JPS63260486A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カード技術に用いうる改善された光学的記録媒
体に関するものである。

［従来の技術］ 一般に、光ディスクおよび光カードは、基板の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約ＩＪＬ）ピットをらせん状又は円形のトラッ
ク形態にして高密度情報を記憶することができる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層（
記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ
光線が照射された表面のみがピットを形成し、このピ・
ントをらせん状、円形または直線状トラックの形態で形
成する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる０
例えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層（記
′録層）は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は
融解により小さな凹部（ピット）を形成できる。また、
別のヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・エ
ネルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な
濃度差を有するピットを形成できる。

この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ピットか形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される０例えば、レーザ光がト
ラックに沿って走査され、ディスクにより反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。ピットが形成されている部分は、レーザ光の反射は低
くなりフォトディテクターの出力は低下する。一方、ピ
ットが形成されていない部分は、レーザ光は充分に反射
されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクおよび光カートに用いる光学的記録
媒体として、これまでアルミニウム蒸着膜などの金ｋｌ
ｓ薄膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄１模やカルコゲナ
イド累算品質ガラス膜などの無機物質を主に用いたもの
が提案されている。これらの薄膜は、一般に３５０〜８
００ｎｓ付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ
光に対する反射率か高いため、レーザ光の利用率が低い
等の欠点がある。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば、　７８
０ｎ−以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な
有機薄膜の研究かなされている。この様な有機薄膜は、
例えば発振波長か８３０ロー付近の半導体レーザにより
ピットを形成てきる点で有効なものである。

しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機ｇ膜が開発されているものとはいえないのが現状であ
る。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、この様な現状に鑑みてなされたものてあり、
その目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機ｉｓからなる
記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機薄膜からな
る記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は感度および記録に伴う光学特性の変
化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は塗工法による製造が可能な光学記録
媒体を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］および［作用］即ち１
本発明は下記一般式［Ｉ］で表わされるアズレニウム塩
化合物を含有する記録層を有することを特徴とする光学
記録媒体である。

一般式［Ｉ］ （但し、一般式［Ｉ］において、　Ｒ＋＋　Ｒ２１Ｒ３
１Ｒ４，Ｒｓ、　ｎｓおよびＲ７は水素原子、ハロゲン
原子又は１価の有機残基を表わし、又はＲ，とＲ，、Ｒ
２とＲｚ、　Ｒ３と１１４．　Ｒ４とＲ５，ＲｓとＲ６
およびＲ６とＲ７の組合せのうち少なくとも１つの組合
せで置換又は未置換の腟合環を形成してもよい。Ｒ８は
置換もしくは未置換のアルキル基、環式アルキル基、ア
リル基、置換もしくは未置換のアラルキル基または置換
もしくは未置換のアリール基を示す。Ｘは置換又は未置
換の複素環を完成するに必要な原子群を示す、ｎはｌ、
２又は３、ｍはＯ又はｌの整数を示す。Ｚｏはアニオン
残基を示す。） 以下１本発明の詳細な説明する。

未発ＩＩの光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作
用を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記
一般式　［Ｉ］で示されるアズレニウム塩化合物を含有
する薄膜からなる記録層を有することに特徴がある。

一般式［Ｉ］において、　Ｒ１＋　Ｒ２＋　Ｒ３＋　Ｒ
４１ｎ、。

１１６およびＲ７は水素原子、ハロゲン原子（塩素原子
、臭素原子、沃素原子）又は１価の有機残基を表わす。

１価の有機残基としては、広範なものから選択すること
ができるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキ
シル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もしくは
未置換のアリール基（フェニル、トリル、キシリル、エ
チルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、
クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェ
ニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換もしく
は未置換の複素環基（ピリジル、キノリル、カルバゾ゛
リル、フリル、チェニル、ピラゾリルなど）ｉｉ２換も
しくは未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニル
エチル、２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベン
ジル、２−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メ
トキシベンジル、ニトロベンジル）、アシル基（アセチ
ル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、
トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど）
、置換もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミ
ノ、ベンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換スチ
リル基（スチソル、ジメチルアミノスチリル、ジエチル
アミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシ
スチリル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、
ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−エーテ
ル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カルボン
酸アミド、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールア
ゾ基（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチル
アゾ。

ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ、ニ
トロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾ
など）を挙げることができる。

また、Ｒ，とＲｔ、　　Ｒ２とＲ３、■、とし、　　Ｒ
４とＲ５、ＲｓとＲ６Ｊ５よびＲ６とＲ７の組合わせの
うち、少なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮合
環を形成してもよい。縮合環としては、芳香族環（ベン
ゼン、ナフタレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、
メチルベンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、
エトキシベンゼンなど）、複素環（フラン環、ベンゾフ
ラン環、とロール環、チオフェン環、ピリジン環、キノ
リン環、チアゾール環など）、脂肪族環（ジメチレン、
トリメチレン、テトラメチレンなど）等が挙げられる。

１（６は、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、　１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基
、５ｅｃ−ブチル基、１ｓｏ−ブチル基、七−ブチル基
、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−
オクチル基、ｔ−オクチル！！ｉ等）、置換アルキル基
（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプ
ロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエ
チル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエチル基
、３−カルボキシプロピル基、２−スルホエチル基、３
−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフ
ェートプロピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−”
（メチルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−（ア
セチルスルファミル）プロピル基、４−（アセチルスル
ファミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例えば、
シクロヘキシル基など）、アリル基（ＣＩＩｇ＝　Ｃ１
ｌ　−Ｃ１，−）　ｆ２　トノ７　ルケ＝ル基、アラル
キル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフ
チルメチル基、β−ナフチルメチル基など）、置換アラ
ルキル基（例えば、カルボキシベン卦ル基、スルホベン
ジル基、ヒドロキシベンジル基など）、アリール基（例
えば、フェニル基など）または置換アリール基（例えば
。

カルボキシフェニル基、スルホフェニル基、ヒドロキシ
フェニル基など）を示す。

Ｘは、置換または未置換の複素環１例えばチアゾール系
列の核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾール、４
−フェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、５−フ
ェニルチアゾール、４．５−ジメチルチアゾール、４．
５−ジフェニルチアゾール、４−　（２−チェニル）−
チアゾールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えば
ベンゾチアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−
メチルベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチアゾール
、５．６ジメチルベンゾチアゾール、５−ブロモベンゾ
チアゾール、５−フェニルベンゾチアゾール、５−メト
キシベンゾチアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール
、５．６−ジメトキシへンゾチアゾール、５．６−シオ
キシメチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾ
チアゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４，５
，６．７−チトラヒトロペンゾチアゾールなど）、ナフ
トチアゾール系列の核（例えばナツト［２，１−ｄ］チ
アゾール、ナツト［１，２−ｄコチアゾール、５−メト
キシナフト［１，２−ｄ］チアゾール、５−エトキシナ
フト［１，２−ｄ］チアゾール、８−メトキシナフト［
ｚ、ｔ−ｄｌチアゾール、７−メトキシナフト［２，１
−ｄｌチアゾールなど）、チオチフテン［７，６−ｄｌ
チアゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフテン
［７，６−ｄｌチアゾール）、オキサゾール系列の核（
例えば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾー
ル、４−フェニルオキサゾール、４．５−ジフェニルオ
キサゾール、４−エチルオキサゾール、４，５−ジメチ
ルオキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ベンゾ
オキサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５
−クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾオキサ
ゾール、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−メチル
ベンゾオキサゾール。

