JP2732275B2 - 光学記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み
記録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディス
クおよび光カード技術に用いうる新規な光学的記録媒体
に関するものである。

［従来の技術］ 一般に、光ディスクおよび光カードは、基板の上に設
けた薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約１μ）ピットをらせん状又は円形のトラッ
ク形態にして高密度情報を記憶することができる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層
（記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレー
ザ光線が照射された表面のみにピットを形成し、このピ
ットをらせん状、円形または直線状トラックの形態で形
成する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。
例えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層（記
録層）は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融
解により小さな凹部（ピット）を形成できる。また、別
のヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・エネ
ルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃
度差を有するピットを形成できる。

この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、
レーザ光をトラックに沿って走査し、ピットが形成され
た部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を
読み取ることによって検出される。例えば、レーザ光が
トラックに沿って走査され、ディスクにより反射された
エネルギーがフォトディテクターによってモニターされ
る。ピットが形成されている部分は、レーザ光の反射は
低くなりフォトディテクターの出力は低下する。一方、
ピットが形成されていない部分は、レーザ光は充分に反
射されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクおよび光カードに用いる光学的記
録媒体として、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属
薄膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト
系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが提
案されている。これらの薄膜は、一般に350〜800nm付近
の波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対する反
射率が高いため、レーザ光の利用率が低い等の欠点があ
る。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば、780n
m以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有機
薄膜の研究がなされている。この様な有機薄膜は、例え
ば発振波長が780nm又は830nm付近の半導体レーザにより
ピットを形成できる４点で有効なものである。

しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物
は、熱に対して不安定な問題がある。

例えば、光学記録媒体の取扱いは必ずしも空調設備の
整ったオフィスでのみ使用されるわけではなく、運送倉
庫での保管、ドライブ装置の機内昇温等を考慮する必要
があり高温における安定性により優れた媒体が望まれて
いる。特に、光学記録媒体が光カードである場合はカー
ドとしての厚み及び強度の点で中空構造（エアーサンド
イッチ構造）を取ることは困難で、記録層上に直接接着
剤で対向基板を貼合せる貼合せ構造となる。その際に用
いる接着剤としては記録層の書き込み感度を落さず作業
性に優れるホットメルト系の接着剤が有効である。しか
し、ホットメルト系の接着剤では貼合わせ時に短時間で
はあるが100℃位になる為、記録層はより耐熱性に優れ
たものが望まれている。さらに、光カードは個人での持
ち運びによる取扱いとなる場合が多く、粗雑に扱われる
可能性が高い為、耐熱性を始めとする環境安定性に優れ
たものが望まれている。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、この様な現状に鑑みてなされたものであ
り、その目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機薄膜から
なる記録層を有する光学記録媒体を提供することにあ
る。

本発明の別の目的は、高温高湿の環境条件下において
もより安定性の向上した色素薄膜からなる記録層を有す
る光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は感度および記録に伴う光学特性の
変化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は塗工法による製造が可能な光学記
録媒体を提供することにある。

［課題を解決するための手段］および［作用］ 即ち、本発明は下記一般式［Ｉ］，［II］，［III］
または［IV］で表わされるナフトラクタム系化合物を一
種または二種以上含有する記録層を有することを特徴と
する光学記録媒体である。

（但し、一般式［Ｉ］〜［IV］において、Ａは を示す。R₁は置換もしくは未置換のアルキル基，シクロ
アルキル基，アルコキシ基，アリル基，アリール基また
はアラルキル基を表わし、R₂およびR₃は水素原子，ハロ
ゲン原子または１価の有機残基を表わし、R₄〜R₁₀は水
素原子，ハロゲン原子または１価の有機残基を表わす。
Ｙは置換もしくは未置換の５員環又は６員環を形成する
２価の炭化水素基を示す。ｌは1,2また３、ｍは１また
は２、ｎは１または２の整数を示す。Ｘ はアニオン残
基を示す。

R₁₁は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、
環式アルキル基、アリル基、置換もしくは未置換のアラ
ルキル基又は置換もしくは未置換のアリール基を示す。
Ｚは置換又は未置換の複素環を完成するに必要な原子群
を示す。ｑは０又は１の整数を示す。

Ｑは硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を示す。Ｐは
置換されてもよいピラン、チオピラン、セレナピラン、
ベンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラ
ン、ナフトピラン、ナフトチオピラン又はナフトセレナ
ピランを完成するに必要な原子群からなる炭化水素基を
示す。R₁₂およびR₁₃は水素原子、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基又は置換
もしくは未置換のスチリル基を示す。ｒは０又は１の整
数を示す。） 以下、本発明を詳細に説明する。

