JPS63207692A - 光学的記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光、特に半導体レーザによる書き込み
記録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディス
クまたは光カード技術に用いうる改善された光学的記録
媒体に関するものである。

［従来の技術］ 一般に、光ディスクおよび光カードは、基体の上に設け
た１い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約１μ）ビットをらせん状又は円形および直線
状のトラック形態にして高密度情報を記憶することがで
きる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層の
表面に集束したレーザを走査し、このレーザ光線が照射
された表面のみがビットを形成し、このビットをらせん
状又は円形および直線状トラックの形態で形成する。レ
ーザ感応層は。

レーザ・エネルギーを吸収して光学的に検出可能なビッ
トを形成てきる。例えば、ヒートモード記録方式では、
レーザ感応層は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発
又は融解により小さな凹部（ビット）を形成できる。ま
た、別のヒートモート記録方式では、照射されたレーザ
・エネルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可
能な濃度差を有するビットを形成できる。

この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ビットが形成された
部分とビットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される０例えば、光ディスクの
場合、レーザ光がトラックに沿って走査され、ディスク
により反射されたエネルギーがフォトディテクターによ
ってモニターされる。ビットが形成されている部分は、
レーザ光は反射が低くなりフォトディテクターの出力は
小さくなる。一方ビットが形成されていない部分は、充
分反射されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクおよび光カードに用いる光学的記録
媒体として、これまてアルミニウム、金蒸着膜などの金
属薄膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイ
ド系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが
提案されている。これらの薄膜は、保存性が悪い、分解
能が低い、記録密度が低い、コスト高になるなどの欠点
を有する。

また、最近になって比較的長波長の光で物性変化し得る
有機色素ｇ膜を記録層に用いることが提案されている。

この有機色素薄膜は、上記欠点を除去するものであるが
、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機色素は、熱およ
び光に対して安定性が低いなどの問題点がある。

［発明が解決しようとする問題点］ 一本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機被膜を
有する光学的記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は、熱および光に対して安定な保存安
定性にすぐれ、光劣化および再生劣化の少ない有機薄膜
を有する光学的記録媒体を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］および［作用］即ち、
本発明は下記一般式［Ｉ］で示される化合物を含有する
有ａ薄膜を有することを特徴とする光学的記録媒体であ
る。

一般式［Ｉ］ ０θ ０゜ Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素原子、置換または未置換のア
ルキル基、アラルキル基、アリール基、スチリル基、複
素環基、アルケニル基および環式アルキル基を示す＠　
Ｉｓ　Ｒ２＋　”およびＲ４は水素原子、ハロゲン原子
またはアルキル基を示す０ｍおよびｎは０．ｌまたは２
の整数を示す、）以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の光学的記録媒体は、前記一般式［Ｉ］で示され
るポリメチン化合物を含有する有機被膜を有することに
特徴を有している。

前記一般式［Ｉ］において、 厘 ｅ Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素原子またはアルキル基（例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基、５ｅｅ−ブチル基、１ｓｏ−
ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基
、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基な
ど）を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキ
ル基（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキ
シプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキ
シエチル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシメチ
ル基フ、３−カルボキシプロピル基、２−スルホエチル
基、３−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−
スルフェートプロピル基、４−スルフェートブチル基、
Ｎ−（メチルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−
（アセチルスルファミル）プロピル基、４−（アセチル
スルファミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例え
ば、シクロヘキシル基など）、アルケニル、２Ｓｉ（ビ
ニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテ
ニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、
ドデシニル基、プレニル基など）、アラルキル基（例え
ば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基
、β−ナフチルメチル基など）、置換アラルキル基（例
えば、カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒド
ロキシベンジル基なと）を包含する。