５．６−シメチルベンゾオキサゾール、５−メトキシベ
ンゾオキサゾール、６−メトキシベンゾオキサゾール、
５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、６−ヒドロキシベ
ンゾオキサゾールなど）、ナフトオキサゾール系列の核
（例えばナツト［２，１−ｄ］オキサゾール、ナンド［
１，２−ｄ］オキサゾールなど）、セレナゾール系列の
核（例えば４−メチルセレナゾール、４−フェニルセレ
ナゾールなど）、ベンゾセレナゾール系列の核（例えば
ベンゾセレナゾール、５−クロロベンゾセレナゾール、
５−メチルベンゾセレナゾール、５．６−シメチルベン
ゾセレナゾール、５−メトキシベンゾセレナゾール、５
−メチル−６−メトキシベンゾセレナゾール、５．６−
シオキシメチレンベンゾセレナゾール、５−ヒドロキシ
ベンゾセレナゾール。

４．５，６．７−チトラヒドロペンゾセレナゾールなど
）、ナフトセレナゾール系列の核（例えばナンド［２，
１−ｄ］セレナゾール、ナツト［１，２−ｄ］セレナゾ
ール）、チアゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−
メチルチアゾリン、４−ヒドロキシメチル−４−メチル
チアゾリン、４．４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリ
ンなど）、オキサゾリン系列の核（例えばオキサゾリン
）、セレナゾリン系列の核（例えばセレナゾリン）、２
−キノリン系列の核（例えばキノリン、６−メチルキノ
リン、６−クロロキノリン、６−メドキシキノリン、６
−ニトキジキノリン、６−ヒトロキシキノリン）、４−
キノリン系列の核（例えばキノリン、６−メドキシキノ
リン、７−メチルキノリン、８−メチルキノリン）、ｌ
−イソキノリン系列の核（例えばイソキノリン、３．４
−ジヒドロイソキノリン）、３−イソキノリン系列の核
（例えばインキノリン）、３．３−ジアルキルインドレ
ニン系列の核（例えば３．３−ジメチルインドレニン、
３．３−ジメチル−５−クロロインドレニン、コ、３．
５−トリメチルインドレニン、３，３．７−　トリメチ
ルインドレニン）、ピリジン系列の核（例えばとリジン
、５−メチルピリジン）、ベンゾイミダゾール系列の核
（例えばｌ−エチル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾ
ール、ｌ−ヒドロキシエチル−５，６−ジクロロベンゾ
イミダゾール、ｌ−エチル−５−ジクロロベンゾイミダ
ゾール、ｌ−エチル−５，６−ジブロモベンゾイミダゾ
ール、１−エチル−５−フェニルベンゾイミダゾール、
１−エチル−５−フルオロベンゾイミダゾール、ｌ−エ
チル−５−ジアノベンゾイミダゾール、１−（β−アセ
トキシエチル）−５−ジアノベンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−クロロ−６−ジアノベンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５−フルオロ−６−ジアノベンゾイミダゾ
ール、ｌ−エチル−５−アセチルベンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５−カルボキシベンゾイミダゾール、ｌ−
エチル−５−エトキシカルボニルベンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５−スルファミルベンゾイミダゾール、ｌ
−エチル−５−Ｎ−エチルスルファミルベンゾイミダゾ
ール、ｌ−エチル−５，６−ジフルオロベンゾイミダゾ
ール、ｌ−エチル−５，６−ジアノベンゾイミダゾール
、ｌ−エチル−５−エチルスルホニルベンゾイミダゾー
ル、ｌ−エチル−５−メチルスルホニルベンゾイミダゾ
ール。

ｌ−エチル−５−トリフルオロメチルベンゾイミダゾー
ル、１−エチル−５−トリフルオロメチルスルホニルベ
ンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−トリフルオロメチ
ルスルフィニルベンゾイミダゾールなと）を完成するに
必要な原子群を表わす。

また、Ｚｏは、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン
、過塩素酸塩イオン、Ｗ４醜塩イオン、ベンゼンスルホ
ン酸塩イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチ
ル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル［８塩
イオン、テトラブルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニ
ルホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベ
ンゼンスルホン酸塩イオン、酢酸塩イオン、トリプルオ
ロ酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩イオン、安息香酸塩
イオン、シュウ酸塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン
酸塩イオン、オレイン酸塩イオン。

