JPS63168392A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光学記録媒体に関し、特に光ディスクまたは光
カード技術に用いつる記録再生特性および保存安定性を
向上させた光学記録媒体に関する。

［従来の技術］ 一般に、光ディスクおよび光カードは、基体の上に設け
た薄い記＃ｉ層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約１μ）ビットをらせん状又は円形および直
線状のトラック形態にして高密度情報を記録することが
できる。この様なディスクに情報を書込むには、レーザ
感応層の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ光
線が照射された表面のみがビットを形成し、このビット
をらせん状又は円形および直線状のトラックの形態で形
成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギーを吸収し
て光学的に検出可能なビットを形成できる。

例えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層は熱
エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により小
さな凹部（ビット）を形成できる。また、別のヒートモ
ード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸
収により、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有す
るビットを形成できる。

この種の光記録再生装置に用いられる光記録媒体として
は、基板、金属反射層および色素を含む記録層から構成
されているものが知られている。

この光記録媒体は色素を含む記録層に入射するレーザ光
が金属反射層に達して反射されるようにして反射光を検
出しやすいように形成したものであって、この場合前記
金属反射層は記録層のみでは不足する反射光量を補うた
めに設けられている。

しかしながら、金属反射層の存在は光記録媒体の構成を
複雑にすると共に高コスト化の１３９１となりている。

そこで、反射率の高い記録層として有機色素薄膜を用い
ることにより、前記の欠点を除去することができる。特
に、有機色素薄膜として、レーザ光に対する光吸収の大
きいポリメチン系色素、アズレン系色素、シアニン系色
素、ビリリウム系色素等を用いると、金属光沢（反射率
１０〜５０％）を示す光吸収反射膜が得られ、レーザ記
録が可能で反射読み出しが可能な光学記録媒体になる。

特にレーザ光源として発掘波長７００〜８００ｎｍ半導
体レーザを用いると装置の小型化、低コスト化が可能と
なる利点を有している。

しかしながら、有機色素薄膜は、一般に熱および光に対
して、物質変化しやすい等の原因から、記録再生特性お
よび保存安定性が低下するという問題があった。

また、光学記録媒体は、上述の記録方法におけるように
、同じレーザを用いて強いレーザパワーで記録し、さら
に弱いレーザパワーで再生するため、レーザパワーに対
するしきい値が明確である必要がある。しかし、有機色
素薄膜は、無１ＦｉＩ膜に比べて上述のような明確なし
きい値が得にくく、再生時において劣化しやすいのが現
状であった。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、有機色素薄膜の熱および光に
対する安定性を改良し、長期保存性および繰り返し再生
特性を向上させることである。

また、本発明の別の目的は、高い感度とＣ／Ｎ比（キャ
リア／ノイズ比）を有するとともにレーザパワーに対す
る明確なしきい値を有する記録再生特性の優れた光学記
録媒体を提供することである。

［問題点を解決するための手段］および［作用］即ち、
本発明の光学記録媒体は、下記の一般式［Ｉコ、［１１
］、［ＩＩＩコまたは［ＩＶ］テ表わされるピリリウム
化合物のうちの少なくとも１つとアミニウム塩化合物ま
たはジイモニウム塩化合物のうち少なくとも１つとを含
有する記録層を有する光学記録媒体である。

一般式［Ｉ］ 八〇 式中、ｘＬおよびＸｔは、硫黄原子、酸素原子、セレン
原子又はテルル原子を示す。Ｚｌは、置換されてもよい
ピリリウム、チオピリリウム、セレナピリリウム、テル
ロビリリウム、ベンゾピリリウム、ベンゾチオピリリウ
ム、ベンゾセレナピリリウム、ベンゾテルロビリリウム
、ナフトピリリウム、ナフトチオピリリウム、ナフトセ
レナピリリウム又はナフトテルロビリリウムを完成する
に必要な原子群からなる炭化水素基を示し、ｚ２は置換
されてもよいピラン、チオピラン、セレナピラン、テル
ロビラン、ベンゾピラン、ベンゾチオビラン、ベンゾセ
レナビラン、ベンゾテルロビラン、ナフトピラン、ナフ
トチオビラン、ナフトセレナピラン又はナフトテルロピ
ランを完成するに必要な原子群からなる炭化水素基を示
す、置換基としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子
などのハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソアミル、
ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシルなどのアルキル
基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、アミ
ロキシ、ヘキソキシ、オクトキシなどのアルコキシ基、
フェニル、α−ナフチル、β−ナフチルなどのアリール
基、トリル、キシリル、ビフェニル、エチルフェニル、
メトキシフェニル、エトキシフェニル、アミロキシフェ
ニル、ジメトキシフェニル、ジェトキシフェニル、ヒド
ロキシフェニル、クロロフェニル、ジクロロフェニル、
ブロモフェニル、ジブロモフェニル、ニトロフェニル、
ジエチルアミノフェニル、ジメチルアミノフェニル、ジ
ベンジルアミノフェニルなどの置換アリール基、などを
挙げることができる。

Ｒ１＋　Ｒ２，ＲｓおよびＲ４は、各々（ａ）水素原子 （ｂ）置換もしくは未置換のアルキル基、特に炭素原子
数１〜１５のアルキル基：例えば、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、
イソアミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシル （Ｃ）アリール基：フェニル、α−ナフチル、β−ナフ
チル （ｄ）置換アリール基ニトリル、キシリル、ビフェニル
、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニ
ル、アミロキシフェニル、ジメトキシフェニル、ジェト
キシフェニル、ヒドロキシフェニル、クロロフェニル、
ジクロロフェニル、ブロモフェニル、ジブロモフェニル
、ニトロフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジメチル
アミノフェニル、ジベンジルアミノフェニル Ｒ５，Ｒ６およびＲ２は、水素原子、ハロゲン原子（塩
素原子、臭素原子、フッ素原子）、置換もしくは未置換
のアルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ア
ミル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、カルボキシ
プロピル）、置換もしくは未置換のアリール基（フェニ
ル、トリル、キシリル、ヒドロキシフェニル、カルボキ
シフェニル、α−ナフチル、β−ナフチル）又は置換も
しくは未置換のアラルキル基（ベンジル、フェネチル、
３−フェニルプロピル、メトキシベンジル、メチルベン
ジル）を示す。

