JPS6351187A - 光記録方法 - Google Patents

光記録方法

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JPS6351187A
JPS6351187A JP61193964A JP19396486A JPS6351187A JP S6351187 A JPS6351187 A JP S6351187A JP 61193964 A JP61193964 A JP 61193964A JP 19396486 A JP19396486 A JP 19396486A JP S6351187 A JPS6351187 A JP S6351187A
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Japan
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recording
layer
recording layer
optical recording
group
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JP61193964A
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Harunori Kawada
河田 春紀
Kunihiro Sakai
酒井 邦裕
Toshihiko Miyazaki
俊彦 宮崎
Yukio Nishimura
征生 西村
Takashi Nakagiri
孝志 中桐
Takeshi Eguchi
健 江口
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/245Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体を用いた光記録方法に関し、特に
1枚の光ディスクで変色記録とビット記録との併用、す
なわち3値記録を可能とし、かつ低出力の判導体レーザ
ーを用いた場合でも、高密度、高感度な光記録が可能で
あり、省エネルギーの面で有利な光記録方法に関する。
(従来の技術) 最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスク、光テープ、光カード(以下光ディスクと総
称する)等の光記録媒体が注目を集めている。例えば光
ディスクは、−枚のディスク中に大量の文i!P、文献
等を記録保存できるため、オフィスにおける文書等の整
理、管理が効率よ〈実施できるという利点を有している
このような光デイスク技術で用いる記録層は、光学的に
検出可能な小さな(例えば1μ)ドツトをらせん状また
は円形のトラック形態にして、高密度情報を記憶するこ
とができる。
この光デイスク技術に用いるディスクとしては、例えば
レーザーに対して感応する材料からなる記録層を基板上
に設けた構成のものが代表的である。このディスクに情
報を占き込むには、レーザー感応層(記録層)に集束し
たレーザーを走査し、このレーザー光線が照射された表
面のみにドツトを形成させ、記録情報に応してこのドツ
トをらせん状または円形トラックの形態で形成する。す
なわちレーザー感応層は、レーザー・エネルギーを吸収
して光学的に検出可能なドツトを形成できる。例えばヒ
ートモード記録方式では、レーザー感応層は熱エネルギ
ーを吸収し、その個所に蒸発または融解により小さな四
部(ビット)からなるドツトを形成できる。また、別の
ヒートモード記録方式では、照射されたレーザー・エネ
ルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な変
色部からなるドツトを形成できる。
この光ディスクに記録された情報は、レーザーをトラッ
クに沿って走査し、ドツトが形成された部分とドツトか
形成されていない部分の光学的変化を読み取ることによ
って検出される。例えば、基板の反射面上に記録層を設
けた構成のディスクを用いた場合には、レーザーがトラ
ックに沿って走査され、ディスクによって反射されたエ
ネルギーかフォトディテクターによってモニターされる
。その際、ビット記録の場合には、ビットが形成されて
いないところでは、フォトディテクターの出力は低下し
、一方ピットが形成されているところでは、レーザー光
線は下層の反射面によって十分に反射されフォトディテ
クターの出力は大きくなる。
このような光ディスクの記録層としては、従来よりアル
ミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸化テ
ルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの無機
物質を主に用いたものなど各種のものが検討されてきた
が、価格、製造の容易さから最近になって有機材料を用
いたものが注目されている。
一方、従来のヒートモード方式は、ドツトを形成するか