ステアリン酸塩イオン、クエン酸塩イオン、−水素ニリ
ン酸塩イオン、二水素−リン酸塩イオン、ペンタクロロ
スズ酸塩イオン、クロロスルホン酸塩イオン、フルオロ
スルホン酸塩イオン、トリフルオロメタンスルホン酸塩
イオン、ヘキサフルオロヒ酸塩イオン、ヘキサフルオロ
アンチモン酸塩イオン、モリブデン酸塩イオン、タング
ステン酸塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イ
オンなどの陰イオンを示す。

一般式［ＮにおけるＺ８はＲ８自体がアニオン基、Ｍ　
、ｔ　（ｆ　−５Ｏ３８，−ｏｓｏ３θ、−ｃｏｏθ、
　５Ｏ２ｅＮＩＩ−。

−ｓｏ□−Ｎｏ−ＧＯ−、−５Ｑ、−Ｎｏ−３Ｏ□−を
含むときには存在しない。

ｎはｌ、２又は３．ｍはＯ又はｌの整数である。

以下、本発明で用いられるアズレニウム塩化合物の具体
例を下記に列挙するが、これらに制限されるものではな
い。

前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物の例（：ｌｌ３ ＣＵ＋ Ｃ１１゜ し６１１１７ Ｃ１１゜ ■ Ｈ３ しＩＩコ Ｃ１１：＋ Ｃ１１３ しＩＩ　３　　　　　　　　ＣＨ１−埒＝リーｓｏ３θ
前記一般式［ＩＩで表わされる化合物はジャーナル　オ
ブ　ザ　ケミカル　ソサイエティー（Ｊｏｕｒｎａｌ　
ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅＬｙ）　
１６３〜１６７頁（１９６１年）に記載されている様に
、アルデヒド基を有するアズレン化合物と活性メチル基
を有する複素環４級アンモニウム塩化合物とを適当な溶
媒中で加熱反応させることにより得られる。

一般式［ＩＩに用いられるアズレン環としては、その原
料コスト及び誘導されるアズレニウム化合物の溶解性の
点で植物から抽出されるグアイアズレンを用いるのが工
業的には最適である。

本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に。

基板ｌの上に前記一般式［ＩＩで示されるアズレニウム
塩化合物を含有する記録層２を設けることにより形成す
ることができる。

基板ｌとしては、ポリカーボネート、ポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラスあるいは金属類などを用いることができる。

記録層２の形成にあたって、前記一般式・［ＩＩで示さ
れるアズレニウム塩化合物を１種または２種以上組合せ
て用いることができ、さらに他の染料、例えば、前記一
般式［ＩＩの化合物以外のポリメチン系、アズレン系、
ビリリウム系、スクアリウム系、クロコニウム系、トリ
フェニルメタン系、キサンチン系、アントラキノン系、
シアニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、テト
ラヒドロコリン系、トリフエッチアジン系、フェナンス
レン系、金属キレート錯体系染料など、あるいは金属お
よび金属化合物など５例えば＾Ｒ，Ｔｅ。

Ｂｉ、　Ｓｎ、　Ｉｎ、　Ｓｅ、　ＳｎＯ，Ｔｅｒａ、
　Ａｓ、　Ｃｄなどと混合分散あるいは積層してもよい
。

記録層２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法により
基板ｌ上に形成される。塗布法を用いる場合には、アズ
レニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散した
溶液を基板ｌ上に塗布することによって形成することが
できる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性を考
慮してバインダーを記録層中に混合してｒ＆膜すること
もてきる。

塗布の際に使用できる有機溶媒は、前述のアズレニウム
塩化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とするか
によって異なるが、一般にはメタノール、エタノール、
イソプロパツール、ジアセトンアルコール、メチルセロ
ソルブ等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、　Ｎ、Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドな
どのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシ
ド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリ
コールモノメチルエーテルなどのニーデル類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、ジクロルエチ
レン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、
モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類
、あるいはｎ−へキサン、シクロヘキサン、リグロイン
などの脂肪族炭化水素類などを用いることができる。

