JPH02200481A

JPH02200481A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JPH02200481A
Application number: JP1017794A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Santo; 剛三東; Chieko Mihara; 知恵子三原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-01-30
Filing date: 1989-01-30
Publication date: 1990-08-08
Anticipated expiration: 2012-01-29
Also published as: JP2577253B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カード技術に用いつる新規な光学的記録媒体に
関するものである。

［従来の技術］一般に、光ディスクおよび光カードは、基板の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約ＩＪＬ）ピットをらせん状又は円形のトラッ
ク形態にして高密度情報を記憶することができる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層（
記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ
光線が照射された表面のみにピットを形成し、このピッ
トをらせん状、円形または直線状トラックの形態で形成
する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギー
を吸収して光学的に検出可能なピットを形成てきる。例
えば、ヒートモード記録方式ては、レーザ感応層（記録
層）は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解
により小さな凹部（ピット）を形成できる。また、別の
ヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・エネル
ギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃度
差を有するピットを形成できる。

この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ピツトか形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される。例えば、レーザ光がト
ラックに沿って走査され、ディスクにより反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。ピットトが形成されている部分は、レーザ光の反射は
低くなりフォトディテクターの出力は低下する。−方、
ピットか形成されていない部分は、レーザ光は充分に反
射されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクおよび光カードに用いる光学的記録
媒体として、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄
膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが提案
されている。これらの薄膜は、一般に３５０〜８０Ｏｎ
ｍ付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対
する反射率が高いため、レーザ光の利用率が低い等の欠
点がある。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば、　７８
０ｎ論以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な
有機ＦＩ膜の研究かなされている。この様な有ａＳＳは
、例えば発振波長が７８０ｎｍ又は８３０ｎ履付近の半
導体レーザによりピットを形成できる点で有効なもので
ある。

しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定な問題がある。

例えば、光学記録媒体の取扱いは必ずしも空調設備の整
ったオフィスでのみ使用されるわけではなく、運送倉庫
での保管、ドライブ装置の機内昇温等を考慮する必要が
あり高温における安定性により優れた媒体が望まれてい
る。特に、光学記録媒体が光カードである場合はカード
としての厚み及び強度の点で中空構造（エアーサンドイ
ッチ構造）を取ることは困難で、記録層上に直接接着剤
で対向基板を貼合せる貼合せ構造となる。その際に用い
る接着剤としては記ａ層の書き込み感度を落さず作業性
に優れるホットメルト系の接着剤が有効である。しかし
、ホットメルト系の接着剤では貼合わせ時に短時間では
あるが１００℃位になる為、記録層はより耐熱性に優れ
たものが望まれている。さらに、光カードは個人での持
ち運びによる取扱いとなる場合が多く、粗雑に扱われる
可能性が高い為、耐熱性を始めとする環境安定性に優れ
たものか望まれている。

［発明が解決しようとする課題］本発明は、この様な現状に鑑みてなされたものであり、
・その目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機薄膜からな
る記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は、高温高湿の環境条件下においても
より安定性の向上した色素薄膜からなる記録層を有する
光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は感度および記録に伴う光学特性の変
化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は塗工法による製造が可能な光学記録
媒体を提供することにある。

［課題を解決するための手段］および［作用］即ち、本
発明は下記一般式ＣＩ　］、　［ＴＩ］、　［ｍｌ。

［ＩＶ］、［Ｖ］または［ＶＩ］て表わされるアザアズ
レニウム塩化合物を一種または二種以上含有する記録層
を有することを特徴とする光学記録媒体である。

一般式［Ｉ］Ｑ。

一般式［１１］一般式［Ｖ］Ｒ３？Ｘｅ（但し、一般式［Ｉ］〜［ＶＩ］において、ＡはＲ４２
Ｒ４：１０ゲン原子又は１価の有機残基を表わし、又はＲ。

とＲｔ、　　ＲｓとＲ３，Ｒ３とＲ，、Ｒ，とＲｓ、　
　Ｒ，とＬＯ＋　　ＲｌＧと８１１＋Ｒ１２とＲ１１お
よびＲｔ３とＲｏの組合せのうち少なくとも１つの組合
せで置換又は未置換の縮合環を形成してもよい。Ｙは置
換又は未置換の５員環もしくは６員環を形成する２価の
炭化水素基を示す。ｅはｌ、２．３又は４．ｍは０又は
１．ｎは１又は２、ｐはｌ又は２、ｑは０又はｌの整数
を示す。Ｘｅはアニオン残基を示す。