八〇は、陰イオン例えばバークロレート、フルオロボレ
ート、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、サルフ
ェート、バーアイオダイド、Ｐ−トルエンスルフォネー
トなどを表わす。

ｍおよびρは、１又は２を示す。ｎは０，１゜２または
３を示す。但し、ｎが２または３の時、Ｒ６はそれぞれ
同一であってもよく、文具なっていてもよい、又Ｒ６も
それぞれ同一であってもよく、文具なっていてもよい。

一般式［ＩＩ　］ 八〇 ２、は、置換または未置換の含窒素複素環、例えばチア
ゾール系列の核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾ
ール、４−フェニルチアゾール、５−メチルチアゾール
、５−フェニルチアゾール、４．５−ジメチルチアゾー
ル、４．５−ジフェニルチアゾール、４−（２−チェニ
ル）−チアゾールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（
例えばベンゾチアゾール、５−クロロベンゾチアゾール
、５−メチルベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチア
ゾール、５．６ジメチルベンゾチアゾール、５−ブロモ
ベンゾチアゾール、５−フェニルベンゾチアゾール、５
−メトキシベンゾチアゾール、６−メトキシベンゾチア
ゾール、５．６−シメトキシベンゾチアゾール、５．６
−シオキシメチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロキシ
ベンゾチアゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、
４，５，６．７−チトラヒドロペンゾチアゾールなど）
、ナフトチアゾール系列の核（例えばナフト［２，１−
ｄｌチアゾール、ナフト［１，２−ｄ］チアゾール、５
−メトキシナフト［１，２−ｄ］チアゾール、５−エト
キシナフト［１，２−ｄ］チアゾール、８−メトキシナ
フト［２，１−ｄ］チアゾール、７−メトキシナフト［
２，１−ｄｌチアゾールなど）、チオナフテン［７，６
−ｄ］チアゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナ
フテン［７，６−ｄ］チアゾール）、オキサゾール系列
の核（例えば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキ
サゾール、４−フェニルオキサゾール、４．５−ジフェ
ニルオキサゾール、４−エチルオキサゾール、４．５−
ジメチルオキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、
ベンゾオキサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾー
ル、５−クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾ
オキサゾール、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−
メチルベンゾオキサゾール、５．６−シメチルベンゾオ
キサゾール、５−メトキシベンゾオキサゾール、６−メ
トキシベンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキ
サゾール、６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、
ナフトオキサゾール系列の核（例えばナフト［２，１−
ｄ］オキサゾール、ナフト［１，２−ｄ］オキサゾール
など）、セレナゾール系列の核（例えば４−メチルセレ
ナゾール、４−フェニルセレナゾールなど）、ベンゾセ
レナゾール系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−
クロロベンゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾ
ール、５．６−シメチルベンゾセレナゾール、５−メト
キシベンゾセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベ
ンゾセレナゾール、５．６−シオキシメチレンベンゾセ
レナゾール、５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、４．
５，６．７−チトラヒドロペンゾセレナゾールなど）、
ナフトセレナゾール系列の核（例えばナフト［２，１−
ｄ］　　セレナゾール、ナフト［ｌ、２−ｄ］セレナゾ
ール）、チアゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−
メチルチアゾリン、４−ヒドロキシメチル−４−メチル
チアゾリン、４．４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリ
ンなど）、オキサゾリン系列の核（例えばオキサゾリン
）、セレナゾリン系列の核（例えばセレナゾリン）、２
−キノリン系列の核（例えばキノリン、６−メチルキノ
リン、６−クロロキノリン、６−メドキシキノリン、６
−ニトキシキノリン、６−ヒドロキシキノリン）、４−
キノリン系列の核（例えばキノリン、６−メドキシキノ
リン、７−メチルキノリン、８−メチルキノリン）、１
−イソキノリン系列の核（例えばイソキノリン、３．４
−ジヒドロイソキノリン）、３−イソキノリン系列の核
（例えばイソキノリン）、３．３−ジアルキルインドレ
ニン系列の核（例えば３．３−ジメチルインドレニン、
３．３−ジメチル−５−クロロインドレニン、３．３．
５−　トリメチルインドレニン、３，３．７−　トリメ
チルインドレニン）、ピリジン系列の核（例えばピリジ
ン、５−メチルピリジン）、ベンゾイミダゾール系列の
核（例えば１−エチル−５，６−ジクロロベンゾイミダ
ゾール、１−ヒドロキシエチル、５．６−ジクロロベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−ジクロロベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５，６−ジブロモベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５−フェニルベンゾイミダゾール
、１−エチル−５−フルオロベンゾイミダゾール、１−
エチル−５−ジアノベンゾイミダゾール、１−（β−ア
セトキシエチル）−５−ジアノベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−クロロ−６−ジアノベンゾイミダゾール
、１−エチル−５−フルオロ−６−ジアノベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５−アセチルベンゾイミダゾール
、１−エチル−５−カルボキシベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−エトキシカルボニルベンゾイミダゾール
、１−エチル−５−スルファミルベンゾイミダゾール、
１−エチル−５−Ｎ−エチルスルファミルベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５，６−ジフルオロベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５，６−ジアノベンゾイミダゾー
ル、１−エチル−５−エチルスルホニルベンゾイミダゾ
ール、１−エチル−５−メチルスルホニルベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５−トリフルオロメチルベンゾイ
ミダゾール、１−エチル−５−トリフルオロメチルスル
ホニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−トリフル
オロメチルスルフィニルベンゾイミダゾールなど）を完
成するに必要な非金属原子群を表わす。

ｚ２は、置換されてもよいビラン、チオビラン、セレナ
ビラン、テルロビラン、ベンゾビラン、ベンゾチオビラ
ン、ベンゾセレナビラン、ベンゾテルロビラン、ナフト
ピラン、ナフトチオビラン、ナフトセレナビラン又はナ
フトテルロビランを完成するに必要な原子群を示し、Ｘ
は硫黄原子、酸素原子、セレン原子又はテルル原子を示
す。置換基としては、下達のＲ３およびＲ２に示す水素
原子以外のものを具体的に挙げることができる。

ｚ４は、置換又は未置換の５員環若しくは６員環を形成
する２価の炭化水素基（−Ｃ）１．−ＣＨ２−１を示し
、これらの５員又は６員環はベンゼン環、ナフタレン環
などと縮合されていてもよい。

