾール系列の核（例えば、４−メチルオキサゾ
ール、５−メチルオキサゾール、４−フェニルオキサゾ
ール、４、５− ジフェニルオキサゾール、４−エチル
オキサゾール、４．５−ジメチルオキサゾール、５−フ
ェニルオキサゾール）、ベンゾオキサゾール系列の核（
例えば、ベンゾオキサゾール、５−クロロベンゾオキサ
ゾール、５−メチルベンゾオキサゾール、５−フェニル
ベンゾオキサゾ−Ａ／、６−メチルベンゾオキサゾール
、５．６−シメチルペンゾオキサゾール、５−メトキシ
ベンゾオキサゾール、６−メトキシベンゾオキサゾール
、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、６−ヒドロキシ
ベンゾオキサゾールなど）、ナフトオキサゾール系列の
核（例えば、ナフト〔２゜り １−ｄ）、ｔキｚシーＪ、ナ７ ） （１，２−ｄ ）
、オキサゾールなど）、セレナゾール系列の核（例、
ｔｉｔ’、４−メチルセレナゾール、４−フェニルセレ
ナゾールなど）、ベンゾセレナゾール系列の核（例えば
、ベンゾセレナゾール、５−クロロベンゾセレナゾール
、５−メチルベンゾセレナゾール、５．６−シメチルペ
ンゾセレナゾール、５−メトキシベンゾセレナゾール、
５−メチル−６−メトキシベンゾセレナゾール、５．６
−シオキシメテレンペンゾセレナゾール、５−ヒドロキ
シベンゾセレナゾール、４，５，６．７−チトラヒトロ
ヘンゾセどナゾールなど）、ナフトセレナゾール系列の
核（例えば、ナフ）（２，１−ｄ）セレナゾール、ナフ
）（１，２−ｄ）セレナゾール）、チアゾリン系列の核
（例えば、チアゾリン、４−メチルチアゾリン、４−ヒ
ト゛ロキシメチルー４−メチルチアゾリン、４，４−ビ
スーヒト四キシメチルチアゾリンなど）、オキサゾリン
系列の核（例えば、オキサゾリン）、セレナゾリン系列
の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリン系列の核（
例えばキノリン、６−メチルキノリン、６−クロロキノ
リン、６−メドキシキノリン、６−ニトキシキノリン、
６−ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系列の核（例
えば、キノリン、６−メドキシキノリン、７−メチルキ
ノリン、８−メチルキノリン）％ ｔ−イソキノリン
系列の核（例えば、インキノリン、３．４−ジヒドロイ
ソキノリン）、３−イソキノリン系列の核（例えば、イ
ソキノリン）、３．３−ジアルキルインドレニン系列の
核（例えば、３．３−ジメチルインドレニン、３．３−
ジメチルン ー５−クロロイグドレニン、３，３．５−トリメテン ルイ〆ドレニン、 ３，３．７−トＩ）メチルインド
レニン）、ピリジン系列の核（例えばピリジン、５−メ
チルピリジン）、ベンゾイミダゾール系列の核（例えば
、ｌ−エチル−５，６−シクロロベンソイミタソール、
ｌ−ヒドロキシエチル−５゜６−シクロロベンゾイミダ
ゾール、ｌ−エテル−５−１０ロベンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５，６−シフ”ロモベンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５−フェニルベンソイミダゾール、ｌ−エ
チル−５−フルオロベンゾイミタソール、ｌ−エチル−
５−７アノベンゾイミタソール、ｌ−（β−アセトキシ
エチル）−５−シアノベン／イミ、ダゾール、ｌ−エチ
ル−５−クロロ−６−ジアツペンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−フルオロ−６−ジアツベンゾイミダゾール
、ｌ−エチル−５−アセチルベンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−カルボキシベンゾイミダゾール、ｌ−エチ
ル−５−エトキシカルボニルベンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−スルファミルペンツイミダゾール、ｌ−エ
チル−５−Ｎ−エチルスルファミルベンゾイミタソール
、ｌ−エチル−５，６−シフルオロペンゾイミタソール
。
１−エチル−５，６−ジシアツベンゾイミダゾール、ｌ
−エチル−５−エチルスルホニルベンゾイミタソール、
ｌ−エチル−５−メチルスルホニルベンゾイミタソール
、ｌ−エチル−５−）リフルオロメチルベンゾイミダゾ
ール、ｌ−エチル−５−） ＩＪフルオロメチルスルホ
ニルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−トリフルオ
ロメチルスルフィニルベンゾイミダゾールナト）を完成
するに必要な非金属原子群を表わす０Ａ重およびＡ２は
、置換又は未置換の５員若しくＬ６員環を形成する２価
の炭化水素基（−α（、−ＯＨ，、ＯＨ，ＯＨｊ を示し、これらの５員又は６員環はベンゼン環、ナフタ
レン環などと縮合されそいてもよい。
−エチル−５−エチルスルホニルベンゾイミタソール、
ｌ−エチル−５−メチルスルホニルベンゾイミタソール
、ｌ−エチル−５−）リフルオロメチルベンゾイミダゾ
ール、ｌ−エチル−５−） ＩＪフルオロメチルスルホ
ニルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−トリフルオ
ロメチルスルフィニルベンゾイミダゾールナト）を完成
するに必要な非金属原子群を表わす０Ａ重およびＡ２は
、置換又は未置換の５員若しくＬ６員環を形成する２価
の炭化水素基（−α（、−ＯＨ，、ＯＨ，ＯＨｊ を示し、これらの５員又は６員環はベンゼン環、ナフタ
レン環などと縮合されそいてもよい。
Ｒ１およびＲ２は、水素原子又はアルキル基（例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基、１ｓｏ−ブチ
ル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ
−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）
を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキル基
（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプ
ロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエ
チル基、カルボキンメチル基、２−カルボキシエチル基
、３−カルボキシ・プロピル基、２−スルホエチル基、
３−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−スル
フェートプロピル基、４−スル７エー）７”チル基、Ｎ
−（メチルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−（