Ｒ４１は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、
環式アルキル基、アリル基、置換もしくは未置換のアラ
ルキル基又は置換もしくは未置換のアリール基を示す、
２は置換又は未置換の複素環を完成するに必要な原子群
を示す、ｒは０又はｌの整数を示す。

Ｑは硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を示す。Ｐは置
換されてもよいピラン、チオピラン、セレナピラン、ベ
ンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、
ナフトピラン、ナフトチオピラン又はナフトセレナピラ
ンを完成するに必要な原子群からなる炭化水素基を示す
。Ｒ４２およびＲ４１は水素原子、置換もしくは未置換
のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基又は置
換もしくは未置換のスチリル基を示す。Ｓは０又はｌの
整数を示す。

Ｒ４４およびＲ４Ｓは水素原子、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換も
しくは未置換のスチリル基又は置換もしくは未置換の複
素環基を示す）以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作用
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記一
般式［ＩＩ、　［ＩＩ］、［ＩＩ［］、［ＩＶ］。

［Ｖ］または［ＶＩ］で表わされるアザアズレニウム塩
化合物を一種または二種以上含有する薄膜からなる記録
層を有することに特徴がある。

−８式［ＩＩ、　［ＩＩ］、［ＩＩＩ］、［ＩＶ］、［
Ｖ］および［ＶＩ］において、Ｒ１−Ｒ４゜は水素原子
、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子）又は
１価の有機残基を表わす。

１価の有機残基としては、広範なものから選択すること
ができるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキ
シル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もしくは
未置換のアリール基（フェニル、トリル、キシリル、エ
チルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、
クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェ
ニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換もしく
は未置換の複素環基（ピリジル、キノリル、カルバゾリ
ル、フリル、チエニル、ピラゾリルなど）置換もしくは
未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニルエチル
、２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベンジル、
２−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシ
ベンジル、ニトロベンジルなど）、アシル基（アセチル
、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、ト
リオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど）、
置換もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ
、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ
、ベンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換スチリ
ル基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルア
ミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシス
チリル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、ニ
トロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−エーテル
基、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カルボン酸
アミド、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ
基（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルア
ゾ、ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ
、ニトロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリル
アゾなど）を挙げることかできる。

また、Ｒ，とＲゎＲ２とＲ３，Ｒ，とＲ，、Ｒ，とＲ，
、Ｒ，とＲｌＯ＋　ＲＩＧとＲＩＩ＋　Ｒ１２とＲＩ３
およびＲ８３とＲ１４の組合わせのうち、少なくとも１
つの組合せで置換又は未置換の縮合環を形成してもよい
、縮合環としては、置換又は未置換の芳香族環（ベンゼ
ン、ナフタレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メ
チルベンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エ
トキシベンゼンなど）、複素環（フラン環、ベンゾフラ
ン環、ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、キノリ
ン環、チアゾール環など）、脂肪族環（ジメチレン、ト
リメチレン、テトラメチレンなど）等が挙げられる。

Ｙは置換又は未置換の５員環もしくは６員環を形成する
２価の炭化水素基（−ＣＨｌ−ＣＨ，−Ｃ１１３Ｃ１１
３と）を示し、これらの５員環又は６員環はベンゼン環、
ナフタレン環などと縮合されてもよい。

りは１，２．３又は４、ｍは０又は１．ｎはｌ又は２、
ｐは１又は２、ｑは０又はｌの整数を示す。

また、ｘｏは、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン
、過塩素酸塩イオン、硝酸塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル
硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イ
オン、テトラフルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニル
ホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベン
ゼンスルホン酸塩イオン、酢酸塩イオン、トリフルオロ
酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩イオン、安息香酸塩イ
オン、シュウ酸塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン酸
塩イオン、オレイン酸塩イオン。

ステアリン酸塩イオン、クエン酸塩イオン、−水素二リ
ン酸塩イオン、二水素−リン酸塩イオン、ペンタクロロ
スズ酸塩イオン、クロロスルホン酸塩イオン、フルオロ
スルホン酸塩イオン、トリフルオロメタンスルホン酸塩
イオン、ヘキサフルオロヒ酸塩イオン、ヘキサフルオロ
アンチモン酸塩イオン、モリブデン酸塩イオン、タング
ステン耐塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イ
オンなどの陰イオンを示す。

