JPS58219090A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS58219090A JPS58219090A JP57102579A JP10257982A JPS58219090A JP S58219090 A JPS58219090 A JP S58219090A JP 57102579 A JP57102579 A JP 57102579A JP 10257982 A JP10257982 A JP 10257982A JP S58219090 A JPS58219090 A JP S58219090A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/259—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on silver
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ特に半導体レーザによる書込み記録に
適した光学記録媒体に関し、詳しくは光デイスク技術に
用いうる改善された光学記録媒体に関するものである。
適した光学記録媒体に関し、詳しくは光デイスク技術に
用いうる改善された光学記録媒体に関するものである。
一般に、光ディスクは、基体の上に設けた薄い記録層に
形成されへ光学的に検出可能な小さな（例えば、約１μ
ピツトをらせん状又は円形のトラック形態にして高密度
情報を記憶することができる。この様なディスクに情報
を書込むには、レーザ感応層の表面に集束したレーザを
走査し、仁のレーザ光線が照射された表面のみがピット
を形成し、このピットをらせん状又は円形トラックの形
態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギーを
吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。例え
ば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層は熱エネ
ルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解によシ小さな
凹部（ピット）を形成できる。また、別のヒートモード
記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸収に
よυ、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有するピ
ットを形成できる。
形成されへ光学的に検出可能な小さな（例えば、約１μ
ピツトをらせん状又は円形のトラック形態にして高密度
情報を記憶することができる。この様なディスクに情報
を書込むには、レーザ感応層の表面に集束したレーザを
走査し、仁のレーザ光線が照射された表面のみがピット
を形成し、このピットをらせん状又は円形トラックの形
態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネルギーを
吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。例え
ば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層は熱エネ
ルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解によシ小さな
凹部（ピット）を形成できる。また、別のヒートモード
記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸収に
よυ、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有するピ
ットを形成できる。
この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に沿って走査し、ビットが形成された部分とビットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出される。例えば、レーザがトラックに沿って走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによってモニターされる。ビットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
ビットが形成されている時はレーザ光線は下層の反射面
によって充分に反射されフォトディテクターの出力は大
きくなる。
に沿って走査し、ビットが形成された部分とビットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出される。例えば、レーザがトラックに沿って走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによってモニターされる。ビットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
ビットが形成されている時はレーザ光線は下層の反射面
によって充分に反射されフォトディテクターの出力は大
きくなる。
この様な光ディスクに用いる記録媒体として、これまで
アルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸
化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの
無機物質を主に用いたものが提案されている。これらの
薄膜は、一般［３５０〜８００ｎｍ付近の波長光で感応
性であるとともに、レーザ光に対する反射率が高いため
、レーザ光の利用率が低いなどの欠点がある０ この様なことから、近年比較的長波長（例えば、７８０
ｎｍ以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機被膜の研究がなされている。
アルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸
化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの
無機物質を主に用いたものが提案されている。これらの
薄膜は、一般［３５０〜８００ｎｍ付近の波長光で感応
性であるとともに、レーザ光に対する反射率が高いため
、レーザ光の利用率が低いなどの欠点がある０ この様なことから、近年比較的長波長（例えば、７８０
