JPS58194595A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、レーザ特に半導体レーザによる書込み記録に
適した光学記録媒体に関し、詳しくは光デイスク技術に
用いうる改害された光字配録媒体ＶＣ関するものである
。

一般に、光ディスクは、基体の上に設けた薄い記Ｍ＋−
に形成された光字的に検出可能な小さな（例えば、約１
μ）ビットケらせん状又は円形のトラック杉暢にして＾
密塵情報を記憶することができる。この様なＩイスクに
情報ｆ誉込むには、レーザ感応１４の表面に集束したレ
ーデを走査し、このレーザ光線が照射された表面のみが
ビットを形成し、このビットをらせん状又は円形トラッ
クの形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネル
ギーを吸収して光学的に検出ｊｊＪ能なビットを形成で
きる。例えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応
層は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解に
より小さな凹部（ビット）を形成できる。また、別のヒ
ートモード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギ
ーの吸収により、その個所に光学的に検出ロ工能な濃度
差を有するビットを形成できる。

この光ディスクに記録された情報ンよ、レーザをトラッ
クに沿って走食し、ピントが形成された部分とビットが
形成されていない部分の光字的変化を絖み取ることによ
って検出さｔする。例えば、レーザがトラックに沿って
走査され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォ
トディテクターによってモニターされる。ピントか形成
されていない時、フォトディテクターの出力は低下し、
一方ビットが形成されている時はレーザ光線は下層の反
射面によって充分に反射されフォトディテクターの出力
は大きくなる。

この様な光ディスクに用いる記録媒体として、これまで
アルｉニクム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸
化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの
無機物質を主に用いたものが提案されている。これらの
薄Ｍ＃′ｉ、一般に３５０〜８００ａｍ付近の波長光で
感応性であるとともに、レーず光に対する反射率が高い
ため、レーザ光の利用率が低いなどの欠点がある。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば７８Ｑｎ
ｍ以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有機
薄膜の研究がなされている。

この様な有機薄膜は、例えば発振波長が８３０　　　　
、’、。

ａｍ付近の半導体レーザによりビットを形成できる点で
有効なものである。

しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定で、しかも昇華性の点でも技術的な
問題点があるなどから、必ずしも特性上、満足できる有
機薄膜が開発されているものとＦｉ言えないのが現状で
ある。

本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機薄膜を有
する光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は、熱（対して安定な有機薄膜を有す
る光学記録媒体を提供することにある。

本発明の有機薄膜は、下記一般式（１）又は（２）で示
されるポリメチ／化合物を含有していることに特徴を有
している。

一般式 式中、亀および亀は、アルキル基（例えば、メチル基、
エチル基、ｎ−プロピルＪＬ　　＋ｉｏ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、式−メチル基、ｌ５Ｏ−ブチル基、亀−
メチル基、ｎ−アミル基、ｔ−ア建ル基、ｎ−ヘキシル
基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）、置換アル
キル基（例えば２−とドルキシエチル基、３−ヒドロキ
シブチル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシ
エチル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエチル
基、３−カルボキシプロピル基、２−スルホエチル基、
３−スルホプロピル基、４−スルホブチル１３−スルフ
ェートフロビル基、４−スルフエートフチル基、Ｎ−（
メチルスルホニル）−カルバミルメチルｌｓ、ａ　（ア
セチルスルファミル）プロピル１４−（アセチルスルフ
ァミル）ブチル基など）、環式フルキル基（例えば、シ
クロヘキシル基など）、アリル基（Ｃ１−１，＝ＣＨ−
Ｃ搗−）などのアルケニル基、アラルキル基（例えば、
ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β
−ナフチルメチル基など）、置換アラルキル基（例えば
、カルｌキシベンジル基、スルホペンジル基、ヒドロキ
シベンジル基など）、了り−ル基（例えば、フェニル基
など）ま九は置換アリール基（例えハ、カルボキシフェ
ニル基、スルホフェニル基、ヒドロキシフェニル基など
）を示す。！ＩＣ本発明においては、一般式（２）で示
されるポリメチン化合物の場合、におよび鵬が炭素数３
以上のアルキル基の時が良好な結果を得ることができる
。

