JPS63207693A - 光学的記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光特に半導体レーザによるｉ９き込み
記録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディス
クまたは光カード技術に用いうる改善された光学的記録
媒体に関するものである。

［従来の技術］ 一般に、光ディスクおよび光カードは、基体のにに設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出＋１ｆ能な小さ
な（例えば、約１＃Ｌ）ピットをらせん状メは円形およ
び直線状のトラック形態にして高密度情報を記憶するこ
とができる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層の
表面に集束したレーザを走査し、このレーザ光線が照射
された表面のみがピットを形成し、このピットをらせん
状又は円形および直線状トラックの形ｆＥで形成する。

レーザ感応層は、レーザ・エネルギーを吸収して光学的
に検出可能なピットを形成できる０例えば、ヒートモー
ド記録方式では、レーザ感応層は熱エネルギーを吸収し
、その個所に蒸発又は融解により小さな四部（ピット）
を形成できる。また、別のヒートモード記録方式では、
照射されたレーザ・エネルギーの吸収により、その個所
に光学的に検出可能な濃度差を有するピットを形成でき
る。

この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ピットが形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される０例えば、光ディスクの
場合、レーザ光がトラックに沿って走査され、ディスク
により反射されたエネルギーがフォトディテクターによ
ってモニターされる。ピットが形成されている部分は、
レーザ光は反射が低くなりフォトディテクターの出力は
小さくなる。一方ピットが形成されていない部分は、充
分反射されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクおよび光カードに用いる光学的記録
媒体として、これまでアルミニウム、金蒸着膜などの金
属薄ｎ！、！、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコ
ゲナイド系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いた
ものが提案されている。これらの薄膜は、保存性が悪い
、分解能が低い、記録密度が低い、コスト高になるなど
の欠点を有する。

また、最近になって比較的長波長の光で物性変化し得る
有機色素薄１漠を記録層に用いることが提案されている
。この有機色素薄１模は、上記欠点を除去するものであ
るが、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機色素は、熱
および光に対して安定性が低いなどの問題点がある。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機被膜を右
する光学的記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は、熱および光に対して安定な保存安
定性にすぐれ、光劣化および再生劣化の少ない有機薄膜
を有する光学的記録媒体を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］および［作用］即ち、
本発明は下記一般式［Ｉ］で示される化合物を含有する
有機薄膜を有することを特徴とする光学的記録媒体であ
る。

一般式［Ｉ］ （式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは、水素原子、置換または
未置換のアルキル基、環式アルキル基、アルケニル基、
置換または未置換のアラルキル基、７１換または未置換
のアリール基、置換または未置換のスチリル基、および
置換または未置換の複素環基を示す、Ｙは５員環または
６０環を完成するに必要な原子群を有する２価の残基を
示す、　Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子またはアルキル
基を示す、Ｘ°′は陰イオンを示す、） 以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の光学的記録媒体は、前記一般式［Ｉ］で示され
るポリメチン化合物を含有する有機被膜を有することに
特徴を有している。

前記・般式［Ｉ］において、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素
原ｒ−またはアルキル基（例えば、メチルノ＾、エチル
基、ｎ−プロピル基、　１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、５ｅｃ−ブチル基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチ
ル基、ｎ−７ミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、
ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）を示し、さらに
他のアルキル基、例えば置換アルキル基（例えば、２−
ヒドロキシエチルノ、（，３−ヒドロキシプロピル基、
４−ヒドロキシブチルノ人、２−７セトキシエチル基、
カルボキシエチル基人、２−カルボキシエチル基、３−
カルボキシプロピル スルホプロピル基，４−スルホブチル基、３−スルフェ
ートプロピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メ
チルスルホニル）−力ルバミルメチル基、３−（アセチ
ルスルファミル）プロビルノ＾、４−（アセチルスルフ
ァミル）ブチル基など）、環式アルキルノ！（例えば、
シクロヘキシル基など）、アルケニル基（ビニルノ、（
、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基
、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ドデシ
ニル基、プレニル基など）、アラルキル基（例えば、ベ
ンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−
ナフチルメチル基など）、置換アラルキル基（例えば、
カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシ
ベンジル基など）を包含する。