しないかの2値記録であるため、より高密度な記録を実
施する上で限界があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、スクェアリリウム染料とジアセチレン
誘導体化合物とを組合せて光記録媒体の記録層を構成す
ることによって、1枚の光ディスクで変色記録とピット
記録とが可能であり、すなわち2種のドツトによる3値
記録が可能であり、しかも低出力の半導体レーザーを用
いた場合でも変色記録とピット記録とを同程度の高速で
行なうことができることをみいだし完成されたものであ
る。
本発明の目的は、1枚のディスクでの2種のドツトによ
る3値記録を可能とする光記録方法を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は小型軽量で低出力の半導体レーザー
により光書き込みが可能であり、かつ高速記録が可能な
光記録方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、より高密度、高感度での記録
が可能な光記録方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、商品′i1な
光記録画像を得ることのできる光記録方法を提供するこ
とにある。
(問題点を解決するための手段) すなわち、本発明の光記録方法は、ポリジアセチレン誘
導体化合物と、スクェアリリウム染料とを含有する記録
層を有する光記録媒体に、記録情報に応じて露光用を■
]御した光を照射し、露光量Q1の露光部を変色させ、
露光11Q7の露光部には凹部からなるビットを形成す
る工程(ただし、Q+ < Q7 )を有することを特
徴とする。
本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるジアセチ
レン誘導体化合物(以下、Dへ化合物と略称する)とは
、下記=一般式 %式% (式中、RおよびR′は、極性基;極性基で置換されて
もよい、アルキル基、シクロヘキシル基のような飽和脂
肪族化水素基;極性基で置換されてもよい、ビニル基、
プロペニル基のようなすレフイン系炭化水素基;または
極性基で置換されてもよい、フェニル基、ナフチル基、
アルキルフェニルノ、(のような芳香族炭化水素基であ
り、ここでいう極性基としては、例えばカルボキシル基
またはその金属若しくはアミン塩、スルホン酸基または
その金属若しくはアミン塩、スルホアミド基、アミド基
、アミノ基、イミノ基、ヒドロキシ基、オギシアミノ基
、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リン
酸基、ケイ酸基、アルミン酸基、ニトリル基、チオアル
コール基、ニトロ基およびハロゲン原子が挙げられる。
) で表わされる化合物及びこれらのf「合体である。
一方、本発明で用いるスクェアリリウム染料とは、下記
基本構造: ■ (M:後述、A1、 A2 :芳香環及び/または複素
環を含む置換、!り を有する化合物(分子内塩をも含む)であって、800
〜900nmに吸収ピークを存し、この波長の赤外光に
より発熱する化合物である。このスクェアリリウム染料
としては、代表的には下記一般式[I]〜[lV]で示
される染料が例示される。
邦v”x [Iコ 八〇 一般式[1目 し 。θヮ■        Xe 一般式[I[1] %式%[] 一般式(1)(rl)中、R1およびR2は、アルキル
基(例えば、メチル基、エチル基、n−プロピルコ、c
、1so−プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブチル
基、1so−ブチル基、し−ブチル基、n−アミル基、
し−アミル」11;、n−ヘキシル基、n−オクチル基
、し−オクチル基など)、置換アルキル基(例えば2−
とドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロピル基、4−
ヒドロキシブチル基、2−アセトキシエチル基、カルボ
キシメチル基、2−カルボキシエチル基、3−カルボキ
シプロピル基、2−スルホエチル基、3−スルホプロピ
ル基、づ−スルホブチル基、3−スルフェートブチル基
。(,4−スルフェートブチル基、 N−(メチルスル
ホニル)−カルバミルメチル基、 3−(アセチルスル
ファミル)プロピル基、 4−(アセチルスルファミル
)ブチル基など)、環式アルキル基(例えば、シクロヘ
キシル基など)、アリル基、アラルキル基(例えば、ヘ
ンシル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−
ナフチルメチルコ、ζなど)、置換アラルキル基(例え
ば、カルボキシヘンシル基、スルホベンジル基、ヒドロ
キシベンジル基など)、アリール基(例えば、フェニル
基など)または置換アリール基(例えば、カルボキシフ
ェニル基、スルホフェニル基、ヒドロキシフェニル基な
ど)を示す。特に、本発明においては、これらの有機残
