JPH02190390A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カード技術に用いうる新規な光学的記録媒体に
関するものである。

［従来の技術］ 一般に、光ディスクおよび光カードは、基板の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約１ｐ）ピットをらせん状又は円形のトラック
形態にして高密度情報を記憶することができる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層（
記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ
光線が照射された表面のみにピットを形成し、このピッ
トをらせん状１円形または直線状トラックの形態で形成
する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギー
を吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる０例
えば。

ヒートモード記録方式では、レーザ感応層（記録ｍ）は
熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により
小さな凹部（ピット）を形成できる。また、別のヒート
モード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの
吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有
するピットを形成できる。

この光ディスクおよび光力−１くに記録された情報は、
レーザ光をトラックに沿って走査し、ピットが形成され
た部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を
読み取ることによって検出される。例えば、レーザ光が
トラックに沿って走査され、ディスクにより反射された
エネルギーかフォトディテクターによってモニターされ
る。ピットトが形成されている部分は、レーザ光の反射
は低くなりフォトディテクターの出力は低下する。

方、ピットが形成されていない部分は、レーザ光は充分
に反射されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクΣよび光カードに用いる光学的記録
媒体として、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属ｆ
ｊＪ膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイ
ド系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが
提案されている。これらの薄膜は、一般に３５０〜８０
０ｎｓ付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ光
に対する反射率が高いため、レーザ光の利用率が低い等
の欠点がある。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば、７８０
ｎ量以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機薄膜の研究がなされている。この様な有機薄膜は１例
えば発振波長が７８０ｎｍ又は８３Ｏｎｍ付近の半導体
レーザによりピットを形成できる点で有効なものである
。

しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定な問題がある。

例えば、光学記録媒体の取扱いは必ずしも空調設備の整
ったオフィスでのみ使用されるわけではなく、Ｍ送倉庫
での保管、ドライブ装置の機内昇温等を考慮する必要が
あり高温における安定性により優れた媒体が望まれてい
る。特に、光学記録媒体が光カードである場合はカード
としての厚み及び強度の点で中空構造（エアーサンドイ
ッチ構造）を取ることは困難で、記録層上に直接接着剤
で対向基板を貼合せる貼合せ構造となる。その際に用い
る接着剤としては記録層の書き込み感度を落さず作業性
に優れるホットメルト系の接着剤が有効である。しかし
、ホットメルト系の接着剤では貼合わせ時に短時間では
あるが１００°Ｃ位になる為、記録層はより耐熱性に優
れたものか望まれている。さらに、光カードは個人での
持ち運びによる取扱いとなる場合が多く、粗雑に扱われ
る可能性が高い為、耐熱性を始めとする環境安定性に優
れたものが望まれている。

［発明が解決しようとする課１２ｉｌｉ］本発明は、こ
の様な現状に鑑みてなされたものであり、その目的は、
長波長側に吸収帯をもつ有ａｇ膜からなる記録層を有す
る光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は、高温高湿の環境条件下においても
より安定性の向上した色素薄膜からなる記録層を有する
光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は感度および記録に伴う光学特性の変
化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は塗工法による製造が可能な光学記録
媒体を提供することにある。

［課題を解決するための手段］および［作用］即ち１本
発明は下記一般式［Ｉ］、　［ＩＩ］、［ｍｌまたは　
［ＩＶ］で表わされるナフトラクタム系化合物を一種ま
たは二種以上含有する記録層を有することを４￥徴とす
る光学記録媒体である。

一般式［Ｉ］ 一般式［ｆＶ］ 一般式［１１］ （但し、一般式［Ｉ］〜［ＩＶ］において、Ａは一般式
［ｍｌ 鼻 を示すｓＲＩは置換もしくは未置換のアルキル基。

シクロアルキル基、アルコキシ基、アリル基、アリール
基またはアラルキル基を表わし、Ｒ２およびＲ３は水素
原子、ハロゲン原子または１価の有機残基を表わし、Ｒ
４〜ＲＩＧは水素原子、ハロゲン原子または１価の有機
残基を表わす、Ｙは置換もしくは未置換の５員環又は６
員環を形成する２価の炭化水素基を示す、Ｉ！は１，２
または３．ｍは１または２、ｎは１または２の整数を示
す、ｘｏはアニオン残基を示す。

Ｒ１１は水素、原子、置換もしくは未置換のアルキル基
、環式アルキル基、アリル基、置換もしくは未置換のア
ラルキル基又は置換もしくは未置換のアリール基を示す
、２は置換又は未置換の複素環を完成するに必要な原子
群を示す、ｑは０又はｌの整数を示す。

Ｑは硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を示す、Ｐは置
換されてもよいピラン、チオピラン。

セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベン
ゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフトチオピラン又は
ナフトセレナピランを完成するに必要な原子群からなる
炭化水素基を示す、Ｒユ、およびＲＩ３は水素原子、Ｒ
換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の
アリール基又は置換もしくは未置換のスチリル基を示す
、ｒはＯ又はｌの整数を示す、） 以下１本発明の詳細な説明する。

本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作用
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記一
般式［１］、　［１１１，［ｍｌおよび［ＩＶｌで表わ
されるナフトラクタム系化合物を一種または二種以上含
有する薄膜からなる記録層を有することに特徴かある。

前記一般式［Ｉ］、［ＬＩ］、［ｍｌおよび［ＩＶｌに
おいて１式中のＲ，は、Ｃ１〜Ｃｌ０−アルキル基（こ
れは、フェニル基、ハロゲン原子、Ｃ８〜Ｃ４−アルカ
ノイル基、カルボキシル基、Ｃ０〜Ｃ４−アルカノイル
アミノ基、０１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル基、Ｃ８
〜Ｃ１−アルコキシカルボニルアミノ基又はＣ３〜Ｃ４
−アルキルアニリノ基により置換され及び／又は酸素原
子により中断されていてもよい）、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イ
ソブチル基、三級ブチル基、ペンチル基、２−メチルブ
チル基、ヘキシル基、２−メチルペンチル基、ヘプチル
基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル
基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基
、ドデシル３．３，５．Ｓ、７−チトラメチルノニル基
、イントリデシル基、ペンタデシル基、へキサデシル基
、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エ
イコシル基（イソオクチル、イソノニル、イソデシル及
びイソトリデシルの名称は俗称であって、オキソ合成に
より得られるアルコールに由来する。これに関しては、
［ウルマンス・エンチクロベディ・デル・デヒニツシエ
ン・ヘミー］４版、７巻、２１６〜２１７頁及び１１巻
、４３５〜４３６頁参照）、ベンジル基、２−フェニル
エチル基、トリフルオルメチル基、トリクロルメチル基
、１，１．１−トリフルオルエチル基、ヘプタフルオル
プロピル基、２−メトキシエチル基２−エトキシプロピ
ル基、３−エトキシプロピル基、３．６−ジオキサへブ
チル基、３．６−シクロペンチル基、３，６．９−１−
リオキサデシル基、プロパン−２−オン−１−イル基、
ブタン−３−オン−１−イル基、２−エチルペンタン−
３−オン−１−イル基、カルボキシメチル基、２−カル
ボキシエチル基、３−カルボキシプロピル基、４−カル
ボキシツチル基、５−カルボキシペンチル基４−カルボ
キシ−３−オキサブチル基、アセチルアミノメチル基、
２−（アセチルアミノ）−エチル基、２−（ブチリルア
ミノ）−エチル基、エトキシカルボニルメチル基、２−
（エトキシカルボニル）−エチル基、３−（メトキシカ
ルボニル）−プロピル基、エトキシカルボニルアミノメ
チル基、２−（エトキシカルボニルアミノ）−エチル基
、４−メチルアニリノメチル基、２−（４−イソプロピ
ルアニリノ）−エチル基が挙げられ、ＣＳ−Ｃ７−シク
ロアルキル、Ｕ（これはＣ，〜Ｃ，−アルキル基又はハ
ロゲン原子により置換されていてもよい）、例えばシク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへブチル基、
３−メチルシクロペンチル基、４−エチルシクロヘキシ
ル基、２．３−ジクロルシクロヘキシル基か挙げられ、
アリール基類（これはＣ８〜Ｃ４−アルキル基、Ｃ１〜
Ｃ４−アルコキシ基、ハロゲン原子又はＣ１〜Ｃ１−ジ
アルキルアミノ基により置換されていてもよい）、例え
ばフェニル基、ナフチル基、トリル基、４−メチルフェ
ニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−メトキシフ
ェニル基、２．４−ジメトキシフェニル基、２−クロル
フェニル基、４−ブロムフェニル基又は４−ジメチルア
ミノフェニル基などが挙げられ、アルコキシ基１例えば
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基な
どが挙げられ、アリル基（Ｃ１１□＝Ｃｌ１−Ｃｌ１ａ
−）　、アラルキル基。

例えばベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル
基、β−ナフチルメチル基、カルボキシベンジル基、ス
ルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基などが挙げられ
るが、上記の６基を表わす。

Ｒ２，Ｒ３が結合しているナフタレン環は非置換（水素
原子）でもよく、次の基により置換されていてもよく、
あるいはベンゾ縮合していてもよい。

Ｒ２，Ｒ，は、水素原子、ハロゲン原子（塩素原子、フ
ッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子）または１価の有機残
基を表わす、１価の有機残基としては、Ｃ１〜Ｃ４−ア
ルキル基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ，−アルコキシ基、Ｃ
１〜Ｃ２゜アルキルチーオ基、ヒドロキシ基、アミノ基
、アシルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、Ｃ８〜Ｃ４−
七ノーもしくはジアルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ４アルキ
ルスルホニル基、Ｃ，−Ｃ，アルコキシスルホニル基、
フェニルスルホニル基。

