JPS6349758A - 光記録読み取り方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含有する光記録
媒体の光記録読み取り方法に関し、特に光書き込み手段
として８００〜９００ｎｍの赤外線レーザーを、光記録
読み取り手段として５００〜７５０ｎｍの可視光を用い
た光記録読み取り方法に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録媒体としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。

このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録か可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーサー（波長８００〜９００ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能でか
つ読み取りについても発光ダイオードや小型レーザーで
実施可能なことが要語される。

一方、特開昭５８−２１７５５８号および特開昭５８−
２２０１４３号には、各種のスクェアリリウム染料が開
示され、これら染料を含有する有機被膜が半導体レーザ
ーの輻射波長領域の輻射線を吸収し発熱するので、レー
ザーエネルギーによりピットを形成するいわゆるヒート
モード記録が実施できることを開示している。しかし、
記録媒体の表面に物理的なビットを形成して記録を実施
する場合には、比較的大きなエネルギーを必要とし、高
密度、高感度で高速の光書き込みを実施し、かつその書
き込まれた記録を精度良く読み取ることは比較的困難で
あった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能で、かつ小型４ｉ１ｆｆｉ
な可視光発光体の光照射により読み取りが可能な光記録
読み取り方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録が可能
で、かつ高速、高蹟度な読み取りが可能な光記録読み取
り方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録読み取り方法を提供す
ることにある。

（問題点を解決するための手段） すなわち、本発明の光記録読み取り方法は、ポリジアセ
チレン誘導体化合物と、スクェアリリウム染料とを含有
してなる記録層を有する光記録媒体に、　８００〜９Ｇ
Ｏｒ＋ａ＋の赤外線を記録情報に応じて照射し、記録層
の照射部を変色させる工程と、該記録層に５００〜７５
０ｎｍの可視光を照射して記録情報を読み取る工程とを
有することを特徴とする。

本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるポリジア
セチレン誘導体化合物とは、下記一般式で５表わされる
ジアセチレン誘導体化合物（以下、ＤＡ化合物と略称す
る） Ｒ−ＣＢニーＣ３Ｃ−Ｒ’ （式中、ＲおよびＲ′は、極性基；極性基で置換されて
もよい、アルキル基、シクロヘキシル基のような飽和脂
肪族化水素基：極性基で置換されてもよい、ビニル基、
プロペニル基のようなオレフィン系炭化水素基；または
極性基で置換されてもよい、フェニル基、ナフチル基、
アルキルフェニル基のような芳香族炭化水素基であり、
ここでいう極性基としては、例えばカルボキシル基また
はその金属若しくはアミン塩、スルホン酸基またはその
金属若しくはアミン塩、スルホアミド基、アミド基、ア
ミノ基、イミノ基、ヒドロキシ基、オキシアミノ基、ジ
アゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リン酸基
、ケイ酸基、アルミン酸基、ニトリル基、チオアルコー
ル基、ニトロ基およびハロゲン原子が挙げられる。）を
重合させて得られるものであり、通常、光記録媒体の製
造時には、ＤＡ化合物の形で光記録媒体中に含有され、
記録の実施に先立ち、紫外線を照射することにより重合
させ、記録に供される。

一方、本発明で用いるスクェアリリウム染料とは、下記
の基本構造 ＾１　、Ａ’　　、芳香環及び／又は 複素環を含む置換基 を有する化合物（分子内塩をも含む）であって、７５０
ｎｍ以上に吸収ピークを有し、この波長の赤外光により
発熱する化合物である。このスクェアリリウム染料類と
しては、代表的には下記一般式［１１〜［ｒＶ］で示さ
れる染料が例示される。

−（１％、ｕ　［Ｉ　］ ｎ ろｅ −４Ｘ　［ＩＩコ し ＯｅＭ■　　　　　　　　、θ 一剤す曵［ｍコ 〇 一般式［ＩＶ］ 一般式（Ｉ）ＣＩ＋）中、Ｒ１およびＲ２は、アルキル
基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１
ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ’ｅｃ−ブチル基
、１ｓｏ−ブチル基、し−ブチル基、ｎ−アミル基、し
−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、し−オ
クチル基など）、置換アルキル基（例えば２−とドロキ
シエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキ
シブチル基、２−アセトキシエチル基、カルボキシメチ
ル基、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシプロピ
ル基、２−スルホエチル基、３−スルホプロピル基、４
−スルホブチル基、３−スルフェートプロピル基、４−
スルフェートブチル基、　Ｎ−（メチルスルホニル）−
カルバミルメチル基、　３−（アセチルスルファミル）
プロピル基、　４バアセチルスルフアミル）ブチル基な
ど）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基など
）、アリル基、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フ
ェネチル基、α−ナフチルメヂル基、β−ナフチルメチ
ル基など）、置換アラルキル基（例えば、カルボキシベ
ンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基な
ど）、アリール基（例えば、フェニル基など）または置
換アリール基（例えば、カルボキシフェニル基、スルホ
フェニル基、ヒドロキシフェニル基など）を示す。特に
、本発明においては、これらの有機残基のうち、疎水性
のものが好ましい。