゛アセチルスルファミル）プロピル基、４−（アセチル
スルファミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例え
ば、シクロヘキシル基など）、アリル基（ｏ■、 ＝
ＯＨ−ＯＨ，−）、アラルキル基（例えば、ベンジル基
、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチル
メチル基など）、置換アラルキル基（例えば、カルボキ
シベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル
基など）を包含する。
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基、１ｓｏ−ブチ
ル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ
−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）
を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキル基
（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプ
ロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエ
チル基、カルボキンメチル基、２−カルボキシエチル基
、３−カルボキシ・プロピル基、２−スルホエチル基、
３−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−スル
フェートプロピル基、４−スル７エー）７”チル基、Ｎ
−（メチルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−（
゛アセチルスルファミル）プロピル基、４−（アセチル
スルファミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例え
ば、シクロヘキシル基など）、アリル基（ｏ■、 ＝
ＯＨ−ＯＨ，−）、アラルキル基（例えば、ベンジル基
、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチル
メチル基など）、置換アラルキル基（例えば、カルボキ
シベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル
基など）を包含する。
Ｒ３およびＲ４は、水素原子又は・・ロゲン原子（塩素
原子、臭素原子、沃素原子）を示す。
原子、臭素原子、沃素原子）を示す。
汐は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、
過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、Ｐ−
）ルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エ
チル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオ
ンを表わし、汐はＲ＋および（または）Ｒ２自体が陰イ
オン基、例、ｔｉｌ’ ＳＯＰ、 ０８０３ｅ、
Ｃ００ｅ、 ＳＯｆ’ＮＨ−１−８Ｏ！−’ａ−ｃｏ・
−１Ｓｏｗ−８−８Ｏ・−を含むときには存在しない。
過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、Ｐ−
）ルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エ
チル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオ
ンを表わし、汐はＲ＋および（または）Ｒ２自体が陰イ
オン基、例、ｔｉｌ’ ＳＯＰ、 ０８０３ｅ、
Ｃ００ｅ、 ＳＯｆ’ＮＨ−１−８Ｏ！−’ａ−ｃｏ・
−１Ｓｏｗ−８−８Ｏ・−を含むときには存在しない。
ｍおよびｎは、０又は１を示し、ｌはｌ又は２を示す。
次に、紡記一般式（１）で示されるシアニン化合物の代
表例を挙げる。
表例を挙げる。
化合物Ａ −一一一進遺漕！Ｊ−−−−（１）
本発明の有機被膜は、光デイスク記録に用いることがで
きる。例えば、第１図に示す様な基板１の上に前述の有
機被膜２を形成した記録媒体とすることができる。かか
る有機被膜２は、前述の一般式（１）で示される化合物
を真空蒸着によって形成でき、またバインダー中に前述
のシアニン化合物を含有させた塗工液を塗布することに
よっても形成することができる。塗工によって被膜を形
成する際、前述のシアニン化合物はバインダー中に分散
状態で含有されていてもよく、あるいは非晶質状態で含
有されていてもよい。好適なバインダーとしては、広範
な樹脂から選択することができる。具体的には、ニトロ
セルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロース、酢酸
セルロース、クロピオン酸セルロース、酪酸セルロース
、ミリスチン酸セルロース、パルミチン酸セルロース、
酢酸φプロピオン酸セルロース、酢酸−酪酸セルロース
などのセルロースエステル類、メチルセルロース、エチ
ルセルロース、フロビルセルロース、ブチルセルロース
などのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリ
ビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビニル
ピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−ブタジェン
コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、
スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコポリマー、
１化ビニルー酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類
、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート
、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタ
クリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル
などのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレートな
どのポリエステル類、ポリ（４、４’−イソブロピリデ
ンジフエニレンーコ−１，４−シクロヘキシレンジメチ
レンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３，３