また、好適なバインダーとしては、広範な樹Ｉ脂から選
択することができる。具体的にはニトロセルロース、リ
ン酸セルロース、硫斂セルロース。

酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、醋酸セルロ
ース、ミリスチン酸セルロース、バルミチン酸セルロー
ス、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・醋酸セルロ
ースなどのセルロースエステル類、メチルセルロース、
エチルセルロース。

プロピルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロー
スエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、ポリビニルブチラール。

ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール。

ポリビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−
ブタジェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコ
ポリマー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコ
ポリマー、塩化ビニル−酢鑓ビニルコポリマーなどの共
重合樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア
クリルート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸
、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリ
ロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフ
タレートなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イソ
ブロピリデンジフエニレンーコ−１，４−０シクロヘキ
シレンジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオ
キシ−３，３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ
（４，４’−イソブロビリデンジフエニレンカーボネー
トーコーテレフタレート）、ポリ（１１，４’−イソプ
ロピリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４
’　−５ｅｅ−ブチリデンジフェニレンカーボネート）
、ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカー
ボネートーブロックーオキシエ夢しン）などのポリアリ
−レート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類
、ポリウレタン類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂類
、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレン
、ポリブテン、ポリイソブチレンなとのポリオレフィン
類、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム等の
エラストマー類などを用いることができ、その他場合に
より樹脂以外の鯨ロウ、ミツロウ、ラノリン、カルナバ
ワックス、キャンデリラワウウス。モンタンワックス、
セレシンワックス等の天然ワックス、パラフィンワック
ス、マイクロクリスタリンワックス等の石油ワックス。

酸化ワックス、エステルワックス、フィッシャートロプ
シュワックス等の合成ワックス、ラウリン酸、ミリスチ
ン酸、バルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸等の高
級脂肪酸、カナアリルアルコール。ベヘニルアルコール
等の高級アルコール、ショ糖の脂肪酸エステル、ソルビ
タンの脂肪酸エステル等のエステル類、オレイルアミド
等のアミド類を適宜混合させることができる。

以上のバインダーにジオクチルフタレート、ジブチルフ
タレート、トリクレジルフォスフェート等の可塑剤、鉱
油、植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン酸
ソーダ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録層の
成膜性、塗膜安定性を高めることがてきる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行うことができる。

記録層２中のアズレニウム塩化合物の含有量は通常４０
〜１００　ｉ量％、好ましくは５０〜１００重量％が望
ましい、　４０ｉ１ｉ％未満では記録層の十分な光吸収
性と再生レーザー光に対して十分な光反射率を得ること
ができない。

また、記録層２の膜厚は１００人〜２０Ｈ，好ましくは
２００人〜ＩＩＬｍが適当である。なお、記録レーザー
光に対して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成で
き得るならば可能な限り薄いほうがよい。

さらに、本発明の光学記録媒体は、第２図に示すように
、記録層２上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護層３を設けることかできる。

該保護層３は、基板ｌ側から光を照射する場合は不透明
でも差支えない。

また、第３図に示すように、基板ｌと記録層２の間に下
引層４を設けても良い。

また、第４図に示す様に、保護層３及び下引層４を共に
用いることも可能である。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護および（
「）プレグルーブの形成などを目的として設けられる。

（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシラ
ンカップリング剤などの種々の物質を用いることができ
、（ｂ）、（Ｃ）の目的に対しては上記高分子材料以外
に無機化合物例えば５ｉｎ２．　ＭｇＦｔ、　ｓｉｏ、
　Ｔｉ１ｔ、　ＺｎＯ。

ＴｉＮ、　ＳｉＮなど、金属または半金属例えばＺｎ、
　Ｃｕ。

Ｓ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　Ｃｄ、　Ａｇ
、　Ａｉ’などを用いることができる。（ｄ）の目的に
対しては金属例えばＡＲ，Ａｇなど、または金属光沢を
有する有機薄膜、例えばアズレン染料、メチン染料など
を用いることがてきる。そして（ｅ）、　（ｆ）の目的
に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は５０人
〜１１００ｐ　、好ましくは２００人〜３０＃Ｌｓか適
当である。

