JPS58181690A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明Ｆｉ、レーザ特に半導体レーザによる書込み記録
に適した光学記録媒体に関し、詳しくは光デイスク技術
に用いうる改善された光学記録媒体に関するものである
。

一般に、光ディスクは、基体の上に設けた薄い記録層に
形成された光学的に検出可能な小さな（例えば、約１声
）ビットをらせん状又は円形のトランク形態にして高密
度情報を記憶することができる。この様なディスクに情
報を書込むには、レーザ感応層の表面に集束し友レーザ
を走査し、とのレーザ光線が照射された表面のみがビッ
トを形成し、このビットをらせん状又は円形トランクの
形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギー
を吸収して光学的に検出可能なビットを形成できる。例
えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層は熱エ
ネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により小さ
な凹部（ビット）を形成できる◇また、別のヒートモー
ド記録方式では、Ｒ射されたレーザ・エネルギーの吸収
により、その個所に光学的に検出可能な！Ｉｆ差を有す
るビットを形成できる。

この光ディスクに記録された情報は、レーザｔトランク
に沿って走査し１％　ビットが形成された部分とビット
が形成されていない部分の光学的変化を読み壜ることに
よって検出される。例えば、レーザがトラックに沿って
走査され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォ
トディテクターによってモニターされる。ビットが形成
されていない時、フォトディテクターの出力は低下し、
一方ビットが形成されている時はレーザ光線は下層の反
射面によって充分に反射されフォトディテクターの出力
は大きくなる。

この様な光ディスクに用いる記録媒体として。

これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス
薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス
膜などの無機物質を主に用いたものが提案されている。

これらの薄膜は、一般に３５０〜８００　ｎｍ付近の波
長光で感応性であるとともに、レーザ光に対する反射率
が高い友この様なことから、近年比較的長波長（例えば
、７８０　ｎｒｎ以上）の光エネルギーで光学的な物性
製化ｃＩｊ能な有機薄膜の研究がなされている。

この様な有機薄膜は１例えば発振波長が８３０ａｍ付近
の半導体レーザによりビット會形成できる点で有効なも
のである〇 しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機薄膜が開発されているものとはいえないのが現状であ
る。

本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機４膜會有
する光学記録媒体を提供すると店にある。

本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機薄膜を有す
る光学記録媒体を提供することにある。

本発明の有機薄膜は、下記一般式（１）で示されるポリ
メチン染料を含有していることに％徴を有している。

一般式（１） 式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは、置換又は未置換のアリー
ル基（フェニル、トリル、キシリル、エナルフェニル、
クロｐフェニル、ジクロロフェニル、ト＋）クロロフェ
ニル、ブロモフェニル。

シフロモフェニル、ニトロフェニル、メ）＋ジフェニル
、エトキシフェニル、ジメチルアミンフェニル、ジエチ
ルアミノフェニル、ジプロピルアミノフェニル、ジベン
ジルアミノフェニル、ジフェニルアミノフェニルなど）
を示し。

ｆｊ＋　、　＆　、Ｒｓ　、　Ｒ４およびＲｓは、水素
原子、ハロゲン原子（塩素原子、芙素原子）又はアルキ
ル基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、アミルなど
）會示す。Ｙは、５員環又は６＃ｊＪｌを完成するに必
要な原子群を有する２価の残基（エチレン、プロピレン
、ｏ−フェニン／）ｔ−示ス。

Ｘθハ、隘イオン（バークロレート、フルオロボレート
、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、Ｐ−）ルエ
ンスルフォ４　　））’ｒ示ｔ。

一般式ｔ１）で示される代表的な化合物を下記に示す。

０　　　　　　　９　　　　　　　　？Ｓ　　　　　　
　　　　　ε　　　　　　　　　　　会Ｊ ｓ　　　　　　　　　　　　　　８　　　　　　　　　
　　　　　日り　　　　　　　色　　　　　　　！ ８ ｔ８　　　　　　　　　　　　　　　　　ａｅＩＢＩｉ
； 邑　　　　　　　　　　　　− ｄ　　　　　　　　　　　　　８ これらのポリメチン染料は１例えば％開開５６−８１４
９号公報などに記載される合成法Ｋｊ９得ることができ
る。

す如き４１１造とすることができる。第１図に示す光学
記録媒体は、基板ｌの上に前述のポリメチ７染料を含有
させた有機ｉｖ験２を設けることによって形成できる。

基板ｌとしては、ポリエステル、アクリル樹ＩＱ、ポリ
オレフイ／Ｗ脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ボリ
アきド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるい
は金属類などを用いることかできる。有機薄膜２は、前
述のポリメゾ／染料の真空蒸着によって形成でき、ｔた
バイ／グー中に前述のポリメチン染料を含有させた塗工
液を基板ＩＫ塗工することによって形成することができ
る。ポリメチン染料をバインダーとともに薄膜を形成さ
せる際、ポリメチン染Ｎはバインダー中で分散状態で含
有されていてもよくＳあるいは非晶質状態で含有されて
いてもよい。ポリメチン染料の好適なバインダーとして
ｔユ、広範な樹脂から選択することができる０８　体的
にＦｉ、ニトロセルロース、リン酸セルロース、硫除セ
ルロース、　＃酸セルロース、フロピオン故セルロース
、［２セルロース、ミリスナン酸セルロース、パルミチ
ン酸セルロース。