さらに、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥはご換もしくは未置換の７
リール基（例えば、フェニル基、ナフチルノ、（、トリ
ル基、キシリル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフ
ェニル基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェニル
基、ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニ
ル基、ジプロピルアミノフェニル基、ジベンジルアミノ
フェニル基、ジフェニルアミノフェニル基など）、置換
もしくは未置換の複素環基（例えば、ピリジル基。

キノリル基、レピジル基、メチルピリジル基、フリル基
、チェニル基、インドリル基、ピロール基、カルバゾリ
ル基、Ｎ−エチルカルバゾリル基など）又は置換もしく
は未置換のスチリル基（例えば、スチリル基、メトキシ
スチリル基、ジメトキシスチリル基、トリメトキシスチ
リル基、エトキシスチリル基、ジメチルアミノスチリル
基、ジエチルアミノスチリル基、ジプロピルアミノスチ
リル基、ジベンジルアミノスチリル基、ジフェニルアミ
ノスチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、２−フェ
ニル−２−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノフェ
ニル）−２−フェニルビニル基、２−（ジエチルアミノ
フェニル）−２−フェニルビニル基、２−（ジベンジル
アミノフェニル）−２−フェニルビニル基、２．２−ジ
（ジエチルアミノフェニル）ビニル基、２，２−ジ（メ
トキシフェニル）ビニル基、２，２−ジ（エトキシフェ
ニル）ビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−２
−メチルビニル基、２−（ジエチルアミノフェニル）−
２−エチルビニル基など）を示す。

Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子）
又はアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、アミル基など）を示す。

Ｙは、置換又は未置換の５員もしくは６員環を形成する
２価の炭化水素基（−ＣＨｌ−ＣＨｔ−Ｃｌ３　ＣＨ３ 表わし、これらの５員または６員のベンゼン環、ナフタ
レン環などと縮合されていてもよい。

ｘｏは塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、
過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、ｐ−
トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エ
チル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオ
ンを示す。

次に、前記一般式［Ｉ］で示されるポリメチン化合物の
代表例を挙げるが、本発明においては必ずしもこれらに
限定されない。

化合物Ｎｏ、　　　　　Ａ　　　　　　　　　　　Ｂ　
　　　　　　　　　Ｄ（１）　　　　バ■　　　　べ■
　　　　（（２）　　　　−＠　　　　　　　　　　　
　べ■（３）　　　８Ｎ（ＣＨ３Ｊ？＋Ｎ（ＣＨｚ）２
８Ｎ（ＣＴｏ）？（５）　　　＋Ｎ（ＣＨ３）２＋Ｎ（
Ｃ）ｂ）？　　　はＴｈＮ（ＣＩ３）２（［１）　　　
−□Ｎ（ＣＨ３）２　　　　べ■　　　（沢Ｎ（師）？
（７）　　　＋　Ｎ（ＣＨ３）２　　　＋　ＣＨｓ　　
　　（）１（Ｃ山）？（８）　　　は）→（ＣＨ３）？
＋　００ＺＨ５は）→（ＣＩ（３）２（９）　　　＋　
Ｎ（Ｃ１ｈ　）２　　　＋　ＣＩ　　　　は）１（Ｃ−
）？（１０）　　８％（Ｃ２Ｈｓ）ｚ＋Ｎ（Ｃ２Ｈｓ）
？８Ｎ（Ｃ２Ｈ５）？（１１）　　８８（Ｃ２Ｈｓ）２
８Ｎ（Ｃ２Ｈｓ）？＜鼾Ｎ（Ｃ２Ｈ！ｌ）２”’−Ｙ−
・″ −ｏＨＯＣｆ１ ８Ｎ（ＣＨ３）２　　ｒＡ　　　ＯＣｎａべ■　　　Ｃ
ＲＯＢＦａ ＋０Ｃ２Ｈｓ　　　Ｃ１Ｏ拳 ＋ＨＣＣｚＨ５）２ＣＩｌ　　　Ｏ９ 化合物Ｎｏ、　　　　　Ａ　　　　　　　　　　　Ｂ　
　　　　　　　　　Ｄ本発明の光学的記録媒体は、例え
ば第１図に示すごとき構造とすることができる。第１図
に示す光学的記録媒体は、基板ｌ上に前記一般式［Ｉ］
で示される化合物を含有させた有機薄！ｌＩ２を設ける
ことによって形成できる。かかる有機１ｔｉｌ１２は前
記の一般式［Ｉ］で示される化合物を真空蒸着または、
有機溶媒中に溶解もしくは分散させた塗工液をや４ｊす
ることによって形成することができる。