は、水素原子、アルキル基（例えば、メチル基。

エチル基、ｎ−プロピル基、　１ｓｏ−プロピル基、ｎ
−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ
−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシ
ル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）、置換ア
ルキル基（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒド
ロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセ
トキシエチル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシ
エチル基、３−カルボキシプロピル基、２−スルホエチ
ル基、３−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３
−スルフェートプロピル基、４−スルフェートブチル基
、Ｎ−（メチルスルホニル）−カルバミルメチル基、３
−（アセチルスルファミル）プロピル基、４−（アセチ
ルスルファミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例
えば、シクロヘキシル基など）、アリル基（ＣＯ３−Ｃ
ＨＣＨ２−）などのアルケニル基、アラルキル基（例え
ば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基
、β−ナフチルメチル基など）、置換アラルキル基（例
えば、カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒド
ロキシベンジル基など）、アリール基（例えば、フェニ
ル基など）または置換アリール基（例えば、カルボキシ
フェニル基、スルホフェニル基、ヒドロキシフェニル基
など）を示す。

Ｚは、置換または未置換の複素環１例えばチアゾール系
列の核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾール、４
−フェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、５−フ
ェニルチアゾール、４．５−ジメチルチアゾール、４．
５−ジフェニルチアゾール、４−（２−チエニル）−チ
アゾールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えばベ
ンゾチアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−メ
チルベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチアゾール、
５．６ジメチルベンゾチアゾール、５−ブロモベンゾチ
アゾール、５−フェニルベンゾチアゾール、５−メトキ
シベンゾチアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール、
５，６−シメトキシベンゾチアゾール、５，６−チオキ
シメチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾチ
アゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４，５，
６．７−チトラヒドロペンゾチアゾールなど）、ナフト
チアゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄｌチア
ゾール、ナンド［１，２−ｄ］チアゾール、５−メトキ
シナフト［１，２−ｄｌチアゾール、５−エトキシナフ
ト［１，２−ｄ］チアゾール、８−メトキシナフト［ｚ
、ｘ−ｄ］チアゾール、７−メトキシナフト［２，１−
ｄｌチアゾールなど）、チオナフテン［７，６−ｄｌチ
アゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフテン［
７，６−ｄ］チアゾール）、オキサゾール系列の核（例
えば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール
、４−フェニルオキサゾール、４．５−ジフェニルオキ
サゾール、４−エチルオキサゾール、４，５−ジメチル
オキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ベンゾオ
キサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５−
クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾオキサゾ
ール、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−メチルベ
ンゾオキサゾール、５．６−シメチルベンゾオキサゾー
ル、５−メトキシベンゾオキサゾール、６−メトキシベ
ンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール
、６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフトオ
キサゾール系列の核（例えばナツト［２，１−ｄ］オキ
サゾール、ナツト［１，２−ｄ］オキサゾールなど）、
セレナゾール系列の核（例えば４−メチルセレナゾール
、４−フェニルセレナゾールなど）、ベンゾセレナゾー
ル系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−クロロベ
ンゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾール、５
，６−ジメチルへンゾセレナゾール、５−メトキシベン
ゾオキサゾール、５−メチル−６−メチルベンゾセレナ
ゾール、５．６−シオキシメチレンベンゾセレナゾール
、５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、４、Ｓ、６．７
−チトラヒドロペンゾセレナゾールなど）、ナフトセレ
ナゾール系列の核（例えばナフ）−［２，１−ｄｌセレ
ナゾール、ナツト［１，２−ｄ］セレナゾール）、チア
ゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチアゾ
リン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリン、
４，４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンなど）、オ
キサゾリン系列の核（例えばオキサゾリン）、セレナゾ
リン系列の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリン系
列の核（例えばキノリン、６−メチルキノリン、６−ク
ロロキノリン、６−メドキシキノリン、６−ニトキシキ
ノリン、６−ヒトロキシキノリン）、４−キノリン系列
の核（例えばキノリン、６−メドキシキノリン、７−メ
チルキノリン、８−メチルキノリン）、ｌ−イソキノリ
ン系列の核（例えばイソキノリン、３．４−ジヒドロイ
ソキノリン）、３−イソキノリン系列の核（例えばイン
キノリン）、３．３−ジアルキルインドレニン系列の核
（例えば３．３−ジメチルインドレニン、３，３−ジメ
チル−５−クロロインドレニン。

