JPS63260487A

JPS63260487A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JPS63260487A
Application number: JP62093205A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Santo; 剛三東; Yoshihiro Oguchi; 小口　芳弘
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-04-17
Filing date: 1987-04-17
Publication date: 1988-10-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カート技術に用いうる改善された光学的記録媒
体に関するものである。

［従来の技術］一般に、光ディスクおよび光カートは、基板の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約１ｇ）ピットをらせん状又は円形のトラック
形態にして高密度情報を記憶することができる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層（
記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ
光線が照射された表面のみがピットを形成し、このピッ
トをらせん状、円形または直線状トラ・ンクの形態て形
成する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。

例えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層（記
録層）は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融
解により小さな四部（ピット）を形成できる。また、別
のヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・エネ
ルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃
度差を有するピットを形成できる。

この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ピットが形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される。例えば、レーザ光がト
ラックに沿って走査され、ディスクにより反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。ピットトか形成されている部分は、レーザ光の反射は
低くなりフォトディテクターの出力は低下する。一方、
ピットが形成されていない部分は、レーザ光は充分に反
射されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクおよび光カードに用いる光学的記録
媒体として、これまでアルミニウム蒸若膜などの金属薄
膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものか提案
されている。これらの薄膜は、一般に３５０〜８００ｒ
ｖ付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対
する反射率が高いため、レーザ光の利用率が低い等の欠
点がある。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば、　７８
０ｎｍ以上）の光エネルギーて光学的な物性変化可能な
有機薄膜の研究かなされている。この様な有機薄膜は、
例えば発振波長か８３０ｎｍ付近の半導体レーザにより
ピットを形成できる点で有効なものである。

しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機薄膜が開発されているものとはいえないのが現状であ
る。

［発明が解決しようとする問題点］本発明は、この様な現状に鑑みてなされたものであり、
その目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機薄膜からなる
記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機薄膜からな
る記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は感度および記録に伴う光学特性の変
化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は塗工法による製造が可能な光学記録
媒体を提供することにある。

［問題点を解決するための手段コおよび［作用］即ち、
本発明は下記一般式［Ｉｌで表わされるアズレニウム塩
化合物を含有する記録層を有することを特徴とする光学
記録媒体である。

一般式［Ｉｌ（但し、一般式［１］において、　＋１．、　Ｒ，、Ｉ
ｌ、。

１１４、　Ｒ’ｌｅ　１１Ｍ、　Ｒｔ、　Ｒ１１，Ｒ９
，ＲＩＱおよびＲ１１は水素原子、ハロゲン原子又は１
価の有機残基を表わし、又はＲ３とＲ２，ＲｔとＲ）、
　　Ｒ３とＩｌ、、　　＋１４とＲｓ、　　Ｉｔｓと１
１６およびＲ６とＲ７の組合せのうち少なくとも１つの
組合せで置換又は未置換の縮合環を形成してもよい。８
１２およびＲ１ｆｆは置換もしくは未置換のアルキル基
、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置
換のスチリル基又はは換もしくは未置換の複素環基を示
す。ｎはｌ又は２の整数を示す。ＸＯはアニオン残基を
示す、）以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作用
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記一
般式　［Ｉ］て示されるアズレニウム塩化合物を含有す
る薄膜からなる記録層を有することに特徴かある。

一般式［Ｉ］において、　Ｒ１，＋１２．　Ｒ３＋　”
４１　Ｒｓ＋Ｉｓ、　Ｒ？、　ｌｌａ、　Ｒ９，ＲＩＯ
およびＲ１，は水稟原子、ハロゲン原子（塩素原子、臭
素原子、沃素原子）又は１価の有機残基を表わす。

１価の有機残基としては、広範なものから選択すること
かできるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキ
シル、ｔ−オクチルなと）、アルコキシ基（メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もしくは
未置換のアリール基（フェニル、トリル、キシリル、エ
チルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、
クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェ
ニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換もしく
は未置換の複素環基（ピリジル、キノリル、カルバゾリ
ル、フリル、チェニル、ピラゾリルなど）置換もしくは
未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニルエチル
、２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベンジル。