ｚｌおよび４は、置換または未置換の複素環、例えば、
チアゾール系列の核（例えばチアゾール、４−）チルチ
アゾール、４−フェニルチア／−ル、５−１＋ルチアゾ
ール、５−フェニルチアゾール、４．５−ジメチルチア
ゾール、４，５−ジフェニルチアゾール、４−（２−ｆ
エニル）−チアゾールなど）、ベンゾチアゾール系列の
核（例えばべ／ジチアゾール、５−クロロベンゾチアゾ
ール、５−メチルベンゾチアゾール、６−メチルベンゾ
チアゾール、５．６−シメチルペンゾチアゾール、５−
ブロモベンゾチアゾール、５−フェニルベンゾチアゾー
ル、５−メトキシベンゾチアゾール、６−メトキシベン
ゾチアゾール、５．６−シメトキシペ／ゾチアゾール、
Ｓ、６−ジオ中シメチレノペンゾチアゾール、５−ヒド
ロキシベンゾチアゾール、６−ヒトロキシペ／ゾチアゾ
ール、４，５，６．７−チトラヒドロペンゾチアゾール
など）、ナフトチアゾール系列の核（例えばナフ）（２
，１−ｄ）チアゾール、ナフト（１，２−ｄ）チアゾー
ル、５−メトキシナフト（ｌ、２−ｄ）チアゾール、５
−エトキシナフト（１，２−ｄ）チアゾール、８−メト
キシナフト（２，１−ｄ）チアゾール、７−メドキシナ
フ）（２，１−ｄ）チアゾールなど）、チオナフテン［
７，６−ｄ］チアゾール系列の核（例えば７−メドキ、
ジチオナフチｙ　［７，６−ｄ　］チアゾール）、オキ
サゾール系列の核（例えば４−メチルオキサゾール、５
−メチルオキサゾール、４−）−一ルオキサゾール、４
，５−シフ−ニル　　　　　゛ｊオキサゾール、４−エ
チルオキサゾール、４．５−ジメチルオキサゾール、５
−フェニルオキサゾール）、べ／ジオキサゾール系列の
核（例えばベンゾオキサゾール、５−クロロペンジオキ
ナゾール、５−メチルペンジオキナゾール、５−フェニ
ルベンゾオキサゾール、６−メチルペンジオキナゾール
、５，６−ジメチルベンジオキナゾール、５−メトキシ
ベンゾオキサゾール、６−メトキシベンゾオキサゾール
、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、６−ヒドロキシ
ベンゾオキサゾールなど）、ナフトオキサゾール系列の
核（例えばナフト［２，１−ａ）オキサゾール、ナツト
（１，２−ｄ）オキサゾールなど）、セＶｆ”／−ル系
列の核（例えば４−メチルチアゾリン、４−フェニルセ
レナゾールなど）、ベンゾセレナゾール系列の核（例え
ばベンゾセレナゾール、５−クロロベンゾセレナゾール
、５−メチルベンゾセレナゾール、５．６−シメチルペ
／ゾセレナゾール、５−メトキシベンゾセレナゾール、
５−メチル−６−メチルベンゾセレナゾール、５．６−
シオキシメチレンペンゾセレナゾール、５−ヒドロキシ
ベンゾセレナゾール、４，５，６．７−チトラヒドロペ
ンゾセレナゾールなど）、ナフトセレナゾール系列の核
（例えばナツト（２，１−ｄ）セレナゾール、ナフト（
１，２−ｄ）セレナゾール）、チアゾリン系列の核（ｆ
ｓえばチアゾリン、４−メチルチアゾリン、４−とド關
キシメチルー４−メチルチアゾリン、４．４−ビス−ヒ
ドロキシメチルチアゾリンなど）、オΦナシリン系列の
核（例えばオキサゾリン）、セレナシリ／系列の核（例
えばセレナゾリン）、２−キノリ／系列の核（例えばキ
ノリ／、６−メチルキノリ／、６−クロロキノリ／、６
−メドキシキノリ／、６−ニトキシキノリン、６−ヒド
ロキシキノリン）、４−キノリ／系列の核（例えばキノ
リン、６−メドキシキノリン、７−メチルキノリン、８
−メチルキノリン）％　　ｔ−イソキノリン系列の核（
例えばイノキノリ７．３．４−ジヒドロイソキノリン）
、３−インキノリノ系列の核（例えばイソ千ノリンＬ３
，３−ジアルキルイ／ドレニ／系列の核（ｆｌえば３．
３−ジメチルインドレニン、３．３−ジメチル−５−ク
ロロインドレニ７．３，３．’５−トリメチルインドレ
ニン、３，３．７−ドリメチルインドレニノ）、ピリジ
ン系列の核（例えばピリジン、５−メチルピリジ／）、
ベンゾイミダゾール系列の核（例えばｌ−エチル−５，
６−ジクロロベンゾイミダゾール、ｌ−ヒドロキシエチ
ル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル
−５−クロロベンシイはダゾール、ｌ−エチル−５，６
−ジブロモベンソイミダゾール、ｌ−エチル−５−フェ
ニルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−フルオロベ
ンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−シアノベンゾイミ
ダゾール、１−（β−アセトキシエチル）−５−シアノ
ベｙ　１イミＩ’　ｌ−ル、１−エチル−５−クロロ−
６−シアノベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−フル
オロ−６−シアノベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５
−アセチルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−カル
ボキシベンゾイミダゾール、１−エチル−５−エトキシ
カルボニルベン／（＜ダゾール、ｌ−エチル−５−スル
ファミルベンゾイミダゾール、！−エチルー５−Ｎ−エ
チルスルファミルベンゾイミダゾール、１−エチル−５
，６−ジフルオロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５
，６−ジシアツベンゾインダゾール、！−エチルー５−
エチルスルホニルベンゾインダゾール、ｌ−エチル−５
−メチルスルポニルヘンソイミタソール、ｌ−エチル−
５−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、ｌ−エチ
ル−５，−）ＩＪフルオロメチルスルホニルベンゾイミ
ダゾール、ｌ−エチル−５−トリフルオロメチルスルフ
ィニルペンゾイミ／−、ｓ、ｈト）を完成するに必要な
非金属原子群を表わす。