Ｃ１〜Ｃ４アルキルフエニルスルホニル基、ヒドロキシ
スルホニル基、アニリノ基、Ｃ１〜Ｃ４アルキルアニリ
ノ基、ＣＩ〜Ｃ４アルカノイル基、Ｃ１〜Ｃ４アルカノ
イルアミノ基、Ｃ３〜Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ
１〜Ｃ４アルコキシカルボニルアミノ基、カルバモイル
基、Ｃ１〜Ｃ，−Ｎ−モノ−もしくはＮ、Ｎ−ジアルキ
ルカルバモイル基、スルファモイル基、Ｃ１〜Ｃ，−Ｎ
−モノ−もしくはＮ、Ｎ−ジアルキルスルファモイル基
、ウレイド基、ＣＩ〜Ｃ４−アルキル基により置換され
たウレイド基、フニノキシ基、フェニルチオ基又は次式
で示される基を挙げることができる。

また、一般式［ＩＩ、　［ＩＩ］、［ＩＩＩ］および［
ＩＶ］において、Ｒ４−Ｒ３゜は水素原子、ハロゲン原
子（塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子）又
は１価の有機残基を表わす。

１価の有機残基としては、広範なものから選択すること
ができるか、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキ
シル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もしくは
未置換のアリール１＆（フェニル、トリル、キシリ°ル
、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニ
ル、クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノ
フェニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換も
しくは未置換の複素環２１１ｉ（ピリジル、キノリル、
カルバゾリル、フリル、チエニル、ピラゾリルなど）置
換もしくは未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェ
ニルエチル、２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモ
ベンジル。

２−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシ
ベンジル、ニトロベンジルなと）、アシル基（アセチル
、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、ト
リオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど）、
置換もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ
、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ
、ベンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換スチリ
ル基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルア
ミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシス
チリル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、ニ
トロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−エーテル
基、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カルボン酸
アミド、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ
Ｍ（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルア
ゾ、ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ
、ニトロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリル
アゾなど）を挙げることができる。

Ｙは置換もしくは未置換の５員環又は６Ａ環を形成する
２価の炭化水素基（−ｃｏ、　−Ｃ１１，−ＣＩＩ　、
　　　　ＣＨ３ と）を示し、これらの５員環又は６員環はペンゼン環、
ナフタレン環などと縮合されてもよい。

！は１．２または３．ｍは１または２．ｎは１または２
の整数を示す。

また、Ｘｏは、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン
、過塩素酸塩イオン、硝酸塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル
硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イ
オン、テトラフルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニル
ホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベン
ゼンスルホン酸塩イオン、酢酸塩イオン、トリフルオロ
酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩イオン、安息香酸塩イ
オン、シュウ酸塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン酸
塩イオン、オレイン酸塩イオン、ステアリン酸塩イオン
、クエン酸塩イオン、−水素二リン酸塩イオン、二水素
−リン酸塩イオン、ペンタクロロスズ酸塩イオン、クロ
ロスルホン耐塩イオン、フルオロスルホン酸塩イオン、
トリフルオロメタンスルホン酸塩イオン、ヘキサフルオ
ロヒ酸塩イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸塩イオン
、モリブデン酸塩イオン、タングステン耐塩イオン、チ
タン酸塩イオン、ジ耐塩レ醸塩イオンなどの陰イオンを
示す。

は、水素原子、アルキル基（例えば、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、　１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、　５ｅｃ−ブチル基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブ
チル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基
、ｎ−オクチル基、を−オクチル基など）、置換アル、
キル基（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロ
キシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセト
キシエチル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエ
チル基、３−カルボキシプロピル基、２−スルホエチル
基、３−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−
スルフェートプロピル基、４−スルフェートブチル基、
Ｎ−（メチルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−
（アセチルスルファミル）プロピル基、４−（アセチル
スルファミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例え
ば、シクロヘキシル基など）、アリル基（ＣＩｌａ＝　
ＣＩ　　Ｃ１１２−）などのアルケニル基、アラルキル
基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチル
メチル基、β−ナフチルメチル基など）、置換アラルキ
ル基（例えば、カルボキシペンシル基、スルホベンジル
基、ヒドロキシベンジル基など）、アリール２＆（例え
ば、フェニル基など）または置換アリール基（例えば、
カルボキシフェニル基、スルホフェニル基、ヒドロキシ
フェニル基など）を示す。