酢酸・グロピオン鈑セルロース、酢酸・酪緻セルロース
などのセルロースエステル類、メチルセルロース、エチ
ルセルロース、フロビルセルロース、フロルセルロース
ナトのセルロースニーデル＃Ｉ、ボリスチＶン、ポリ塩
化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドンなどのビニル樹脂類、ステレンーブタジエ
ンコボリｆｆ　−、ステレ／４−アクリロニトリルコポ
リマー、スチレｙ　−ｊ　ｐ　シｘ　ンーアクリロニト
リルコポリマー、塩化ビニル−塩化ビニリデンコポリマ
ー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどＯ共重合樹
脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレ
ート。

ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタク
リル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリルな
どのアクリル樹脂＃１．ポリエナレンテレフメレートな
どのポリエステル＃ｉ［。

ポリ（４，４’−イソグ關ビリデンジフエニレンーコ−
１，４−シクロヘキシレンジメチノツカーボネート）、
ポリ（エテレ／ジオキシ−３，３′−フェニレンチオカ
ーボネート）、ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフ
エニレンカーボネートーコーテレフタレート）、ポリ（
４，４’−イングロビリテ／ジフェニレンカーボネート
）、ポリ（４゜４’　−式−ｊ　ｆ　！Ｊ　テンジフエ
ニレ７カー〆ネート）、ポリ（４，４’−イソプロビリ
デンジフエニレ７カーボネートーブロックーオキシエチ
レン）などのボリアリレート樹脂類、るるいはポリアミ
ド類、ポリインド類、エポキシ樹Ａ旨類、フェノール樹
ｇｉ＊、ポリエテＶ７．ポリプロピレン。

塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用い
ることができる。

塗工の際に使用する有機溶剤は、バインダーのａｌ類お
よびポリメチン染料をバインダー中に分数状態か非晶質
状趨の何れかによって異なるが、一般には、メタノール
、エタノール、インプロパノールなどのアルコール類、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキナノン彦ど
のケト／類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−
ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホ
キシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルな
どのエステル類、クロロホルム、［化メチレン、シクロ
ルエチレ／、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂
肪族）・ロゲン化炭化水素類、あるいはぺ／＋！ン、ト
ルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、
シクロルベンゼンナトノ芳香族類など金円いることがで
きる。

塗工は、浸漬コーテイ／グ法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ヒートコーティング法、
マイヤーノく−コーティング法、ブレードコーティング
法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法
などのコーティング法を用いて行なうことができる。

バインダーとともに１！磯薄１１ｉ１２を形成する際、
ポリメチン染料の含有量は有機薄膜２中において、１〜
９０３１盪パーセント、好ましくは２０〜７０重慮パー
セントである。また、有機薄膜２の乾燥膜ＳはｌＯミク
ロ７以下、好ましくは２ミクロン以下である。

ｉ友１本発明の光学記録媒体は％第２図に示すように基
板ｌと有機薄膜２０間に反射層３を設けることがで龜る
０反射層３は、アルミニウム、銀、クロムなど０反耐性
金属の蒸着；−まえはラミネートｌ−とすることができ
る。

有機薄膜２Ｆｉ第３図に示す集束されたレーザ光線４の
照射によってピット５を形成することができる。ビット
５０ｇさｔ有機薄１２ｃ）膜厚と同一にすると、ビット
領域における反射率を増膚させることができる。絖み出
しの際、書込みに用い几し−ず光線と同一〇波長會有す
るが。

強度の小さいレーず光線を用いれば、絖み出し光がピッ
ト領域で大きく反射されるが、非ビット領域においては
吸収されるｏｔ７ｔｓ別の方法Ｆｉ有機４膜２が吸収す
る第１の波長のレーザ光線で実時１１５＃込み倉行ない
、読み出しに有機薄膜２を実質的に透過する第２の波長
のレーザ光ｍを用いることである。読み出しレーザ光−
−よ。