また、有機薄膜２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］
で示される化合物を２種以上組合せて用いることができ
、さらに他の染料、例えば、前記一般式［Ｉ］の化合物
以外のポリメチン系、アズレン系、ピリリウム系、スク
アリウム系、クロコニウム系、トリフェニルメタン系、
キサンチン系、アントラキノン系、シアニン系、フタロ
シアニン系、ジオキサジン系、テトラヒドロコリン系、
トリフエッチアジン系、フェナンスレン系。

金属キレート錯体系染料など、あるいは金属および金属
化合物など１例えば＾Ｒ，Ｔｅ、　Ｂｉ、　Ｓｎ、　Ｉ
ｎ。

Ｓｅ、　ＳｎＯ，ＴｅＯ２，Ａｓ、　Ｃｄなどと混合分
散あるいは積層してもよい。

また、前記一般式［Ｉ］の化合物をバインダー中に分散
状態または溶解状態で含有されていてもよい０例えば、
ニトロセルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロース
、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、醋酸セル
ロース、ミリスチン酸セルロース、パルミチン酸セルロ
ース、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・醋酸セル
ロースなどのセルロースエステル類、メチルセルロース
、エチルセルロース、プロピルセルロース、ブチルセル
ロールなどのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール
、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−ブタ
ジェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリ
マー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコポリ
マー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共重合
樹脂類、ポリメチルメタクリ１／−ト、ポリメチルアク
リレート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸、
ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロ
ニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタ
レートなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イソプ
ロピリデンジフェニレンーコ−１，４−シクロヘキシレ
ンジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ
−３，３′−フェニレンチオカー、ｔｌ−ト）、ポリ（
４，４’−イソプロビリデンジフェニレンカーボネート
ーコーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロピ
リデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’　
−５ｅｃ−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポ
リ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーポネ
ートーブロックーオキシエチレン）などのボリアリレー
ト樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類、エポ
キシ樹脂類、フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類
などを用いることができる。

また、右ｍｐｂ膜２中に界面活性剤、帯電防止剤、安定
剤、分散剤、難燃剤、滑剤、可解剤などを含有されてい
てもよい。

塗工の際に使用できる有機溶剤は、分散状態とするか、
あるいは溶解状態にするかによって異なるが、一般に、
メタノール、エタノール、インプロパツール、ジアセト
ンアルコールなどのアルコール類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホ
キシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレン
グリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化
水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベ
ンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類あるいはｎ−
へキサン、シクロヘキサン、リグロインなどの脂肪族炭
化水素類などを用いること力七できる。

塗［は、侵情コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーチ）フグ法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。

有４１薄膜２の乾Ｉ＆膜厚あるいは蒸着膜厚はＳＯＡ〜
ｌｌＩＯＩＬｍ　、好ましくは２００Ａ〜１μ−が適当
である。

ノ＾板ｌとしては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
アミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるい
は金属類などを用いることができる。

また、本発明は第２図から第４図に示すように、Ｆ引き
層３および／または保護層４を設けた構成にすることも
できる。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（ｅ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（ｅ−）溶剤からの基板の保護および
（ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられる
。（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノ
マー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分
子、シリコーン０．液状ゴムなどの種々の材料もしくは
シランカップリング剤などの種々の物質を用いることが
でき、（ｂ）、　（ｃ）の目的に対しては上記高分子材
料以外に無機化合物例えば５ｉ０２　、　ＭｇＦ２．　
Ｓｉｎ、　ＴｉＯ２，ＺｎＯ。

Ｔｉｅ、　ＳｉＮなど、金属または半金属例えばＺｎ、
　Ｃｕ。

Ｓ、旧、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　Ｃｄ、　Ａｇ、Ａ
ｉ）などを用いることができる。（ｄ）の目的に対して
は金属例えばＡＲ，Ａｇなど、または金属光沢を有する
有機薄膜、例えばアズレン染料、メチン染料などを用い
ることができる。そして（ｅ）、　（ｆ）の目的に対し
ては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可・ワ（性樹脂
などを用いることができる。下引き層の膜厚は５０Ａ〜
１００Ｂ　、好ましくは２００　Ａ　〜３０ｋｍが適当
である。