ｎｍ以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機被膜の研究がなされている。
この様な有機薄膜は、例えば発振波長が８３０ｎｍ付近
の半導体レーザによυピットを形成できる点で有効なも
のである。
の半導体レーザによυピットを形成できる点で有効なも
のである。
しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機被膜が開発されているものとは言えないのが現状であ
る。
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機被膜が開発されているものとは言えないのが現状であ
る。
本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機被膜を有
する光学記録媒体を提供するとと“に。
する光学記録媒体を提供するとと“に。
ある。
本発明の別の目的は、熱に対して安定な有機被膜を有す
る光学記録媒体を提供することにある０ 本発明の光学記録媒体は、下記一般式（１）で示される
ポリメチン化合物を含有する有機被膜を有することに特
徴を有している。
る光学記録媒体を提供することにある０ 本発明の光学記録媒体は、下記一般式（１）で示される
ポリメチン化合物を含有する有機被膜を有することに特
徴を有している。
一般式（１）
Ｒ，、Ｒ，、Ｒ８、Ｒ４およびＲ５は水素原子又はアル
キル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ −プロピル
基、１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、＋１ｅｅ−ブ
チル基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル
基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、
ｔ−オクチル基など）を示し、さらに他のアルキル基、
例えば置換アルキル基（例えば、２−ヒドロキシエチル
基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル
基、２−アセトキシエチル基、カルボキシメチル基、２
−カルボキシエチル基、３−カルボキシプロピル基、２
−スルホエチル基、３−スルホプロピル基、４−スルホ
ブチル基ｓ ３−スルフエートグロビル基、４−スルフ
ェートブチル基、Ｎ−（メチルスルホニル）−カルノ（
ミルメチル基、３−（アセチルスルファミル）プロピル
基％４ （アセチルスルファミル）ブチル基など）、
環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基など）、ア
リル基（ＣＩ（、＝ＣＨ−ＣＨｔ−）、アラルキル基（
例えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチ
ル基、β−ナフチルメチル基など）、置換アラルキル基
（例えば、カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、
ヒドロキシエチル基など）を包含する。さらに、Ｒｏ、
Ｒ２、Ｒ８、Ｒ４およびＲ８は置換もしくは未置換のア
リール基（例菟ば、フェニル基、ナフチル基、トリル基
、キシリル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニ
ル基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェニル基、
ジメチルアミノ７１エニル基、ジエチルアミノフェニル
基、ジプロピルアミノフェニル基、ジベンジルアミノフ
ェニル基、ジフェニルアミノフェニル基なト）、置換も
しくは未置換の複素環基（例えば、ピリジル基、キノリ
ル基、レピジル基、メチルビリジル基、フリル基、チェ
ニル基、インドリル基、ピロール基、カルバゾリル基、
Ｎ−エチルカルバゾリル基など）又は置換もしくは未置
換のスチリル基（例えば、スチリル基、メトキシスチリ
ル基、ジメトキシスチリル基、トリメトキシスチリル基
、エトキシスチリル基、ジメチルアミノスチリル基、ジ
エチルアミノスチリル基、ジプロピルアミノスチリル基
、ジベンジルアミノスチリル基、ジフェニルアミノスチ
リル基、２．２−）フェニルビニル基ｓ ２−、ｒユ
ニルー２−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノフェ
ニル）−２−フェニルビニル基％２−（’）：ｒ−チル
アミノフェニル）−２−フェニルビニル基、２−（ジベ
ンジルアミノフェニル）−２−フェニルビニル基、２．
２−ジ（ジエチルアミノフェニル）ビニル基、２．２−
ジ（メトキシフェニル）ビニル基、２，２−ジ（エトギ
ンフェニル）ビニル基、２−（ジエチルアミノフェニル
）−２−メチルビニル基％２ （ジエチルアミノフェ
ニル）−２−エチルビニル基など）を示す。
キル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ −プロピル
基、１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、＋１ｅｅ−ブ
チル基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル
基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、
ｔ−オクチル基など）を示し、さらに他のアルキル基、
例えば置換アルキル基（例えば、２−ヒドロキシエチル
基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル
基、２−アセトキシエチル基、カルボキシメチル基、２
−カルボキシエチル基、３−カルボキシプロピル基、２
−スルホエチル基、３−スルホプロピル基、４−スルホ
ブチル基ｓ ３−スルフエートグロビル基、４−スルフ
ェートブチル基、Ｎ−（メチルスルホニル）−カルノ（
ミルメチル基、３−（アセチルスルファミル）プロピル
基％４ （アセチルスルファミル）ブチル基など）、
環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基など）、ア
リル基（ＣＩ（、＝ＣＨ−ＣＨｔ−）、アラルキル基（
例えば、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチ
ル基、β−ナフチルメチル基など）、置換アラルキル基
（例えば、カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、
ヒドロキシエチル基など）を包含する。さらに、Ｒｏ、
Ｒ２、Ｒ８、Ｒ４およびＲ８は置換もしくは未置換のア
リール基（例菟ば、フェニル基、ナフチル基、トリル基
、キシリル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニ
ル基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェニル基、
ジメチルアミノ７１エニル基、ジエチルアミノフェニル
基、ジプロピルアミノフェニル基、ジベンジルアミノフ
ェニル基、ジフェニルアミノフェニル基なト）、置換も
しくは未置換の複素環基（例えば、ピリジル基、キノリ
ル基、レピジル基、メチルビリジル基、フリル基、チェ
ニル基、インドリル基、ピロール基、カルバゾリル基、
Ｎ−エチルカルバゾリル基など）又は置換もしくは未置
換のスチリル基（例えば、スチリル基、メトキシスチリ
ル基、ジメトキシスチリル基、トリメトキシスチリル基
、エトキシスチリル基、ジメチルアミノスチリル基、ジ
エチルアミノスチリル基、ジプロピルアミノスチリル基
、ジベンジルアミノスチリル基、ジフェニルアミノスチ
リル基、２．２−）フェニルビニル基ｓ ２−、ｒユ
ニルー２−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノフェ
ニル）−２−フェニルビニル基％２−（’）：ｒ−チル
アミノフェニル）−２−フェニルビニル基、２−（ジベ
ンジルアミノフェニル）−２−フェニルビニル基、２．
２−ジ（ジエチルアミノフェニル）ビニル基、２．２−
ジ（メトキシフェニル）ビニル基、２，２−ジ（エトギ
ンフェニル）ビニル基、２−（ジエチルアミノフェニル
）−２−メチルビニル基％２ （ジエチルアミノフェ
ニル）−２−エチルビニル基など）を示す。
ｍは、０又は１であり、ｎは０，１又は２である。Ｘｅ
は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、過
塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、Ｐ−）
ルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチ
ル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオン
を表わす。
は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、過
塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、Ｐ−）
ルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチ
ル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオン
を表わす。
次に、前記一般式（１）で示されるポリメチン化合物の
代表例を挙げる。
代表例を挙げる。
■Ｏ
鳴
「）
＼−−−−」 し−一−Ｊ
■ ０ Φ ト
の＾ ｅ９
９Φ
ｄ ｄＱ
會 ９８
に５
ｄ■。
■ ０ Φ ト
の＾ ｅ９
９Φ
ｄ ｄＱ
會 ９８
に５
ｄ■。
燭
■。
０
Ｑ Δ
３ ０ ９Ｂ
ピ ｄ９１
雲 ８＝５
６これらのポリメ
チン化合物は、Ｂｅｒｎａｒｄ Ｓ、ＷｉｌｄｉらのＪ
、 Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ （ジャーナル・オブ・ア
メリカン・ケミカルソサ千ティ）８０３７７２〜３７７
７（１９５８）やＨｏＳｃｈｍｉｄｔらのＡｎｎ （リ
ービッヒ・アンナーレンデル・ケミ−） ６２３２０４
〜２１６あるいはＲｏＷＪｚｉｎｇｅｒらのＨｅ１ｎ、
Ｃｈｉｍ。
ピ ｄ９１
雲 ８＝５
６これらのポリメ
チン化合物は、Ｂｅｒｎａｒｄ Ｓ、ＷｉｌｄｉらのＪ
、 Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ （ジャーナル・オブ・ア
メリカン・ケミカルソサ千ティ）８０３７７２〜３７７
７（１９５８）やＨｏＳｃｈｍｉｄｔらのＡｎｎ （リ
ービッヒ・アンナーレンデル・ケミ−） ６２３２０４
〜２１６あるいはＲｏＷＪｚｉｎｇｅｒらのＨｅ１ｎ、
Ｃｈｉｍ。
Ａｃｔａ（ヘルペテイカ・シミ力・アクタ）２４３６９
などに開示された合成法に準じて合成することＫよって
容易に得られる。
などに開示された合成法に準じて合成することＫよって
容易に得られる。
本発明の有機被膜は、光デイスク記録に用いることがて
きる。例えば、第１図に示す様な基板ｌの上に前述の有
機被膜２を形成した記録媒体とすることができる。かか
る有機被膜２は。
きる。例えば、第１図に示す様な基板ｌの上に前述の有
機被膜２を形成した記録媒体とすることができる。かか
る有機被膜２は。
前述の一般式（１）で示される化合物を真空蒸着によっ
て形成でき、またバインダー中に前述のポリメチン化合
物を含有させた塗工液を塗布することによっても形成す
ることができる。塗工によって被膜を形成する際、前述
のポリメチン化合物はバインダー中に分散状態で含有さ
れていてもよく、あるいは非晶質状態で含有されていて
もよい。好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選
択することができる。具体的にはニトロセルロース、リ
ン酸セルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、フ
ロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸
セルロース、パルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオ
ン酸セルロース、酢酸會酪酸セルロースなどのセルロー
スエステル類、メチルセルロース、エチルセルロース、
クロビルセルロース、ブチルセルロース、などのセルロ
ースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル。
て形成でき、またバインダー中に前述のポリメチン化合
物を含有させた塗工液を塗布することによっても形成す
ることができる。塗工によって被膜を形成する際、前述
のポリメチン化合物はバインダー中に分散状態で含有さ