置換または未置換の複素環、例えば、チアゾール系列の
核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾール、４−フ
ェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、５−フェニ
ルチアゾール、４．５−ジメチルチアゾール、４．５−
ジフェニルチアゾール、４−（２−チェニル）−チアゾ
ールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えばベンゾ
チアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−メチル
ベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチアゾール、５．
６−シメチルベンゾチアゾール、５−ブロモベンゾチア
ゾール、５−フェニルベンゾチアゾール、５−メトキシ
ベンゾチアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール、５
．６−シメトキシベンゾチアゾール、５．６−シオキシ
メチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾチア
ゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４，５，６
．７−チトラヒドロペンゾチアゾールなど）、ナフトチ
アゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄｌチアゾ
ール、ナフト［１，２−ｄｌチアゾール、５−メトキシ
ナフト［１，２−ｄ］チアゾール、５−エトキシナフト
［１，２−ｄｌチアゾール、８−メトキシナフト［２，
１−ｄｌチアゾール、７−メトキシナフト（２，１−ｄ
ｌチアゾールなど）、チオナフテン［７，６−ｄ］チア
ゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフテン［７
，６−ｄ］チアゾール）、オキサゾール系列の核（例え
ば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール、
４−フェニルオキサゾール、４．５−ジフェニルオキサ
ゾール、４−エチルオキサゾール、４．５−ジメチルオ
キサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ヘンジオキ
サゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５−ク
ロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾオキサゾー
ル、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−メチルベン
ゾオキサゾール、５．６−ジメチルベンゾオキサゾール
、５−メトキシベンゾオキサゾール、６−メトキシベン
ゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール、
６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフトオキ
サゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄｌオキサ
ゾール、ナフト［１，２−ｄｌオキサゾールなど）、セ
レナゾール系列の核（例えば４−メチルセレナゾール、
４−フェニルセレナゾールなど）、ベンゾセレナゾール
系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−クロロベン
ゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾール、５．
６−シメチルベンゾセレナゾール、５−メトキシベンゾ
セレナゾール、５−メチル−６−メトキシベンゾセレナ
ゾール、５，６−シオキシメチレンベンゾセレナゾール
、５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、４．５．８．７
−チトラヒドロペンゾセレナゾールなど）、ナフトセレ
ナゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄｌセレナ
ゾール、ナンド［１，２−ｄｌ　セレナゾール）、チア
ゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチアゾ
リン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリン、
４．４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンなど）、オ
キサゾリン系列の核（例えばオキサゾリン）、セレナゾ
リン系列の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリン系
列の核（例えばキノリン、６−メチルキノリン、６−ク
ロロキノリン、６−メドキシキノリン、６−ニトキシキ
ノリン、６−ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系列
の核（例えばキノリン、６−メドキシキノリン、７−メ
チルキノリン、８−メチルキノリン）、！−イソキノリ
ン系列の核（例えばイソキノリン、３．４−ジヒドロイ
ソキノリン）、３−イソキノリン系列の核（例えばイソ
キノリン）、３．３−ジアルキルインドレニン系列の核
（例えば３．３−ジメチルインドレニン、３．３−ジメ
チル−５−クロロインドレニン、３，３．５−トリメチ
ルインドレニン、３，３．７−トリメチルインドレニン
）、ピリジン系列の核（例えばピリジン、５−メチルビ
リジン）、ベンゾイミダゾール系列の核（例えば１−エ
チル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、ｌ−とド
ロキシエチル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５−クロロベンゾイミダゾール、１−エチ
ル−５，６−ジブロモへンゾイミダゾール、ｌ−エチル
−５−フェニルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−
フルオロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−シアノ
ベンゾイミダゾール、１（β−アセトキシエチル）−５
−シアノベンゾイミダゾール、！−エチルー５−クロロ
−６−ジアツベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−フ
ルオロ−６−シアノベンゾイミダゾール、！−エチルー
５−アセチルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−カ
ルボキシベンゾイミダゾール、１−エチル−５−エトキ
シカルボニルベンゾイミダゾール、１−エチ、ルー５−
スルファミルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−Ｎ
−エチルスルファミルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル
−５，６−ジフルオロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル
−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−
５−エチルスルホニルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル
−５−メチルスルホニルベンゾイミダゾール、１−エチ
ル−５−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、１−
エチル−５−トリフルオロメチルスルホニルベンゾイミ
ダゾール、ｌ−エチル−５−トリフルオロメチルスルフ
ィニルベンゾイミダゾールなど）を完成するに必要な非
金属原子群を表わす。Ｘ　は、塩化物イオン、臭化物イ
オン、ヨウ化物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンス
ルホン酸塩イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、
メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫
酸塩イオンなどの陰イオンを表わし、　Ｘ　はＲ１およ
び／まｅ　ｅ　　　　　ｅ　　　　　θ −６００、Ｓｏ、　Ｎ１１−、−５０２−Ｎ−ＧＯ−１
−５０２−Ｎ−５０２−、を■ 含むときには存在しない。Ｍ　は、例えば水素陽イオン
、ナトリウム陽イオン、アンモニウム陽イオン、カリウ
ム陽イオン、ピリジウム陽イオンなどの陽イオンを表わ
す。ｎおよびｍは、０又は１である。