さらに、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは置換もしくは未置換のア
リール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、トリル基
、キシリル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニ
ル基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェニル基、
ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基
、ジプロピルアミノフェニル基、ジベンジルアミノフェ
ニル基、ジフェニルアミノフェニル基など）、置換もし
くは未置換の複素環基（例えば、ピリジル基、キノリル
基、レビジル基、メチルビリジル基、フリル基、チェニ
ル基、インドリル基、ビロール基、カルバゾリル基、Ｎ
−エチルカルバゾリル基など）又は置換もしくは未置換
のスチリル基（例えば、スチリル基、メトキシスチリル
基、ジメトキシスチリル基、トリメトキシス“チリル基
、エトキシスチリル基、ジメチルアミノスチリル基、ジ
エチルアミノスチリル基、ジプロピルアミノスチリル基
、ジベンジルアミノスチリル基、ジフェニルアミノスチ
リル基、２．２−ジフェニルビニル基、２−フェニル−
２−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）
−２−フェニルビニル基、２−（ジエチルアミノフェニ
ル）−２−フェニルビニル、Ｗ、２−（ジベンジルアミ
ノフェニル）−２−フェニルビニル基、２．２−ジ（ジ
エチルアミノフェニル）ビニル基、２，２−ジ（メトキ
シフェニル）ビニル基、２．２−ジ（エトキシフェニル
）ビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−２−メ
チルビニル基、２−（ジエチルアミノフェニル）−２−
エチルビニル基など）を示す。

Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，およびＲ４は水素原子、ハロゲン原子
（塩素原子、臭素原子）又はアルキル基（メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、アミル基など）を示す
。

ｍおよびｎは０．１または２の整数である。

次に、前記一般式［Ｉ］で示されるポリメチン化合物の
代表例を挙げるが、本発明においては必ずしもこれらに
限定されない。

化合物の代表例の中で 鳳 ０θ 化合物Ｎｏ、　　　　　Ａ　　　　　　　　　　　Ｂ　
　　　　　　　　　Ｃ（１）　　　　べ■　　　　　バ
■　　　　べ０（２）　　　　−＠　　　　　　　　　
　　−。

（：Ｉ）　　　＋　Ｎ（Ｃｌ１２）＊　　　＋　Ｎ（Ｃ
ｌｌｓ）＊　　　＋　Ｎ（Ｃ１ｌｓ）＊（４）　　　　
　　−＠−Ｎ（Ｃｌ１３）ｔ　　　　　　（ｃリ−Ｎ（
ＣＩら）ｔ　　　　　　＋　Ｎ（ＣＩら）。

（Ｓ）　　　−Ｇ→（Ｃ１ｌｓ）ｔ　　　は）→（Ｃ１
ｌｓ）＊　　　（（鼾Ｎ（Ｃ１ｌｓ）ａ（６）　　　　
　　−１５■−Ｎ（ＣＩら）−＜袷　　　　　　　　　
＋Ｎ（Ｃｌｌ３）２（７）　　　−＠−Ｎ（ＣＩｌｓ）
ｚ　　　＄　Ｃ１１ｓ　　　　−ｏ−Ｎ（Ｃ１１山（８
）　　　は）→（ＣＩｌｚ）＊　　　＋　０Ｃｔｌｌｓ
　　　＋　Ｎ（Ｃ１ｌｉ）＊Ｅ　　　　　　　　Ｒ＋　
　　Ｒｍ　　　Ｒ＋　　　Ｒａ　　　　Ｙ　　　ｍ　　
　ｎ　　　　　Ｘは■　　　ＨＨＨＨＹ、　　ｌ　　ｌ
　　　ＩＩＰ。

ＨＣ１１ｘ　　　ＨＨＣ１１３ｖ、　　　２　　２　　
　　Ｃｅ０４−ｏ−Ｎ（Ｃ１１２）１−−　−　−Ｙ、
　　０　０　　Ｃｆ！０゜＋Ｎ（ＣＩｌ山　ＨＨＨ）Ｉ
Ｙ、ＩＩＩ＋Ｎ（Ｃ１１３）、　　ＨＣＨ２Ｃｌｌ３　
　ＨＹ２　２　２　　　計。