２は、置換または未置換の複素環、例えばチアゾール系
列の核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾール、４
−フェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、５−フ
ェニルチアゾール、４，５−ジメチルチアゾール、４，
５−ジフェニルチアゾール、４−（２−チエニル）−チ
アゾールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えばベ
ンゾチアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−メ
チルベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチアゾール、
５．６ジメチルベンゾチアゾール、５−ソロモベンゾチ
アゾール、５−フェニルベンゾチアゾール、５−メトキ
シベンゾチアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール、
５．６−シメトキシベンゾチアゾール、５，６−シオキ
シメチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾチ
アゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４，５，
６．７−チトラヒドロペンゾチアゾールなど）、ナフト
チアゾール系列の核（例えばナンド［２，１−ｄ］チア
ゾール、ナツト［１，２−ｄｌチアゾール、５−メトキ
シナフト［１，２−ｄｌチアゾール、５−エトキシナフ
ト［１，２−ｄ］チアゾール、８−メトキシナフト［２
，１−ｄｌチアゾール、７−メトキシナフト［２，１−
ｄｌチアゾールなど）、チオナフテン［７，ａ−ｄ］チ
アゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフテン［
７，６−ｄｌチアゾール）、オキサゾール系列の核（例
えば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール
、４−フェニルオキサゾール、４，５−ジフェニルオキ
サゾール、４−エチルオキサゾール、４．５−ジメチル
オキサゾール、５−フェニルオキサゾール）。

ベンゾオキサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾー
ル、５−クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾ
オキサゾール、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−
メチルベンゾオキサゾール。

５．６−シメチルベンゾオキサゾール、５−メトキシベ
ンゾオキサゾール、６−メトキシベンゾオキサゾール、
５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、６−ヒドロキシベ
ンゾオキサゾールなど）、ナフトオキサゾール系列の核
（例えばナツト［２，１−ｄ］オキサゾール、ナツト［
１，２−ｄｌオキサゾールなど）、セレナゾール系列の
核（例えば４−メチルセレナゾール、４−フェニルセレ
ナゾールなど）、ベンゾセレナゾール系列の核（例えば
ベンゾセレナゾール、５−クロロベンゾセレナゾール、
５−メチルベンゾセレナゾール、５．６−シメチルベン
ゾセレナゾール、５−メトキシベンゾセレナゾール、５
−メチル−６−メトキシベンゾセレナゾール、５，６−
シオキシメチレンベンゾセレナゾール、５−ヒドロキシ
ベンゾセレナゾール、４．５，６．７−チトラヒトロペ
ンゾセレナゾールなど）、ナフトセレナゾール系列の核
（例えばナフ）［２，１−ｄ］セレナゾール、ナツト［
１，２−ｄ］セレナゾール）、チアゾリン系列の核（例
えばチアゾリン、４−メチルチアゾリン、４−ヒドロキ
シメチル−４−メチルチアゾリン、４，４−ビス−ヒド
ロキシメチルチアゾリンなど）、オキサゾリン系列の核
（例えばオキサゾリン）、セレナゾリン系列の核（例え
ばセレナゾリン）、２−キノリン系列の核（例えばキノ
リン、６−メチルキノリン、６−クロロキノリン、６−
メドキシキノリン、６−ニトキシキノリン、６−ヒトロ
キシキノリン）、４−キノリン系列の核（例えばキノリ
ン、６−メドキシキノリン、７−メチルキノリン、８−
メチルキノリン）、ｌ−イソキノリン系列の核（例えば
イソキノリン、３．４−ジヒドロイソキノリン）、３−
イソキノリン系列の核（例えばイソキノリン）　、　３
．３−ジアルキルインドレニン系列の核（例えば３，３
−ジメチルインドレニン、３．３−ジメチル−５−クロ
ロインドレニン。

３、：ｌ、５−　トリメチルインドレニン、：ｌ、］、
７−　トリメチルインドレニン）、ピリジン系列の核（
例えばピリジン、５−メチルピリジン）、ベンゾイミダ
ゾール系列の核（例えばｌ−エチル−５，６−ジクロロ
ベンゾイミダゾール、ｌ−ヒドロキシエチル−５，６−
ジクロロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−ジクロ
ロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５，６−ジブロモ
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フェニルベンゾ
イミダゾール、１−エチル−５−フルオロベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５−ジアノベンゾイミダゾール、
１−（β−アセトキシエチル）−５−ジアノベンゾイミ
ダゾール、ｌ−エチル−５−クロロ−６−ジアノベンゾ
イミダゾール、ｌ−エチル−５−フルオロ−６−ジアノ
ベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−アセチルベンゾ
イミダゾール、ｌ−エチル−５−カルボキシベンゾイミ
ダゾール、ｌ−エチル−５−エトキシカルボニルベンゾ
イミダゾール、１−エチル−５−スルファミルベンゾイ
ミダゾール、ｌ−エチル−５−Ｎ−エチルスルファミル
ベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５，６−ジフルオロ
ベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５，６−ジアノベン
ゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−エチルスルホニルベ
ンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−メチルスルホニル
ベンゾイミダゾール、１−エチル−５−トリフルオロメ
チルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−トリフルオ
ロメチルスルホニルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−
５−トリフルオロメチルスルフィニルベンゾイミダゾー
ルなど）を完成するに必要な原子群を表わす。