２−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシ
ベンジル、ニトロベンジル）、アシル基（アセチル、プ
ロピオニル、ツチリル、バレリル、ベンゾイル、トリオ
イル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど）、置換
もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ、ジ
エチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、ベ
ンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換スチリル基
（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミノ
スチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシスチリ
ル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、ニトロ
基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−エーテル基、
カルボキシル基、カルボン酸エステル、カルボン酸アミ
ド、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ基（
フズニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ、
ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ、ニ
トロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾ
など）を挙げることができる。

また、Ｒ，とＲ，、Ｒ，とＲ３，Ｒ，とＲ４，Ｒ４とＦ
ｌ、、　　Ｒ５とＲ６およびＲ６とＲ７の組合わせのう
ち、少なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮合環
を形成してもよい。縮合環としては、芳香族環（ベンゼ
ン、ナフタレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メ
チルベンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エ
トキシベンゼンなど）、複素環（フラン環、ベンゾフラ
ン環、ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、キノリ
ン環、チアゾール環など）、脂肪族環（ジメチレン、ト
リメチレン、テトラメチレンなど）等が挙げられる。

１（，２およびＲ１３は、アルキル基（例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、　５ｅｃ−ブチル基、１ｓｏ−ブチル基
、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘ
キシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）を示
し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキル基（例
えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピ
ル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエチル
基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエチル基、３
−カルボキシプロビル基、２−スルホエチル基、３−ス
ルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフェー
トプロピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メチ
ルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−（アセチル
スルファミル）プロピル基、４−（アセチルスルファミ
ル）ブチル基など）、環式アルキル基（例えば、シクロ
ヘキシル基など）、アリル基（Ｃｌｌｚ＝　ＣＩＩ　　
ＣＩＩ＊−）　、アラルキル基（例えば、ベンジル基、
フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメ
チル基など）、置換アラルキル基（例えば、カルボキシ
ベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基
など）を包含する。さらに、　Ｒ，□およびＲＩ３は置
換もしくは未置換のアリール基（例えば、）ェニル基、
ナフチル基、トリル基、キシリル基。

メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、トリメト
キシフェニル基、エトキシフェニル基、ジメチルアミノ
フェニル基、ジエチルアミノフェニル基、ジプロピルア
ミノフェニル基、ジベンジルアミノフェニル基、ジフェ
ニルアミノフェニル基など）、置換もしくは未置換の複
素環基（例えば、ピリジル基、キノリル基、レピジル基
、メチルピリジル基、フリル基、チェニル基、インドリ
ル基、ピロール基、カルバゾリル基、Ｎ−エチルカルバ
ゾリル基など）又は置換もしくは未置換スチリル基（例
えば、スチリル基、メトキシスチリル基、ジメトキシス
チリル基、トリメトキシスチリル基、エトキシスチリル
基、ジメチルアミノスチリル基、ジエチルアミノスチリ
ル基、ジプロピルアミノスチリル基、ジベンジルアミノ
スチリル基、ジフェニルアミノスチリル基、２．２−ジ
フェニルビニル基、２−フェニル−２−メチルビニル基
、２−（ジメチルアミノフェニル）−２−フェニルビニ
ル基、２−（ジエチルアミノフェニル）−２−フェニル
ビニル基、２−（ジベンジルアミノフェニル）−２−フ
ェニルビニル基、２゜２−シ（ジエチルアミノフェニル
）ビニル基、２．２−ジ（メトキシフェニル）ビニル基
、２゜２−（エトキシフェニル）ビニル基、２−（ジメ
チルアミノフェニル）−２−メチルビニル基、２−（ジ
エチルアミノフェニル）−２−エチルビニル基など）を
示す。

また、Ｘ８は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン
、過塩素酸塩イオン、硝酸塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル
硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イ
オン、テトラフルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニル
ホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベン
ゼンスルホン酸塩イ、オン、酢酸塩イオン、トリフルオ
ロ酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩イオン、安息香酸塩
イオン、シュウ酸塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン
耐塩イオン、オレイン酸塩イオン。