（−−−−Ｙ、日１１ ＋Ｃ１１３ＨＨＨＨＹ、　　ｌ　　Ｉ　　ＣｌｌＯ４＋
ＯＣ＊ｌｌｓ　　　　　　　　　　　Ｙ２　０　１１　
　Ｃｊ）Ｏ４化合物Ｎｏ、　　　　　Ａ　　　　　　　
　　　　Ｂ　　　　　　　　　　Ｃ（９）　　　＋Ｎ（
Ｃｎ、）２　　　＋ＣＩ！−＆鼾Ｎ（Ｃ１１，）１（＋
０）　　＋Ｎ（ＣＪＩｓ）＊　　＋　Ｎ（Ｃ２１店　は
）→（ＣＪＩｓ）＊（川　　＋Ｎ（ＣＪＩＪｍ　　　＋
　Ｎ（ＣＪＩｓ）＊　　　＋Ｎ（ＣＪＩＪｔ（１２）　
　＋Ｎ（Ｃａ１１％）、　　　　　　　　は）→（ＣＪ
Ｉｓ）＊（＋３）　　＋Ｎ（Ｃ２１１ｓ）＊　　　（−
（鼾Ｎ（ＣＪＩＪｍ（＋４）　　　　　−＞リ−Ｎ（Ｃ
，１ＩＳ）ｌ　　　　　＋ＣＪｌｓ　　　　　　　　−
＠−Ｎ（Ｃ−１％ｈ（１５）　　　　　−ぐ■−Ｎ（Ｃ
２１１８）ｌ　　　　　筈Ｃ１ら　　　　　　　−ぐＦ
Ｎ（ＣＪＩｓ）＊（＋６）　　＋Ｎ（Ｃ２１１％）＊　
　＋　０ＣＪＩｓ　　　＋鴫１１ｓ）＊Ｅ　　　　　　
　　Ｒ＋ＲｖＲｉＲ４Ｙ　　　ｍ　　　ｎ　　　　　Ｘ
＋ＣＩ　　　　Ｃｌ１ｓ　　ＨＨＣｌｌ３　　Ｙ、ｌ　
　ｌ　　ＣＩ！０４＋Ｎ（Ｃ晶＞、　　　−＝　　　−
−ｙ、Ｏｏ　　　　ｃｐｏ。

（）→（ＣＪＩｓ）＊　　ＨＨＨＨＹｔ　　ｌ　　ｌ　
　　ＢＦ４ＨＨＨＨＨＹ、２２１ −ｏＨＨＨＨＹ、　　ｌ　　Ｉ　　ＣＮＯ。

＋ＣＪｌｓ　　　−−−−Ｙｔ　　＋１　　ｏ　　ｃｐ
ｏ４筈ｃｏ、　　　　　　　ＨＣ１１２ＣＩら　　ＨＹ
ｔ　　　　Ｉ　　　　Ｉ　　　　　ＣＮＯ＜＋０ＣＪｓ
　　　ＨＨＨＨｙ、　　Ｉ　　Ｉ　　　ＢＦ。

化合物Ｎｏ、　　　　　Ａ　　　　　　　　　　　Ｂ　
　　　　　　　　　Ｃ（１８）台Ｊｌ（ＣＪｓ）・　唖
　　（→ＣＪｓ）・（１９）　　＋　Ｎ（Ｃａ仙　　−
ＣＨ５＋　Ｎ（Ｃ，帖（２Ｇ）　　　　　＋　Ｎ（ＣＪ
Ｉｓ）え　　　　　　−＃　Ｃｊ　　　　　　　　＋　
Ｎ（ＣＪｓ）＊（２１）　　＋Ｎ（Ｃ１ｌｌりｆｉ　　
４　Ｃｊ　　　−＠Ｊ−Ｎ（Ｃａｌｌｓ）＊（２２）　
　−ｏ−Ｎ（ｃｎｌｔ、　　−＠　　　−＠−ｘ（ｃｏ
４ｔ。