Ｒ３は、水素原子又はアルキル基（例えば、メチル、エ
チル、ｎ−プロピル、１ｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、
５ｅｃ−ブチル、１ｓｏ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ア
ミル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−
オクチル基など）を示し、さらに他のアルキル基、例え
ば置換アルキル基（例えば、２−ヒドロキシエチル、３
−ヒドロキシプロピル、２−アセトキシエチル、カルボ
キシメチル、２−カルボキシエチル、３−カルボキシプ
ロピル、４−スルホブチル、３−スルフェートプロピル
、４−スルフェートブチル、Ｎ−（メチルスルホニル）
−カルバミルメチル、３−（アセチルスルファミル）プ
ロピル、４−（アセチルスルファミル）ブチルなと）、
環式アルキル基（例えば、シクロヘキシルなど）、アリ
ル基（Ｃ１ｈ−ＣＨ−ＣＨｚ−）、アラルキル基（例え
ば、ベンジル、フェネチル、α−ナフチルメチル、β−
ナフチルメチルなど）、置換アラルキル基（例えば、カ
ルボキシベンジル、スルホベンジル、ヒドロキシベンジ
ルなど）を包含する。

Ｒ２およびＲ５は、各々 （ａ）水素原子 （ｂ）ハロゲン原子：塩素原子、臭素原子、沃素原子又
は１価の有機残基、例えば （Ｃ）アルキル基、特に炭素原子数１〜１５のアルキル
基：例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル
、オクチル、ノニル、ドデシル（ｄ）　　アルコキシ基
：例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ
、アミロキシ、ヘキソキ沁オクトキシ （ｅ）アリール基：フェニル、α−ナフチル、β−ナフ
チル （ｆ）置換アリール基ニトリル、キシリル、ビフェニル
、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニ
ル、アミロキシフェニル、ジメトキシフェニル、ジェト
キシフェニル、ヒドロキシフェニル、クロロフェニル、
ジクロロフェニル、ブロモフェニル、ジブロモフェニル
、ニトロフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジメチル
アミノフェニル、ジベンジルアミノフェニル （ｇ）スチリル （ｈ）置換スチリル基：メトキシスチリル、ジメトキシ
スチリル、エトキシスチリル、ジェトキシスチリル、ジ
メチルアミノスチリル、ジエチルアミノスチリル （ｉ）置換又は未蓋換の複素環基：例えば３−カルバゾ
リル、９−メチル−３−カルバゾリル、９−エチル−３
−カルバゾリル、９−カルバゾリル環を形成することが
できる。

Ｒ４は、水素原子又はハロゲン原子（例えば、塩素原子
、臭素原子、沃素原子）を示す。

八〇は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン
、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、Ｐ
−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、
エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イ
オンを表わし、八〇はＲ１が陰イオン基、例えば−ｓｏ
、。、ｏｓｏ、。、−ｃｏｏｏ、ＳＯ２゜Ｎ！（−、−
３Ｏ＊−Ｎｏ−（：Ｏ−、−３ｏｗ−Ｎｅ−３ｏｗ−を
含むときには存在しない０ｍおよびｎは、Ｏ又は１を示
し、βは０．１又は２を示す。

前記一般式［Ｉｒ］の化合物は、下記一般式（１）で示
す化合物と共鳴体を形成するが、本発明はかかる共鳴体
を包含するものである。

一般式（１） （式中、ｚｌ、ｚ３、Ｚ４．　Ｒ１〜Ｒ４、Ｘ、　Ａｅ
、　ｆｌ、　ｍおよびｎは前記と同一の意味である。但
し、２．はビリリウム、チオピリリウム、セレナピリリ
ウム、テルロビリリウム、ベンゾビリリウム、ベンゾチ
オピリリウム、ベンゾセレナピリリウム、ベンゾテルロ
ピリリウム、ナフトビリリウム、ナフトチオピリリウム
、ナフトセレナピリリウム、又はナフトテルロピリリウ
ムの如くビリリウム塩系列で表現される。） 一般式［ＩＩＩ　］ ×１およびｘ２は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子又
はテルル原子を示す、ｚｌは、ビリリウム、チオピリリ
ウム、セレナピリリウム、テルロビリリウム、ベンゾピ
リリウム、ベンゾチオピリリウム、ベンゾセレナピリリ
ウム、ベンゾテルロピリリウム、ナフトピリリウム、ナ
フトチオピリリウム、ナフトセレナピリリウム又はナフ
トテルロビリリウムを完成するに必要な原子群を示すｅ
　Ｚ２は、ビラン、チオビラン、セレナビラン、テルロ
ビラン、ベンゾビラン、ベンゾチオビラン、ベンゾセレ
ナビラン、ベンゾテルロビラン、ナフトビラン、ナフト
チオビラン、ナフトセレナビラン又はナフトテルロビラ
ンを完成するに必要な原子群を示す。これらの環にはア
ルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−アシル、ｔ−アシル
、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、２−エ
チルヘキシルなど）、アルコキシ基（メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もしくは未置換
アリール基（フェニル、トリル、キシリル、ビフェニル
、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニ
ル、ジェトキシフェニル、ヒドロキシフェニル、クロロ
フェニル、ジクロロフェニル、ブロモフェニル、ジブロ
モフェニル、ニトロフェニル、ジエチルアミノフェニル
、ジメチルアミノフェニル、ジベンジルアミノフェニル
など）、スチリル、４−フェニル−１，３−ブタジェニ
ル、メトキシスチリル、ジメトキシスチリル、エトキシ
スチリル、ジェトキシスチリル、ジエチルアミノスチリ
ル、４−（Ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブ
タジェニル、４−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１
，３−ブタジェニルなどのスチリル基もしくは４−フェ
ニル−１，３−ブタジェニル又はその置換体又は３−カ
ルバゾリル、９−メチル−３−カルバゾリル、９−エチ
ル−３−カルバゾリル、９−カルバゾリルなどの複素環
基によって置換されることができる。

Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５およびＲ４は、 （ａ）水素原子 （ｂ）アルキル基、特に炭素原子数１〜１５のアルキル
基：例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル
、オクチル、ノニル、ドデシル（Ｃ）　アルコキシ基：
例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、
アミロキシ、ヘキソキシ、オクトキシ （ｄ）アリール基：フェニル、α−ナフチル、β−ナフ
チル （ｅ）置換アリール基ニトリル、キシリル、ビフェニル
、エチルフェニル、メトキシフェニル、ニドキシフェニ
ル、アミロキシフェニル、ジメトキシフェニル、ジェト
キシフェニル、ヒドロキシフェニル、クロロフェニル、
ジクロロフェニル、ブロモフェニル、ジブロモフェニル
、ニトロフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジメチル
アミノフェニル、ジベンジルアミノフェニル （ｆ）スチリル基又は４−フェニル−１，３−ブタジェ
ニル基ニスチリル、４−フェニル−１，３−ブタジェニ
ル （ｇ）置換スチリル基又は４−フェニル−１，３−ブタ
ジェニル基：メトキシスチリル、ジメトキシスチリル、
エトキシスチリル、ジェトキシスチリル、ジメチルアミ
ノスチリル、ジエチルアミノスチリル、４−（ｐ−ジメ
チルアミノフェニル）−１，３−ブタジェニル、４−（
Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３−ブタジェニル （ｈ）　Ｒ１と８２ならびにＲ３と８４は、結合してベ
ンゼン環を形成してもよい （ｉ）置換又は未置換の複素環基：例えば３−カルバゾ
リル、９−メチル−３−カルバゾリル、９−エチル−３
−カルバゾリル、９−カルバゾリルを表わす。

一般式［ＩＶ　］ 式中、Ｘは硫黄原子、酸素原子、セレン原子又はテルル
原子を示す。

ｚｌは、置換されてもよいビリリウム、チオピリリウム
、セレナピリリウム、テルロビリリウム、ベンゾビリリ
ウム、ベンゾチオピリリウム、ベンゾセレナピリリウム
、ベンゾテルロビリリウム、ナフトビリリウム、ナフト
チオピリリウム、ナフトセレナピリリウム又はナフトテ
ルロビリリウムを完成するに必要な原子群からなる炭化
水素基を示す。置換基としては、塩素原子、臭素原子、
フッ素原子などのハロゲン原子、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、イ
ソアミル、ヘキシル、オクチル、ノニルドデシルなどの
アルキル基、フェニル、α−オクチル、β−ナフチルな
どのアリール基、トリル、キシリル、ビフェニル、エチ
ルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、ア
ミロキシフェニル、ジメトキシフェニル、ジェトキシジ
フェニル、ヒドロキシフェニル、クロロフェニル、ジク
ロロフェニル、ブロモフェニル、ジブロモフェニル、ニ
トロフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジメチルアミ
ノフェニル、ジベンジルアミノフェニルなどの置換アリ
ール基、スチリル、クロロスチリル、ジメチルアミノス
チリル、ジエチルアミノスチリル、ジプロピルアミノス
チリル、ジブチルアミノスチリル、ジベンジルアミノス
チリル、ジフェニルアミノスチリル、メトキシスチリル
、エトキシスチリルなどの置換もしくは未置換のスチリ
ル基などを挙げることができる。

Ｒ３およびＲ２は、各々 （ａ）水素原子 （ｂ）置換もしくは未置換のアルキル基、特に炭素原子
数１〜１５のアルキル基：例えば、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、
イソアミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシル （Ｃ）アリール基：フェニル、α−ナフチル、β−ナフ
チル （ｄ）ｆｆｉｔ換アリール基ニトリル、キシリル、ビフ
ェニル、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシ
フェニル、アミロキシフェニル、ジメトキシフェニル、
ジェトキシフェニル、ヒドロキシフェニル、クロロフェ
ニル、ジクロロフェニル、ブロモフェニル、ジブロモフ
ェニル、ニトロフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジ
メチルアミノフェニル、ジベンジルアミノフェニル （ｅ）スチリル基ニスチリル （ｆ）置換スチリル基：クロロスチリル、ジクロロスチ
リル、メチルスチリル、ジメチルスチリル、メトキシス
チリル、エトキシスチリル、ジメチルアミノスチリル、
ジエチルアミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、
ジブチルアミノスチリル、ジベンジルアミノスチリル、
ジフェニルアミノスチリル Ｒ１は、置換もしくは未置換アリール基（フェニル、α
−ナフチル、β−ナフチル、トリル、キシリル、ビフェ
ニル、エチルフェニル、ジエチルフェニル、メトキシフ
ェニル、ジメトキシフェニル、トリメトキシフェニル、
エトキシフェニル、ジェトキシフェニル、アミロキシフ
ェニル、ヒドロキシフェニル、クロロフェニル、ジクロ
ロフェニル、トリクロロフェニル、ブロモフェニル、ジ
ブロモフェニル、トリブロモフェニル、ジクロロフェニ
ル、トリブロモフェニル、ニトロフェニル、ジメチルア
ミノフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジベンジルア
ミノフェニル、ジフェニルアミノフェニル）又は置換も
しくは未置換の複素環基（３−カルバゾリル、９−メチ
ル−３−カルバゾリル、９−エチル−３−カルバゾリル
、７−ニトロ−９−エチル−３−カルバゾリル、２−ピ
リジル、４−ピリジル４−ピリジル、２−キノリル、４
−キノリル３−インドリル、２−フェニル−３−インド
リル、１−メチル−２−フェニル−３−インドリル）を
示す。

Ｒ４およびＲ２は、水素原子又はアルキル基（メチル、
エチル、プロピル、ブチル、アミル、ヘキシル、オクチ
ル、ノニル）を示す０ｍは１又は２を示し、ｎは０，１
．２または３を示す。但し、ｎが２または３の時Ｒ４は
それぞれ同一もしくは異なっていてもよく、またＲ２は
それぞれ同一もしくは異なっていてもよい。

八〇は、陰イオン、例えばバークロレート、フルオロボ
レート、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、サル
フェート、バーアイオダイド、Ｐ−トルエンスルフォネ
ートなどを表わす。

以下、本発明で用いるピリリクム化合物の具体例を下記
に列挙する。

前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物の例（ｌＯ） Ｃ，９ｏ４ 轡 ｅ ＣＡＯ４ ＣＡＯ４ ＣＡＯ４ ＣＡＯ４ ＣＡＯ。