基のうち、疎水性のものが好ましい。
置換または未置換の複素環、例えば、チアゾール系列の
核(例えばチアゾール、4−メチルチアゾール、4−フ
ェニルチアゾール、5−メチルチアゾール、5−フェニ
ルチアゾール、4.5−ジメチルチアゾール、4.5〜
ジフエニルチアゾール、4〜(2−チェニル)−チアゾ
ールなど)、ペンジチアブール系列の核(例えばベンゾ
チアゾール、5−クロロヘンジチアゾール、5−メチル
ベンゾチアゾール、6−メチルベンゾチアゾール、5,
6−シメチルベンゾチアゾール、5−ブロモベンゾチア
ゾール、5−フェニルヘンジチアゾール、5−メトキシ
ベンゾチアゾール、6−メトキシベンゾチアゾール、5
,6−ジメトキシベンゾチアゾール、5.6−シオキシ
メチレンベンゾヂアゾール、5−ヒドロキシベンゾチア
ゾール、6−ヒドロキシベンゾチアゾール、4,5,6
.7−チトラヒトロベンゾチアゾールなど)、ナフトチ
アゾール系列の核(例えばナツト[2,1−d]チアゾ
ール、ナフト[1,2−d]チアゾール、5−メトキシ
ナフト[1,2−dlチアゾール、5−エトキシナフト
[1,2−t1]チアゾール、8−メトキシナフト[2
,1−d]チアゾール、7−メトキシナフト[2,1−
d]チアゾールなど)、チオナフテン[7,6−d]チ
アゾール系列の核(例えば7−メドキシチオナフテン[
7,6−d]チアゾール)、オキサゾール系列の核(例
えば4−メチルオキサゾール55−メチルオキサゾール
、4−フェニルオキサゾール、4.5−ジフェニルオキ
サゾール、4−エチルオキサゾール、4.5−ジメチル
オキサゾール、5−フェニルオキサゾール)、ベンゾオ
キサゾール系列の核(例えばベンゾオキサゾール、5−
クロロヘンジオキサゾール、5−メチルベンゾオキサゾ
ール、5−フェニルベンゾオキサゾール、6−メチルベ
ンゾオキサゾール、5.6−シメチルペンゾオキサゾー
ル、5−メトキシベンゾオキサゾール、6−メトキシベ
ンゾオキサゾール、5−ヒドロキシベンゾオキサゾール
、6−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど)、ナフトオ
キサゾール系列の核(例えばナフト[2,I−d] オ
キサゾール、ナフト[1,2−d]オキサゾールなど)
、セレナゾール系列の核(例えば4−メチルセレナゾー
ル、4−フェニルセレナゾールなど)、ベンゾセレナゾ
ール系列の核(例えばベンゾセレナゾール、5−クロロ
ベンゾセレナゾール、5−メチルヘンゾセレナゾール、
5.6−シメチルベンゾセレナゾール、5−メトキシベ
ンゾセレナゾール、5−メチル−6−メトキシベンゾセ
レナゾール、5.6−シイキシメチレンベンゾセレナゾ
ール、5−ヒドロキシベンゾセレナゾール、4.5,6
.7−チトラヒドロペンゾセレナゾールなど)、ナフト
セレナゾール系列の核(例えばナフト[2,1−d]セ
レナゾール、ナフト[1,2−d]セレナゾール)、チ
アゾリン系列の核(例えばチアゾリン、4−メチルチア
ゾリン、4−ヒドロキシメチル−4−メチルチアゾリン
、4,4−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンなど)、
オキサゾリン系列の核(例えばオキサゾリン)、セレナ
ゾリン系列の核(例えばセレナゾリン)、2−キノリン
系列の核(例えばキノリン、6−メチルキノリン、6−
クロロキノリン、6−メドキシキノリン、6−ニトキシ
キノリン、6−ヒドロキシキノリン)、1−キノリン系
列の核(例えばキノリン、6−メドキシキノリン、7−
メチルキノリン、8−メチルキノリン)、1−イソキノ
リン系列の核(例えばイソキノリン、3.4−ジヒドロ
イソキノリン)、3−イソキノリン系列の核(例えばイ
ソキノリン)、3.3−ジアルキルインドレニン系列の
核(例えば3,3−ジメチルインドレニン、3.3−ジ
メチル−5−クロロインドレニン、3,3.5−トリメ
チルインドレニン、3,3.7−トリメチルインドレニ
ン)、ピリジン系列の核(例えばピリジン、5−メチル
ピリジン)、ベンゾイミダゾール系列の核(例えばI−
エチル−5,6−ジクロロベンゾイミダゾール、1−と
ドロキシエチル−5,6−ジクロロベンゾイミダゾール
、I−エチル−5−クロロベンゾイミダゾール、1−エ
チル−5,6−ジプロモヘンゾイミダゾール、■−エチ
ルー5−フェニルベンゾイミダゾール、1−エチル−5
−フルオロベンゾイミダゾール、1−エチル−5−シア
ノベンゾイミダゾール、1−(β−アセトキシエチル)
−5−シアノベンゾイミダゾール、1−エチル−5−ク
ロロ−6−シアノベンゾイミダゾール、1−エチル−5
−フルオロ−6−シアノベンゾイミダゾール、1−エチ
ル−5−アセチルベンゾイミダゾール、1−エチル−5
−カルボキシベンゾイミダゾール、l−エチル−5−エ
トキシカルボニルベンゾイミダゾール、I−エチル−5
−スルファミルベンゾイミダゾール、l−エチル−5−
N−エチルスルフ7ミルベンゾイミダゾール、1−エチ
ル−5,6−ジフルオロベンゾイミダゾール、l−エチ