ステアリン酸塩イオン、クエン酸塩イオン、−水素二リ
ン酸塩イオン、二水素−リン酸塩イオン、ペンタクロロ
スズ酸塩イオン、クロロスルホン酸塩イオン、フルオロ
スルホン酸塩イオン、トリプルオロメタンスルホン酸塩
イオン、ヘキサフルオロヒ酸塩イオン、ヘキサフルオロ
アンチモン酸塩イオン、モリブデン酸塩イオン、タング
ステン酸塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イ
オンなどの陰イオンを示す。

一般式［Ｉ］におけるＸθは、　Ｒａ２および／または
ＲＩ３自体がアニオン基、例えば−ｓｏ、。。

−０８０３゜、−ＣＯＯｅ、　ＳＯ２゜ＮＨ−、−５Ｏ
２−Ｎｏ−ＧＯ−。

−５ｏ２−ｒ−ｓｏ□−を含むときには存在しない。

ｎは１又は２の整数である。

以下、本発明で用いられるアズレニウム塩化合物の具体
例を下記に列挙するが、これらに制限されるものではな
い。

前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物の例ＣＩ＋３Ｃβ０４゜ＣＨツＣＨ。

Ｈ３前記一般式［１１で表わされる化合物はジャーナル　オ
ブ　ザ　ケミカル　ソサイエティー（Ｊｏｕｒｎａｌ　
ｏｆ　Ｌｉｆｅ　Ｃｈｅｓｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）
　１６３〜１６７頁（１９６１年）に記載されている様
に、アルデヒド基を有するアズレン化合物と対応する活
性エチレン基を有する化合物とを強酸の存在下に適当な
溶媒中で加熱反応させることにより得られる。

あるいは、前記のジャーナル　才ブ　ザ　ケミカル　ソ
サイエティ−１１１０〜１１１７頁（１９５８年）、４
９４〜５０１頁（１９６０年）および３５７９〜３５９
コ頁（１９６１年）に記載されている様にアズレン化合
物と対応するアルデヒド化合物とを強酸の存在下に適ち
な溶媒中で加熱反応させることにより得られる。

一般式［Ｉ］に用いられるアズレン環としては、その原
料コスト及び誘導されるアズレニウム化合物の溶解性の
点で植物から抽出されるグアイアズレンを用いるのが工
業的には最適である。

本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に、基板ｌの
上に前記一般式［Ｉ］で示されるアズレニウム塩化合物
を含有する記録層２を設けることにより形成することが
できる。

基板ｌとしては、ポリカーボネート、ポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラスあるいは金属類などを用いることができる。

記録層２の形成にあたって、曲記一般式［Ｉ］で示され
るアズレニウム塩化合物を１種または２種以上組合せて
用いることかでき、さらに他の染料、例えば、前記一般
式［Ｉ］の化合物以外のポリメチン系、アズレン系、ピ
リリウム系、スクアリウム系、クロコニウム系、トリフ
ェニルメタン系、キサンチン系、アントラキノン系、シ
アニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、テトラ
ヒドロコリン系、トリフエッチアシン系、フェナンスレ
ン系、金属キレート錯体系染料など、あるいは金属およ
び金属化合物など、例えばＡｉｒ、　Ｔｃ。

Ｂｉ、　Ｓｎ、　ｉｎ、　Ｓｅ、　ＳｎＯ，Ｔｅｒａ、
　Ａｓ、　Ｃｄなどと混合分散あるいは、ｔｉｔ層して
もよい。

記録層２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法により
基板ｌ上に形成される。塗布法を用いる場合には、アズ
レニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散した
溶液を基板ｌ上に塗布することによって形成することが
できる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性を考
慮してバインダーを記録層中に混合して成膜することも
できる。

塗布の際に使用できる有機溶媒は、荊述のアズレニウム
塩化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とするか
によって異なるが、一般にはメタノール、エタノール、
イソプロパツール、ジアセトンアルコール、メチルセロ
ソルブ等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、　Ｎ、Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドな
どのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシ
ド類、デトラヒド口フラン、ジオキサン、エチレンクリ
コールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、ジクロルエチ
レン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、
モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類
。

あるいはｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、リグロインな
どの脂肪族炭化水素類などを用いることができる。

また、好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選択
することができる。具体的にはニトロセルロース、リン
酸セルロース、硫酸セルロース。

酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、醋酸セルロ
ース、ミリスチン酸セルロース、バルミチン酸セルロー
ス、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・醋酸セルロ
ースなどのセルロースエステル類、メチルセルロース、
エチルセルロース。

プロピルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロー
スエーテル類、ポリス、チレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリビニルブチラール。

ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール。

ポリビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−
ブタジェンコポリマー、”スチレン−アクリロニトリル
コポリマー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリル
コポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの
共重合樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチル
アクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル
酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアク
リロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレ
フタレートなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イ
ソブロピリデンジフエニレンーコーｌ　、４−０シクロ
ヘキシレンジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレン
ジオキシ−３，３′−フェニレンチオカーボネート）、
ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフエちレンカーボ
ネートーコーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イソ
プロピリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，
４’　−５ｅｅ−ブチリデンジフェニレンカーボネート
）、ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカ
ーボネート−ブロック−オキシエチレン）などのポリア
リ−レート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド
類、ポリウレタン類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂
類、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチレ
ン、ポリブテン、ポリイソブチレンなとのポリオレフィ
ン類、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロブレンゴム等
のエラストマー類などを用いることができ、その他場合
により樹脂□以外の鯨ロウ、ミツロウ、ラノリン、カル
ナバワックス、キャンデリラワックス、モンタンワック
ス、セレシンワックス等の天然ワックス、パラフィンワ
ックス、マイクロクリスタリンワックス等の石油ワック
ス、醸化ワックス、エステルワックス、フィッシャート
ロプ゛シュワウクス等の合成ワックス、ラウリン酸、ミ
リスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸
等の高級脂肪酸、カナアリルアルコール。ベヘニルアル
コール等の高級アルコール、ショ糖の脂肪酸エステル、
ソルビタンの脂肪酸エステル等のエステル類、オレイル
アミド等のアミド類を適宜混合させることができる。

以上のバインダーにジオクチルフタレート、ジブチルフ
タレート、トリクレジルフォスフェート等の可塑剤、鉱
油、植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン酸
ソーダ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録層の
成膜性、塗膜安定性を高めることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレートコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行うことができる。

記録層２中のアズレニウム塩化合物の含有量は通常４０
〜１００重量％２好ましくは５０〜１００重量％が望ま
しい、４０重量％未満では記録層の十分な光吸収性と再
生レーザー光に対して十分な光反射率を得ることができ
ない。

また、記録層２の膜厚は１００人〜２０４ｍ、好ましく
は２００人〜ｌル■が適当である。なお、記録レーザー
光に対して十分な光反射性を有する薄膜な安定に形成で
き得るならば可能な限り薄いほうかよい。

さらに、本発明の光学記録媒体は、第２図に示すように
、記録層２上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護層３を設けることかできる。

該保護層３は、基板１側から光を照射する場合は不透明
でも差支えない。

また、第３図に示すように、基板ｌと記録層２の間に下
引層４を設けても良い。

また、第４図に示す様に、保護層３及び下引層４を共に
用いることも可能である。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）木またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保Ｍおよび（
ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられる。

（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液、状ゴムなどの種々の材料もしくはシ
ランカップリング剤などの種々の物質を用いることがて
き、（ｂ）、（ｃ）の［１的に対しては上記高分子材料
以外に無機化合物例えばＳｉｎ、、　ＭｇＦｔ、　Ｓｉ
ｎ、　Ｔｉｅ、、　ＺｎＯ。

ＴｉＮ、　ＳｉＮなど、金属または半金属例えばＺｎ、
　Ｃｕ。

Ｓ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　Ｃｄ、　Ａｇ
、　Ａｉ’などを用いることができる。（ｄ）の目的に
対しては金属例えば八ｊ！、　Ａｇなど、または金属光
沢を有する有機薄膜。