′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４、４’−
イソプロビリデンジフェニレンカーボ、＋−）−コーテ
レフタレート）、ポリ（４、４’−インプロピリデンジ
フェニレンカーボネート）、ポリ（４、４’−５ｅｅ−
ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４、４
’−インフロピリデンジフエニレンカーボネートーブロ
ックーオキシエチレン）などのボリアリレート樹脂類、
あるいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類
、フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロピレン、
塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用い
ることができる。
きる。例えば、第１図に示す様な基板１の上に前述の有
機被膜２を形成した記録媒体とすることができる。かか
る有機被膜２は、前述の一般式（１）で示される化合物
を真空蒸着によって形成でき、またバインダー中に前述
のシアニン化合物を含有させた塗工液を塗布することに
よっても形成することができる。塗工によって被膜を形
成する際、前述のシアニン化合物はバインダー中に分散
状態で含有されていてもよく、あるいは非晶質状態で含
有されていてもよい。好適なバインダーとしては、広範
な樹脂から選択することができる。具体的には、ニトロ
セルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロース、酢酸
セルロース、クロピオン酸セルロース、酪酸セルロース
、ミリスチン酸セルロース、パルミチン酸セルロース、
酢酸φプロピオン酸セルロース、酢酸−酪酸セルロース
などのセルロースエステル類、メチルセルロース、エチ
ルセルロース、フロビルセルロース、ブチルセルロース
などのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリ
ビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビニル
ピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−ブタジェン
コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、
スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコポリマー、
１化ビニルー酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類
、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート
、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタ
クリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル
などのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレートな
どのポリエステル類、ポリ（４、４’−イソブロピリデ
ンジフエニレンーコ−１，４−シクロヘキシレンジメチ
レンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３，３
′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４、４’−
イソプロビリデンジフェニレンカーボ、＋−）−コーテ
レフタレート）、ポリ（４、４’−インプロピリデンジ
フェニレンカーボネート）、ポリ（４、４’−５ｅｅ−
ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４、４
’−インフロピリデンジフエニレンカーボネートーブロ
ックーオキシエチレン）などのボリアリレート樹脂類、
あるいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類
、フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロピレン、
塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用い
ることができる。
塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダーの種類や
前述の化合物をバインダー中に含有させる際、分散状態
とするか、あるいは非晶質状態とするかによって異なっ
てくるが、一般には、メタノール、エタノール、イソプ
ロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキ
シド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレンク
リコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロ
ロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭
素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水
素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイ
ン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香
族類などを用いることができる。
前述の化合物をバインダー中に含有させる際、分散状態
とするか、あるいは非晶質状態とするかによって異なっ
てくるが、一般には、メタノール、エタノール、イソプ
ロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキ
シド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレンク
リコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロ
ロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭
素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水
素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイ
ン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香