（２３）　　＋　ＮＣＣＪ山＋　Ｎ（ＣＪｓ）＊　　＋
　０ＣＪｓ（２４）　　−＠−Ｎ（ＣＪＩｓ）ｍ　　−
＠−Ｎ（Ｃ晶）３　は）１（ＣＮ。

Ｅ　　　　　　　　Ｒ＋Ｒ＊Ｒ５Ｒ４Ｙ　　　ｍ　　　
ｎ　　　　ＸＨＨＨＨＹ、ＩＩＣＨべＴｈ５Ｏ− 唖 −ＣＨ５）（Ｃｊ　　　Ｃ１ｌ　　　ＨＹＩＩ　　　Ｉ
　　　　Ｃｎａ＋ＣＩ　　　　　　　　　　　ＹＩｏ　
　Ｇ　　Ｃｌ１ｏ４ｊ 筈Ｃｊ　　　ＨＨＨＨＹｔ　　１　１　　ＣＩ！Ｏ。

べ■　　　１（Ｈ）ｉＨ右　１１　　１＋ＯＣ＊Ｈｓ　
　　ＨＣＨ，ＣＩ、　　ＨＹ、　　２　２　　ｃＲｏ。

４　　　−　−　−−　　Ｙｔ　　０　０　　ＣＩＯｓ
化合物Ｎｏ、　　　　　Ａ　　　　　　　　　　Ｂ　　
　　　　　　　　Ｃ（２６）　　＋　Ｎ（ＣＩＩＪ２＋
Ｃ−Ｃ１ｈ　　　＋　Ｎ（Ｃｌｋ）＊ＣＩら （２７）　　８Ｎ（ＣＪ１８）ｔ　　＋ｎｏ、　　　　
８Ｎ（Ｃａｌｌｓ）＊（２８）　　−ｏ−ＯＣＪｋ−ｏ
−ＯＣ，１１，、−ｏ−ＯＣＩＩＩｓ（２９）　　８Ｎ
（Ｃ１ｌｉ）ｚ　　＋　Ｎ（ＣＩＩＪ＊　　＋　Ｃｊ（
：１ｌｌ）　　＋　Ｎ（ＣａｌＩＪ＊　　Ｑ　　　　＋
　Ｎ（ＣＪＩＪ＊Ｅ　　　　　　　ＲｔＲ＊Ｒ３Ｒ４Ｙ
　　　ｍ　　　ｎ　　　　ＸＣ１１゜ 一＠−Ｃ−Ｃ１１，−−−−Ｙ、　　０　０　　Ｃ１）
０４−ｏ−ＮＯ，Ｃ１，ＨＨＣ１１，Ｙ、　　Ｉ　　Ｉ
　　ＣＲＯ４＋ｏｃ、＋＋％　　ＨＨＨＨＹ、　　Ｉ　
　Ｉ　　　［ｌＦ。

＋ｃＩ！−−−−ｙ、　　ｏ　　ｏ　　ｃｔ＋ｏ。

Ｑ　　　　ＨＨＨＨＹＩ　　Ｉ　　Ｉ　　ｃＩ！ｏ。

本発明の光学的記録媒体は、例えば第１図に示すごとき
構造とすることが−できる。第１図に示す光学的記媒体
は、基板ｌ上に前記一般式［Ｉ］で示される化合物を含
有させた有機薄膜２を設けることによって形成できる。