Ａ０４ 前記一般式［１１］で表わされる化合物の例’Ｃ１，；
４１’ｉｇ 前記一般式［ＩＩＩ　］で表わされる化合物の例前記一
般式［ｒＶ］で表わされる化合物の例し２０４ の Ａｏ４ ｌｌ　Ｏａ ｅ Ａｏ４ Ｃｊ２０４ リ ｃｌ　ｏ４ しｇ　　　　　ｃ、ｇｏ４ ｒ ｃ４　ｏ４ （１１１）　　　　” このような色素は、近赤外域に吸光係数の大きい吸収ピ
ークを有し、また、有機溶剤に対する溶解性も良く、光
学記録媒体として良好な特性が得られるが、さらに本発
明は、前述のビリリウム化合物にアミニウム塩化合物ま
たはジイモニウム塩化合物を含有させることにより、記
録再生特性および保存安定性を向上できることを見い出
した。

本発明で使用されるアミニウム塩化合物およびジイモニ
ウム塩化合物はそれぞれ下記一般式［Ｖ］および一般式
［ＶＩ］で示される。

ＲＩＧは同種または異種の水素原子、またはアルキル基
（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１ｓ
ｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、１
ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−ア
ミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチ
ル基および、０９〜ｌ□のアルキル基など）を示し、さ
らに他のアルキル基、例えば置換アルキル基（例えば、
２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、
４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエチル基、カ
ルボキシメチル基、２−カルボキシエチル基、３−カル
ボキシプロピル基、２−スルホエチル基、３−スルホプ
ロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフェートプロ
ピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メチルスル
ホニル）−カルバミルメチル基、３−（アセチルスルフ
ァミル）プロピル基、４−（アセチルスルファミル）ブ
チル基など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキシ
ル基など）、アルケニル基（ビニル基、アリル基、プロ
ペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、
ヘプテニル基、オクテニル基、ドデシニル基、プレニル
基など）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フェネ
チル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基
など）、置換アラルキル基（例えば、カルボキシベンジ
ル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基など）
を包含する。

Ｙは、　−Ｃ］＝または　−ＣＤ−（］−を示す。

ｐ、Ｑは陰イオンを示し、前記一般式ＣＩ］と同様の陰
イオンで示すことができる。

これらのアミニウム塩化合物およびジイモニウム塩化合
物は、特公昭４３−２５３３５号公報などに開示される
合成法に準じて合成することができる。

次に、前記一般式［■］で示されるアミニウム塩化合物
（ＡＭ）の代表例を挙げる。

化合物Ｎｏ、　　Ｙ　　　　　Ｒ，、ＡｏＡ　Ｍ　−１
ｆ　　　ＣＨｓ　　　　Ａ　ｓ　Ｆ　ａ　ｅＡ　Ｍ　−
２＋ＣＨｓ　　　　　Ｃｉ’　０４゜ＡＭ−３（ン　　
ＣＨ３ＳｂＦａｅ ＡＭ−４＋　　　Ｃ２Ｈｓ　　　ＡＳ　Ｆ　ａｅＡ　Ｍ
　−Ｓ　　　＋Ｃ２Ｈｓ　　　　Ｃｊ’　Ｏ４８＾Ｍｉ
８　　＋ｎ−ＣａＬｙ　　　ＡｓＦａｅＡＭ−１９＋ｎ
−Ｃ＋ｚＨｚｓ　　５ｂＦ６ｅ八Ｍ−２０　　（’　コ
〉−一（＝＝＝〉−ＣＨ８＾ｓＦｓ。

＾ト２１ベコ旨ニド　　Ｃ山　　　ｃｐｏ４゜ＡＭ−２
２Ｒ＝Ｈ二Ｆ　　　Ｃ２Ｈｓ　　　　Ａ　Ｓ　Ｆ　６゜
ＡＭ−２３Ｍ　　Ｃ２８Ｓ　　　５ｂＦａ。

ＡＭ−２４＋　　　Ｃｚｌ（４０）Ｉ　　ＳｂＦａｅＡ
Ｍ−２５＋Ｃａ　Ｈ４０）Ｉ　　Ｃ１’０４ｅＡＭ−２
６＋　　　Ｃ２Ｈ４ｏＨＮＯｓ。

ＡＭ−２７％　　Ｃ２１（、ＯＨＳｂＦ６゜次に前記一
般式［Ｖ’ｆ］で示されるジイモニウム塩化合物（ＩＭ
）の代表例を挙げる。

化合物Ｎｏ、　　　　Ｒ，。　　　　　八〇１Ｍ−Ｉ　
　　　　　　　　　　Ｃ：Ｈ，八ｓＦｓ。

ＩＭ−２Ｃ８３Ｃｆ；！Ｏａ。

ＩＭ−３Ｇ）＋３　　　　　　　　ＳｂＦａｅＩＭ−４
（：２）１．　　　　　　　　＾ｓＦ、ｅＩＭ−５ＣＪ
ｓ　　　　　Ｃｊ’Ｌｅ ＩＭＪ　　　　　　　　［：２Ｈｓ　　　　　　　　Ｂ
Ｆ＜ｅｒＭ−７ｎ−Ｃ３Ｈ，＾ｓＦ６゜ ＩＭ−８１ｓｏ（ｌ：３Ｌ　　　　　ｃｆ！ｏ、。

ＩＭ−９ｎ−Ｃ４Ｈｇ　　　　　　Ｃｆ！Ｌ”ＩＭ−１
Ｏｎ−Ｃ４）１ｓ　　　　　　ＡｓＦａ。

ＩＭ−１１ｎ−Ｃ，Ｈｓ　　　　　　５ｂＦａ。

１Ｍ−１２ｎ−ＣＪｔ　　　　　　ＢＦ４゜１Ｍ−１３
ｎ−Ｃ，Ｈ，Ｉｏ ＩＭ−１４ｎ−Ｃ４Ｈｅ　　　　ＣＨｓ０５０３゜ＩＭ
−１５ｔ−Ｃ４Ｈ９ＣｆＯ４゜ ＩＭ−１［ｉ　　　　　　　　ｔ−Ｃ４Ｌ　　　　　　
ＡｓＦａ。