本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作
用を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記
一般式［Ｉ］，［II］，［III］および［IV］で表わさ
れるナフトラクタム系化合物を一種または二種以上含有
する薄膜からなる記録層を有することに特徴がある。

前記一般式［Ｉ］，［II］，［III］および［IV］に
おいて、式中のR₁は、C₁〜C₂₀−アルキル基（これは、
フェニル基、ハロゲン原子、C₁〜C₄−アルカノイル基、
カルボキシル基、C₁〜C₄−アルカノイルアミノ基、C₁〜
C₄−アルコキシカルボニル基、C₁〜C₄−アルコキシカル
ボニルアミノ基又はC₁〜C₄−アルキルアニリノ基により
置換され及び／又は酸素原子により中断されていてもよ
い）、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、イソブチル基、三級ブチル基、
ペンチル基、２−メチルブチル基、ヘキシル基、２−メ
チルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチル
ヘキシル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル
基、デシル基、イソデシル基、ドデシル基、3,5,5,7−
テトラメチルノニル基、イソトリデシル基、ペンタデシ
ル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル
基、ノナデシル基、エイコシル基（イソオクチル、イソ
ノニル、イソデシル及びイソトリデシルの名称は俗称で
あって、オキソ合成により得られるアルコールに由来す
る。これに関しては、「ウルマンス・エンチクロペディ
・デル・テヒニツシエン・ヘミー」４版,7巻,216〜217
頁及び11巻,435〜436頁参照）、ベンジル基、２−フェ
ニルエチル基、トリフルオルメチル基、トリクロルメチ
ル基、1,1,1−トリフルオルエチル基、ヘプタフルオル
プロピル基、２−メトキシエチル基、２−エトキシプロ
ピル基、３−エトキシプロピル基、3,6−ジオキサヘプ
チル基、3,6−ジオキサオクチル基、3,6,9−トリオキサ
デシル基、プロパン−２−オン−１−イル基、ブタン−
３−オン−１−イル基、２−エチルペンタン−３−オン
−１−イル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエ
チル基、３−カルボキシプロピル基、４−カルボキシブ
チル基、５−カルボキシペンチル基、４−カルボキシ−
３−オキサブチル基、アセチルアミノメチル基、２−
（アセチルアミノ）−エチル基、２−（ブチリルアミ
ノ）−エチル基、エトキシカルボニルメチル基、２−
（エトキシカルボニル）−エチル基、３−（メトキシカ
ルボニル）−プロピル基、エトキシカルボニルアミノメ
チル基、２−（エトキシカルボニルアミノ）−エチル
基、４−メチルアニリノメチル基、２−（４−イソプロ
ピルアニリノ）−エチル基が挙げられ、C₅〜C₇−シクロ
アルキル基（これはC₁〜C₄−アルキル基又はハロゲン原
子により置換されていてもよい）、例えばシクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、３−メチ
ルシクロペンチル基、４−エチルシクロヘキシル基、2,
3−ジクロルシクロヘキシル基が挙げられ、アリール基
類（これはC₁〜C₄−アルキル基、C₁〜C₄−アルコキシ
基、ハロゲン原子又はC₁〜C₄−ジアルキルアミノ基によ
り置換されていてもよい）、例えばフェニル基、ナフチ
ル基、トリル基、４−メチルフェニル基、４−イソプロ
ピルフェニル基、４−メトキシフェニル基、2,4−ジメ
トキシフェニル基、２−クロルフェニル基、４−ブロム
フェニル基又は４−ジメチルアミノフェニル基などが挙
げられ、アルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられ、アリル
基（CH₂＝CH−CH_2-）、アラルキル基、例えばベンジル
基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチ
ルメチル基、カルボキシベンジル基、スルホベンジル
基、ヒドロキシベンジル基などが挙げられるが、上記の
各基を表わす。