ｑは０又はｌの整数を示す。

原子、酸素原子又はセレン原子を示す、Ｐは置換されて
もよいビラン、チオビラン、セレナピラン、ベンゾピラ
ン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、ナフトピ
ラン、ナフトチオビラン又はナフトセレナビランを完成
するに必要な原子群からなる炭化水素基を示す。

これらの環にはアルキル基（メチル、エチル。

ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル
、ｎ−アシル、ｔ−アシル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチ
ル、ｔ−オクチル、２−エチルヘキシルなど）、アルコ
キシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシな
ど）、置換もしくは未置換アリール基（フェニル、トリ
ル、キシリル、ビフェニル、エチルフェニル、メトキシ
フェニル、エトキシフェニル、ジェトキシフェニル。

ヒドロキシフェニル、クロロフェニル、ジクロロフェニ
ル、ブロモフェニル、ジブロモフェニル、ニトロフェニ
ル、ジエチルアミノフェニル、ジメチルアミノフェニル
、ジベンジルアミノフェニルなど）、スチリル、４−フ
ェニル−１，３−ブタジェニル、メトキシスチリル、ジ
メトキシスチリル、エトキシスチリル、ジェトキシスチ
リル、ジメチルアミノスチリル、４−（ｐ−ジメチルア
ミノフェニル）−１，３−ブタジェニル、４−（ｐ−ジ
エチルアミノフェニル）−１，３−ブタジェニルなどの
スチリル基もしくは４−フェニル−１，３−ブタジェニ
ル又はその置換体又は３−カルバゾリル、９−メチル−
３−カルバゾリル、９−エチル−３−カルバゾリル、９
−カルバゾリルなどの複素環基によって置換されること
ができる。

Ｒ１２およびＲＩ３は、水素原子、アルキル基（特に炭
素原子数１−１５のアルキル基：例えば、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ア
ミル、イソアミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデ
シル）、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、ブトキシ、アミロキシ、ヘキソキシ、オクトキシな
ど）、アリール基（フェニル、α−ナフチル２β−ナフ
チルなど）、置換アリール基（トリル、キシリル、ビフ
ェニル、エチルフェニル、メトキシフェニル。

エトキシフェニル、アミロキシフェニル、ジメトキシフ
ェニル、ジェトキシフェニル、ヒドロキシフェニル、ク
ロロフェニル、ジクロロフェニル、ブロモフェニル、ジ
ブロモフェニル、ニトロフェニル、ジエチルアミノフェ
ニル、ジメチルアミノフェニル、ジベンジルアミノフェ
ニルなど）、スチリル基又は４−フェニル−１，３−ブ
タジェニル基（スチリル、４−フェニル−１，３−ブタ
ジェニル）、置換スチリル基又は４−フェニル−１，３
−ツタジェニル基（メトキシスチリル、ジメトキシスチ
リル、エトキシスチリル、ジェトキシスチリル、ジメチ
ルアミノスチリル、ジエチルアミノスチリル、４−（Ｐ
−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジェニル、
４−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３−ツタジ
ェニルなど）、置換又は未置換の複素環基（３−カルバ
ゾリル、９−メチル−３−カルバゾリル、９−エチル−
３−カルバゾリル、９−カルバゾリル）を表わす。