族類などを用いることができる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーパーコーティング法、ブレードコーティング法
、ロー°２−コーティング法、カーテンコーティング法
などのコーティング法を用いて行なうことができる。
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーパーコーティング法、ブレードコーティング法
、ロー°２−コーティング法、カーテンコーティング法
などのコーティング法を用いて行なうことができる。
バインダーとともに有機被膜２を形成する際、前述のシ
アニン化合物の含有量は、有機被膜２中において１〜９
０重量％、好ましくは２０〜７０重量％である。また、
有機被膜２の乾燥膜厚あるいけ蒸着膜厚け、１０ミクロ
ン以下、好ましくは２ミクロン以下である。
アニン化合物の含有量は、有機被膜２中において１〜９
０重量％、好ましくは２０〜７０重量％である。また、
有機被膜２の乾燥膜厚あるいけ蒸着膜厚け、１０ミクロ
ン以下、好ましくは２ミクロン以下である。
基板１としては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるいけ
金属類などを用いることができる。
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるいけ
金属類などを用いることができる。
また、本発明は、第２図に示す様に基板ｌと有機被膜２
の間に反射層３を設けることができる。反射層３は、ア
ルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又は
ラミネート層とすることができる。
の間に反射層３を設けることができる。反射層３は、ア
ルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又は
ラミネート層とすることができる。
有機被膜２は、第３図に示す集束されたレーザ光線４の
照射によってビット５を形成することができる。ビット
５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にすると、ピット領
域における反射率を増加させることができる。読み出し
の際、書込みに用いたレーザ光線と同一の波長を有する
が、強度の小さいレーザ光線を用いれば、読み出し光が
ピット領域で大きく反射されるが、非ピット領域におい
ては吸収される。また、別の方法は有機被膜２が吸収す
る第１の波長のレーザ光線で実時間書込みを行ない、読
み出しに有機被膜２を実質的に透過する第２の波長のレ
ーザ光線を用いることである。読み出しレーザ光線は、
ピット領域と非ピット領域における異なる膜厚によって
生じる反射層の変化に応答することができる。
照射によってビット５を形成することができる。ビット
５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にすると、ピット領
域における反射率を増加させることができる。読み出し
の際、書込みに用いたレーザ光線と同一の波長を有する
が、強度の小さいレーザ光線を用いれば、読み出し光が
ピット領域で大きく反射されるが、非ピット領域におい
ては吸収される。また、別の方法は有機被膜２が吸収す
る第１の波長のレーザ光線で実時間書込みを行ない、読
み出しに有機被膜２を実質的に透過する第２の波長のレ
ーザ光線を用いることである。読み出しレーザ光線は、
ピット領域と非ピット領域における異なる膜厚によって
生じる反射層の変化に応答することができる。
本発明の有機被膜は、アルゴンレーザ（発振波長４８８
ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３３ ｎ
ｍ ） 、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４
２ ｎｍ ）などのガスレーザーの照射によって記録す
ることも可能であるが、好ましくは７５０ ｎｍ以上の
波長を有するレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ
素半導体レーザ（発振波長７８０ ｎｍ ）などの近赤
外あるいは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照
射によって記録する方法が適している。また、読み出し
のためには、前述のレーザ光線を用いることができる。
ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３３ ｎ
ｍ ） 、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４
２ ｎｍ ）などのガスレーザーの照射によって記録す
ることも可能であるが、好ましくは７５０ ｎｍ以上の
波長を有するレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ
素半導体レーザ（発振波長７８０ ｎｍ ）などの近赤
外あるいは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照
射によって記録する方法が適している。また、読み出し
のためには、前述のレーザ光線を用いることができる。
この際、書込みと読み出しを同一波長のレーザで行なう
ことができ、また異なる波長のレーザで行なうことがで
きる。
ことができ、また異なる波長のレーザで行なうことがで
きる。
本発明によれば、十分圧改善されたＳ／Ｎ比を得ること
ができ、しかも本発明で用いる有機被膜は、相反則不軌
が小さく、レーザ光線の如く強照度エネルギー光線の利
用度を高くすることができる。さらに、発振波長７５０
ｎｍ以上の波長を有するレーザ光線による記録を可能に
することができる。
ができ、しかも本発明で用いる有機被膜は、相反則不軌
が小さく、レーザ光線の如く強照度エネルギー光線の利
用度を高くすることができる。さらに、発振波長７５０
ｎｍ以上の波長を有するレーザ光線による記録を可能に
することができる。
以下、本発明を実施例に従って詳細に説明する０
実施例１
ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業■製；オーバ
ーレスラッカー；ニトロセルロース２５重量％のメチル
エチルケトン溶液）１２重量部、前述の化合物屋（１）
の化合物３重量部およびメチルエチルケトン７０重量部
をボールミルで十分圧混合した。
ーレスラッカー；ニトロセルロース２５重量％のメチル
エチルケトン溶液）１２重量部、前述の化合物屋（１）
の化合物３重量部およびメチルエチルケトン７０重量部
をボールミルで十分圧混合した。
この混合した液をアルミ蒸着ガラス板上に浸漬コーティ
ング法により塗布した後、乾燥して０、６ ｇ／ゴの記
録層を得た。
ング法により塗布した後、乾燥して０、６ ｇ／ゴの記