れていてもよく、あるいは非晶質状態で含有されていて
もよい。好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選
択することができる。具体的にはニトロセルロース、リ
ン酸セルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、フ
ロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸
セルロース、パルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオ
ン酸セルロース、酢酸會酪酸セルロースなどのセルロー
スエステル類、メチルセルロース、エチルセルロース、
クロビルセルロース、ブチルセルロース、などのセルロ
ースエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル。
ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル樹
脂類、スチレイーブタジエンコボリマー、スチレン−ア
クリロニトリルコポリマー、スチレンーブタジエンーア
クリロニトリルコ永すマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコ
ポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、ポリブチルアクリレート
、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリルア
ミド、ポリアクリロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポ
リエチレンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリ
（４，４’−イソプロヒリテン、ジ：５ 、ｚ、、をニ
ー＝し・フーコー１．４−シクロヘキシレンジメチレン
カーボネート）。
ニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル樹
脂類、スチレイーブタジエンコボリマー、スチレン−ア
クリロニトリルコポリマー、スチレンーブタジエンーア
クリロニトリルコ永すマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコ
ポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、ポリブチルアクリレート
、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリルア
ミド、ポリアクリロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポ
リエチレンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリ
（４，４’−イソプロヒリテン、ジ：５ 、ｚ、、をニ
ー＝し・フーコー１．４−シクロヘキシレンジメチレン
カーボネート）。
ポリ（エチレンジオキシ−３，３′−フェニレンチオカ
ーボネート）、ポリ（４，４’−イソブロピリデンジフ
エニレンカーボネートーコーテレ７タレート）、ポリ（
４，４’−イソプロピリデンジフエニレンカーボネート
）、ポリ（４，４−ｓｅｃ−）。
ーボネート）、ポリ（４，４’−イソブロピリデンジフ
エニレンカーボネートーコーテレ７タレート）、ポリ（
４，４’−イソプロピリデンジフエニレンカーボネート
）、ポリ（４，４−ｓｅｃ−）。
テリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４゜４′
−イソプロピリデンジフェニレンカーボネートーブロッ
クーオキシエチレン）などのボリアリレート樹脂類、あ
るいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、
フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリゾロピレン、塩
素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用いる
ことができる０ 塗工の際に使用できる有機溶剤は、ツクインダーの種類
や前述の化合物をノ（インダー中に含有させる際１分散
状態とするか、あるいは非晶質状態とするかによって異
なってくるが、一般には、メタノール、エタノール、イ
ンプロノくメールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトＸＩＬＮ
、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロンラン、ジオキサン、エチ
レングリコールモノメ゛チルエーテ“ルなどのエーテル
類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン
、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族／Ｓロ
ゲン化炭化水素類、あるいけベンゼン、トルエン、キシ
レン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベン
ゼンなどの芳香族類などを用いることができる。
−イソプロピリデンジフェニレンカーボネートーブロッ
クーオキシエチレン）などのボリアリレート樹脂類、あ
るいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、
フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリゾロピレン、塩
素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用いる
ことができる０ 塗工の際に使用できる有機溶剤は、ツクインダーの種類
や前述の化合物をノ（インダー中に含有させる際１分散
状態とするか、あるいは非晶質状態とするかによって異
なってくるが、一般には、メタノール、エタノール、イ
ンプロノくメールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトＸＩＬＮ
、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロンラン、ジオキサン、エチ
レングリコールモノメ゛チルエーテ“ルなどのエーテル