Ｚ、は、５員環又け６員環を形成するに必要な原子群を
示し、好ましい５員環としては、例え但し、鵬およびル
は、水素原子又はアルキル基（メチル基、エチル基など
）を示す。又、前述の５員環又Ｆｉ６員環は、ベンゼン
環、ナツタと レン環などの芳香族環重縮合していてもよい。

亀は、水素原子又はハロゲン原子（塩素原子。

臭素原子、沃素原子）を示す。残および鶴は、水素原子
、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子。

沃素原子など）、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アル
キル基（メチル基、エチル基、プロピル基、テチル基な
ど）、置換もしくは未置換のアリール基（フェニル基、
α−ナフチル基、β−ナフチル基、カルボキシフェニル
基、ヒドロキシフェニル基、トリル基、キシリル基など
）又はアシルオキシ基（アセチルオキシ基、プロピオニ
ルオキシ基、べ／ジイルオキシ基など）を示す。Ｘｏは
、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、過塩
素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、Ｐ−トル
エンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル
値酸塩イオン、フロビル硫酸塩イオンなどの酸アニオン
を表わす。／、ｍおよびｎは、０又はｌである。

前記一般式（１）又ハ（２）で示されるポリメチン化合
物の具体例を下記に示す。

（４）　　　　　　ｃＨ，ｃＨ，−偽 （１１ （１１ ａ◆ （ハ） ３υ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（
２）（至）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　（２）ｃｊ３＠ これらのポリメチン化合物は全知の方法、例えば活性メ
チル基を有するＮ複素環四級塩と、トリエトキシプロペ
ン、ペンタジェンシアニル、イソホロン、等とを胃性ア
ルカリピリジン、ピペリジン、トリアルキルア叱ン、無
水酢酸等の縮合剤の使用によリ一工程又は二工程の反応
によ如合成することができる。

本発明の光学配縁媒体は、例えば第１図に示す如き構造
とすることができる。第１図に示す光学配縁媒体は、基
板ｌの上に前述のポリメチ／化合物を含有させた有機薄
膜２を設けることによって形成できる。

基板ｌとしては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エボ午シ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。有機薄膜２は、前述
のポリメチ／化合物の真空蒸着によって形成でき、また
バインダー中に前述のポリメチン化合物を含有させた塗
工液を基板ＩＫ塗工することＫよって形成することがで
きる。ポリメチン化合物をバインダーとともに薄膜を形
成させる際、ポリメチン化合物はバインダー中で分散状
態で含有されていてもよく、あるいは非晶質状態で官有
されていてもよい。ポリメチン化合物の好適なバインダ
ーとしては、広範な樹脂から選択することができる。具
体的には、ニトロセルロース、リン酸セルロース、硫酸
セルロース％　酢酸−ｔ！ルロース、クロビオ７ｇ１セ
ルロース、ＭｒＪｌセルロース、ミリスチン酸セルロー
ス、パルミチン酸ｔ　ルｏ　−ｘ、酢Ｈ・プロピオン酸
セルロース、酪［−＆！Ｓ酸セルロースなどのセルロー
スニスデル類、メチルセルロース、エチルセルロース、
プロピルセルロース、ブチルセルロースナトのセルロー
スエーテル類、ポリスチレン、ホリ嘘化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセター
ル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなど
のビニル樹１ｊ□脂類、ステレ／−ブタジェンコポリマ
ー、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、スチレ／
−ブタジェン−アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニ
ル−塩化ビニリデンコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニ
ルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチルメタクリ
レート、ポリメチルアクリレート、ポリブチルアクリレ
ート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリ
ルアミド、ポリアクリロニトリルなどのアクリルｗｉｔ
類、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル類
、ポリ（４，４’−イソプロビリデ／、ジフエニレ／−
コ−１，４−７クロヘキシレンジメチレンカーボネート
）、ポリ（エチレンジオキシ−３，３′−フェニレンチ
オカーボネート）、ポリ（４，４’−イソグロピリデン
ンフエ、ニレンカーポネートーコーテレフタレート）、
ポリ（４゜４−イングロピリデンジフエニレンカーボネ
ー）　）、ホ！Ｊ　（４，４’−ｓｍ−プチリデンジフ
エニレ７カーボ不−ト）、ポリ（４，４−イングロピリ
デンジフエニリンカーポネートーブロックーオキシエチ
レン）などのボリアリレート樹脂類、あるいはポリアミ
ド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、フェノール樹脂
類、ポリエチレン、ポリプロピレノ、塩素化ポリエチレ
ンなどのポリオレフィン類などを用いることができる。