録層を得た。
こうして作成した光デイスク記録体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモータで１８０ Ｏｒｐ
ｍの回転を与えながら、スポットサイズ１．０ミクロン
に集束した５ｍＷおよび８１１１１ｚのガリウムーアル
ミニウムーヒ素半導体レーザ（発振波長７８０ｎｍ）を
記録層面にトラック状で照射して記録を行なった。
に取り付け、ターンテーブルをモータで１８０ Ｏｒｐ
ｍの回転を与えながら、スポットサイズ１．０ミクロン
に集束した５ｍＷおよび８１１１１ｚのガリウムーアル
ミニウムーヒ素半導体レーザ（発振波長７８０ｎｍ）を
記録層面にトラック状で照射して記録を行なった。
この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが認められた。また、こ
の光ディスクに低出力のガリウムーアルミニウムーヒ素
半導体レーザを入射し、反射光の検知を行なったところ
、十分なＳ／Ｎ比を有する波形が得られた。
観察したところ、鮮明なピットが認められた。また、こ
の光ディスクに低出力のガリウムーアルミニウムーヒ素
半導体レーザを入射し、反射光の検知を行なったところ
、十分なＳ／Ｎ比を有する波形が得られた。
実施例２
前述の化合物屋（６）の化合物を実施例１と同様の方法
でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法により
塗工してｏ、ｓｙ／ｌｙｔ’の記録層を有する光デイス
ク記録体を作成した。
でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法により
塗工してｏ、ｓｙ／ｌｙｔ’の記録層を有する光デイス
ク記録体を作成した。
この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記
録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なビ
ットが形成されていた。
記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記
録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なビ
ットが形成されていた。
実施例３
前述の化合物Ａ（８）の化合物を実施例１と同様の方法
でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法により
塗工して０．６１／／ｄの記録層を有する光デイスク記
録体を作成した。
でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法により
塗工して０．６１／／ｄの記録層を有する光デイスク記
録体を作成した。
この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記
録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なビ
ットが形成されていた。
記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記
録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なビ
ットが形成されていた。
実施例４
前述の化合物墓０１の化合物を実施例１と同様の方法で
アルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法により塗
工して０．７ Ｉｉ／ゴの記録層を有する光デイスク記
録体を作成した。
アルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法により塗
工して０．７ Ｉｉ／ゴの記録層を有する光デイスク記
録体を作成した。
この光ディスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記
録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なビ
ットが形成されていた。
記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記
録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なビ
ットが形成されていた。
実施例５
前述の化合物Ａａ３の化合物を実施例１と同様の方法で
アルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によシ塗
工して０．８ 、ｐ ／ゴの記録層を有する光デイスク
記録体を作成【７た。
アルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によシ塗
工して０．８ 、ｐ ／ゴの記録層を有する光デイスク
記録体を作成【７た。
この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記
録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なビ
ットが形成されていた。
記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記
録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なビ
ットが形成されていた。
実施例６
前述の化合物Ａ（６）の化合物５００ｍ、ｌｉ’を蒸着
用モリブテンボートに入れ、ＩＸＩ ＯｍｍＨＦ以下に
排気した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中は
真空室内の圧力が１０ ｍｍＨｇ以上に上昇しない様
にヒーターを制御しながら、０．２ミクロンの蒸着膜を
形成させた０こうして作成した光デイスク記録体に実施
例１と同様の方法で情報を記憶させたところ、実施例１
と同様の鮮明なビットが認められ、また実施例１と同様
の方法で情報を再生したが、この際十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が認められた。
用モリブテンボートに入れ、ＩＸＩ ＯｍｍＨＦ以下に
排気した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中は
真空室内の圧力が１０ ｍｍＨｇ以上に上昇しない様
にヒーターを制御しながら、０．２ミクロンの蒸着膜を
形成させた０こうして作成した光デイスク記録体に実施
例１と同様の方法で情報を記憶させたところ、実施例１
と同様の鮮明なビットが認められ、また実施例１と同様
の方法で情報を再生したが、この際十分なＳ／Ｎ比を有
する波形が認められた。
第１図および第２図は、本発明の参療養發参光ディスク