ＩＭ−１７ｎ−Ｃ，Ｈ，、ＣＩ！Ｏ，。

ＩＭ−１８ｎ−ＣａＬｙ　　　　ＡｓＦａ”ＩＭ−１９
ｎ−（：、、Ｈ２ｓＳｂＦ−ＩＭ２０　　　　　　　　
Ｃ２１（４０Ｈ５ｂＦａ。

ＩＭ−２１Ｃ２８４０８Ｃｆ！０４゜ ＩＭ−２２Ｃ２Ｈ４ＯＨＮＯ！Ｑ １Ｍ２３　　　　　Ｃ２）１４０Ｈ５ｂＦａ。

本発明の光学記録媒体は、例えば第１図に示すごとき構
造とすることができる。第１図に示す光学記録媒体は基
板１上に少なくとも１つの前記一般式［１］、［ＩＩコ
、［ＩＩＩコまたは［ＩＶ］＜７）ビリリウム化合物と
前記一般式［Ｖｌのアミニウム塩化合物または一般式［
Ｖｌ　］のジイモニウム塩化合物を含有させた有機薄膜
からなる記録層２を設けることによって形成できる。か
かる記録層　２は前記一般式ＣＩ］、［１７］、［ＩＩ
Ｉ　］、［ＩＶコ、［Ｖｌおよび［１／Ｉ　］で示され
る化合物を有１１溶媒中に溶解混合もしくは分散混合さ
せた塗工液を塗布することによって形成することができ
る。

また、記録層２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］、
［：　１１　］、［ＩＩＩ　］および［ＴＶ］で示され
るピリリウム化合物を２種以上組合せて用いることがで
き、さらに他の染料、例えば、前記一般式［１］、［Ｉ
ＩＩ、［ｍ］および［１７１の化合物以外のポリメチン
系、アズレン系、ビリリウム系、スクアリウム系、クロ
コニウム系、トリフェニルメタン系、キサンチン系、ア
ントラキノン系、シアニン系、フタロシアニン系、ジオ
キサジン系、テトラヒドロコリン系、トリフエッチアジ
ン系。

フェナンスレン系、金属キレート錯体系染料など、ある
いは金属および金属化合物など、例えばＡｊ）、　　丁
ｅ、　　Ｂｉ、　　Ｓｎ、　Ｉｎ、　　Ｓｅ、　　Ｓｎ
Ｏ、Ｔｅａｓ、　Ａｓ、　　Ｃｄなどと混合分散あるい
は積層してもよい。

また、前記一般式［Ｉ］、［ＩＩＩ、［ｍ］および［■
］の化合物をバインダー中に分散状態または溶解状態で
含有されていてもよく、例えば、ニトロセルロース、リ
ン酸セルロース、′ｔＬ酸セルロース、酢酸セルロース
、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチ
ン酸セルロース。

バルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオン酸セルロー
ス、酢酸・醋酸セルロースなどのセルロースエステル類
、メチルセルロース、エチルセルロース、プロピルセル
ロース、ブチルセルロース、などのセルロースエーテル
類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル樹
脂類、スチレン−ブタジェンコポリマー、スチレン−ア
クリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジェン−ア
クリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコ
ポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、ポリブチルアクリレート
、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリルア
ミド、ポリアクリロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポ
リエチレンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリ
（４，４’−イソブロビリデンジフェニレンーコ−１，
４−シクロヘキシレンジメチレンカーボネート）、ポリ
（エチレンジオキシ−３，３′−フェニレンチオカーボ
ネート）、ポリ（４，４’−イソブロピリデンジフェニ
レンヵーボネートーコーテレフタレート）、ポリ（４，
４’−イソブロビリデンジフェニレンカーボネート）、
ポリ（４，４’−５ｅＣ−ブチリデンジフェニレンカー
ボネート）、ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェ
ニレンカーボネート−ブロック−オキシエチレン）など
のボリアリレート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリ
イミド類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂類、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレンなどのポ
リオレフィン類などを用いることができる。

また、有機薄膜からなる記録層２中に界面活性剤、帯電
防止剤、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、可塑剤などを
含有されていてもよい。

塗工の際に使用できる有機溶剤は、分散状態とするか、
あるいは溶解状態にするかによって異なるが、一般に、
メタノール、エタノール、イソプロパツール、ジアセト
ンアルコールなどのアルコール類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ
−ジメチルボルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホ
キシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレン
グリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化
水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベ
ンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類あるいはｎ−
へキサン、シクロヘキサン、リグロインなどの脂肪族炭
化水素類などを用いることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。

前記一般式［Ｖ］のアミニウム塩化合物または一般式［
ＶＩ］のジイモニウム塩化合物の添加量は、全固形分を
基準として有機薄膜層である記録層２に対して１〜６０
重量％、好ましくは５〜４０ｆｉ量％、さらに好ましく
は１０〜３０重量％が適当である。また記録層２の乾燥
膜厚は５０人〜１００μｌ、好ましくは２００人〜１終
諷が適当である。

基板ｌとしては、ポリエステル、ポリカーボネート、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラスあるいは金属類などを用いることができる。

また、本発明は第２図から第４図に示すように、下引き
暦３かつ／または保ＷＪｉ４を設けた構成にすることが
できる。

下引き層３は接着性の向上、水またはガスなどのバリヤ
ー、記録層の保存安定性の向上、反射率の向上、溶剤か
らの基板の保護、プレグルーブの形成および放熱効果な
どの目的として設けられる。

また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護、
記録層の保存安定性の向上、反射率の向上を目的として
設けられる。

さらに、本発明による光学記録媒体の別の構成としでは
、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒体
（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録層
２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンドイッ
チ構造にしてもよいし、保ＩＦＩ４を介して接着したい
わゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、これ
らに限定されるものではない。

実施例１ 直径１３０　ａｍφ、厚さ１．２　ｍｍのポリメチルメ
タクリレート（以下ｒＰＭＭＡＪと略記する）基板上に
、エポキシ−アクリレート系紫外線硬化樹脂を用いて２
Ｐ法（フォト・ポリマー法）で、厚さ５０μのプレグル
ーブを設け、その上に前記の　ピリリウム化合物Ｎｏ、
　１９と前記アミニウム塩化合物Ｎｏ、　ＡＭ−９を重
量比８０：２０で、１．２−ジクロルエタンに溶解させ
た液をスピナー塗工法により塗布した後、乾燥して９５
０Ａの有機薄膜層を得た。

こうして作製した光学記録媒体をターンテープル上に取
り付け、ターンテーブルをモータで１８００ｒｐｍに回
転させて、発振波長８３０　ｎｍの半導体レーザを用い
て、基板側より有機薄膜記録層にスポットサイズ１．５
　ｇｍφ、記録パワー７ｍ’Ｗ、記録周波数２ＭＩＩＺ
で情報を書き込み、読み出しパワー０．８　ｍＷで再生
し、その再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィ
ルター、バンド４ｉ３０ＫＩ（ｚ　）　シてＣ／Ｎ比（
キャリヤ／ノイズ比）を測定した。