一般式（Ｉｌｌ）　　（ｒＶ）中、Ｒ３！３よびＲ’　
ハ、メチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキル
基を示す。またＲ３とＲ４で窒素原子とともにモルフォ
リノ、ピペリジニル、ピロリジノなどの環を形成すると
ことも出来る。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は水素原子
、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチルなと
）、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
ブトキシなど）又はヒドロキシ基を示す。また、Ｒ５と
Ｒ６で結合してベンゼン環を形成することができ、さら
にＲ５およびＲ６とＲ７およびＲ８がそれぞれ結合して
ベンゼン環を形成することができる。

次に、本発明で用いるスクェアリリウム染料の代表例を
下記に列挙するが、便宜上、一般式［Ｉ］あるいは［ｍ
］のベタイン構造の形で表わす。しかし、これらの染料
の調製においては、ベタイン形や塩の形にある染料の混
合物が得られるのて、混合物として使用される。

一般式［ｒｌ、［ＩＩ］の代表例 （２）。

（３）。

（０゜ （７）。

（８）。

（９）。

Ｉ （ｔｏ）　　　　　　　　　　　　。

（１１）　　　　　　　　　　　　。

（＋４）　　　　　　　　　　　　　Ｏ■ （１５）　　　　　　　　　　　　。

置 （１６）　　　　　　　　　　　　。

（１７）　　　　　　　　　　　　　。

■ （！８）　　　　　　　　　　　　。

（１９）　　　　　　　　　　　　。

（２０）　　　　　　　　　　　。

（２Ｂ）　　　　　　　　　　　　　　　　０（２７）
　　　　　　　　　　　　　　　　Ｏｅ 一般式［ｍｌ　、［［Ｉの代表例 （３？）　　　　　　　　　　０ 鍔 （３Ｂ）　　　　　　　　　　　Ｏ しＨ３Ｉθ　　　　　ＣＨ３ 上記（１）〜（４２）のスクェアリリウム染料は。

１種または２種以上を組合せて用いることができる。

本発明に用いる光記録媒体は、前記ポリジアセチレン誘
導体化合物と前記スクェアリリウム染料とを含有してな
るが、該光記録媒体の具体的な構成としては、以下に示
すような態様がある。但し、ポリジアセチレン誘導体化
合物については、ここでは重合前のＯＡ化合物の形で表
記する。

（１）光記録媒体を構成する記録層が、ＤＡ化合物とス
クェアリリウム染料とを混合して含有してなるもの（−
層混合系）。

（２）光記録媒体を構成する記録層が、Ｄ＾化合物を含
有する層と、スクェアリリウム染料を含有する輻射線吸
収層との二層からなるもの（二層分離系）。

（３）光記録媒体を構成する記録層が、ＯＡ化合物を含
有する層と、スクェアリリウム染料を含有する輻射線吸
収層との交互多重積層構造からなるもの（多重積層系）
。

なお、二層分離系および多ｆｆｉ積層系においては、Ｏ
Ａ化合物を含有する層と、スクェアリリウム染料を含有
する輻射線吸収層の積層順序はいずれか記録層の表面側
に位置してもよく、また、必要に応じてこのように構成
される記録層の上に各種の保護層を設けてもよい。