R₂,R₃が結合しているナフタレン環は非置換（水素原
子）でもよく、次の基により置換されていてもよく、あ
るいはベンゾ縮合していてもよい。

R₂,R₃は、水素原子、ハロゲン原子（塩素原子、フッ
素原子、臭素原子、ヨウ素原子）または１価の有機残基
を表わす。１価の有機残基としては、C₁〜C₄−アルキル
基、フェニル基、C₁〜C₄−アルコキシ基、C₁〜C₂₀アル
キルチオ基、ヒドロキシ基、アミノ基、アシルアミノ
基、ニトロ基、シアノ基、C₁〜C₄−モノ−もしくはジア
ルキルアミノ基、C₁〜C₄アルキルスルホニル基、C₁〜C₄
アルコキシスルホニル基、フェニルスルホニル基、C₁〜
C₄アルキルフェニルスルホニル基、ヒドロキシスルホニ
ル基、アニリノ基、C₁〜C₄アルキルアニリノ基、C₁〜C₄
アルカノイル基、C₁〜C₄アルカノイルアミノ基、C₁〜C₄
アルコキシカルボニル基、C₁〜C₄アルコキシカルボニル
アミノ基、カルバモイル基、C₁〜C₄−Ｎ−モノ−もしく
はN,N−ジアルキルカルバモイル基、スルフアモイル
基、C₁〜C₄−Ｎ−モノ−もしくはN,N−ジアルキルスル
フアモイル基、ウレイド基、C₁〜C₄−アルキル基により
置換されたウレイド基、フニノキシ基、フエニルチオ基
又は次式で示される基を挙げることができる。

また、一般式［Ｉ］，［II］，［III］および［IV］
において、R₄〜R₁₀は水素原子，ハロゲン原子（塩素原
子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子）又は１価の有
機残基を表わす。

１価の有機残基としては、広範なものから選択するこ
とができるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−
プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ
−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘ
キシル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もし
くは未置換のアリール基（フェニル、トリル、キシリ
ル、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェ
ニル、クロロフェニル、エトロフェニル、ジメチルアミ
ノフェニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換
もしくは未置換の複素環基（ピリジル、キノリル、カル
バゾリル、フリル、チエニル、ピラゾリルなど）置換も
しくは未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニル
エチル、２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベン
ジル、２−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メ
トキシベンジル、ニトロベンジルなど）、アシル基（ア
セチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイ
ル、トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイルな
ど）、置換もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメチル
アミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチル
アミノ、ベンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換
スチリル基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエ
チルアミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メト
キシスチリル、エトキシスチリル、メチルスチリルな
ど）、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−
エーテル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カ
ルボン酸アミド、シアノ基又は置換もしくは未置換アリ
ールアゾ基（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナ
フチルアゾ、ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェ
ニルアゾ、ニトロフェニルアゾ、メトキシフェニルア
ゾ、トリルアゾなど）を挙げることができる。

Ｙは置換もしくは未置換の５員環又は６員環を形成す
る２価の炭化水素基（−CH₂−CH₂−，−CH₂−CH₂−CH₂
−， −CH＝CH−など）を示し、これらの５員環又は６員環は
ベンゼン環、ナフタレン環などと縮合されてもよい。

ｌは1,2または３、ｍは１または２、ｎは１また２の
整数を示す。

また、Ｘ は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオ
ン、過塩素酸塩イオン、硝酸塩イオン、ベンゼンスルホ
ン酸塩イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチ
ル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩
イオン、テトラフルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニ
ルホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベ
ンゼンスルホン酸塩イオン、酢酸塩イオン、トリフルオ
ロ酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩イオン、安息香酸塩
インオ、シュウ酸塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン
酸塩イオン、オレイン酸塩イオン、ステアリン酸塩イオ
ン、クエン酸塩イオン、一水素二リン酸塩イオン、二水
素一リン酸塩イオン、ペンタクロロスズ酸塩イオン、ク
ロロスルホン酸塩イオン、フルオロスルホン酸塩イオ
ン、トリフルオロメタンスルホン酸塩イオン、ヘキサフ
ルオロヒ酸塩イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸塩イ
オン、モリブデン酸塩イオン、タングステン酸塩イオ
ン、チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イオンなどの陰イ
オンを示す。

において、R₁₁は、水素原子、アルキル基（例えば、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル
基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、iso−ブチル基、ｔ
−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシ
ル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）、置換ア
ルキル基（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒド
ロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセ
トキシエチル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシ
エチル基、３−カルボキシプロピル基、２−スルホエチ
ル基、３−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３
−スルフェートプロピル基、４−スルフェートブチル
基、Ｎ−（メチルスルホニル）−カルバミルメチル基、
３−（アセチルスルファミル）プロピル基、４−（アセ
チルスルファミル）ブチル基など）、環式アルキル基
（例えば、シクロヘキシル基など）、アリル基（CH₂＝C
H−CH_2-）などのアルケニル基、アラルキル基（例え
ば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル
基、β−ナフチルメチル基など）、置換アラルキル基
（例えば、カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、
ヒドロキシベンジル基など）、アリール基（例えば、フ
ェニル基など）または置換アリール基（例えば、カルボ
キシフェニル基、スルホフェニル基、ヒドロキシフェニ
ル基など）を示す。