次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、繰り返し１０’回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を４５℃、
９５％ＲＨの条件下に３０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の反射率（８３０ｚｍ測定）お
よびＣ／Ｎ比を測定した。

また、同一の記録媒体に、１００ＯＷ／ｍ’　（３００
〜９００　ｎｍ）のキセノンランプ光を７０時間照射し
て、耐先安定性試験を行なフた後の反射率（８３０ｍ＋
＋＋測定）およびＣ７Ｎ比を測定した。その結果を表１
に示す。

表１ 実施例２〜１６ 実施例１で用いたビリリウム化合物とアミニウム塩化合
物（ＡＭ）を下記の表２の組み合わせにかえて、実施例
１と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例２
〜１６の光学記録媒体とした。

上記実施例２〜１６の光学記録媒体を、実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

表　　２ 実施例１７〜２２ 下記の表３に示すビリリウム化合物とアミニウム塩化合
物（Ａμ）の組み合わせの混合物４！ｉ量部とニトロセ
ルロース樹脂（オーバレス・ラッカー、ダイセル化学■
製）ＩＩ！量部を、メチルエチルケトン９５重量部に混
合させた液を、スピナー塗布法により、プレグルーブを
設けた直径１３０　ｍｍφ、厚さ１．２　ｍｍのポリカ
ーボネート基板上に塗布し、乾燥膜厚１１００Ａの有機
薄膜記録層を得た。

こうして作製した光学記録媒体を実施例１と同様の方法
で測定し、その結果を表４に示す。

表　　３ 比較例１，２ 実施例１および７で用いたアミニウム塩化合物のそれぞ
れＮｏ、ＡＭ−９およびＡＭ−２１を除いた以外は、実
施例１と同様の方法で、光学記録媒体を作製し、評価し
た。その結果を表４に示す。

表４ 実施例２３〜２６ ウオーレツトサイズの厚さ０．４１１１１１ポリカーボ
ネート（以下ｒ　ＰＣＪと略記する）基板上に、熱ブレ
ス法によりプレグルーブを設け、その上に下記表５に示
す１東なピリリウム化合物およびアミニウム塩化合物を
ジアセトンアルコール中に混合させた液をバーコード法
により塗布した後、乾燥して８５０Ａの有機薄膜記録層
を得た。

さらに、その上にエチレン−酢ビドライフィルムを介し
てウォーレットサイズの厚さＯＪ　ｍｍＰｃ基板と、熱
ロール法により密着構造の光学記録媒体を作製した。

この様にして作製した実施例２３〜２６の光学記録媒体
をＸ−Ｙ方向に駆動するステージ上に取り付け、発振波
長８３０　ｎｍの半導体レーザを用いて、厚さ０．４　
ｍｍのＰＣ基板側より、有機薄膜記録層にスポットサイ
ズ３．０７ｚｍφ、記録パワー４．０ｍＷ　、記録パル
ス８０μｓｅｃでＹ軸方向に情報を書き込み、読み出し
パワー０．４　ｍＷで再生し、そのコントラスト比（Ａ
−Ｂ／Ａ　：　Ａは未記録部の信号強度、Ｂは記録部の
信号強度）を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験および耐光安定性試験
を行ない、その後の反射率およびコントラスト比を測定
した。その結果を表６に示す。

表　　５ 表６ 実施例２７〜３１ 実施例１で用いたアミニウム塩化合物をジイモニウム塩
化合物にかえて、表７に示す組み合わせで実施例１と同
様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例２７〜３
１の光学記録媒体とした。

上記実施例２７〜３１の光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表９に示す。

表　　７ 実施例３２〜３５ 実施例９で用いたアミニウム塩化合物（ＡＭ）をジイモ
ニウム塩化合物（ＩＭ）にかえて、表８に示す組み合わ
せで実施例１７ど同様の方法で記録媒体を作製し、それ
ぞれ実施例３２〜３５の光学記録媒体とした。

上記実施例３２〜３５の光学記録媒体を実施例１７と同
様の方法で測定した。その結果を表９に示す。

表　　８ 表９ 実施例３６〜３９ 実施例２３で用いたアミニウム塩化合物（八Ｍ）をジイ
モニウム塩化合物（ＩＭ）にかえて、表１０に示す組み
合わせで、実施例２３と同様の方法で記録媒体を作製し
、それぞれ実施例３６〜３９の光学記録媒体とした。

上記実施例３６〜３９の光学記録媒体を実施例２３と同
様の方法で測定した。その結果を表１１に示す。

表　　ｌＯ 表１１ 実施例４０ 実施例３１で作製した光学記録媒体を用いて、実施例３
１の評価において、記録レーザパワーを０．５　ｍＷ〜
７ｍＷまで変化させてＣ／Ｎ比を測定し、しきい値を調
べた。その結果を第５図に示す。

比較例３ ［１ｉ例４０において、ジイモニウム塩化合物を除いた
以外は、実施例４０と同様の方法で光学記録媒体を作製
し、測定した。その結果を第５図に示す。

実施例４０の光学記録媒体は、レーザパワー２ｍＷ以下
の低パワーでは記録されない明確なしきい値が得られた
。それに対して比較例３は、２ｍＷ以下の低パワーでも
記録され、しきい値が明確でなかった。これは、繰り返
し再生時に劣化しやすいことを示している。

また実施例４０は比較例３に比べて、高いＣＡＮ値が得
られた。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明はビリリウムイ乙金物とア
ミニウム塩化合物またはジイモニウム塩化合物を記録層
中に含有することにより、■高い感度とＣ７Ｎ比を得る
ことができ、かつレーザパワーに対して明確なしきい値
を有する記録再生特性が得られる。