ル−5,6−ジシアツベンゾイミダゾール、1−エチル
−5−エチルスルホニルベンゾイミダゾール、1−エチ
ル−5−メチルスルホニルベンゾイミダゾール、1−エ
チル−5−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、1
−エチル−5−トリフルオロメチルスルホニルベンゾイ
ミダゾール、1−エチル−5−トリフルオロメチルスル
フィニルヘンシイミダゾールなど)を完成するe に必要な非金属原r−群を表わす。X は、塩化物イオ
ン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸塩イオン
、ベンゼンスルホン酸塩イオン、p−トルエンスルホン
酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン
、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオンを表わし、 X
 はR1および/まe たはR2自体が陰イオン基、例えば−503、−〇S0
3、■ 含むときには存在しない。M は、例えば水素陽イオン
、ナトリウム陽イオン、アンモニウム陽イオン、カリウ
ム陽イオン、ピリジウム陽イオンなどの陽イオンを表わ
す。nおよびmは、0又は1である。
−・般式(II[)  (IV)中、R3およびR4は
、メチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキル基
を示ず。またR3とR4で窒素原子とともにモルフォリ
ノ、ピペリジニル、とロリジノなどの環を形成するとこ
とも出来る。R5,R6、R7および3日は水素原子、
アルキル基(メチル、エチル、プロピル、ブチルなと)
、アルコキシ基(メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブ
トキシなど)又はヒドロキシ基を示す。また、R5とR
6で結合してベンゼン環を形成することができ、さらに
RSおよびR6とR7およびR8がそれぞれ結合してベ
ンゼン環を形成することができる。
次に、本発明で用いるスクェアリリウム染料の代表例を
下記に列挙するが、便宜上、一般式[1]あるいは[I
[IIのベタイン構造の形で表わす。しかし、これらの
染料の調製においては、ベタイン形や塩の形にある染料
の混合物が得られるので、混合物として使用される。
一般式[+]、[II]の代表例 (2)。
(3)。
■ (4)             。
暮 (5)O (7)。
(8)            。
(9)。
(to)               。
(+1)               0(13) 
           。
■ (14)           。
(15)           。
(16)           。
(17)                。
(18)               。
(19)               。
■ (20)              □CHCH CH2CH2 e 一般式[[11] 、[■]の代表例 ■ [;H3’(1))   GH3 (40)              。
上記(1)〜(42)のスクェアリリウム染料は、1種
または2種以上を組合せて用いることができる。
本発明に用いる光記録媒体は前記DA化合物と前記スク
ェアリリウム染料とを含有してなり、−層混合系、二層
分離系または多層積層系のいずれの構成でも良い。
ここで、−層混合系とは、DA化合物とスクェアリリウ
ム染料との混合層からなるものを、二層分M;f−とは
、DA化合物を含む層とスクェアリリウム染料を含む層
とが分離積層されているものを、更に多層積層系とは、
例えばOA化合物を含む層の1以上と、スクェアリリウ
ム染料を含む層の1以上が所定の層数及び順序で積層さ
れた上記の二層分!1lIl系を含まない構成のものを
それぞれいう。
本発明に用いる光記録媒体の代表的な構成を第1図(八
)及び第1図(B)に示す。第1図(A)は、−層混合
系の記録層2が基板1」二に設けられているものであり
、第1図(B)は、二層分離系の、すなわちDA化合物
を含む層2aとスクェアリリウム染料を含む層2bとか
らなる記録層2が基板1」二に設けられているものであ
る。
記録層2を形成するには、代表的には、−層混合系の場
合には、DA化合物の結晶微粉末およびスクェアリリウ
ム染料を適当な揮発性溶媒に混合して、塗布液を作成し
、この塗布液を基板1上に塗布して、また二層分離系若
しくは多層積層系の場合には、DA化合物の結晶微粉末
を含む塗布液と、スクェアリリウム染料を含む塗布液と
を別々に調製し、これらを基板1に所定の順序で塗布す
れば良い。
本発明に用いる光記録媒体の基板1としては、ガラス、
アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプ
ラスチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使
用できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施す
る場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを
用いる。
−層混合系の記録層の形成に用いる塗布液の溶媒は、使
用するバインダーの種類や、態化合物およびスクェアリ
リウム染料の種類によって適宜選択されるが、一般に、
メタノール、エタノール、インプロパツール等のアルコ
ール類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類;I’f、N−ジメチルホルムアミド
、N、N−ジメチルアセトアミド等のケトン類;ジメチ
ルスルホキシド等のスルホキシド類;テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル等のエーテル類:酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル等のエステル類;クロロポルム、塩化メチレン、ジク
ロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン等の脂
肪族ハロゲン化炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシ
レン、モノクロルヘンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香
族炭化水素類等が挙げられる。
また、二層分離系若しくは多層積層系の形成に用いる塗
布溶液の溶媒として、スクェアリリウム染料の好適な溶
媒としては、スクェアリリウム染料が非晶質状態の場合
には、メタノール、エタノール、イソプロパツール等の
アルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン類;ff、N−ジメチルホルムア
ミド、N。
N−ジメチルアセトアミド等のアミド頚;ジメチルスル
ホキシド等のスルホキシド類;テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル等の
エーテル類;酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、
ベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン等の芳香族
類等が挙げられ、またスクェアリリウムが粒子状態の場
合にはジクロルメタン、クロロホルム、四塩化炭素、1
,1−ジクロルメタン、1.2−ジクロルメタン、1.
1.2−トリクロルメタン、クロルベンゼン、ブロモベ
ンゼン、1,2−ジクロルベンゼン等のハロゲン化炭化
水素類等が挙げられる。
またDA化合物の好適な分散媒としては、n−ヘキサン
、n−へブタン、n−オクタン、シクロヘキサン等の脂
肪族炭化水素類が挙げられる。
しかし、DA化合物は、結晶性が強い化合物なので、−
旦溶媒に溶解し、この溶液を基板上に塗布しても乾燥過
程で再結晶化が進行し、ダレインが得られる。したがっ
て、分散液だけでなく、Dへ化合物の溶液を使用しても
良い。この場合の溶媒としては、スクェアリリウム染料
の溶媒として先に挙げたものと同様なものが使用できる
なお、各塗布液には、基板1との、あるいは他の層との
密着性を向上させるために、適宜天然若しくは合成高分
子からなるバインダーを添加してもよい。また、記録層
2の安定性、品質向]二を計るために各種の添加剤を加
えてもよい。
このような塗布液の基板1への塗工は、スピナー回転塗
布法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、
と−トコ−ティング法、ワイヤーバーコーティング法、
ブレードコーティング法、ローラーコーティング法、カ
ーテンコーティング法等の手法が用いられる。
記録層2が一層混合系の場合は、その膜厚は、400人
〜2p程度が適しており、特に1000〜5000人の
範囲が好ましい。また二層分割系の場合の各層の膜厚は
、 200人〜1鱗程度が適しており、特に200〜5
000人の範囲が好ましい。更に、多層411層系の場
合には、個々のOA化合物を含む層の膜厚の総和及び個
々のスクェアリリウム染料を含む層の膜ノゾの総和がと
もに、 100人〜1μ程度が適しており、特に200
〜5000人の範囲が好ましい。
記録層2内でのDA化合物とスクェアリリウム染料との
配合割合は、l/15〜15/1程度が好ましく、最適
にはl/10〜10/1である。
なお、必要に応じてこのように構成される記録層2の上
に各種の保護層を設けてもよい。なお、二層分離系や多
層積層系の場合の各層の積層順序には関係なく本発明の
方法は実施することができる。
このようにして構成される光記録媒体を用いて本発明の
光記録方法を実施することができる。
この光記録媒体においては、DA化合物(m合体を除く