Ｚは、置換または未置換の複素環、例えばチアゾール
系列の核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾール、
４−フェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、５−
フェニルチアゾール、4,5−ジメチルチアゾール、4,5−
ジフェニルチアゾール、４−（２−チエニル）−チアゾ
ールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えばベンゾ
チアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−メチル
ベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチアゾール、5,6
ジメチルベンゾチアゾール、５−ブロモベンゾチアゾー
ル、５−フェニルベンゾチアゾール、５−メトキシベン
ゾチアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール、5,6−
ジメトキシベンゾチアゾール、5,6−ジオキシメチレン
ベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾチアゾール、
６−ヒドロキシベンゾチアゾール、4,5,6,7−テトラヒ
ドロベンゾチアゾールなど）、ナフトチアゾール系列の
核（例えばナフト［2,1−ｄ］チアゾール、ナフト［1,2
−ｄ］チアゾール、５−メトキシナフト［1,2−ｄ］チ
アゾール、５−エトキシナフト［1,2−ｄ］チアゾー
ル、８−メトキシナフト［2,1−ｄ］チアゾール、７−
メトキシナフト［2,1−ｄ］チアゾールなど）、チオナ
フテン［7,6−ｄ］チアゾール系列の核（例えば７−メ
トキシチオナフテン［7,6−ｄ］チアゾール）、オキサ
ゾール系列の核（例えば４−メチルオキサゾール、５−
メチルオキサゾール、４−フェニルオキサゾール、4,5
−ジフェニルオキサゾール、４−エチルオキサゾール、
4,5−ジメチルオキサゾール、５−フェニルオキサゾー
ル）、ベンゾオキサゾール系列の核（例えばベンゾオキ
サゾール、５−クロロベンゾオキサゾール、５−メチル
ベンゾオキサゾール、５−フェニルベンゾオキサゾー
ル、６−メチルベンゾオキサゾール、5,6−ジメチルベ
ンゾオキサゾール、５−メトキシベンゾオキサゾール、
６−メトキシベンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベン
ゾオキサゾール、６−ヒドロキシベンゾオキサゾールな
ど）、ナフトオキサゾール系列の核（例えばナフト［2,
1−ｄ］オキサゾール、ナフト［1,2−ｄ］オキサゾール
など）、セレナゾール系列の核（例えば４−メチルセレ
ナゾール、４−フェニルセレナゾールなど）、ベンゾセ
レナゾール系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−
クロロベンゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾ
ール、5,6−ジメチルベンゾセレナゾール、５−メトキ
シベンゾセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベン
ゾセレナゾール、5,6−ジオキシメチレンベンゾセレナ
ゾール、５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、4,5,6,7
−テトラヒドロベンゾセレナゾールなど）、ナフトセレ
ナゾール系列の核（例えばナフト［2,1−ｄ］セレナゾ
ール、ナフト［1,2−ｄ］セレナゾール）、チアゾリン
系列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチアゾリン、
４−ヒドロキシメチル−４−メチルアゾリン、4,4−ビ
ス−ヒドロキシメチルチアゾリンなど）、オキサゾリン
系列の核（例えばオキサゾリン）、セレナゾリン系列の
核（例えばセレナゾリン）、２−キノリン系列の核（例
えばキノリン。６−メチルキノリン、６−クロロキノリ
ン、６−メトキシキノリン、６−エトキシキノリン、６
−ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系列の核（例え
ばキノリン、６−メトキシキノリン、７−メチルキノリ
ン、８−メチルキノリン）、１−イソキノリン系列の核
（例えばイソキノリン、3,4−ジヒドロイソキノリ
ン）、３−イソキノリン系列の核（例えばイソキノリ
ン）、3,3−ジアルキルインドレニン系列の核（例えば
3,3−ジメチルインドレニン、3,3−ジメチル−５−クロ
ロインドレニン、3,3,5−トリメチルインドレニン、3,
3,7−トリメチルインドレニン）、ピリジン系列の核
（例えばピリジン、５−メチルピリジン）、ベンゾイミ
ダゾール系列の核（例えば１−エチル−5,6−ジクロロ
ベンゾイミダゾール、１−ヒドロキシエチル−5,6−ジ
クロロベンゾイミダゾール、１−エチル−５−ジクロロ
ベンゾイミダゾール、１−エチル−5,6−ジブロモベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−フェニルベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５−フルオロベンゾイミダゾー
ル、１−エチル−５−ジアノベンゾイミダゾール、１−
（β−アセトキシエチル）−５−ジアノベンゾイミダゾ
ール、１−エチル−５−クロロ−６−シアノベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５−フルオロ−６−シアノベン
ゾイミダゾール、１−エチル−５−アセチルベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５−カルボキシベンゾイミダゾ
ール、１−エチル−５−エトキシカルボニルベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５−スルファミルベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５−Ｎ−エチルスルファミルベン
ゾイミダゾール、１−エチル−5,6−ジフルオロベンゾ
イミダゾール、１−エチル−5,6−ジシアノベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５−エチルスルホニルベンゾイ
ミダゾール、１−エチル−５−メチルスルホニルベンゾ
イミダゾール、１−エチル−５−トリフルオロメチルベ
ンゾイミダゾール、１−エチル−５−トリフルオロメチ
ルスルホニルベンゾイミゾール、１−エチル−５−トリ
フルオロメチルスルフィニルベンゾイミダゾールなど）
を完成するに必要な原子群を表わす。