３．３．５−　トリメチルインドレニン、３，３．７−
　トリメチルインドレニン）、ピリジン系列の核（例え
ばピリジン、５−メチルとリジン）、ベンゾイミダゾー
ル系列の核（例えばｌ−エチル−５，６−ジクロロベン
ゾイミダゾール、ｌ−ヒドロキシエチル−５，６−ジク
ロロベンゾイミダゾール、■−エチルー５−ジクロロベ
ンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５，６−ジブロモベン
ゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−フェニルベンゾイミ
ダゾール、ｌ−エチル−５−フルオロベンゾイミダゾー
ル、ｌ−エチル−５−ジアノベンゾイミダゾール、ｌ−
（β−アセトキシエチル）−５−ジアノベンゾイミダゾ
ール、ｌ−エチル−５−クロロ−６−ジアノベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５−フルオロ−６−ジアノベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−アセチルベンゾイミ
ダゾール、ｌ−エチル−５−カルボキシベンゾイミダゾ
ール、ｌ−エチル−５−エトキシカルボニルベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５−スルファミルベンゾイミダ
ゾール、ｌ−エチル−５−Ｎ−エチルスルファミルベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５，６−ジフルオロベン
ゾイミダゾール、ｌ−エチル−５，６−ジアノベンゾイ
ミダゾール、ｌ−エチル−５−エチルスルホニルベンゾ
イミダゾール、ｌ−エチル−５−メチルスルホニルベン
ゾイミダゾール。

ｌ−エチル−５−トリフルオロメチルベンゾイミダゾー
ル、ｌ−エチル−５−トリフルオロメチルスルホニルベ
ンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−トリフルオロメチ
ルスルフィニルベンゾイミダゾールなど）を完成するに
必要な原子群を表わす。

ｒは０又はｌの整数を示す。

−Ｐ−−〜Ｒ４ＲＲ４’Ｊ原子、酸素原子又はセレン原子を示す、Ｐは置換されて
もよいピラン、チオピラン、セレナピラン、ベンゾピラ
ン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、ナフトピ
ラン、ナフトチオピラン又はナフトセレナピランを完成
するに必要な原子群からなる炭化水素基を示す。

これらの環にはアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ア
シル、ｔ−アシル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−
オクチル、２−エチルヘキシルなど）、アルコキシ基（
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置
換もしくは未置換アリール基（フェニル、トリル、キシ
リル、ビフェニル、エチルフェニル、メトキシフェニル
、エトキシフェニル、ジエトキシフェニルヒトロキシフ
ェニル、クロロフェニル、ジクロロフェニル、ブロモフ
ェニル、ジクロロフェニル、ニトロフェニル、ジエチル
アミノフェニル、ジメチルアミノフェニル、ジベンジル
アミノフェニルなど）、スチリル、４−フェニル−１，
３−ブタジェニル、メトキシスチリル、ジメトキシスチ
リル、エトキシスチリル、ジェトキシスチリル、ジメチ
ルアミノスチリル、４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル
）−１，３−ブタジェニル、４−（ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）−１，３−ブタジェニルなどのスチリル基も
しくは４−フェニル−１，３−ブタジェニル又はその置
換体又は３−カルバゾリル、９−メチルー３−カルバゾ
リル、９−エチル−３−カルバゾリル、９−カルバゾリ
ルなどの複素環基によって置換されることができる。

し２およびＲ４３は、水素原子、アルキル基（特に炭素
原子数ｌ〜１５のアルキル基：例えば、メチル、エチル
、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミ
ル、イソアミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシ
ル）、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ
、ブトキシ、アミロキシ、ヘキソキシ、オクトキシなど
）、アリール基（フェニル、α−ナフチル、β−ナフチ
ルなど）、置換アリール基（トリル、キシリル、ビフェ
ニル、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフ
ェニル、アミロキシフェニル、ジメトキシフェニル、ジ
ェトキシフェニル、ヒドロキシフェニル、クロロフェニ
ル、ジクロロフェニル、ブロモフェニル、ジブロモフェ
ニル、ニトロフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジメ
チルアミノフェニル、ジベンジルアミノフェニルなど）
、スチリル基又は４−フェニル−１，３−ブタジェニル
基（スチリル、４−フェニル−１，３−ブタジェニル）
、置換スチリル基又は４−フェニル−１，３−ブタジェ
ニル基（メトキシスチリル、ジメトキシスチリル、エト
キシスチリル、ジェトキシスチリル、ジメチルアミノス
チリル、ジエチルアミノスチリル、４−（ｐ−ジメチル
アミノフェニル）−１，３−ブタジェニル、４−（ｐ−
ジエチルアミノフェニル）−１，３−ブタジェニルなど
）、置換又は未置換の複素環基（３−カルバゾリル、９
−メチル−３−カルバゾリル、９−エチル−３−カルバ
ゾリル、９−カルバゾリル）を表わす。