例えばアズレン染料、メチン染料などを用いることがで
きる。そして（ｅ）、　（Ｄの目的に対しては紫外線硬
化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いること
ができる。下引き層の膜厚は５０人〜１００ｐｓ　、好
ましくは２００人〜３０μ−が適当である。

また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護お
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を目
的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ材
料を使用することができる。保護層の膜厚は０．ＩＰ鳳
以上、好ましくは１．霞以上が適当゛である。

この際、下引き層および／または保護層中には本発明の
一般式［Ｉ］のアズレニウム塩化合物が含有されていて
もよい。また、下引き層または保護層には安定剤、分散
剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤な
どが含有されていてもよい。

さらに１本発明による光学記録媒体の別の構成としては
、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒体
（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録層
２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンドイッ
チ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着したいわ
ゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明の光学記録媒体は、アルゴンレーザ（発振波長４
８８ｎｓ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３３
ｎ■）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４２
ｎｍ）などのガスレーザの照射によって記録することも
可能であるが、好ましくは７５０ｎｍ以上の波長を有す
るレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半導体レ
ーザ（発振波長８３０ｎ−）などの近赤外あるいは赤外
領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記録
する方法が適している。

また、読み出しのためには、前述のレーザ光線を用いる
ことか°Ｃきる。この際、書込みと読み出しを同一波長
のレーザて行なうことかでき、また異なる波長のレーザ
で行なうこともできる。

［実施例］以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するか、これ
らに限定されるものではない。

実施例１直径１３０１■φ、厚さ１．２鳳駕のポリメチルメタク
リレート（以下ｒ　ＰＭＭＡＪと略記する）基板上に、
エポキシ−アクリレート系紫外線硬化樹脂を用いて２Ｐ
法（フォト・ポリマー法）で、厚さ３８ｇｍのプレグル
ーブを設け、その上に前記アズレニウム塩化合物Ｎｏ、
（１）のアズレニウム塩化合物２重量部をジクロルエタ
ン９８重量部に溶解させた液をスピナーコーティング法
により塗布した後、乾燥して８００人の有機ドブ膜記録
層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモーターで１８００ｒｐ
■に回転させて、発振波長８：ｌＯｎｍの半導体レーザ
な用いて、基板側より記録層にスポットサイズ１．５μ
鳳φ、記録パワー６ａ＋Ｗ、記録周波数２Ｍ１ｌｚで情
報を書き込み、読み出しパワー０．８ｍＷで再生し、そ
の再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィルター
、バンド［３０ＫＩＩｚ　）　Ｌ／てＣ／Ｎ比を測定し
た。

次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、祿り返し１０’回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を６０℃、
９０％ＲＨの条件下に２０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の透過率（８３０ｎｍ測定）お
よびＣ／Ｎ比を測定した。その結果を表１に示す。

表　　　１実施例２〜９実施例１で用いたアズレニウム塩化合物Ｎｏ。

（＋）の化合物をＮｏ、　Ｃ３）　、　（４）、　（７
）　、　（１０）、（１２）、（１４）。

（１６）、（２０）にかえて、実施例１と同様の方法で
記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の光学記録媒
体を作製した。

上記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の方
法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例１ＯおよびＩＩ下記化合物Ｎｏ、（：ＩＩ）および（３２）と前記アズ
レニウム、塩化合物Ｎｏ、（２）とをそれぞれｌ：１の
重量比でジクロルエタンに混合し、実施例１と同様の方
法でｐＩｉ布し、乾燥膜厚８５０人の有機薄膜記録層を
設け、それぞれ実施例１０．１１の光学記録媒体を作製
した。

この様にして作成した実施例ｔｏ、　ｔｔの光学記録媒
体を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３
に示す。

化合物Ｎｏ、（３１）化合物Ｎｏ、（３２）比較例１実施例ＩＯで用いた化合物Ｎｏ、（２）を除いた以外は
、実施例１Ｏと同様の方法で光学的記録媒体を作製し、
同様に測定した。その結果を表３に併示する。