類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン
、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族／Ｓロ
ゲン化炭化水素類、あるいけベンゼン、トルエン、キシ
レン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベン
ゼンなどの芳香族類などを用いることができる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーノく−コーティング法、ブレードコーティング
法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法
なξのコーティング法を用いて行なうことができる。
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーノく−コーティング法、ブレードコーティング
法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法
なξのコーティング法を用いて行なうことができる。
バインダーとともに有機被膜２を形成する際、前述のポ
リメチン化合物の含有量は、有機被膜２中において１〜
９０重量％、好ましくは２０〜７０重量％である。また
、有機被膜２の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は１０ミクロ
ン以下、好ましくは２ミクロン以下である。
リメチン化合物の含有量は、有機被膜２中において１〜
９０重量％、好ましくは２０〜７０重量％である。また
、有機被膜２の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は１０ミクロ
ン以下、好ましくは２ミクロン以下である。
基板ｌとしては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリオ
レフ３ン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのグラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。
レフ３ン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのグラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。
また、本発明は、第２図に示す様に基板ｌと有機被膜２
の間に反射層３を設けることができる。反射層３Ｖｉ、
アルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又
はラミネート層とする仁とができる。
の間に反射層３を設けることができる。反射層３Ｖｉ、
アルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又
はラミネート層とする仁とができる。
有機被膜２は、第３図に示す集束されたレーザー光線４
の照射によってビット５を形成することができる。ビッ
ト５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にすると、ビット
領域における反射率を増加させることができる。読み出
しの際、書込みに用いたレーザー光線と同一の波長を有
するが１強度の小さいレーザー光線を用いれば。
の照射によってビット５を形成することができる。ビッ
ト５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にすると、ビット
領域における反射率を増加させることができる。読み出
しの際、書込みに用いたレーザー光線と同一の波長を有
するが１強度の小さいレーザー光線を用いれば。
読み出し光がビット領域で大きく反射されるが、非ビッ
ト領域においてはい収される。また、別の方法は有機被
膜２が吸収する第１の波長のし一ザ光線で実時間書込み
を行ない、読み出しに有機被膜２を実質的に透過する第
２の波長のレーザ光線を用いることである。読み出しレ
ーザ光線は、ビット領域と非ビット領域における異なる
膜厚によって生じる反射層の変化に応答することができ
る。
ト領域においてはい収される。また、別の方法は有機被
膜２が吸収する第１の波長のし一ザ光線で実時間書込み
を行ない、読み出しに有機被膜２を実質的に透過する第
２の波長のレーザ光線を用いることである。読み出しレ
ーザ光線は、ビット領域と非ビット領域における異なる
膜厚によって生じる反射層の変化に応答することができ
る。
本発明の有機被膜は、アルゴンレーザ（発振波長４８８
ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６ａ ａ
ｎｍ ） 、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４
４２ｎｍ）などのガスレーザーの照射によって記録する
ことも可能であるが、好ましくは７５０ｎｍ以上の波長
を有するレーザ、％にガリウムーアルミニウムーヒ素半
導体レーザ（発振波長７８０ｎｍ）などの近赤外ある赤
外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記
録する方法が適している。また、読み出しのためには、
前述のレーザ光線を用いることができる。この際、書込
みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことができ、
また異なる波長のレーザで行なうことができる。
ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６ａ ａ
ｎｍ ） 、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４
４２ｎｍ）などのガスレーザーの照射によって記録する
ことも可能であるが、好ましくは７５０ｎｍ以上の波長
を有するレーザ、％にガリウムーアルミニウムーヒ素半
導体レーザ（発振波長７８０ｎｍ）などの近赤外ある赤
外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記
録する方法が適している。また、読み出しのためには、
前述のレーザ光線を用いることができる。この際、書込
みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことができ、