また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護お
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を目
的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ材
料を使用することかできる。保護層の膜厚は０．１μｍ
以上、好ましくはｉｔｔ票以上か適当である。

この際、下引き層および／または保護層中には本発明の
一般式［Ｉ］のアズレニウム塩化合物が含有されていて
もよい。また、下引き層または保護層には安定剤、分散
剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤な
どが含有されていてもよい。

さらに、本発明による光学記録媒体の別の構成としては
、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒体
（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録層
２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンドイッ
チ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着したいわ
ゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明の光学記録媒体は、アルゴンレーザ（発振波長４
８８０■）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３３
ｎ曽）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４２
ｎｍ）などのガスレーザの照射によって記録することも
可能であるが、好ましくは７５０回ｍ以上の波長を有す
るレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半導体レ
ーザ（発振波長８３０ｎ■）などの近赤外あるいは赤外
領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記録
する方法が適している。

また、読み出しのためには、前述のレーザ光線を用いる
ことができる。この際、書込みと読み出しを同一波長の
レーザで行なうことができ、また異なる波長のレーザで
行なうこともできる。

［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、これ
らに限定されるものではない。

実施例１ 直径１３０■φ、厚さ１．２ｍｍのポリメチルメタクリ
レート（以下ｒ　ＰＭＭＡＪと略記する）基板上に、エ
ポキシ−アクリレート系紫外線硬化樹脂を用いて２Ｐ法
（フォト・ポリマー法）で、厚さ３ＧＪＬ１１のプレグ
ルーブを設け、その上に前記アズレニウム塩化合物Ｎｏ
、　（１１）のアズレニウム塩化合物２重量部をジクロ
ルエタン９８重量部に溶解させた液をスピナーコーティ
ング法により塗布した後、乾燥して８００人の有機薄膜
記録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモーターで１８００ｒｐ
ｍに回転させて１発振波長８３０ｎｍの半導体レーザを
用いて、基板側より記録層にスポットサイズ１．５μ鳳
φ、記録パワー６ｍＷ、記録周波数２ＭＩＩｚで情報を
書き込み、読み出しパワー０−８■Ｗで再生し、その再
生波形をスペクトル解析（スキャニングフィルター、バ
ンド幅３０旧ＩＺ）シてＣ／Ｎ比を測定した。

次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、繰り返し１０５回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を６０°Ｃ
１９０％旧１の条件下に２０００時間放置して、環境保
存安定性試験を行なった後の透過率（８３０ｎｍ　ｍ４
定）およびＣ／Ｎ比を測定した。その結果を表１に示す
。

表　　　１ 実施例２〜９ 実施例１で用いたアズレニウム塩化合物Ｎｏ。

（１１）の化合物をＮｏ、（１）、（４）、（８）、（
１２）、（１８）、（２４）。

（２１ｉ）、（２９）にかえて、実施例１と同様の方法
で記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の光学記録
媒体を作製した。

上記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の方
法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例１Ｏおよび１１ 下記化合物Ｎｏ、（３１）および（３２）と前記アズレ
ニウム塩化合物Ｎｏ、（１９）とをそれぞれ１：ｌの重
量比でジクロルエタンに混合し、実施例１と同様の方法
で塗布し、乾燥膜厚８５０人の有機薄膜記録層を設け、
それぞれ実施例１０．’　１１の光学記録媒体を作製し
た。

この様にして作成した実施例ｔｏ、　ｔｔの光学記録媒
体を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３
に示す。

化合物Ｎｏ、（３１） 化合物Ｎｏ、　（３２） 比較例１ 実施例１Ｏで用いた化合物Ｎｏ、（１９）を除いた以外
は、実施例１０と同様の方法で光学的記録媒体を作製し
、同様に測定した。その結果を表３に併示する。