)に光を加えることにより、記録層の吸収波長が変化し
て見掛けの色が変化する。すなわち、DA化合物(重合
体を除く)は、初期にはほぼ無色透明であるが、紫外線
を照射すると重合し、ポリジアセチレン誘導体化合物へ
と変化する。この混合は紫外線の照射によってのみ起り
、熱等の他の物理的エネルギーの印加によっては生じな
い。この重合の結果、 620〜660nmに最大吸収
波長を有するようになり、青色ないし暗色へと変化する
。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化てあり、−
度青色ないし暗色へ変化した記録層は無色透明膜へとは
戻らない。
更に、この青色ないし暗色へ変化したポリジアセチレン
誘導体化合物とスクェアリリウム染料とを含有した記録
層は、照射された光の露光量に応した温度で発熱する。
その際、記録層2が溶融せずに、かつポリジアセチレン
誘導体化合物が約50℃以上に加熱された場合には、記
録層の露光部は約540nmに最大吸収波長を仔するよ
うになり、赤色膜へと変化する。なお、この赤色膜への
変化も不可逆変化である。
更に、露光量を上昇させ、露光量がある限度を越えると
記録層の露光部は溶融する。
本発明の光記録方法は、このようなりA化合物とスクェ
アリリウム染料との組合せによって得られる特性を利用
して記録を実施するものである。以下この記録方法につ
き詳述する。
本発明の方法に用いる半導体レーザーとしては、出力波
長800〜850nmのGaAs接合レーザーを使用す
るのが特に好適である。
本発明の光記録方法を実施するに際して、光記録媒体と
して、OA化合物(重合体を除く)とスクェアリリウム
染料とを用いて構成した光記録層を有するものを用いる
場合には、先ず、記録層全体に紫外線を照射する。この
紫外線の照射により、記録層中のD^化合物(重合体を
除く)が重合し、ポリジアセチレン誘導体化合物へ変化
し、記録層は青色ないし暗色の膜へと変色する。(もち
ろん、DA化合物としてポリジアセチレン誘導体化合物
を用いた記録層を有するものについては、この操作は必
要とされない。) 一方、記録情報は、制御回路を経て半導体レーザーによ
り光信号に変換される。この光信号は光学系を経て、例
えば光記録媒体裁置手段上に載置され、同期回転してい
る一層混合系の記録層を存する円盤状の光記録媒体の所
定の位置に第2図(A)に示すように結像される。結像
位置は光記録媒体の記録層2である。
結像点(部位)3a、3bにおける露光量は、変色記録
のための、ポリジアセチレン誘導体化合物が約50℃以
北に加熱され、しかも記録層2を溶融しない温度とする
のに1−分なCi!: (Q+ )と、ビット記録のた
めの記録層2を溶融するのに部分なht(To )とに
制御される(ただし、Q、 < 02 )。
このように結像点の露光量を変化させるには、半導体レ
ーザーの強度を変化させる、またはレーザーの照射時間
を変化させる、あるいはこれらを併用するなどの方法を
用いればよい。なお、2種の露光量の照射を実施するに
際しては、1台の半導体レーザーを用いて上記のような
制御を行なっても良いし、異なる露光量の得られる複数
の半導体レーザーを用いても良い。
結像点(部位)3a、3bに存在するスクェアリリウム
染料はこのレーザービーム4を吸収し発熱する。
ここで、前述したQ+の露光量を受けた結像点3aは、
スクェアリリウム染料の発熱によりポリジアセチレン誘
導体化合物か加熱されるので赤色に変化して、第2図(
B)に示すような未露光部の青色ないし暗色と識別可能
な変色部からなるドツト5aとなる。なお、DA化合物
のみからなる記録層を有する光記録媒体では、ポリジア
セチレン誘導体化合物がこの800〜850nmの波長
のレーザーに対する感応性を有していないので、この波
長の半導体レーザーを用いた場合には、変色による光記
録は不可能であった。
一方、前述したQ2の露光量を受けた結像点3bは、ス
クェアリリウム染料の発熱によりその部分か溶融し、第
2図(B)に示すように凹部5bからなるビットが形成
される。
その際、本発明に用いる光記録媒体の記録層2は、前述
のようにスクェアリリウム染料にポリジアセチレン誘導
体化合物が組合わされて構成されているので、すなわち
ポリジアセチレン誘導体化合物を存在させたことにより
、記録層の溶融に要するエネルギーを著しく減少させる
ことができ、スクェアリリウム染料によるビット形成が
大幅に促進される。
このようにして人力情報に応じて言己録層2に変色部5
aとビット5bの2種の形態の異なるドツトによる光記
録、すなわち3値記録が実施される。しかも、本発明に
用いる光記録媒体は、変色記録及びビット記録双方に対
し、高感度を有しているので、このような3値記録を高
速で行なうことができる。
以上−層混合系の記録層を有する光記録媒体を用いた場
合について説明したか、第1図(B)に示したような二
層分離系を用いた場合には、結像点3a、3bは、第3
図(A)に示すようにスクェアリリウム染料を含む層2