記録体性伶−キ舞の断面図で、第３図はこの光デイスク
記録体の実施態様を示す説明図である。 １・・・基板 ２・・・有機被膜３・・・反射層
４・・・レーザ光線５・・・ピット
記録体性伶−キ舞の断面図で、第３図はこの光デイスク
記録体の実施態様を示す説明図である。 １・・・基板 ２・・・有機被膜３・・・反射層
４・・・レーザ光線５・・・ピット
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式（１）で示される化合物を含有する有機被膜
を有することを特徴とする光学記録媒体。 一般式（１） （式中、Ｚｌおよびｚｌは置換又は未置換の含窒素複素
環を完成するに必要な原子群を示す。人、およびＡ、は
置換又は未置換の５員若しくは６員環を形成する２価の
炭化水素基を示す。賜および馬は、水素原子又は置換も
しくは未置換のアルキル基を示す。Ｒ８および鳥は、水
素原子又はハロゲン原子を示す。Ｘは、陰イオンを示す
。ｍおよびｎは、０又はｌを示し、１はｌ又は２を示す
。）
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57102580A JPS58219091A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 光学記録媒体 |
| US07/512,587 US5079127A (en) | 1982-04-06 | 1989-04-24 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US07/512,588 US5079128A (en) | 1982-04-06 | 1990-04-24 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US07/769,397 US5278026A (en) | 1982-04-06 | 1991-10-01 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US07/769,636 US5246814A (en) | 1982-04-06 | 1991-10-01 | Process for recording on optical recording medium |
| US08/086,113 US5320930A (en) | 1982-04-06 | 1993-07-06 | Optical recording medium and process for recording thereon |
| US08/221,904 US5382497A (en) | 1982-04-06 | 1994-04-01 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57102580A JPS58219091A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58219091A true JPS58219091A (ja) | 1983-12-20 |
| JPH0125718B2 JPH0125718B2 (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=14331159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57102580A Granted JPS58219091A (ja) | 1982-04-06 | 1982-06-14 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58219091A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59150795A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| WO1985005078A1 (en) * | 1984-05-07 | 1985-11-21 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JPS61102292A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-20 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS61205187A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体 |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP57102580A patent/JPS58219091A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59150795A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPH0525676B2 (ja) * | 1983-02-17 | 1993-04-13 | Ricoh Kk | |
| WO1985005078A1 (en) * | 1984-05-07 | 1985-11-21 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| EP0181941A1 (en) * | 1984-05-07 | 1986-05-28 | TDK Corporation | Optical recording medium |
| JPS61102292A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-20 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0553636B2 (ja) * | 1984-10-26 | 1993-08-10 | Ricoh Kk | |
| JPS61205187A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体 |
| JPH0452792B2 (ja) * | 1985-03-08 | 1992-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0125718B2 (ja) | 1989-05-18 |
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| JPH0211137B2 (ja) | ||
| JPH0126358B2 (ja) | ||
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