また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護お
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向りを目
的として設けられ、その材料としてはド引き層と回じ材
料を使用することができる。保護層の膜厚は５０Ａ以上
、好ましくは２００Ａ以上が適当である。

この際、下引き層および／または保護層中には本発明の
Ｌ記一般式［Ｉｌの化合物が含有されていてもよい、ま
た、下引き層または保護層には安定剤、分散剤、難燃剤
、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、ＩＩｆ塑削などが含
有されていてもよい。

さらに、本発明による光学的記録媒体の別の構成として
は、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒
体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い有機
薄１１２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサン
ドイッチ構造にしてもよいし、保護層４を介して接着し
たいわゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明において、有機被膜は、アルゴンレーザ（発振波
長４８８ｎｓ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６
：ｌ］ｎｍ）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長
４４２ｎ■）などのガスレーザの照射によって記録する
ことも１可能であるが、好ましくは７５０口會以上の波
長を有するレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素
半導体レーザ（発振波長８３０口―）などの近赤外ある
いは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によ
って記録する方法が適している。また、葎み出しのため
には、前述のレーザ光線を用いる４とができる。この際
、書込みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことが
でき、また異なる波長のレーザで行なうことができる。

［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、これ
らに限定されるものではない。

実施例１ 直径１３０層霞φ、厚さ１．２１−のポリメチフレメタ
クリレート（以下ｒ　ＰＩＩＩＭ＾」と略記する）基板
上に、エポキシ−アクリレート系紫外線硬化樹脂を用い
て２２法（フォト・ポリマー法）で、厚さ５０延のプレ
グルーブを設け、その上に前記化合物Ｎｏ、（１０）の
化合物２重量部をジクロルエタン９８重量部に溶解させ
た液をスピナー塗工法により塗布した後、乾燥して８０
０Ａの有機薄膜記録層を得た。

この様にして作成した光学的記録媒体をターンテーブル
ｌ二に取り付け、ターンテーブルをモータて１８００ｒ
ｐ−に回転させて、発振波長８３０ｎ−の半導体レーザ
な用いて、ノふ板側より有機薄膜記録層にスポットサイ
ズ１．鉢−φ、記録パワー６■Ｗ、記録周波数２Ｍ１ｌ
ｚで情報を、Ｉｌき込み、読み出しパワー１．０■Ｗで
１１生し、その再生波形をスペクトル解析（スキャニン
グフィルター、バンド幅３０にｌｌｚ　）　Ｌ／てＣ／
Ｎ比（キャリヤ／ノイズ比）を測定した。

次に、前記測定条件で記録した部分を、繰り返し１０″
回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を６０℃、
９５％旧１の条件下に２０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の透過率（Ｊｌ：ｌＯｎｍ測定
）およびＣ／Ｎ比を測定した。また、同一の記録媒体に
１ｏ００１＃／＋ｅ”（：１００　ヘ９００ｎｍ）のキ
セノンランプ光を７０時間照射して、耐光安定性試験を
行なった後の透過率（８：ｌＯｎ■測定）およびＣ／Ｎ
比を測定した。その結果を表１に示す。

表　　１ 実施例２〜９ 実施例１で用いた化合物Ｎｏ、　（１Ｇ）を前記化合物
Ｎｏ、（３）、（４）、（７）、（９）、（１２）、（
１Ｂ）、（２１）、（２８）にかえて、実施例１と同様
の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の光
学的記録媒体を作製した。

上記実施例２〜９の光学的記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例１Ｏおよび１１ 下記化合物Ｎｏ、（３１）および（３２）と前記化合物
Ｎｏ、（１１）とをそれぞれｌ：ｌのｇ１！、１．比で
ジクロルエタンに混合し、実施例１と同様の方法で塗布
し、乾燥膜厚８５０Ａの有機ｆ＝ｔｊ膜記録層を設け、
それぞれ実施例１０．１１の光学的記録媒体を作製した
。

この様にして作成した実施例１０．１１の光学的記録媒
体を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３
に示す。

化合物Ｎｏ、（３１） しｙ　Ｈｌ、　　　　　ＵＩＩＪａ　”　　　　　　　
　Ｌ；２８５化合物Ｎｏ、　（３２） 比較例１ 実施例１０で用いた化合物Ｎｏ、（１１）を除いた以外
は、実施例１Ｏと同様の方法で光学的記録媒体を作製し
、同様に測定した。その結果を表３に併示する。