bとされる。このようにレーザー4が照射されると、記
録+/i報に応した結像点3a、3bの露光量Q1.Q
2に応じてスクェアリリウム染料が発熱し、第3図(B
)に示すように変色部からなるドツト5aまたは凹部か
らなるビット5bが形成される。
以上のようにして記録された2種のドツトは、所望に応
じて、両者を一度に、あるいは一方のみを読み取ること
かできる。
なお、光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディ
スク(光ディスク)が用いられたが、もちろん、DA化
合物およびスクェアリリウム染料を含有する記録層を支
持する基板の種類により、光テープ、光カート等も使用
できる。
〔発明の効果〕
本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。
(1)記録層にスクェアリリウム染料とポリジアセチレ
ン誘導体化合物とが組合わされて用いられているので、
小型軽量の半導体レーザーを用いて1枚の記録媒体で変
色記録と、ビット記録とを所望に応じて行なうことがで
きる。すなわち、1枚の記録媒体で3値記録による高密
度記録が可能である。しかも、記録層は、変色記録とビ
ット記録のどちらにおいても高感度であり、高速記録が
可能である。
(2)記録層が均質かつ表面性良く形成されているので
、安定性に優れ高品質な光記録が実施できる。
(3)高度に均質な大面積の記録層を有する安価な記録
媒体を用いた光記録が可能となる。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例に基つきより詳細に説明する。
実施例1 一般式c、、 H2,−CEC−C::に−Co)I、
6−CO叶で表わされるジアセチレン誘導体化合物結晶
微粉末1重量部と11t「記の染料A3で表わされるス
クェアリリウム染料10重量部とを塩化メチレン20重
量部中に添加し、1分撹拌したものを塗布液として準備
した。
次にガラス製のディスク基板(厚さ I 、 5mm、
直径200mm)をスピナー塗布機に装着し、前記塗布
液をディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回
転数て所定の時間スピナーを回転させ塗膜aし、常温で
乾燥して、基板上の乾燥後の塗膜の厚みか500人、1
000人および2000人である光記録媒体をそれぞれ
作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ1分に照射し、記録層を青色
膜にした。
次に、この青色膜化された記録層を存する各光記録媒体
に、そのレーザー出力を変化できる830nmの波長の
半導体レーザー(最大用カニ 10mW、レーザービー
ム径:11m、照射時間; 200 ns/ 1ドツト
)を入力情報にしたかい照射し、本発明の光記録を実施
した。なお、ビット記録指令の時は、レーザー出力を8
 mWとし、また変色記録指令の時は、レーザー出力を
4 +nWとした。
この記録結果の評価を、第1表に示した。評価は、ビッ
ト及び変色の両方の記録における感度、解像力、記録部
と非記録部とのコントラスト比の良否の総合評価により
判定し、特に良好なものを◎、良好なものをO1記録か
できないまたは不良なものを×とした。
実施例2 ジアセチレン誘導体化合物の量を1重量部、スクェアリ
リウム染料の量を5重量部、塩化メチレンの量を12重
量部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例1と
同様の方法により光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ十分に!!真射し、記録層を
青色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し
、これを評価した。その記録結果の評価を第1表に示す
実施例3 ジアセチレン誘導体化合物の社を1重量部、スクェアリ
リウム染料の量を1重量部、塩化メチレンの量を4重量
部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例1と同
様の方法により光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに。
まず254nmの紫外線を均一・かつ十分に照射し、記
録層を青色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を
実施し、これを評価した。その記録結果のシ゛P価を第
1表に示す。
実施例4 ジアセチレン誘導体化合物をC8H,、−CEC−C:
(ニーC2H4−C00I+に代えた他は、実力ζ例3
と同様にして光記録媒体を作成した。
このように1ノて得た光記録媒体のそれぞれに、まず2
54nmの紫外線を均一かつ1分に照射し、記録層を青
色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、