■熱および光に対する安定性が高く、長期保存性に優れ
、再生劣化の少ない光学記録媒体が得られる。

等の利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態様
を示す断面図および第５図は実施例４０および比較例３
の記録再生特性を示すグラフである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）少なくとも１つのピリリウム化合物とアミニウム
   塩化合物またはジイモニウム塩化合物のうち少なくとも
   １つとを含有する記録層を有することを特徴とする光学
   記録媒体。（２）少なくとも１つのピリリウム化合物が
   下記の一般式［ I ］、［II］、［III］または［IV］で
   表わされる化合物である特許請求の範囲第１項記載の光
   学記録媒体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘ＿１およびＸ＿２：硫黄原子、酸素原子、セ
   レン原子又はテルル原子を示す。Ｚ＿１：置換されても
   よいピリリウム、チオピリリウム、セレナピリリウム、
   テルロピリリウム、ベンゾピリリウム、ベンゾチオピリ
   リウム、ベンゾセレナピリリウム、ベンゾテルロピリリ
   ウム、ナフトピリリウム、ナフトチオピリリウム、ナフ
   トセレナピリリウム、又はナフトテルロピリリウムを完
   成するに必要な原子群からなる炭化水素基を示す。 Ｚ＿２：置換されてもよいピラン、チオピラン、セレナ
   ピラン、テルロピラン、ベンゾピラン、ベンゾチオピラ
   ン、ベンゾセレナピラン、ベンゾテルロピラン、ナフト
   ピラン、ナフトチオピラン、ナフトセレナピラン、又は
   ナフトテルロピランを完成するに必要な原子群からなる
   炭化水素基を示す。 Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３およびＲ＿４：水素原子、置換
   もしくは未置換のアルキル基又は置換もしくは未置換の
   アリール基を示す。 Ｒ＿５、Ｒ＿６およびＲ＿７：水素原子、ハロゲン原子
   、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置
   換のアリール基又は置換もしくは未置換のアラルキル基
   を示す。 ｍおよびｌ：１又は２を示す。 ｎ：０、１、２または３を示す、但し、ｎが２または３
   の時、Ｒ＿５はそれぞれ同一であってもよく、又異なっ
   ていてもよい。またＲ＿６はそれぞれ同一であってもよ
   く、又異なっていてもよい。 Ａ＾■：陰イオンを示す。） 一般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｚ＿３は置換又は未置換の含窒素複素環を完成
   するに必要な原子群を示す。Ｚ＿２は置換されてもよい
   ピラン、チオピラン、セレナピラン、テルロピラン、ベ
   ンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、
   ベンゾテルロピラン、ナフトピラン、ナフトチオピラン
   、ナフトセレナピラン又はナフトテルロピランを完成す
   るに必要な原子群を示し、Ｘは硫黄原子、酸素原子、セ
   レン原子又はテルル原子を示す。Ｚ＿４は、置換または
   未置換の５員環もしくは６員環を形成する２価の炭化水
   素基を示す。Ｒ＿１は、水素原子又は置換もしくは未置
   換のアルキル基を示す。Ｒ＿２およびＲ＿３は、水素原
   子、ハロゲン原子又は１価の有機残基を示す。Ｒ＿４は
   、水素原子又はハロゲン原子を示す。Ａ＾■は、陰イオ
   ンを示し、ｍおよびｎは０又は１で、ｌは０、１又は２
   である。） 一般式［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａ＾■は▲数式、化学式、表等があります▼又
   は▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 Ｘ＿１およびＸ＿２は硫黄原子、酸素原子、セレン原子
   又はテルル原子を示す。Ｚ＿１はそれぞれ置換されても
   よいピリリウム、チオピリリウム、セレナピリリウム、
   テルロピリリウム、ベンゾピリリウム、ベンゾチオピリ
   リウム、ベンゾセレナピリリウム、ベンゾテルロピリリ
   ウム、ナフトピリリウム、ナフトチオピリリウム、ナフ
   トセレナピリリウム又はナフトテルロピリリウムを完成
   するに必要な原子群を示す。Ｚ＿２は、それぞれ置換さ
   れてもよいピラン、チオピラン、セレナピラン、テルロ
   ピラン、ベンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレ
   ナピラン、ベンゾテルロピラン、ナフトピラン、ナフト
   チオピラン、ナフトセレナピラン又はナフトテルロピラ
   ンを完成するに必要な原子群を示す。Ｒ＿１、Ｒ＿２、
   Ｒ＿３およびＲ＿４は、水素原子、アルキル基、アルコ
   キシ基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしく
   は未置換のスチリル基、置換もしくは未置換の４−フエ
   ニル−１、３−ブタジエニル基又は置換もしくは未置換
   の複素環基を示す。又、Ｒ＿１とＲ＿２で置換もしくは
   未置換のベンゼン環を形成してもよく、又Ｒ＿３とＲ＿
   ４で置換もしくは未置換のベンゼン環を形成してもよい
   。ｍおよびｎは、１又は２である。） 一般式［IV］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘ：硫黄原子、酸素原子、セレン原子又はテル
   ル原子を示す。 Ｚ＿１：置換されてもよいピリリウム、チオピリリウム
   、セレナピリリウム、テルロピリリウム、ベンゾピリリ
   ウム、ベンゾチオピリリウム、ベンゾセレナピリリウム
   、ベンゾテルロピリリウム、ナフトピリリウム、ナフト
   チオピリリウム、ナフトセレナピリリウム又はナフトテ
   ルロピリリウムを完成するに必要な原子群からなる炭化
   水素基を示す。 Ｒ＿１およびＲ＿２：水素原子、置換もしくは未置換の
   アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基又は置換
   もしくは未置換のスチリル基を示す。 Ｒ＿３：置換もしくは未置換のアリール基又は置換又は
   未置換の複素環基を示す。 Ｒ＿４およびＲ＿５：水素原子又はアルキル基を示す。 Ａ＾■：陰イオンを示す。 ｍ：１又は２を示す。 ｎ：０、１、２または３を示す。但し、ｎが２または３
   の時Ｒ＿４はそれぞれ同一もしくは異なっていてもよく
   、またＲ＿５はそれぞれ同一もしくは異なっていてもよ
   い。） （３）前記アミニウム塩化合物が下記の一般式［Ｖ］で
   表わされる化合物である特許請求の範囲第１項記載の光
   学記録媒体。 一般式［Ｖ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１＿０は同種または異種の水素原子、置換
   または未置換のアルキル基を示し、Ｙは ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼を示す。Ａ＾■は陰イ オンである。） （４）前記ジイモニウム塩化合物が下記の一般式［VI］
   で表わされる化合物である特許請求の範囲第１項記載の
   光学記録媒体。 一般式［VI］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１＿０は同種または異種の水素原子、置換
   または未置換のアルキル基を示し、Ａ＾■は陰イオンで
   ある。）