本発明に用いる光記録媒体の基板としては、ガラス、ア
クリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラ
スチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用
できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する
場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用
いる。

基板上に記録層を形成するには、代表的にはＤへ化合物
の微粉末および／またはスクェアリリウム染料を適当な
揮発性溶媒に分散もしくは溶解して塗布液を作成し、こ
の塗布液あるいはこれら塗布液を基板上に塗布する方法
が採用できる。塗布液には、基板との間あるいは各層間
の密着性を向上させるために、適宜天然若しくは合成高
分子からなる各種のバインダーを添加してもよい。また
。

記録層の安定性、品質向上を計るために各種の添加剤を
加えてもよい。

塗布のために用いる溶媒は、使用するバインダーの種類
や、Ｄ＾化合物およびスクェアリリウム染料をバインダ
ー中に含有させるに際して分散状態とするかあるいは非
晶質状態とするかによって適宜選択されるが、スクェア
リリウム染料が粒子状態の場合には、メタノール、エタ
ノール、イソプロパツール等のアルコール類；アセトン
、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類
；ｆｆ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ｆｆ、Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等
のスルホキシド類：テトラヒドロフラン、ジオキサン、
エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類
；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、ベンゼン、
トルエン、キシレン、リグロイン等の芳香族類等が挙げ
られ、またスクェアリリウムが非晶質状態の場合にはジ
クロルメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１．１−ジ
クロルメタン、１．２−ジクロルメタン、１，１．２−
）ジクロルメタン、クロルベンゼン、ブロモベンゼン、
１，２−ジクロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素類等
が挙げられる。

このような塗布液の基板への塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ピ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブ
レードコーチインク法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法が用いられる。

記録層が一層混合系の場合は、その膜厚としては、　５
００人〜２ｕ１程度が適しており、特に１０００〜５０
００人の範囲が好ましい、記録層内のＤ＾化合物とスク
ェアリリウム染料との配合割合は、　１／１５〜１５／
ｌ程度が好ましく、最適には　１／１０〜１０／ｌであ
る。

また、二層分離系の場合は、各層の１模厚としては、各
々　１００人〜１−程度が適しており、特に２００〜５
０００人の範囲が好ましい。

多ｆｆｌ積層系の場合は、各Ｄ＾化合物層の膜厚の総和
および各スクェアリリウム染料層の膜厚の総和が、各々
　１００人〜１μ程度が適しており、特に２００〜５０
００人の範囲が好ましい。

本発明の光記録読み取り方法においては、記録、再生に
供される上記のように構成された光記録媒体は、記録の
実施に先立ち、先ず記録層中のＤＡ化合物を重合させる
。すなわち、Ｄへ化合物は、初期にはほぼ無色透明であ
るが、記録層全体に紫外線を照射すると重合し、ポリジ
アセチレン誘導体化合物へと変化する。この重合は紫外
線の照射等によって起り、単に熱エネルギーの印加のみ
によっては生じない。この重合の結果、記録層は６２０
〜６６０ｎｍに最大吸収波長を存するようになり、青色
乃至暗色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は
不可逆変化であり、−度青色乃至暗色へ変化した記録層
は無色透明膜へとは戻らない。

このようにして、記録層中のＤＡ化合物が重合しポリジ
アセチレン誘導体化合物へと変化し、青色乃至暗色化し
た記録層を有する光記録媒体が、本発明の方法に使用さ
れる。

この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体化
合物は、約５０℃以上に加熱すると今度は約５４０ｎｍ
に最大吸収波長を有するようになり、赤色へと変化する
。この変化も不可逆変化である。

本発明の光記録読み取り方法は、このようなポリジアセ
チレン誘導体化合物の変色特性を利用して光書き込みお
よび光記録読み取りを実施するものであり、以下、この
本発明の光記録読み取り方法につき詳述する。