また異なる波長のレーザで行なうことができる。
本発明によれば、十分に改善された８／Ｎ比を得ること
ができ、しかも本発明で用いる有機被膜は相反則不軌が
小さくｓＶ−ザ光線の如く強照度エネルギー光線の利用
度を高くすることができる。さらに、発振波長７５０ｎ
ｍ以上の波長を有するレーザ光線による記録を可能にす
ることができる。
ができ、しかも本発明で用いる有機被膜は相反則不軌が
小さくｓＶ−ザ光線の如く強照度エネルギー光線の利用
度を高くすることができる。さらに、発振波長７５０ｎ
ｍ以上の波長を有するレーザ光線による記録を可能にす
ることができる。
以下、本発明を実施例に従って詳細に説明する０
実施例１
ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業株）製；オー
ハーレスラッカー二ニトロセルロース２５重量％のメチ
ルエチルヶ、トン溶液）１２重量部、前述の化合物層（
８）の化合物３重量部およびメチルエチルケト７７０重
量部をボールミルで十分に混合した。この混合し友液を
アルミ蒸着ガラス板上に浸漬コーティング法により塗布
した後、乾燥してｏ、ａｇ／ゴの記録層を得た。
ハーレスラッカー二ニトロセルロース２５重量％のメチ
ルエチルヶ、トン溶液）１２重量部、前述の化合物層（
８）の化合物３重量部およびメチルエチルケト７７０重
量部をボールミルで十分に混合した。この混合し友液を
アルミ蒸着ガラス板上に浸漬コーティング法により塗布
した後、乾燥してｏ、ａｇ／ゴの記録層を得た。
こうして作成した光デイスク記録体をターンテーブル上
に取り付け、ター／テーブルをモータで１８０ Ｏｒｐ
ｍの回転を与えながら、スポットサイズ１．０ミクロン
に集束した５ｍＷおよび８ ＭＨｚのガリウムーアルミ
ニウムーヒ素半導体レーザ（発振波長７８０ｎｍ）を記
録層面にトラック状で照射して記録を行４つだ。
に取り付け、ター／テーブルをモータで１８０ Ｏｒｐ
ｍの回転を与えながら、スポットサイズ１．０ミクロン
に集束した５ｍＷおよび８ ＭＨｚのガリウムーアルミ
ニウムーヒ素半導体レーザ（発振波長７８０ｎｍ）を記
録層面にトラック状で照射して記録を行４つだ。
この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なビットが認められた０また、こ
の光ディスクに低出力のガリウムーアルミニウムーヒ素
半導体レーザを入射し、反射光の検知を行なったところ
、十分なＳ／Ｎ比を有する波形が得られた。
観察したところ、鮮明なビットが認められた０また、こ
の光ディスクに低出力のガリウムーアルミニウムーヒ素
半導体レーザを入射し、反射光の検知を行なったところ
、十分なＳ／Ｎ比を有する波形が得られた。
実施例２
前述の化合物Ａ （５）の化合物を実施例１と同様の方
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
り塗工して０．６ｇ／ゴの記録層を有する光デイスク記
録体を作成した０ この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ。
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
り塗工して０．６ｇ／ゴの記録層を有する光デイスク記
録体を作成した０ この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ。
十分な８／Ｎ比を有する波形が認められた０又情報を書
き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察した
ところ、鮮明なビットが形成されていた。
き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察した
ところ、鮮明なビットが形成されていた。
実施例３
前述の化合物／１６αｑの化合物を実施例１と同様の方
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
り塗工して０．６ｇ／ばの記録層を有する光デイスク記
録体を作成した。
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
り塗工して０．６ｇ／ばの記録層を有する光デイスク記
録体を作成した。
仁の光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有す
る波形が認められｆＣｏ又。
記憶させてから再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有す
る波形が認められｆＣｏ又。
情報管書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なビットが形成されていた。
観察したところ、鮮明なビットが形成されていた。
実施例４
前述の化合物Ａ（１４）の化合物金実施例１と同様の方
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
り塗工して０．８ｇ１ｒｄ の記録層を有する光デイス
ク記録体を作成した。
法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法によ
り塗工して０．８ｇ１ｒｄ の記録層を有する光デイス
ク記録体を作成した。
この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分な８／Ｎ比を有す
る波形が認められた０又。
記憶させてから再生したところ、十分な８／Ｎ比を有す
る波形が認められた０又。
情報を書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なビットが形成されていた。
観察したところ、鮮明なビットが形成されていた。
実施例５
前述の化合物層Ｑｎの化合物を実施例１と同様の方法で
アルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法により塗
工して０．６ｇ／ｍ’ の記録層を有する光デイスク記
録体を作成したＯ この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分な８７Ｎ比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なビッ
トが形成されていた。
アルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法により塗