Ｒ４２とＲ４：ｌは、結合してベンゼン環を形成しても
よい。

ＳはＯ又はｌの整数を示す。

／Ａ：＝Ｃにおいて、Ｒ４４およびＲ４５は＼ｓ水素原子又はアルキル基（例えば、メチル基、エチル基
、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基
、５ｅｃ−ブチル基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基
、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−
オクチル基、ｔ−オクチル基など）を示し、さらに他の
アルキル基、例えば置換アルキル基（例えば、２−ヒド
ロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒド
ロキシブチル基、２−アセトキシエチル基、カルボキシ
メチル基、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシプ
ロピル基、２−スルホエチル基、３−スルホプロピル基
、４−スルホブチル基、３−スルフェートプロピル基、
４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メチルスルホニル）
−カルバミルメチル基、３−（アセチルスルファミル）
プロピル基、４−（アセチルスルファミル）ブチル基な
ど）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基など
）、アリル基（ＣＨ２＝　ＣＩ−ＣＨ，−）　、アラル
キルｉＷ（例えば、ベンジル基、フェネチル基。

α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基など）、
置換アラルキル基（例えば、カルボキシベンジル基、ス
ルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基など）を包含す
る。さらに、　Ｒ４４およびＲ４’ｉは置換もしくは未
置換のアリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、
トリル基、キシリル基、メトキシフェニル基、ジメトキ
シフェニル基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェ
ニル基、ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフ
ェニル基、ジプロピルアミノフェニル基、ジベンジルア
ミノフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基など）、
置換もしくは未置換の複素環２３ｉ（例えば、ピリジル
基、キノリル基、レピジル基、メチルピリジル基、フリ
ル基、チエニル基、インドリル基、ピロール基、カルバ
ゾリル３．Ｎ−エチルカルバゾリル基など）又は置換も
しくは未置換のスチリル基（例えば、スチリル基、メト
キシスチリル基、ジメトキシスチリル基、トリメトキシ
スチリル基、エトキシスチリル基、ジメチルアミノスチ
リル基、ジエチルアミノスチリル基、ジプロピルアミノ
スチリル基、ジベンジルアミノスチリル基、ジフェニル
アミノスチリル基、２．２−ジフェニルビニル基、２−
フェニル−２−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノ
フェニル）−２−フェニルビニル基、２−（ジエチルア
ミノフェニル）−２−フェニルビニル基、２−（ジベン
ジルアミノフェニル）−２−フェニルビニル基、２゜２
−ジ（ジエチルアミノフェニル）ビニル基、２．２−ジ
（メトキシフェニル）ビニル基、２゜２−（エトキシフ
ェニル）ビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−
２−メチルビニル基、２−（ジエチルアミノフェニル）
−２−エチルビニル基など）を示す。

以下、本発明で用いられるアザアズレニウム塩化合物の
具体例を下記に列挙するが、これらに制限されるもので
はない。

前記一般式［］で表わされる化合物の例ｃｐｏ、８Ｈ３前記一般式［ｎ］て表わされる化合物の例３ＣＲ０４８Ｃ１ｌユ＋＋３ｃ：Ｃｊ）０．８８Ｆ、θ 前記一般式［ＩＩＩ］で表わされる化合物の例Ｃθ Ｈ３２ＣＨ３＋ＳＯ３゜前記一般式［ＩＶ］て表わされる化合物の例Ｃ２Ｏ４゜Ｈ３１；Ｈ３ＣＨｚ前記一般式［Ｖ］で表わされる化合物の例前記一般式［ＶＩ］て表わされる化合物の例８Ｆ、。

Ｃ）ｌコＣＨ３前記一般式［Ｉ］〜［ＶＩ］て表わされる化合物は米国
特許第２７３４９００号明細書に開示されているシアニ
ンの合成方法と同様に、アザアズレン化合物あるいはア
ザアズレン化合物誘導体と、活性メチル基を有する複素
環４級アンモニウム塩化合物、活性メチル基を有するピ
リリウム塩化合物。

あるいは活性エチレン基を有する化合物とを、中間銅を
形成する１例えばマロンジアルデヒド類。

グルタコンジアルデヒド類、２−クロロ−１−ホルミル
ヒドロキシエチレンシクロヘキサン、イソホロンの様な
ヒドロキシ化合物、ジヒドロキシ化合物、カルボニル化
合物、ジアミノ化合物あるいはトリメトキシ化合物等と
反応させることによって合成することかできる。