ｑは０又は１の整数を示す。

において、Ｑは硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を示
す。Ｐは置換されてもよいピラン、チオピラン、セレナ
ピラン、ベンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレ
ナピラン、ナフトピラン、ナフトチオピラン又はナフト
セレナピランを完成するに必要な原子群からなる炭化水
素基を示す。

これらの環にはアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
アシル、ｔ−アシル、ｎ−ヘキシル、ｎ−アクチル、ｔ
−オクチル、２−エチルヘキシルなど）、アルコキシ基
（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、
置換もしくは未置換アリール基（フェニル、トリル、キ
シリル、ビフェニル、エチルフェニル、メトキシフェニ
ル、エトキシフェニル、ジエトキシフェニル、ヒドロキ
シフェニル、クロロフェニル、ジクロロフェニル、ブロ
モフェニル、ジブロモフェニル、ニトロフェニル、ジエ
チルアミノフェニル、ジメチルアミノフェニル、ジベン
ジルアミノフェニルなど）、スチリル、４−フェニル−
1,3−ブタジエニル、メトキシスチリル、ジメトキシス
チリル、エトキシスチリル、ジエトキシスチリル、ジメ
チルアミノスチリル、４−（ｐ−ジメチルアミノフェニ
ル）−1,3−ブタジエニル、４−（ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）−1,3−ブタジエニルなどのスチリル基もし
くは４−フェニル−1,3−ブタジエニル又はその置換体
又は３−カルバゾリル、９−メチル−３−カルバゾリ
ル、９−エチル−３−カルバゾリル、９−カルバゾリル
などの複素環基によって置換されることができる。

R₁₂およびR₁₃は、水素原子、アルキル基（特に炭素原
子数１〜15のアルキル基：例えば、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、
イソアミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシ
ル）、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、ブトキシ、アミロキシ、ヘキソキシ、オクトキシな
ど）、アリール基（フェニル、α−ナフチル、β−ナフ
チルなど）、置換アリール基（トリル、キシリル、ビフ
ェニル、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシ
フェニル、アミロキシフェニル、ジメトキシフェニル、
ジエトキシフェニル、ヒドロキシフェニル、クロロフェ
ニル、ジクロロフェニル、ブロモフェニル、ジブロモフ
ェニル、ニトロフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジ
メチルアミノフェニル、ジベンジルアミノフェニルな
ど）、スチリル基又は４−フェニル−1,3−ブタジエニ
ル基（スチリル、４−フェニル−1,3−ブタジエニ
ル）、置換スチリル基又は４−フェニル−1,3−ブタジ
エニル基（メトキシスチリル、ジメトキシスチリル、エ
トキシスチリル、ジエトキシスチリル、ジメチルアミノ
スチリル、ジエチルアミノスチリル、４−（ｐ−ジメチ
ルアミノフェニル）−1,3−ブタジエニル、４−（ｐ−
ジエチルアミノフェニル）−1,3−ブタジエニルな
ど）、置換又は未置換の複素環基（３−カルバゾリル、
９−メチル−３−カルバゾリル、９−エチル−３−カル
バゾリル、９−カルバゾリル）を表わす。