かかる有機薄膜２は前記の一般式［Ｉ］で示される化合
物を真空蒸着または、有機溶媒中に溶解もしくは分散さ
せた塗工液を塗布することによって形成することができ
る。

また、有機薄膜２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］
で示される化合物を２種以上組合せて用いることができ
、さらに他の染料、例えば、前記一般式［Ｉ］の化合物
以外のポリメチン系、アズレン系、ピリリウム系、スク
アリウム系、クロコニウム系、トリフェニルメタン系、
キサンチン系、アントラキノン系、シアニン系、フタロ
シアニン系、ジオキサジン系、テトラヒドロコリン系、
トリフエッチアジン系、フェナンスレン系、金属キレー
ト錯体系染料など、あるいは金属および金属化合物など
、例えばＡＩ、　Ｔｅ、　ｌｌｉ、　Ｓｎ、　Ｉｎ。

Ｓｅ、　ＳｎＯ，Ｔｅａ、、　Ａｓ、　Ｃｄなどと混合
分散あるいは積層してもよい。

また、前記一般式［１］の化合物をバインダー中に分散
状態または溶解状態で含有されていてもよい０例えば、
ニトロセルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロース
、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、醋酸セル
ロース、ミリスチン酸セルロース、バルミチン酸セルロ
ース、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・醋酸セル
ロースなどのセルロースエステル類、メチルセルロース
、エチルセルロース、プロピルセルロース、ブチルセル
ロールなどのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール
、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−ブタ
ジェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリ
マー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコポリ
マー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共重合
樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリ
レート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポ
リメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニ
トリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレ
ートなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イソプロ
ピリデンジフエニレンーコー１．４−シクロヘキシレン
ジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−
３，３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，
４’−イソプロピリデンジフエニレンカーボネートーコ
ーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロピリデ
ンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’−５ｅ
ｃ−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４
，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーボネート−
ブロック−オキシエチレン）などのボリアリレート樹脂
類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類；エポキシ樹
脂類、フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを
用いることができる。

また、有機薄膜２中に界面活性剤、帯電防止剤、安定剤
、分散剤、難燃剤、滑剤、可塑剤などを含有されていて
もよい。

塗工の際に使用できる有機溶剤は、分散状態とするか、
あるいは溶解状態にするかによって異なるが、一般に、
メタノール、エタノール、イソプロパツール、ジアセト
ンアルコールなどのアルコール類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、　Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスル
ホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、
クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩
化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭
化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロル
ベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類あるいはｎ
−ヘキサン、シクロヘキサン、リグロインなどの脂肪族
炭化水素類などを用いることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。

有機１８Ｍ膜２の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は５０人〜
１００μ麿、好ましくは２００人〜ｔｇ膳が適当である
。

基板ｌとしては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。

また、本発明は第２図から第４図に示すように、下引き
層３および／または保護層４を設けた構成にすることも
できる。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護および（
ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられる。

（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシラ
ンカップリング剤などの種々の物質を用いることができ
、（ｂ）、（Ｃ）の目的に対しては上記高分子材料以外
に無機化合物例えばＳｉｎ、、　ＭｇＦａ、　Ｓｉｎ、
　Ｔｉｅｓ、　ＺｎＯ。

ＴｉＮ、　ＳｉＮなど、金属または半金属例えば２ｎ、
　Ｃｕ。

Ｓ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｇ＆、　Ｓｅ、　Ｃｄ、　Ａｇ
、ＡＰなどを用いることができる。（ｄ）の目的に対し
ては金属例えばＡＲ９＾ｇなど、または金属光沢を有す
る有ａ　１：Ｉ　ＩＩ、例えばアズレン染料、メチン染
料などを用いることができる。そして（ｅ）、　（ｆ）
の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可
塑性樹脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は
５０人〜１１００ｐ　、好ましくは２００人〜３０＃＆
−が適当である。

また、保ｌＩ層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護
および記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を
目的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ
材料を使用することができる。保護層の鮫厚は５０Å以
上、好ましくは２００Å以上が適当である。

この際、下引き層および／または保護層中には本発明の
上記一般式［Ｉ］の化合物が含有されていてもよい。ま
た、下引き層または保護層には安定剤、分散剤、難燃剤
、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などが含有さ
れていてもよい。