工して０．６ｇ／ｍ’ の記録層を有する光デイスク記
録体を作成したＯ この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分な８７Ｎ比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なビッ
トが形成されていた。
実施例６
前述の化合物／ｆ６（４）の化合物を実施例１と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法に
より塗工してｇ、 ｓ ｇ／ｍ’の記録層を有する光デ
イスク記録体を作成した。
方法でアルミ蒸着ガラス板の上に浸漬コーティング法に
より塗工してｇ、 ｓ ｇ／ｍ’の記録層を有する光デ
イスク記録体を作成した。
この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分な８／Ｎ比を有す
る波形が認められた。又。
記憶させてから再生したところ、十分な８／Ｎ比を有す
る波形が認められた。又。
情報を書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが形成されていた。
観察したところ、鮮明なピットが形成されていた。
実施例７
前述の化合物属（１）の化合物５００ ｍｇ を蒸着用
モリブテンボートに入れ、ｌ ｘｌ Ｏ（ｍｍＨｇ以下
に排気した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中
は真空室内の圧力がＩ Ｏ’ ＋ｎｍＨｇ以上に上昇し
ない様にヒーターを制御しながら、０．２ミクロンの蒸
着膜を形成させた。
モリブテンボートに入れ、ｌ ｘｌ Ｏ（ｍｍＨｇ以下
に排気した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。蒸着中
は真空室内の圧力がＩ Ｏ’ ＋ｎｍＨｇ以上に上昇し
ない様にヒーターを制御しながら、０．２ミクロンの蒸
着膜を形成させた。
こうして作成した光ディスク記帰休に実施例１と同様の
方法で情報を記憶させたところ、実施例１と同様の鮮明
なピットが認められ、また実施例１と同様の方法で情報
を再生したが、この際十分な８／Ｎ比を有する波形が認
められた。
方法で情報を記憶させたところ、実施例１と同様の鮮明
なピットが認められ、また実施例１と同様の方法で情報
を再生したが、この際十分な８／Ｎ比を有する波形が認
められた。
実施例８
前述の化合物慮（５）の化合物を実施例７と同様の方法
でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、０．２ミクロン
の記録層を有する光デイスク記録体を作成した。
でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、０．２ミクロン
の記録層を有する光デイスク記録体を作成した。
この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有す
る波形が認め、られた０又。
記憶させてから再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を有す
る波形が認め、られた０又。
情報を書き込みした後の記録層面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが形成されていた。
観察したところ、鮮明なピットが形成されていた。
実施例９
前述の化合物、％Ｑｉｌ）の化合物を実施？ｌＪ ７と
同様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、０．
２ミクロンの記録層を有する光デイスク記録体を作成し
た。
同様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、０．
２ミクロンの記録層を有する光デイスク記録体を作成し
た。
この光デイスク記録体に実施例１と同様の方法で情報を
記憶させてから再生したところ、十分な８／Ｎ比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。
記憶させてから再生したところ、十分な８／Ｎ比を有す
る波形が認められた。又、情報を書き込みした後の記録
層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明なピッ
トが形成されていた。
第１図および第２図は１本発明の者薇藪撓充光ディスク
記録体栂加匠た降の断面図で、第３図はこの光デイスク
記録体の実施態様を示す説明図である。 ■・・・基板 ２・・・有機被膜３・・・反射
層 ４・・・レーザ光線５・・・ピット 特許出願人 キャノン株式会社
記録体栂加匠た降の断面図で、第３図はこの光デイスク
記録体の実施態様を示す説明図である。 ■・・・基板 ２・・・有機被膜３・・・反射
層 ４・・・レーザ光線５・・・ピット 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式（１）で示される化合物を含有する有機被膜
を有することを特徴とする光学記録媒体。 一般式ｆｌ） 鳥 （式中、Ｒ１１馬、Ｒ１、Ｒ１およびＲ５は、水素原子
、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置
換のアリール基、置換もしくは未置換のスチリル基又は
置換もしくは未置換の複素環基を示す。ｍは、０又は１
でありｓ ｎはＯ２０ ｌ又は２である。Ｘは、陰イオンである。）
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57102579A JPS58219090A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 光学記録媒体 |
| US07/512,587 US5079127A (en) | 1982-04-06 | 1989-04-24 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US07/512,588 US5079128A (en) | 1982-04-06 | 1990-04-24 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US07/769,636 US5246814A (en) | 1982-04-06 | 1991-10-01 | Process for recording on optical recording medium |