R₁₂とR₁₃は、結合してベンゼン環を形成してもよい。

ｒは０又は１の整数を示す。

以下、本発明で用いられるナフトラクタム系化合物の
具体例を下記に列挙するが、これらに制限されるもので
はない。

前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物の例 前記一般式［II］で表わされる化合物の例 前記一般式［III］で表わされる化合物の例 前記一般式［IV］で表わされる化合物の例 前記一般式［Ｉ］および［II］で表わされる化合物は
米国特許第2734900号明細書に開示されているシアニン
の合成方法と同様に、下記一般式［Ｖ］で示される化合
物と、 （式中、R₁,R₂,R₃およびＸ は前記定義と同じものを意
味する） 活性メチル基を有する複素環４級アンモニウム塩化合
物，活性メチル基を有するピリリウム塩化合物，あるい
は活性エチレン基を有する化合物とを、中間鎖を形成す
る、例えばマロンジアルデヒド類，またはグルタコンジ
アルデヒド類,2−クロロ−１−ホルミルヒドロキシエチ
レンシクロヘキサン，イソホロンの様なヒドロキシ化合
物、ジヒドロキシ化合物、カルボニル化合物、ジアミノ
化合物あるいはトリメトキシ化合物等と反応させること
によって合成することができる。

前記一般式［III］および［IV］で表わされる化合物
は、前記一般式［Ｖ］で示される化合物と活性メチル基
を有する複素環４級アンモニウム塩化合物，活性メチル
基を有するピリリウム塩化合物，あるいは活性エチレン
基を有する化合物とを、中間鎖を形成するスクワリック
酸またはクロコン酸と適当な溶媒中で反応させることに
よって容易に得ることができる。

本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に、基板１
の上に前記一般式［Ｉ］〜［IV］で示されるナフトラク
タム系化合物を含有する記録層２を設けることにより形
成することができる。

基板１としては、ポリカーボネート、ポリエステル、
アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチ
ック、ガラスあるいは金属類などを用いることができ
る。

記録層２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］〜［I
V］で示されるナフトラクタム系化合物を一種または二
種以上組合せて用いることができ、さらに他の染料、例
えば、前記一般式［Ｉ］〜［IV］の化合物以外のナフト
ラクタム系、ポリメチン系、アズレン系、ピリリウム
系、スクアリウム系、クロコニウム系、トリフェニルメ
タン系、キサンテン系、アントラキノン系、シアニン
系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、テトラヒドロ
コリン系、トリフェノチアジン系、フェナンスレン系、
アミニウム塩・ジイモニウム塩系、金属キレート錯体系
染料など、あるいは金属および金属化合物など、例えば
Al,Te,Bi,Sn,In,Se,SnO,TeO₂,As,Cdなど、あるいは紫外
線吸収剤などと混合分散あるいは積層してもよい。

記録層２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法によ
り基板１上に形成される。塗布法を用いる場合には、ナ
フトラクタム系化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散
した溶液を基板１上に塗布することによって形成するこ
とができる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性
を考慮してバインダーを記録層中に混合して成膜するこ
ともできる。

塗布の際に使用できる有機溶媒は、前述のナフトラク
タム系化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とす
るかによって異なるが、一般にはアルコール系、ケトン
系、アミド系、エーテル系、エステル系、脂肪族ハロゲ
ン化炭化水素系、芳香族系、脂肪族炭化水素系などの溶
媒を用いることができる。

また、バインダーとしては、例えばニトロセルロー
ス，エチルセルロース，ポリスチレン，ポリビニルピロ
リドン，ポリメチルメタクリレート，ポリアミドなどが
挙げられる。また、必要により、ワックス、高級脂肪
酸、アミド類（例えば、オレイルアミド）を添加剤とし
て用いる。

以上のバインダーにジオクチルフタレート，ジブチル
フタレート，トリクレジルフォスフェート等の可塑剤，
鉱油，植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン
酸ソーダ，ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ル等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録層
の成膜性，塗膜安定性を高めることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、カーテンコーティング法、ローラーコーティング
法、グラビアコーティング法などのコーティング法を用
いて行うことができる。

記録層２中のナフトラクタム系化合物の含有量は通常
40〜100重量％、好ましくは50〜100重量％が望ましい。
40重量％未満では記録層の十分な光吸収性と再生レーザ
ー光に対して十分な光反射率を得ることができない。