実施例１２前記化合物Ｎｏ、（９）の化合物２重量部とニトロセル
ロース樹脂（オーバレスラッカー、ダイセル化学−製）
１重量部をメチルエチルケトン９７重量部に混合させた
液をスピナー塗布法により、プレグルーブを設けた直径
１３０ｇ＋ｍφ、厚さ１．２１−のＰＭＭＡ基板上に塗
布し、乾燥膜厚１０００人の有機薄膜記録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１３〜１５実施例１２で用いた化合物Ｎｏ、（９）を前記化合物Ｎ
ｏ、（８）、（１４）、（１７）にかえて、実施例１２
と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例１３
〜１５の光学記録媒体を作製した。

上記実施例１３〜１５の光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１６および１７前記の化合物Ｎｏ、（６）およびＮｏ、　（１８）の化
合物５００Ｂを蒸着用モリブデンボードに入れ、ｌ×ｌ
０−６−ｍ１１ｇ以下に排気した後、プレグルーブを設
けた直径ｌコ０■−φ、厚さ１．２ｍｍのＰＭＭＡ基板
上に蒸着した。蒸着中は真空室内の圧力か１０−’＋＋
＋ｍ１１ｇ以上に上昇しない様にヒータを制御しながら
、９５０人の有機薄膜記録層を形成し、それぞれ実施例
１６．１７の光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表５に示す。

実施例１８つオーレットサイズの厚さ０．４ｍｍポリカーボネート
（以下ｒＰｃＪと略記する）基板上に、熱プレス法によ
りプレグルーブを設け、その上に前記アズレニウム塩化
合物Ｎｏ、（１）の化合物４重量部をジアセトンアルコ
ール９６重量部に混合させた液をバーコード法により塗
布した後、乾燥して１０００人の有機ｓ！Ｉ記録層を得
た。さらに、その上にエチレン−酢ビトライフィルムを
介してつオーレットサイズの厚さ０．３量ｍのＰＣ基板
と、熱ロール法により密着し、密着構造の光学記録媒体
を作製した。

この様にして作製した光学記録媒体なＸ−Ｙ方向に駆動
するステージ上に取り付け、発振波長８：ｌＯｎｍの半
導体レーザな用いて、厚さ０．４１のＰＣ基板側より、
有機薄膜記録層にスポットサイズ３．０終鳳φ、記録パ
ワー４．０ａｌｌで記録パルス８０ｐｓｅｃでＹ軸方向
に情報を書き込み、読み出しパワー０．４ｍＷで再生し
、そのコントラスト比部の信号強度）を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験を行ない、その後の透
過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表６
に示す。

表　　６［発明の効果］以上説明した様に、本発明の光学記録媒体によれば、長
波長側に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長発振レー
ザーを用いても高感度に記録か可能であり、良好なピッ
ト形状の形成により、高いＣＡＮ比か得られる。

また、塗工法による製造か可ｆｌで、熱に対する安定性
の良い、保存性に優れた再生劣化の少ない光学記録媒体
を提供することかてきる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。１−・・基板２・・・記録層３・・・保護層４・・・下引層

Claims

【特許請求の範囲】下記一般式［ I ］で表わされるアズレニウム塩化合物
を含有する記録層を有することを特徴とする光学記録媒
体。一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］において、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ
＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７、Ｒ＿８、Ｒ＿
９、Ｒ＿１＿０およびＲ＿１＿１は水素原子、ハロゲン
原子又は１価の有機残基を表わし、又はＲ＿１とＲ＿２
、Ｒ＿２とＲ＿３、Ｒ＿３とＲ＿４、Ｒ＿４とＲ＿５、
Ｒ＿５とＲ＿６およびＲ＿６とＲ＿７の組合せのうち少
なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮合環を形成
してもよい。Ｒ＿１＿２およびＲ＿１＿３は置換もしく
は未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のスチリル基又は置換もしくは
未置換の複素環基を示す。ｎは１又は２の整数を示す。Ｘ＾■はアニオン残基を示す。）