塗工のＩＩＫ使用する有機溶剤は、バインダーの種類お
よびポリメチン化合物をバインダー中に分散状態か非晶
質状態の何れかくよって異なるが、一般には、メタノー
ル、エタノール、イノプロパツールなどのアルコール類
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキすノンな
どのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア（ド、　Ｎ、
Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルス
ルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロ７ラン
、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル
などのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジ
クロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなど
の脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンセン、トル
エン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジ
クロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることができ
る。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーパーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。

パイ／ダーとともに有機薄膜２を形成する際、ポリメチ
ン化合物の含有量は、有機薄膜２中において、１−９０
重食パーセント、好ましくは２０〜７０重量パーセント
である。また有機薄膜２の乾燥膜厚は１０ｊクロン以下
、好ましくは２ｔクロン以下である。

また、本発明の光学記録媒体は、第２図に示す様に基板
ｌと有機薄膜２０間に反射層３を設けることができる。

反射層３は、アルミニウム、銀、クロムなどの反射性金
属の蒸着層またはう建ネート層とすることができる。

有機薄膜２は、１３図に示す集束されたレーザ光線４の
照射によってピット５を形成することができる。ピット
５の深さを有機酵１［２の膜厚と同一にすると、ビット
領域における反射率を増加させることができる。読み出
しの際、書込みに用い九し−ず光線と同一の波長を有す
るが、強度の小さいレーザ光線を用いれば、読み出し光
がピット領域で大きく反射されるが、非ピット領域にお
いてＦｉ吸収される。また、別の方法は有機薄膜２が吸
収する第１の波長のレーず光線で実時間書込みを行ない
、読み出しに有機薄膜２を実質的に透過する第２の波長
のレーず光線を用いることで奉る。読み出しレーザ光線
は、ビット領域と非ピット領域における異なる膜厚によ
って生じる反射層の変化に応答する）１］１ ことができる。

本発明の光学記録媒体は、アルゴンレーザ（発振波長４
８８ｎｌＸＩＬヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３
３ｎｍ）、ヘリウム−カドミラムレ−ず（発振波長４４
２ｎｍ）などのガスＶ−ザーの　　　　１１照射によっ
て記録することもげ能であるが、好ましくは７５０ｎｍ
以上の波長を有するレーザ、特にガリウム−アルミニウ
ムーヒ素半導体レーザ（発振波長７８０ｎｍ）などの近
赤外あるいは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の
照射によって紀呻する方法が適している。また、読み出
しのためには、前述のレーザ光線を用いることができる
。この際、書込みと読み出しを同−波長のレーザで行な
うことができ、また異なる波長のレーザで行なうことが
できる。

本発明によれば、十分に改善されたＳ／Ｎ比を得ること
ができ、しかも本発明で用いる有機薄膜は、相反則不軌
が小さく、レーザ光線の如く強照度エネルギー光線の利
用度を高くすることができる。さらに、発振波長７５０
ｎｍ以上の波長を有するレーザ光線による記録をＣ１丁
能にすることができる。

以下、本発明を実施例に従って靜細に説明する。

実施例１ ニトロセルｉ−−ス溶液（ダイセル化学工Ｍ■製；オー
バーレス・ラッカー二二トロセルロ−ス２５ｗｔ　Ｘの
メチルエチルケト／溶１ｔ）１２重量部、／１６（ｔ）
のポリメチン化合物３重量部およびメチルエチルケトフ
ッ０重置部ｔ−ｍ合し、十分に攪拌して溶解した。この
醪液をパイレックス基板上にスピンナーコーティング法
により塗布した後、１００℃で２時間乾燥して、０．６
ｆ／−の記録層を得た。