Ｒ１２とＲ１３は、結合してベンゼン環を形成してもよ
い。

ｒは０又は１の整数を示す。

以下１本発明で用いられるナフトラクタム系化合物の具
体例を下記に列挙するが、これらに制限されるものでは
ない。

前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物の例ＣＩＯ＜。

Ｃ２０４θ （コ） ＯＦ４θ ｃｐｏ、θ 前記一般式 ［］ で表わされる化合物の例 ｐ ＣＩＯ，θ （ｌＯ） ｃｆｌｏ、ｅ ＣＨ３＋ＳＯ３θ ２８Ｆ、θ （２Ｉ） ＣＩＩＯ４θ Ｒ０４ｅ 前記一般式 ［ で表わされる化合物の例 前記一般式 ［ＩＶ］ で表わされる化合物の例 ｎｎｕ２１１゜ 前記一般式［Ｉ］および　［ＩＩ］で表わされる化合物
は米国特許第２７３４９００号明細書に開示されている
シアニンの合成方法と同様に、下記一般式［Ｖ］で示さ
れる化合物と、 一般式［Ｖ］ （式中、　Ｒ，、Ｒ，、Ｒｊおよびｘｏは前記定義と回
しものを意味する） 活性メチル基を有する複素環４級アンモニウム塩化合物
、活性メチル基を有するビリリウム塩化合物、あるいは
活性エチレン基を有する化合物とを、中間類を形成する
、例えばマロンジアルデヒド類、またはグルタコンジア
ルデヒド類、２−クロロ−１−ホルミルヒドロキシエチ
レンシクロヘキサン、イソホロンの様なとドロキシ化合
物、ジヒドロキシ化合物、カルボニル化合物、ジアミノ
化合物あるいはトリメトキシ化合物等と反応させること
によって合成することができる。

前記一般式［ｍｌおよび　［Ｎ］で表わされる化合物は
、前記一般式［Ｖ］で示される化合物と活性メチル基を
有する複素環４級アンモニウム塩化合物、活性メチル基
を有するピリリウム塩化合物、あるいは活性エチレン基
を有する化合物とを、中間類を形成するスクヮリック酸
またはクロコン酸と適当な溶媒中で反応させることによ
って容易に得ることができる。

本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に。

基板ｌの上に前記一般式［Ｉ］〜［ＩＶｌで示されるナ
フトラクタム系化合物を含有する記録層２を設けること
により形成することができる。

基板ｌとしては、ポリカーボネート、ポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラスあるいは金属類などを用いることかできる。

記録層２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］〜　［Ｉ
Ｖｌて示されるナフトラクタム系化合物な一種または二
種以上組合せて用いることかでき。

さらに他の染料１例えば、前記一般式［Ｉ］〜［１７１
の化合物以外のナフトラクタム系、ポリメチン系、アズ
レン系、ピリリウム系、スクアリウム系、クロコニウム
系、トリフェニルメタン系、キサンチン系、アントラキ
ノン系、シアニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン
系、テトラヒドロコリン系、トリフエッチアジン系、フ
ェナンスレン系、アミニウム塩・ジイモニウム塩基、金
属キレート錯体系染料など、あるいは金属および金属化
合物など、例えば八Ｒ，Ｔｅ、　Ｂｉ、　Ｓｎ、　Ｉｎ
、　Ｓｅ。

ＳｎＯ，Ｔｅａ、、　Ａｓ、　Ｃｄなど、あるいは紫外
線吸収剤などと混合分散あるいは積層してもよい。

記録層２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法により
基板１上に形成される。塗布法を用いる場合には、ナフ
トラクタム系化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散し
た溶液を基板ｌ上に塗布することによって形成すること
かできる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性を
考慮してバインダーを記録層中に混合して成膜すること
もてきる。

塗布の際に使用てきる有機溶媒は、前述のナフトラクタ
ム系化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とする
かによって異なるか、一般にはアルコール系、ケトン系
、アミド系、エーテル系、エステル系、１指肋族ハロゲ
ン化炭化水素系、芳香族系、脂肪族炭化水素系などの溶
媒を用いることかてきる。

また、バインターとしては１例えばニトロセルロース、
エチルセルロース、ポリスチレン、ポリビニルピロリド
ン、ポリメチルメタクリレート。

ポリアミドなどが挙げられる。また、必要により、ワッ
クス、高級脂肪酸、アミド類（例えば。

オレイルアミド）を添加剤として用いる。

以上のバインダーにジオクチルフタレート、ジブチルフ
タレート、トリクレジルフォスフェート等の可塑剤、鉱
油、植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン酸
ソーダ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録層の
成膜性、ＰＩｉ膜安定性を高めることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、カーテンコーティング法、ローラーコーティング法、
グラビアコーティング法などのコーティング法を用いて
行うことかできる。

記録層２中のナフトラクタム系化合物の含有量は通常４
０〜１００重量％、好ましくは５０〜１００重量％が望
ましい。４０重量％未満では記録層の十分な光吸収性と
再生レーザー光に対して十分な光反射率を得ることがで
きない。

また、記録層２の膜厚はｌＯｏλ〜２０μ■、好ましく
は２００人〜ｔｇ−が適当である。なお、記録レーザー
光に対して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成で
き得るならば可能な限り薄いほうかよい。

さらに、本発明の光学記録媒体は、第２図に示すように
、記録層２上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護層３を設けることができる。

該保護層３は、基板ｌ側から光を照射する場合は不透明
でも差支えない。

また、第３図に示すように、基板ｌと記録層２の間に下
引層４を設けても良い。

また、第４図に示す様に、保護層３及び下引層４を共に
用いることも可能である。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向−Ｅ、（
ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護および
（Ｏプレグルーブの形成などを目的として設けられる。