また、記録層２の膜厚は100Å〜20μｍ、好ましくは2
00Å〜１μｍが適当である。なお、記録レーザー光に対
して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成でき得る
ならば可能な限り薄いほうがよい。

さらに、本発明の光学記録媒体は、第２図に示すよう
に、帰路層２上に記録及び再生レーザー光に対して透明
な保護層３を設けることができる。該保護層３は、基板
１側から光を照射する場合は不透明でも差支えない。

また、第３図に示すように、基板１と記録層２の間に
下引層４を設けても良い。

また、第４図に示す様に、保護層３及び下引層４を共
に用いることも可能である。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガス
などのバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上、
（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護およ
び（ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられ
る。（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオ
ノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくは
シランカップリング剤などの種々の物質を用いることが
でき、（ｂ）、（ｃ）の目的に対しては上記高分子材料
以外に無機化合物、例えばSiO₂,MgF₂,SiO,TiO₂,ZnO,Ti
N,SiNなど、金属または半金属、例えばZn,Cu,S,Ni,Cr,G
e,Se,Cd,Ag,Alなどを用いることができる。（ｄ）の目
的に対しては金属、例えばAl,Agなど、または金属光沢
を有する有機薄膜、例えばシアニン染料、メチン染料な
どを用いることができる。そして（ｅ），（ｆ）の目的
に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は50Å〜
100μｍ、好ましくは200Å〜300μｍが適当である。

また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護
および記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を
目的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ
材料を使用することができる。保護層の膜厚は100Å以
上、好ましくは1000Å以上が適当である。

この際、下引き層および／または保護層中には本発明
の一般式［Ｉ］〜［IV］のナフトラクタム系化合物が含
有されていてもよい。また、下引き層または保護層には
安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤などが含有されていてもよい。

さらに、本発明による光学記録媒体の別の構成として
は、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒
体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録
層２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンドイ
ッチ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着したい
わゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明の光学記録媒体は、ヘリウム−ネオンレーザ
（発振波長633nm）などのガスレーザの照射によって記
録することも可能であるが、好ましくは750nm以上の波
長を有するレーザ、特にガリウム−アルミニウム−ヒ素
半導体レーザ（発振波長830nm）などの近赤外あるいは
赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって
記録する方法が適している。また、読み出しのために
は、前述のレーザ光線を用いることができる。この際、
書込みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことがで
き、また異なる波長のレーザで行なうこともできる。

［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、こ
れらに限定されるものではない。

実施例１ 直径130mmφ、厚さ1.2mmのインジェクション成形によ
りプレグルーブを設けたポリカーボネート（以下、PCと
略記する）基板上に、前記ナフトラクタム系化合物No.
（１）のナフトラクタム系化合物３重量部をジアセトン
アルコール97重量部に溶解させた液をスピナーコーティ
ング法により塗布した後、乾燥して800Åの有機薄膜記
録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル
上に取り付け、ターンテーブルをモーターで1800rpmに
回転させて、発振波長830nmの半導体レーザを用いて、
基板側より記録層にスポットサイズ1.5μｍφ、記録パ
ワー8mW、記録周波数3MHzで情報を書き込み、読み出し
パワー0.8mWで再生し、その再生波形をスペクトル解析
（スキャニングフィルター，バンド幅30KHz）してC/N比
を測定した。

次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録して部分
を、繰り返し10⁵回読み出し後のC/N比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を65℃、
85％RHの条件下に2000時間放置して、環境保存安定性試
験を行なった後の透過率（830nm測定）およびC/N比を測
定した。その結果を表１に示す。

実施例２〜９ 実施例１で用いたナフトラクタム系化合物No.（１）
の化合物をNo.（４），（７），（10），（13），（1
8），（24），（25），（30）にかえて、実施例１と同
様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の
光学記録媒体を作製した。

上記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例10および11 下記化合物No.（33）および（34）と前記ナフトラク
タム系化合物No.（９）とをそれぞれ1:2の重量比でジア
セトンアルコールに混合し、実施例１と同様の方法で塗
布し、乾燥膜厚850Åの有機薄膜記録層を設け、それぞ
れ実施例10,11の光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した実施例10,11の光学記録媒体を
実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３に示
す。