こうして作成した光学記録媒体をターンテーブル上［３
１付け、ター７テーブルをモーターで１８００　Ｎ）ｍ
の回転を与えながら、スポットサイズ１．ｏｎＫ集束し
た５ｍＷおよび８ｉｌ１１のガリウム−アルミニウム−
ヒ素半導体レーザ光線（発振波長７８０ｎｍ）を紀録層
面にトラック状で照射して記録を行なった。

このＷ７ｉ２鍮された光ディスクの表面を走査型電子顧
黴鏡で観察したところ、鮮明なピットが認められた。ま
た、この光ディスクに低出力のガリウム−アルｉニウム
ーヒ素牛導体レーザを入射し、反射光の検知を行なった
ところ、十分な８／Ｎ比を有する波形が得られた。

実施例２ 実施例１で用いたぁ（１）のポリメチン化合物に代えて
、４（５）のポリメチン化合物を用いたほかは、実施例
１と全く同様の方法で光学記録媒体を作成してから、同
様のレーザｊｔｍを照射したところ、実施例１と同様の
結果が得られた。

実施例３ 実施例１で用い九Ａ　（１）のポリメチン化合物に代え
て、Ａ（９）のポリメチン化合物を用い九ほかは、実施
例１と全く同様の方法で光学記録媒体を作成してから、
同様のレーザ光線を照射したところ、実施例１と同様の
結果が得られ友。

実施例４ 実施例１で用い九巡（１）のポリメチン化合物に代えて
、魔軸のポリメチ／化合物を用いたほかは、実施例１と
全（ｆｆｌＩｌ！の方法で光学記録媒体を作成してから
、同様のレーザ光線を照射したところ、ｌ！施例１と同
様の結果が得られた。

実施例５ 実施例１で用いた雇（１）のポリメチン化合物に代菫て
１．％ａ・のポリメチン化合物を用いたほかは、実施例
１と全く同様の方法で光学記録媒体を作成してから、同
様のレーザ光−を照射したところ、実施例１と同様の結
果が得られた。

ｌｌ！麹例６ 実施例１で用いえＡ（１１のポリメチン化合物に代えて
、ｙｌｌｉ翰のポリメチ／化合物を用いたほかは、実施
例１と全く員様の方法で光学記録媒体を作成してから、
同様のレーザ光線を照射したところ、実施例１と同様の
結果が得られた。

実施例７〜ｌＯ 実施例１で用い友Ａ（１）のポリメチン化合物に代えて
ｓ　Ａ６０１．　（２Ｌ　ｃ！４）および弼のポリメチ
ン化金物をそれぞれ用いたほかは、実施例１と全く同様
の方法で光学記録媒体を作成してから、同様にレーザ光
線を照射【またところ、実施例１と同様の結果が得られ
た。　　　　　　　　　　　　　　１（。

実施例１１〜１５ 実施例１で用い九Ａ　（１）のポリメチン化合物に代え
て、ム（至）、（至）、（至）、■および−のポリメチ
／化合物をそれぞれ用いたほかは、実施例１と全く同様
の方法で光学記録媒体を作成してから、同様にレーザ光
線を照射したところ、実施例１と同様の結果が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の光学記録媒体の断面図、
第３図は本発明の光学記録媒体を用いた実施態様を示す
説明図である。 ｌ・・・基板、２・・・有機薄膜、３・・・反射層、４
・・レーザ光線、５・・・ビット。 特許出献人　　キャノン株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式（１）および（２）で示されるポリメチン化
   合物の少なくとも１種を含有する有機薄膜を有すること
   を特徴とする光学記録媒体。 一般式 ％式％ （式中、におよび鵬は、置換も［７〈は未置換のアルキ
   ル基、１喚もしくは未置換のアラルキル基又はアルケニ
   ル基を示す。Ｚ、およびＺ、は、置換又は未置換の複本
   環を兄成するに必要な原子群を示す。Ｚｌは、置換もし
   くは未ｔｔｍの５−環又は６員環を完成するに必要な原
   子群を示し、又前記５員環もしくＦｉ６績環は芳香＆：
   環と一合していてもよい。亀は、水素原子又は）・ロゲ
   ン原子を示す。蜆および塊は、水ｔ、原子、ノ・ロゲン
   原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルキル基、置
   換もしくは未置換のアリール基又はアラルキル基を示す
   。７貨、酸アニオンを示す。／、ｍおよびＸ］は、０又
   はｌである。）