（ａ）の目的に対しては高分子材料１例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシラ
ンカップリング剤などのＭ々の物質を用いることができ
。

（ｂ）、（ｃ）の目的に対しては上記高分子材料以外に
無機化合物１例えばＳｉｎ、、　ＭｇＦ、、　Ｓｉｎ、
　ＴｉＯ２，ＺｎＯ、ＴｉＮ、　ＳｉＮなど、金属また
は半金属、例えばＺｎ。

Ｃｕ、　Ｓ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　Ｃｄ
、　Ａｇ、　Ａｉ）などを用いることができる。（ｄ）
の目的に対しては金属１例えばＡＩ、　Ａｇなと、また
は金属光沢を有する有機薄膜１例えばシアニン染料、メ
チン染料などを用いることができる。そして（ｅ）、（
ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、
熱可塑性樹脂などを用いることができる。下引き層の膜
厚は５０Ａ〜１００μ■、好ましくは２００Ａ〜３０終
臘が適当である。

また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護お
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を目
的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ材
料を使用することかできる。保護層の膜厚は　１００Å
以上、好ましくはｔｏｏ。

入具」：か適当である。

この際、下引き層および／または保護層中には本発明の
一般式［１コ〜　［ＩＶ］のナフトラクタム系化合物が
含有されていてもよい、また、下引き層または保護層に
は安定剤１分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活
性剤、可塑剤などが含有されていてもよい。

さらに、本発明による光学記録媒体の別の構成としては
、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒体
（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録層
２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンドイッ
チ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着したいわ
ゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明の光学記録媒体は、ヘリウム−ネオンレーザ（発
振波長６：ｌ：Ｉｎ＋ｓ）などのガスレーザの照射によ
って記録することも可能であるが、好ましくは７５０ｎ
ｍ以上の波長を有するレーザ、特にガリウムーアルミニ
ウムーヒ素半導体レーザ（発振波長８３０ｎｍ）などの
近赤外あるいは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線
の照射によって記録する方法が適している。また、読み
出しのためには、前述のレーザ光線を用いることができ
る。この際、書込みと読み出しを同一波長のレーザで行
なうことができ、また異なる波長のレーザて行なうこと
もできる。

［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、これ
らに限定されるものではない。

実施例１ 直径１３０ｍｍφ、厚さ１．２＋ｓｍのインジェクショ
ン成形によりプレグルーブを設けたポリカーボネート（
以下、ＰＣと略記する）基板上に、前記ナフトラクタム
系化合￥ＩＲＮｏ、（１）のナフトラクタム系化合物３
重量部をジアセトンアルコール９７１礒部に溶解させた
液をスピナーコーティング法により塗布した後、乾燥し
て８００Ａの有ａｆＪ膜記録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモーターで１８００ｒｐ
■に回転させて１発振波長８：１Ｏｎ−の半導体レーザ
な用いて、基板側より記録層にスポットサイズ１．５μ
ｌφ、記録パワー８ｍＷ、記録周波数３Ｍｌ１ｚで情報
を書き込み、読み出しパワー０．８　ｍＷで再生し、そ
の再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィルター
、バンド幅：１ＯＫＨｚ　）　シてＣ／Ｎ比を測定した
。

次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、繰り返しｌＯＳ回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を６５℃、
８５％ＲＨの条件下に２０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の透過率（８：ｌＯｎｍ測定）
およびＣ／Ｎ比を測定した。その結果を表１に示す。

表　　　１ 実施例２〜９ 実施例１で用いたナフトラクタム系化合物Ｎｏ、（１）
の化合物をＮｏ、（４）、　（７）、　（１Ｇ）、　（
＋３）。

（１８）、　（２４）、　（２５）、　（’１０）にか
えて、実施例１と同様の方法で記録媒体を作製し、それ
ぞれ実施例２〜９の光学記録媒体を作製した。

上記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の方
法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例１Ｏおよび１１ 下記化合物Ｎｏ、（３：ｌ）および（３４）と前記ナフ
トラクタム系化合物Ｎｏ、（９）とをそれぞれｌ：２の
欧量比でジアセトンアルコールに混合し、実施例１と同
様の方法で塗布し、乾燥膜厚８５０　Ａの有機薄膜記Ｑ
層を設け、それぞれ実施例１０．１１の光学記録媒体を
作製した。

この様にして作成した実施例１０．１１の光学記録媒体
を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３に
示す。

化合物Ｎｏ、（コ３） し２■５ しＪＵ４″″ し、＋１゜ 化合物 Ｎｏ、（３４） Ｃ１’０４ｅ 比較例１ 実施例１Ｏで用いた化合物Ｎｏ、（９）を除いた以外は
、実施例１０と同様の方法で光学記録媒体を作製し、同
様に測定した。その結果を表３に併示する。