本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に、基板ｌの
上に前記一般式［Ｉ］〜［ＶＩ］て示されるアザアズレ
ニウム塩化合物を含有する記録層２を設けることにより
形成することができる。

基板ｌとしては、ポリカーボネート、ポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラスあるいは金属類などを用いることができる。

記録層２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］〜［ＶＩ
］で示されるアザアズレニウム塩化合物を一種または二
種以上組合せて用いることができ。

さらに他の染料１例えば、前記一般式［Ｉ］〜［ＶＩ］
の化合物以外のアザアズレン系、ポリメチン系、アズレ
ン系、ピリリウム系、スクアリウム系、クロコニウム系
、トリフェニルメタン系、寿サンテン系、アントラキノ
ン系、シアニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン系
、テトラヒドロコリン系、トリフエッチアジン系、フェ
ナンスレン系、アミニウム塩・ジイモニウム塩基、金属
キレート錯体系染料など、あるいは金属および金属化合
物など、例えばｋｌ、　Ｔｅ、　Ｂｉ、　Ｓｎ、　Ｉｎ
、　Ｓｅ。

ＳｎＯ，Ｔｅａ、、　Ａｓ、　Ｃｄなど、あるいは紫外
線吸収剤などと混合分散あるいは積層してもよい。

記録層２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法により
基板ｌ上に形成される。塗布法を用いる場合には、アザ
アズレニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散
した溶液を基板ｌ上に塗布することによって形成するこ
とかてきる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性
を考慮してバインダーを記録層中に混合して成膜するこ
ともできる。

塗布の際に使用できる有機溶媒は、前述のアザアズレニ
ウム塩化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とす
るかによって異なるが、一般にはアルコール系、ケトン
系、アミド系、エーテル系、エステル系、脂肪族ハロゲ
ン化炭化水素系、芳香族系、脂肪族炭化水素系などの溶
媒を用いることができる。

また、バインダーとしては、例えばニトロセルロース、
エチルセルロース、ポリスチレン、ポリビニルピロリド
ン、ポリメチルメタクリレート。

ポリアミドなどが挙げられる。また、必要により、ワッ
クス、高級脂肪酸、アミド類（例えば、オレイルアミド
）を添加剤として用いる。

以上のバインダーにジオクチルフタレート、ジブチルフ
タレート、トリクレジルフォスフェート等の可塑剤、鉱
油、植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン醜
ソータ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録層の
成膜性、塗膜安定性を高めることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレートコーティング法
、カーテンコーティング法、ローラーコーティング法、
グラビアコーティング法などのコーティング法を用いて
行うことがてきる。

記録層２中のアザアズレニウム塩化合物の含有量は通常
４０〜１００重量％、好ましくは５０〜１００重量％が
望ましい、４０重量％未満では記録層の十分な光吸収性
と再生レーザー光に対して十分な光反射率を得ることが
てきない。

また、記録層２の膜厚は１００人〜２昨■、好ましくは
２００人〜ｔｇ■が適当である。なお、記録レーザー光
に対して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成でき
得るならば可能な限り薄いほうがよい。

さらに、本発明の光学記録媒体は、第２図に示すように
、記録層２上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護層３を設けることができる。

該保護層３は、基板ｌ側から光を照射する場合は不透明
でも差支えない。

また、第３図に示すように、基板ｌと記録層２の間に下
引層４を設けても良い。

また、第４図に示す様に、保護層３及び下引層４を共に
用いることも可能である。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護および（
ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられる。

（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシラ
ンカップリンク剤などの種々の物質を用いることができ
。

（ｂ）、（Ｃ）の目的に対しては上記高分子材料以外に
無機化合物、例えば５ｔｏｐ、　ＭｇＦ２．　Ｓｔ、、
　Ｔ＋Ｌｅ　ＺｎＯ、ＴｉＮ、　ＳｊＮなど、金属また
は半金属１例えばＺｎ。

Ｃｕ、　Ｓ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　（：
ｄ、　Ａｇ、　Ａｉ’などを用いることができる。（ｄ
）の目的に対しては金属、例えばＡｊ）、　Ａｇなと、
または金属光沢を有する有機薄膜、例えばシアニン染料
、メチン染料などを用いることがてきる。そして（ｅ）
、　（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることがてきる。下引き
層の膜厚は５０人〜１００ｇｍ　、好ましくは２００人
〜３０勝園が適当である。

また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護お
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を目
的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ材
料を使用することができる。保護層の膜厚は１００Å以
上、好ましくは１０００Å以上が適当である。