ビット領域と非ピット値域における異なる膜厚によって
生じる反射相Ｏ変化に応答することができる。

本発明の光学記録媒体は、アルゴンレーザ（発振波長４
８８　ｎｍ　）、ヘリウム−ネオンレーザ。

（発掘波長６３３　ｎｍ　）、ヘリウム−カドミウムレ
ーザ（発振ｅ長４４２　ａｍ　）　　などのガスレーザ
ーの照射によって記録することもｏＴ屁であるが、好ま
しくは７５０　ｎｔｎ以上の＄Ｌ長を有するレーザ、％
にガリウムーアルミニウムーヒ素半ろる赤外領域に発振
波長を有するＶ−ザｆ、−Ｏへ 照射によって記録する方法が適している。また。

読み出しのためには、前述のレーザ光線を用いることが
できる。この際、書込みと読み出しを同一波長のレーザ
で行なうことができ、また、異なる波長のレーザで行な
うことができる。

本発明によれば、十分に改善されたい比を得ることがで
き、しかも本発明で用いる有’ａｄ腺は、相反則不軌が
小さく、レーザ光線の如く強照度エネルギー光線の利用
度を高くすることができる。さらに１発揚波長フ５０ｎ
ｍ以上の波長を有するレーザ光−による記録を可能にす
ることができる。

以下、本発明を実施例に従つ−Ｃｉ＃細に説明する。

実施例１ ニトロセルロース１４１（ダイセル化学ニー１ｔ（ａ）
良；オーバーレス・ラッカｍ：ニトロセルロース２５　
ｗｔｑｋのメチルエチルケトン溶液）１２重１部、１叫
のポリメチ／ｇＩｔ科３重敏部およびメチルエチルケト
フッ０′ＩＬｋｋ部を混合し、十分に攪拌し−（Ｍ解し
た。このｍ液ｔパイレックス基板上にスピンナーコーテ
ィング法により塗布し念債、１００℃で２時間乾燥して
（Ｌ　６　Ｖｐｔの記録層を得た。

こうして作成した光学記録媒体をターンテーブル上に取
付け、ターンテーブルをモーターで１８０　Ｏｒｐｍの
回転を与え−Ｃながら、スポットサイズｌＯμに集束し
た５ｍＷおよび８　ＭＨｚのガリウムーアルミニウムー
ヒ素半導体レーザ光線（発振波長７８０ｎｍ）を記録層
面にトランク状で照射して記録を行なった。

この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微維で
観察したところ、鮮明なピットが１に められ九。また、この光ディスク社低出力のガリウムー
アルミニウムーヒ素半導体レーザを入射し、反射光の検
知を行なったところ、十分なＳ、ハ比を有する波形が得
られた。

実施例２ 実施例１で用いたＡ（Ｍｌのポリメチン染料に代えて、
　Ａ６（Ｊのポリメチン染料を用いたほかは。

実１ｌｔｉ例１と全く同様の方法で光学記録媒体を作成
してから、同様のレーザ光線ｔ−照射したところ、′！
ｉ！捲例１と同様の結果が得られた。

実施？！ｌ　３ 実開１で用い九７ｇ６晴のポリメチン染料に代えて、ム
ａ１１ｖポリメチン染料を用いたほかは、実施例１と全
く同様の方法で光学記録媒体を作成してから、同様のＶ
−ザ光線を照射したところ、実ａ？１ｉｔと同様の結電
が得られた。

実施例４ 実施？１１１で用いた／％翰のポリメチン染料に代えて
、４Ｑ７）のポリメチン染料を用いたほかは。

実施例１と全く同様の方法で光学記録媒体を作成してか
ら、同様のレーザ光１ｆｉｌｔｌ−照射したところ、実
ｌ！Ｉｉｉ＋ＩＩｌと同様の結果が得られた。

実施？１１５ 実施例１で用いた膚（ト）のポリメチン染料に代えて、
１報のポリメチン染料を用いたほかは。

実開１と全く同様の方法で光学記録媒体を作成してから
、同様のレーザ光ｌＩＭを照射したところ、実−例１と
同様の結果が得られた。

実施例６ 実施例１で用いた７ｇ６叫のポリメチン染料に代えて、
腐（至）のポリメチン染料を用いたほかは。

実九列ｌと全く同様の方法で光学記録媒体を作成してか
ら、同様のレーザ光線ｔ−照射したところ、実施列ｌと
同様の結果が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図およびＩＪ、２図は本発明の光字記録媒体の＃面
図、第３図μ本発判の光学記録媒体を用いた実施態、鎌
を示す説明図であるＯ ｌ：基板　　　　　　２：有機４嘆 ３：反射層　　　　　４：レーザ光縁 ５：ビット

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式（１）で示されるポリメチン染料管含有する
   有機薄膜ｔ−イすることｔ−％黴とする光学記録媒体。 一般式（１） （式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは、置換又は未置換の７リ
   ール基を示す。　Ｒ＋　ｙ　Ｒｔ　＊　Ｒｔ　Ｉ　Ｒ４
   およびＲ１は、水素原子、）・ロゲン原子又はアルキル
   基金陰イオンを示す。）