比較例１ 実施例10で用いた化合物No.（９）を除いた以外は、
実施例10と同様の方法で光学記録媒体を作製し、同様に
測定した。その結果を表３に併示する。

実施例12 前記化合物No.（５）の化合物２重量部とニトロセル
ロース樹脂（オーハレスラッカー、ダイセル化学（株）
製）１重量部をジアセトンアルコール97重量部に混合さ
せた液をスピナー塗布法により、インジェクション成形
によりプレグルーブを設けた直径130mmφ、厚さ1.2mmの
PC基板上に塗布し、乾燥膜厚100Åの有機薄膜記録層を
得た。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例13〜15 実施例12で用いた化合物No.（５）を前記化合物No.
（12）．（22）．（27）にかえて、実施例12と同様の方
法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例13〜15の光学記
録媒体を作製した。

上記実施例13〜15の光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例16 ウォーレットサイズの厚さ0.4mmPC基板上に、熱プレ
ス法によりプレグルーブを設け、その上に前記ナフトラ
クタム系化合物No.（２）の化合物３重量部をジアセト
ンアルコール97重量部に混合させた液をバーコート法に
より塗布した後、乾燥して1000Åの有機薄膜記録層を得
た。さらに、その上にエチレン−酢ビドライフィルムを
介してウォーレットサイズの厚さ0.3mmのPC基板と、熱
ロール法により密着し、密着構造の光学記録媒体を作製
した。

この様にして作製した光学記録媒体をＸ−Ｙ方向に駆
動するステージ上に取り付け、発振波長830nmの半導体
レーザを用いて、厚さ0.4mmのPC基板側より、有機薄膜
記録層にスポットサイズ3.0μｍφ、記録パワー3.5mWで
記録パルス50μsecでＹ軸方向に情報を書き込み、読み
出しパワー0.3mWで再生、そのコントラスト比 Ｂ＝記録部の信号強度）を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１
と同様の条件の環境保存安定性試験を行ない、その後の
透過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表
５に示す。

実施例17〜20 ２種の前記ナフトラクタム系化合物を表６に示す組合
せで、それぞれ1:1の重量比でジアセトンアルコールに
混合し、実施例１と同様の方法で塗布し、乾燥膜厚850
Åの有機薄膜記録層を設け、それぞれ実施例17〜20の光
学記録媒体を作製した。

この様にして作成した実施例17〜20の光学記録媒体を
実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表６に示
す。

［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明の光学記録媒体によれば、
長波長側に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長発振レ
ーザーを用いても高感度に記録が可能であり、良好なピ
ット形状の形成により、高いC/N比が得られる。

また、塗工法による製造が可能で、熱に対する安定性
の良い、保存性に優れた再生劣化の少ない光学記録媒体
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。 １……基板 ２……記録層 ３……保護層 ４……下引層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−124988（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−132681（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−216792（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−216793（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−230857（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−77973（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−165669（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−190389（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−248287（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記一般式［Ｉ］，［II］，［III］また
   は［IV］で表わされるナフトラクタム系化合物を一種ま
   たは二種以上含有する記録層を有することを特徴とする
   光学記録媒体。 （但し、一般式［Ｉ］〜［IV］において、Ａは を示す。R₁は置換もしくは未置換のアルキル基，シクロ
   アルキル基，アルコキシ基，アリル基，アリール基また
   はアラルキル基を表わし、R₂およびR₃は水素原子，ハロ
   ゲン原子または１価の有機残基を表わし、R₄〜R₁₀は水
   素原子，ハロゲン原子または１価の有機残基を表わす。
   Ｙは置換もしくは未置換の５員環又は６員環を形成する
   ２価の炭化水素基を示す。ｌは1,2または３、ｍは１ま
   たは２、ｎは１または２の整数を示す。Ｘ はアニオン
   残基を示す。 R₁₁は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、環
   式アルキル基、アリル基、置換もしくは未置換のアラル
   キル基又は置換もしくは未置換のアリール基を示す。Ｚ
   は置換又は未置換の複素環を完成するに必要な原子群を
   示す。ｑは０又は１の整数を示す。 Ｑは硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を示す。Ｐは置
   換されてもよいピラン、チオピラン、セレナピラン、ベ
   ンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、
   ナフトピラン、ナフトチオピラン又はナフトセレナピラ
   ンを完成するに必要な原子群からなる炭化水素基を示
   す。R₁₂およびR₁₃は水素原子、置換もしくは未置換のア
   ルキル基、置換もしくは未置換のアリール基又は置換も
   しくは未置換のスチリル基を示す。ｒは０又は１の整数
   を示す。）