| US07/769,397 US5278026A (en) | 1982-04-06 | 1991-10-01 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
| US08/086,113 US5320930A (en) | 1982-04-06 | 1993-07-06 | Optical recording medium and process for recording thereon |
| US08/221,904 US5382497A (en) | 1982-04-06 | 1994-04-01 | Optical recording medium and process for recording thereupon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57102579A JPS58219090A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 光学記録媒体 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4071276A Division JPH05169822A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 光学記録媒体の製造方法 |
| JP4071271A Division JPH05169821A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58219090A true JPS58219090A (ja) | 1983-12-20 |
| JPH0126879B2 JPH0126879B2 (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=14331132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57102579A Granted JPS58219090A (ja) | 1982-04-06 | 1982-06-14 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58219090A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60228194A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-11-13 | イ−・アイ・デユポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− | 光学的記録素子 |
| JPS61100496A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS62239437A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| US4891305A (en) * | 1984-10-23 | 1990-01-02 | Ricoh Co., Ltd. | Optical information recording element |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655289A (en) * | 1979-08-01 | 1981-05-15 | Philips Nv | Layer containing dye of film forming highhmolecular binding agent and information recording element using said layer |
| JPS56109357A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-29 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | Electrophotographic material |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP57102579A patent/JPS58219090A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655289A (en) * | 1979-08-01 | 1981-05-15 | Philips Nv | Layer containing dye of film forming highhmolecular binding agent and information recording element using said layer |
| JPS56109357A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-29 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | Electrophotographic material |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60228194A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-11-13 | イ−・アイ・デユポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− | 光学的記録素子 |
| JPS61100496A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| US4891305A (en) * | 1984-10-23 | 1990-01-02 | Ricoh Co., Ltd. | Optical information recording element |
| JPS62239437A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0126879B2 (ja) | 1989-05-25 |
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