これを評価した。その記録結果の評価を第1表に示す。
実施例5 スクェアリリウム染料を染料A2で表わされるスクェア
リリウム染料に代えた他は、実施例3と同様の方法によ
り光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を第1表に示す。
実施例6 スクェアリリウム染料を染料)/FL4で表わされるス
クェアリリウム染料に代えた他は、実施例3と同様の方
法により光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4r+mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青
色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、
これを評価した。その記録結果の評価を第1表に示す。
実施例7 スクェアリリウム染料を染料A目で表わされるスクェア
リリウム染料に代えた他は、実施例4と同様の方法によ
り光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を第1表に示す。
実施例8 染料A29で表わされるスクェアリリウム染料1重量部
をジクロロメタン10重量部に溶解し、塗布液Aとした
これとは別にC,、H25−CEC−CEC−C8H,
6−(:0叶で表わされるジアセチレン誘導体化合物結
晶微粉末1重量部をベンゼン1α重量部に添加し十分攪
拌して塗布液Bとした。
次にガラス製のディスク基板(厚さ I 、 5mm、
直径200 mm)をスピナー塗布機に装着し、最初に
面記塗布液Aをディスク基板の中央部に少量滴下した後
、所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させて塗布
し、常温で乾燥し、基板上にスクェアリリウム染料を含
む層を形成した。次に、スクェアリリウム染料を含む層
を形成した基板を再びスピナー塗布機に装着し、先に形
成したディスク基板上のスクェアリリウム染料を含む層
の表面の中央部に面記塗布液Bを少量滴下した後、所定
の回転数で所定の時間スピナーを回転させて塗布し、常
温で乾燥し、スクェアリリウム染料を含む層上にDA化
合物を含む層を積層し記録層とした。
なお、スクェアリリウム染料を含む層と、DA化合物を
含む層との膜厚を、第2表に示すように種々変化させ、
試料MEL8−1〜8−25の25種の光記録媒体を得
た。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均=−かっ十分に照射し、記録層を青
色膜にした。
次に、この青色膜化された記録層を有する各光記録媒体
に、実施例1と同様にして光記録を実施し、これを評価
した。その記録結果の評価を第3表に示す。
く 第3表
【図面の簡単な説明】
第1図(^)及び第1図(B)は本発明の方法に用いる
光記録媒体の構成の一態様を例示する模式断面図、第2
図(八)及び第2図(B)並びに第3図(A)及び第3
図(B)はそれぞれ本発明の光記録の過程を示す光記録
媒体の模式断面図である。 1;基板      2:記録層 2a:DA化合物を含む層 2b:スクェアリリウム染料を含む層 3a、3b=露光部 4:レーザービーム 5a:変色部 5b二ビツト

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)ポリジアセチレン誘導体化合物と、スクエアリリウ
    ム染料とを含有する記録層を有する光記録媒体に、記録
    情報に応じて露光量を制御した光を照射し、露光量Q_
    1の露光部を変色させ、露光量Q_2の露光部には凹部
    からなるピットを形成する工程(ただし、Q_1<Q_
    2)を有することを特徴とする光記録方法。
JP61193964A 1986-08-21 1986-08-21 光記録方法 Pending JPS6351187A (ja)

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JP61193964A JPS6351187A (ja) 1986-08-21 1986-08-21 光記録方法

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02278535A (ja) * 1989-04-19 1990-11-14 Canon Inc 光学的情報記録媒体
JP2007132228A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd スクロール型圧縮機
JP2008088847A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Denso Corp スクロール型圧縮機

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