実施例１２ 前記化合物Ｎｏ、（５）の化合物２重量部とニトロセル
ロース樹脂（オーパレスラッカー、ダイセル化学■製）
１重量部をジアセトンプルコール９７重量部に混合させ
た液をスピナー塗布法により、インジェクション成形に
よりプレグルーブを設けた直径　１３０量霞φ、厚さ１
．２膳膳のＰＣ基板上に塗布し、乾燥膜厚１０００Ａの
有機薄膜記録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１３〜１５ 実施例１２で用いた化合物Ｎｏ、（５）を前記化合物Ｎ
ｏ、（１２）、　（２２）、　（２７）にかえて、実施
例１２と同様の方法で記録媒体を作製し、それデれ実施
例１３〜１５の光学記録媒体を作製した。

上記実施例１３〜１５の光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１６ つオーレフトサイズの厚さ０．４ｍｓ　Ｐ　Ｃ基板上に
、熱プレス法によりプレグルーブを設け、その上に前記
ナフトラクタム系化合物Ｎｏ、（２）の化合物３重量部
をジアセトンアルコール９７重量部に混合させた液をバ
ーコード法により塗布した後、乾燥して１００ＯＡの有
機薄膜記録層を得た。さらに、その上にエチレン−酢ビ
ドライフィルムを介してつオーレットサイズの厚さ０．
３量−のＰＣ基板と、熱ロール法により密着し、密着構
造の光学記録媒体を作製した。

この様にして作製した光学記録媒体なＸ−Ｙ方向に駆動
するステージ上に取り付け１発振波長８：ｌＯｎｍの半
導体レーザな用いて、厚さ０．４ＨのＰＣ基板側より、
有機薄膜記録層にスポットサイズ３、ロ１φ、記録パワ
ー３．５ｍＷで記録パルス５０ＩＬｓｅｃてＹ軸方向に
情報を書き込み、読み出しパワー１１．１霞Ｗで再生し
、そのコントラスト比部の信号強度）を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験を行ない、その後の透
過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表５
に示す。

表　　５ 実施例１７〜２０ ２種の前記ナフトラクタム系化合物を表６に示す組合せ
で、それぞれｌ：１の重量比でジアセトンアルコールに
混合し、実施例１と同様の方法で塗布し、乾燥膜厚８５
０Ａの有機薄膜記録層を設け、それぞれ実施例１７〜２
０の光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した実施例１７〜２ｏの光学記録媒体
を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表６に
示す。

［発明の効果］ 以上説明した様に１本発明の光学記録媒体によれば、長
波長側に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長発振レー
ザーを用いても高感度に記録が可能であり、良好なピッ
ト形状の形成により、高いＣ／Ｎ比が得られる。

また、塗工法による製造が可能で、熱に対する安定性の
良い、保存性に優れた再生劣化の少ない光学記録媒体を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】 第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。 １−・・基板 ２・・・記録層 ３・・・保護層 ４・・・下引層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式［ I ］、［II］、［III］または［IV］で表
   わされるナフトラクタム系化合物を一種または二種以上
   含有する記録層を有することを特徴とする光学記録媒体
   。 一般式［ I ］▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［II］▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［III］▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［IV］▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］〜［IV］において、Ａは ▲数式、化学式、表等があります▼ を示す。Ｒ＿１は置換もしくは未置換のアルキル基、シ
   クロアルキル基、アルコキシ基、アリル基、アリール基
   またはアラルキル基を表わし、Ｒ＿２およびＲ＿３は水
   素原子、ハロゲン原子または１価の有機残基を表わし、
   Ｒ＿４〜Ｒ＿１＿０は水素原子、ハロゲン原子または１
   価の有機残基を表わす。Ｙは置換もしくは未置換の５員
   環又は６員環を形成する２価の炭化水素基を示す、ｌは
   １、２または３、ｍは１または２、ｎは１または２の整
   数を示す。Ｘ＾■はアニオン残基を示す。 Ｒ＿１＿１は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル
   基、環式アルキル基、アリル基、置換もしくは未置換の
   アラルキル基又は置換もしくは未置換のアリール基を示
   す。Ｚは置換又は未置換の複素環を完成するに必要な原
   子群を示す。ｑは０又は１の整数を示す。 Ｑは硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を示す。Ｐは置
   換されてもよいピラン、チオピラン、セレナピラン、ベ
   ンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナピラン、
   ナフトピラン、ナフトチオピラン又はナフトセレナピラ
   ンを完成するに必要な原子群からなる炭化水素基を示す
   。Ｒ＿１＿２およびＲ＿１＿３は水素原子、置換もしく
   は未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
   基又は置換もしくは未置換のスチリル基を示す。ｒは０
   又は１の整数を示す。）