実施例１２ 前記化合物Ｎｏ、　（１５）の化合物２重量部とニトロ
セルロース樹脂（オーバレスラッカー、ダイセル化学■
製）１重量部をメチルエチルケトン９７重量部に混合さ
せた液をスピナー塗布法により、プレグルーブを設けた
直径１３０ｔｓφ、厚さ！、２ｗ＋ｎのＰＭＩＩＩＡ基
板上に塗布し、乾燥膜厚１０口０人の有機薄膜記録層を
得た。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１３〜１５ 実施例１２で用いた化合物Ｎｏ、（Ｉｓ）を前記化合物
Ｎｏ、（２）、（１７）、（２１）にかえて、実施例１
２と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例１
３〜１５の光学記録媒体を作製した。

上記実施例１３〜１５の光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１６および１７ 前記の化合物Ｎｏ、（６）およびＮｏ−（９）の化合物
５００ｍｇを蒸着用モリブデンボートに入れ、ｌ×１Ｏ
−ｊｓ■Ｉ１ｇ以下に排気した後、プレグルーブを設け
た直径１３０１−φ、厚さ１．２ｔａのＰＭＭ＾基板上
に蒸着した。蒸着中は真空室内の圧力が１０−’ａｓｔ
１ｇ以上に上昇しない様にヒータを制御しながら、９５
０人の有機薄膜記録層を形成し、それぞれ実施例１６．
１７の光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表５に示す。

実施例１８ つオーレッドサイズの厚さ０．４＠−ポリカーボネート
（以下ｒＰｃＪと略記する）基板上に、熱プレス法によ
りプレグルーブを設け、その上に前記アズレニウム塩化
合物Ｎｏ、（１１）の化合物４重量部をジアセトンアル
コール９６重量部に混合させた液をバーコード法により
塗布した後、乾燥して１０００人の有機ＦＪ膜記録層を
得た。さらに、その上にエチレン−酢ビトライフィルム
を介してつオーレッドサイズの厚さ０．３ｍｌのＰＣ基
板と、熱マール法により密着し、密着構造の光学記録媒
体を作製した。

この様にして作製した光学記録媒体なｘ−Ｙ方向に駆動
するステージ上に取り付け、発振波長８’ｌＱｎ鳳の半
導体レーザな用いて、厚さ０．４１　　のｐｃ基板側よ
り、有機薄膜記録層にスポットサイズ３、昨■φ、記録
パワー４１口■Ｗで記録パルス８０ｐｓｅｃでＹ軸方向
に情報を書き込み、読み出しパワー０．４ｍＷで再生し
、そのコントラスト比部の信号強度）を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験を行ない、その後の透
過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表６
に示す。

表　　６ ［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明の光学記録媒体によれば、長
波長側に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長発振レー
ザーを用いても高感度に記録が可ｆ彪であり、良好なピ
ット形状の形成により、高いＣ／Ｎ比か得られる。

また、塗工法による製造が可能で、熱に対する安定性の
良い、保存性に優れた再生劣化の少ない光学記録媒体を
提供することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。 ｌ・・・基板 ２・・・記録層 ３・・・保護層 ４・・・下引層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式［ I ］で表わされるアズレニウム塩化合物
   を含有する記録層を有することを特徴とする光学記録媒
   体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］において、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ
   ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６およびＲ＿７は水素原子
   、ハロゲン原子又は１価の有機残基を表わし、又はＲ＿
   １とＲ＿２、Ｒ＿２とＲ＿３、Ｒ＿３とＲ＿４、Ｒ＿４
   とＲ＿５、Ｒ＿５とＲ＿６およびＲ＿６とＲ＿７の組合
   せのうち少なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮
   合環を形成してもよい。Ｒ＿６は置換もしくは未置換の
   アルキル基、環式アルキル基、アリル基、置換もしくは
   未置換のアラルキル基または置換もしくは未置換のアリ
   ール基を示す。Ｘは置換又は未置換の複素環を完成する
   に必要な原子群を示す。ｎは１、２又は３、ｍは０又は
   １の整数を示す。Ｚ＾■はアニオン残基を示す。）