実施例１２ 前記化合物Ｎｏ、（＋７）の化合物２重量部とニトロセ
ルロース樹脂（オーバレスラッカー、ダイセル化学■製
）１ｉＴ（Ｍｕ部をメチルエチルケトン９７重量′　部
に混合させた液をスピナー塗布法により、プレグルーツ
を設けた直径１３０１−φ、厚さ１．２ｍｌのＰＮＩＭ
Ａ基板上に塗布し、乾燥膜厚１０００Ａの有機薄膜記録
層を得た。

この様にして作成した光学的記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１３〜１５ 実施例１２で用いた化合物Ｎｏ、（１７）を前記化合物
Ｎｏ、（５）、（＋５）、（２９）にかえて、実施例１
２と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例１
３〜１５の光学的記録媒体を作製した。

−に記実施例１３〜１５の光学的記録媒体を実施例１と
同様の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１６および１７ 前記の化合物Ｎｏ、（１）およびＮｏ、（８）の化合物
５００ｍｇを蒸着用モリブデンボードに入れ、１×１０
１・ｍｍＨｇ以↑゛に排気した後、プレグルーブを設け
た直径　１３０鵬ｍφ、厚さ１．２１朧のＰＮＭＡ基板
上に蒸着した。蒸着中は真空室内の圧力が１１１５＋ｗ
ｍＨｇ以上にＬ昇しない様にヒータを制御しながら、８
５０Ａの有機１；し膜記録層を形成し、それぞれ実施例
１８．１７の光学的記録媒体を作製した。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表５に示す。

実施例１８ ウォーレットサイズの厚さ０．４＋ｕ＋ポリカーボネー
ト（以ドｒ　ＰＣＪと略記する）７！板−Ｅに、熱プレ
ス／ｌ：によりプレグルーブを設け、その上に前記化合
物Ｎｏ、（１Ｂ）の化合物４重量部をジアセトンアルコ
ール中９５　、Ｔ、　、ｌｉｔ部に混合させた液をバー
コード法により塗布した後、乾燥して１００ＯＡの有機
薄膜記録層を得た。さらに、その上にエチレン−酢ビド
ライフィルムを介してウォーレットサイズの厚さ０．３
ｍｓ　　ＰＣ基板と、熱ロール法により密着し、密７１
構造の実施例１８の光学的記録媒体を作製した。

この様にして作製した実施例１８の光学的記録媒体をＸ
−Ｙ方向に駆動するステージ上に取り付け１発振波長８
３０ｎｍの半導体レーザを用いて、厚さ０．４鵬■のＰ
Ｃ）＾板側より、右ａ薄膜記録層にスボントサイズ３．
０μ腸φ、記録パワー４．０鵬−で記録パルス８０μｓ
ｅｃでＹ軸方向に情報を書き込み、読み出しパワー０．
４履Ｗで再生し、そのコントラスト比部の信号強度）を
測定した。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験、およ　。

び耐光安定性試験を行ない、その後の透過率およびコン
トラスト比を測定した。その結果を表６に示す。

表　　６ ［発明の効果］ 上述のように本発明の光学的記録媒体は以下の効果を奏
することができる。

（１）長波長帯に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長
発振レーザを用いても高感度に記録できる。

（２）良好なビット形状を形成でき、高いＣ／Ｎ比が得
られる。

（３）熱および光に対する安定性が高く、保存性に優れ
、内生劣化の少ない記録体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々本発明の光学的記録媒体の構成
を示す断面図である。 ｌ　・・・　ノ、Ｌ′　　板 ２・・・有機薄１漠 ３・・・下引き層 ４・・・保、６層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式［ I ］で示される化合物を含有する有機薄
   膜を有することを特徴とする光学的記録媒体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは、水素原子、置換または
   未置換のアルキル基、環式アルキル基、アルケニル基、
   置換または未置換のアラルキル基、置換または未置換の
   アリール基、置換または未置換のスチリル基、および置
   換または未置換の複素環基を示す。Ｙは５員環または６
   員環を完成するに必要な原子群を有する２価の残基を示
   す。Ｒ＿１は水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基
   を示す。Ｘ＾■は陰イオンを示す。）