この際、下引き層および／または保護層中には本発明の
一般式［Ｉ］〜［ＶＩ］のアザアズレニウム塩化合物が
含有されていてもよい、また、下引き層または保護層に
は安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活
性剤、可塑剤などが含有されていてもよい。

さらに１本発明による光学記録媒体の別の構成としては
、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒体
（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録層
２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンドイッ
チ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着したいわ
ゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明の光学記録媒体は、ヘリウム−ネオンレーザ（発
振波長６３３ｎｍ）などのガスレーザの照射によって記
録することも可能であるが、好ましくは７５０ｎｍ以上
の波長を有するレーザ、特にガリウムーアルミニウムー
ヒ素半導体レーザ（発振波長８３０ｎｍ）などの近赤外
あるいは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射
によって記録する方法が適している。また、読み出しの
ためには、前述のレーザ光線を用いることかできる。こ
の際、書込みと読み出しを同一波長のレーザで行なうこ
とができ、また異なる波長のレーザで行なうこともてき
る。

［実施例］以下１本発明を実施例に従って詳細に説明するか、これ
らに限定されるものではない。

実施例１直径１：１０５ｍφ、厚さ１．２厘−のインジェクショ
ン成形によりプレグルーブを設けたポリカーボネート（
以下、ＰＣと略記する）基板上に、前記アザアズレニウ
ム塩化合物Ｎｏ、（１）のアザアズレニウム塩化合物３
重量部をジアセトンアルコール９７重量部に溶解させた
液をスピナーコーティング法により塗布した後、乾燥し
て８００人の有機薄膜記録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモーターで１１３００ｒ
ｐｍに回転させて、発振波長８３０ｎ−の半導体レーザ
を用いて、基板側より記録層にスポットサイズ１．５μ
ｍφ、記録パワー８ｍＷ、記録周波数３Ｍｌ１ｚで情報
を書き込み、読み出しパワー０．８■Ｗで再生し、その
再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィルター、
ハンド幅３０にｌｌｚ　）　Ｌ／てＣ／Ｎ比を測定した
。

次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、繰り返しＩＯ″回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を６５℃、
８５％ＲＨの条件下に２０００時ｒＩＪ＋放置して、環
境保存安定性試験を行なった後の透過率（８：ｌＯｎ＠
測定）およびＣ／Ｎ比を測定した。その結果を表１に示
す。

表　　　１実施例２〜９実施例１で用いたアザアズレニウム塩化合物Ｎｏ、（１
）の化合物をＮｏ、（４）、　（８）、　（１１）、　
（１４）。

（２１）、　（２５）、　（２９）、　（３２）にかえ
て、実施例１と同様の方法で記録媒体を作製し、それで
れ実施例２〜９の光学記録媒体を作製した。

上記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の方
法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例１Ｏおよび１１下記化合物Ｎｏ、（３７）および（３８）と前記アザア
ズレニウム塩化合物Ｎｏ、（５）とをそれぞれｌ：２の
ｆｆｆ量比でジアセトンアルコールに混合し、実施例１
と同様の方法で塗布し、乾燥膜厚８５０人の有機薄膜記
録層を設け、それぞれ実施例１０．１１の光学記録媒体
を作製した。

この様にして作成した実施例ｔｏ、　ｔｔの光学記録媒
体を実施例１と同様の方法て測定した。その結果を表３
に示す。

化合物Ｎｏ、（３７）化合物Ｎｏ、　（：１８）ＣｌＯ２゜比較例１実施例１Ｏで用いた化合物Ｎｏ、（５）を除し）だ以外
は、実施例１Ｏと同様の方法で光学記録媒体を作製し、
同様に測定した。その結果を表３に併示する。

し２＋１５しｇｕｎ” し２Ｈ’１実施例１２前記化合物Ｎｏ、（８）の化合物２重量部とニトロセル
ロース樹脂（オーパレスラッカー、ダイセル化学■製）
１重量部をジアセトンアルコール９７重量部に混合させ
た液をスピナー塗布法により、インジェクション成形に
よりプレグルーブを設けた直径１３０ｍｍφ、厚さ１．
２１のｐｃ基板上に塗布し、乾燥膜厚１ｏｏｏ人の有機
薄膜記録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１３〜１５実施例１２で用いた化合５ｆ！ｓＮｏ、（８）を前記化
合物Ｎｏ、（１５）、　（２３）、　（：１１）にかえ
て、実施例１２と同様の方法で記録媒体を作製し、それ
ぞれ実施例１３〜１５の光学記録媒体を作製した。