さらに、本発明による光学的記録媒体の別の構成として
は、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒
体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い有機
９膜２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にしてもよいし、保護層４を介して接着した
いわゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明において、有機被膜は、アルゴンレーザ（発振波
長４８８ｎ■）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６
３３ｎ園）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４
４２ｎ■）などのガスレーザの照射によって記録するこ
とも可能であるが、好ましくは７５０ｎｉｉ以ｔの波長
を有するレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半
導体レーザ（発振波長８３０ｎ■）などの近赤外あるい
は赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によっ
て記録する方法が適している。また、読み出しのために
は、前述のレーザ光線を用いることができる。この際、
書込みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことがで
き、また異なる波長のレーザで行なうことができる。

［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、これ
らに限定されるものではない。

実施例１ 直径１３０ｍ■φ、厚さ１．２１のポリメチルメタクリ
レート（以下ｒ　ＰＭｉｌＡＪと略記する）基板上に、
エポキシ−アクリレート系紫外線硬化樹脂を用いて、　
２Ｐ法（フォト・ポリマー法）で、厚さ５０終のプレグ
ルーブを設け、その上に前記化合物Ｎｏ。

（１３）の化合物２重量部をジクロルエタン９８重量部
に溶解させた液をスピナー塗工法により塗布した後、乾
燥して８００人の有機Ｂ膜記録層を得た。

この様にして作成した光学的記録媒体をターンテーブル
上に取り付け、ターンテーブルなモータで１８００ｒｐ
−に回転させて、発振波長８３０ｎ■の半導体レーザな
用いて、基板側より有機薄膜記録層にスポットサイズ１
．ｓ、―φ、記録パワー６膳Ｗ、記録周波数２ＭＩＩｚ
で情報を書き込み、読み出しパワー１、Ｉ］ｍＷで再生
し、その再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィ
ルター、バンド幅３０ＫＨｚ　）　Ｌ／てＣ／Ｎ比（キ
ャリヤ／ノイズ比）を測定した。

次に、前記測定条件で記録した部分を、繰り返しｌＯ″
回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を６０℃、
９５％旧ｌの条件下に２０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の透過率（８３０ｎｍ測定）お
よびＣ／Ｎ比を測定した。また、同一の記録媒体に１０
００１／５２（３００〜９００ｒｖ）のキセノンランプ
光を７０時間照射して、耐光安定性試験を行なった後の
透過率（８３０ｎ−測定）およびＣ／Ｎ比を測定した。

その結果を表１に示す。

表　　１ 実施例２〜９ 実施例１で用いた化合物Ｎｏ、（１３）を前記化合物Ｎ
ｏ−（：Ｉ）、（６）、（７）、（１０）、（１７）、
（２１）、（２３）、（２５）にかえて、実施例１と同
様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の
光学的記録媒体を作製した。

上記実施例２〜９の光学的記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例ｉｏおよび■ 下記化合物Ｎｏ、（３１）および（３２）と前記化合物
Ｎｏ、（１１）とをそれぞれｌ：ｌの重量比でジクロル
エタンに混合し、実施例１と同様の方法で塗布し、乾燥
膜厚８５０人の有機薄膜記録層を設け、それぞれ実施例
１０．１１の光学的記録媒体を作製した。

この様にして作成した実施例１０．１１の光学的記録媒
体を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３
に示す。

化合物Ｎｏ、（３１） 化合物Ｎｏ、　（３２） 比較例１ 実施例ＩＯで用いた化合物Ｎｏ、（１１）を除いた以外
は、実施例１０と同様の方法で光学的記録媒体を作製し
、同様に測定した。その結果を表３に併示する。