上記実施例１３〜１５の光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１６つオーレットサイズの厚さ０．４ｍｍＰＣ基板上に、熱
プレス法によりプレグルーブを設け、その上に前記アザ
アズレニウム塩化合％５　Ｎｏ、（３５）の化合物３重
量部をジアセトンアルコール９７重量部に混合させた液
をバーコード法により塗布した後、乾燥して１０００人
の有機薄膜記録層を得た。さらに、その上にエチレン−
酢ビドライフィルムを介してつオーレッドサイズの厚さ
０．：１ｍｍのＰＣ基板と、熱ロール法により密着し、
密着構造の光学記録媒体を作製した。

この様にして作製した光学記録媒体をｘ−Ｙ方向に駆動
するステージ上に取り付け、発振波長８３０ｒｖの半導
体レーザな用いて、厚さ０．４ｍ−のＰｃ２Ｓｉ板側よ
り、有ＪａｆＪＩ１２記録層にスポットサイズ３．０絡
−φ、記録パワー３．５鳳Ｗて記録パルス５０終ｓｅｃ
でＹ軸方向に情報を書き込み、読み出しパワー０．３鳳
Ｗて再生し、そのコントラスト比部の信号強度）を測定
した。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験を行ない、その後の透
過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表５
に示す。

表　　５１７〜２０の光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した実施例１７〜２０の光学記録媒体
を実施例１と同様の方法て測定した。その結果を表６に
示す。

実施例１７〜２０前記アズレン化合物Ｎｏ、（１）と（８）、　（２）と
（１２）、（１７）と（２６）、　（１８）と（３５）
の組合せでそれぞれにｌ＝１の重量比でジアセトンアル
コールに混合し、実施例１と同様の方法で塗布し、乾燥
膜厚８０口人の有機薄膜記録層を設け、それぞれ実施例
［発明の効果］以上説明した様に、本発明の光学記録媒体によれば、長
波長側に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長発振レー
ザーを用いても高感度に記録か可能であり、良好なピッ
ト形状の形成により、高いＣ／Ｎ比が得られる。

また、塗工法による製造か可能で、熱に対する安定性の
良い、保存性に優れた再生劣化の少ない光学記録媒体を
提供することがてきる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。ｌ・・・基板２・・・記録層３・・・保護層４・・・下引層

Claims

【特許請求の範囲】下記一般式［ I ］、［II］、［III］、［IV］、［Ｖ］
または［VI］で表わされるアザアズレニウム塩化合物を
一種または二種以上含有する記録層を有することを特徴
とする光学記録媒体。一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［IV］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［Ｖ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［VI］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］〜［VI］において、Ａは▲数式
、化学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を示す。Ｒ＿１
〜Ｒ＿４＿０は水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機
残基を表わし、又はＲ＿１とＲ＿２、Ｒ＿２とＲ＿３、
Ｒ＿３とＲ＿４、Ｒ＿４とＲ＿５、Ｒ＿９とＲ＿１＿０
、Ｒ＿１＿０とＲ＿１＿１、Ｒ＿１＿２とＲ＿１＿３お
よびＲ＿１＿３とＲ＿１＿４の組合せのうち少なくとも
１つの組合せで置換又は未置換の縮合環を形成してもよ
い。Ｙは置換又は未置換の５員環もしくは６員環を形成
する２価の炭化水素基を示す。ｌは１、２、３又は４、
ｍは０又は１、ｎは１又は２、ｐは１又は２、ｑは０又
は１の整数を示す。Ｘ＾■はアニオン残基を示す。Ｒ＿４＿１は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル
基、環式アルキル基、アリル基、置換もしくは未置換の
アラルキル基又は置換もしくは未置換のアリール基を示
す、Ｚは置換又は未置換の複素環を完成するに必要な原
子群を示す。ｒは０又は１の整数を示す。Ｑは硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を示す。Ｐは置
換されてもよいピラン、チオピラン、セレナピラン、ベ
ンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、
ナフトピラン、ナフトチオピラン又はナフトセレナピラ
ンを完成するに必要な原子群からなる炭化水素基を示す
、Ｒ＿４＿２およびＲ＿４＿３は水素原子、置換もしく
は未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基又は置換もしくは未置換のスチリル基を示す、ｓは０
又は１の整数を示す。Ｒ＿４＿４およびＲ＿４＿５は水素原子、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基
、置換もしくは未置換のスチリル基又は置換もしくは未
置換の複素環基を示す）