実施例１２ 前記化合物Ｎｏ、（１９）の化合物２重量部とニトロセ
ルロース樹脂（オーバレスラッカー、ダイセル化学■製
）１重ＩＬ１：部をメチルエチルケトン９７重量部に混
合させた液をスピナー塗布法により、プレグルーブを設
けた直径　１：１０ｍｍφ、厚さ１．２ｉ＋■のＰＭＭ
Ａ基板ｌ；に塗布し、乾燥膜厚１０００人の有機薄膜記
録層を得た。

この様にして作成した光学的記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１コ〜１５ 実施例１２で用いた化合物Ｎｏ、（１９）を前記化合物
Ｎｏ、　（４）　、　（１４）　、（２４）にかえて、
実施例１２と同様の方法て記録媒体を作製し、それぞれ
実施例１３〜１５の光学的記録媒体を作製した。

上記実施例１３〜１５の光学的記録媒体を実施例１と同
様の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１６および１７ 前記の化合物Ｎｏ、（１）およびＮｏ、（１３）の化合
物ＳＯｈｇを蒸着用モリブデンボードに入れ、ｌ×１０
−’■ｍ１１ｇ以ドに排気した後、プレグルーブを設け
た直径１３０ｍｍφ、厚さ１．２１のＰＭＭＡ基板上に
蒸着した。蒸着中は真空室内の圧力が１０−’ｍｍＨｇ
以上に１−５Ｌ　Ｌ／ない様にヒータを制御しながら、
９５０人の有機薄膜記録層を形成し、それぞれ実施例１
６．１７の光学的記録媒体を作製した。

この様にして作成した光学的記媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表５に示す。

実施例１８ つオーレッドサイズの厚さ０．４厳１ポリカーボネート
（以ドｒＰ（：Ｊと略記する）基板上に、熱プレス法に
よりプレグルーブを設け、その上に前記化合物Ｎｏ、　
（２５）の化合物４重量部をジアセトンアルコール中９
６重量部に混合させた液をバーコード法により塗布した
後、乾燥して１０００人の有機薄膜記録層を得た。さら
に、その上にエチレン−酢ビドライフィルムを介してつ
オーレフトサイズの厚さ０．：１ｍｍ　　ＰＣ基板と、
熱ロール法により密着し、密着構造の実施例１８の光学
的記録媒体を作製した。

この様にして作製した実施例１８の光学的記録媒体をＸ
−Ｙ方向に駆動するステージ上に取り付け、発振波長８
３０ｎ−の半導体レーザな用いて、厚さ０．４ｍｍのｐ
ｃ基板側より、有機薄膜記録層にスポットサイズ３　、
０４ｍφ、記録パワー４．０１Ｗで記録パルス８０μｓ
ｅｃでＹ軸方向に情報を書き込み、読み出しパワー０．
４膳Ｗで再生し、そのコントラスト比部の信号強度）を
測定した。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験、および耐光安定性試
験を行ない、その後の透過率およびコントラスト比を測
定した。その結果を表６に示す。

表　　６ ［発明の効果］ 上述のように本発明の光学的記録媒体は以下の効果を奏
することができる。

（１）長波長帯に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長
発振レーザを用いても高感度に記録できる。

（２）良好なビット形状を形成でき、高いＣハ比が１！
Ｉられる。

（３）熱および光に対する安定性が高く、保存性に優れ
、再生劣化の少ない記録体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々本発明の光学的記録媒体の構成
を示す断面図である。 １−・・基板 ２・・・五ａ　Ｑ　Ｍ ３・・・下引き層 ４・・・保護層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式［ I ］で示される化合物を含有する有機薄
   膜を有することを特徴とする光学的記録媒体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｙ＾■は▲数式、化学式、表等があります▼ま
   たは ▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素原子、置換または未置換のア
   ルキル基、アラルキル基、アリール基、スチリル基、複
   素環基、アルケニル基および環式アルキル基を示す、Ｒ
   ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３およびＲ＿４は水素原子、ハロゲ
   ン原子またはアルキル基を示す。ｍおよびｎは０．１ま
   たは２の整数を示す。）