第１図は、本発明の光記録読み取り方法を実施するのに
用いる光記録再生装置の一例を示す模式図である。この
光記録再生装置は、光記録媒体１を所定位置にセットす
るための不図示の光記録媒体載置手段と、光記録媒体へ
情報を書き込むための情報書き込み手段と、光記録媒体
に書き込まれた記録＋１！ｉ報を読み取るための情報読
み取り手段から構成されている。情報書き込み手段は、
　８００〜９００　ｒ＋ｍの範囲内の波長の紫外線を放
射する半導体レーザー２、入力情報に応じて半導体レー
ザー２の発振を制御する制御回路３および光学系（コリ
メートレンズ４、ダイクロイックミラー５、反射板６、
波長板７および対物レンズ８）から構成されている。半
導体レーザー２としては、具体的には、出力波長８２０
〜８４０ｎｎ＋の接合レーザー、例えばＩＩＬＰ−１５
００（商品名、日立製作新製、出力波長８３０ｎｍ　、
最大出力１０ｍＷ）を使用するのが特に好適である。

一方、情報読み取り手段は、駆動回路９により制御され
、５５０〜７５０ｎａ＋の範囲の波長の可視光を放射す
る半導体レーザーまたは発光ダイオードｌＯ１出力回路
１１に接続するフォトディテクター１２および光ピツク
アップ光学系（光学系の大部分は、情報書き込み手段用
の光学系と共用しているが、独自のものとしてコリメー
トレンズ１３、偏光ビームスプリッタ１４を有している
）から構成されている。

半導体レーザー１０としては、　６５０〜７５０ｎｍ範
囲の波長の可視光を放射するもの、例えばＧａＡｌＡｓ
のＰＮ接合レーザーを使用するのが好適であり、発光ダ
イオード１０としては、５５０〜７５０ｎｍ範囲の波長
の可視光を放射するもの、例えばＧａＡＩＰ　、ＧａＰ
、ＧａＡｌＡｓ等の接合ダイオードを使用するのが好適
である。

入力情報は、制御回路３を経て学導体レーザー２により
光信号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記
録媒体載置手段上に載置され、同期回転している青色乃
至暗色の記録層を有する光記録媒体の所定の位置に結像
される。結像位置は光記録媒体が一層混合系の場合は記
録層であり、二層分離系の場合はスクェアリリウム染料
を含有する輻射線吸収層である。結像点（部位）に存在
するポリアセチレン誘導体化合物はこの波長のレーザー
ビームを吸収しないが、スクェアリリウム染料はこのレ
ーザービームを吸収し発熱する。このスクェアリリウム
染料の発熱が隣接するポリアセチレン誘導体化合物に伝
わり、ポリジアセチレン誘導体化合物が赤色へと変色す
る。かくして入力情報に応じて記録層上の記録部位の色
変化による光書き込みが実施される。

一方、光記録読み取りは、　５５０〜７５０ｎｍの範囲
の波長の可視光を放射する半導体レーザーまたは発光ダ
イオードｌＯから放射される低出力の連続発振光を使用
して実施する。この読み取り光は低出力である上、波長
が赤外域から外れているので、スクェアリリウム染料を
発熱させない。したがって、この読み取り光によって読
み取り中に記録が実施されることはない。読み取り光は
、光記録媒体１の記録層表面に結像し、反射されるが、
この読み取り光の反射率は、記録部位（変色部位）とそ
うでない箇所とでは異るので、この反射光を光ピツクア
ップ光学系を通してフォトディテクター１２の受光面に
あてることにより、電気信号に変換し、出力回路ＩＩを
介して記録の再生読み取りが行われる。

光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディスク（
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびスクェアリリウム染料を含有する記録層を
支持する基板の種類により、光テープ、光カード等も使
用できる。

〔発明の効果〕

本発明の光記録読み取り方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層が８００〜９００　ｎａ＋の範囲内の波長
の赤外線を吸収するスクェアリリウム染料を含有してい
るので、　８００〜９００　ｒｕｎの赤外線を放射する
小型軽量の半導体レーザーを用いて光書き込みが実施で
き、また５５０〜７５Ｑｎｍの範囲の波長の可視光を放
射する小型軽量の半導体レーザーや発光ダイオードによ
り読み取りが可能である。

（２）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
、再生方法なので、高速、高密度、高感度な光書き込み
が実施でき、また高速、高鯖度な光読み取りが実施でき
る。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ 一般式（：１２　Ｔｏｓ−ＣＥＣ−Ｃ＝Ｃ−ＣＢＨＨ６
−ＣＯＯＩｌテ表ゎさゎるジアセチレン誘導体化合物の
結晶微粉末＋ｆｆ１ｆｆ１部と前記の染料！　（２８）
で表わされるスクェアリリウム染料１５重ｎ部とを塩化
メチレン２０ｆｆｉｔＪ部中に添加し、十分撹拌しｆも
のを塗布液として準備した。

次にガラス製のディスク基板（厚さ　１．５ｍｍ、直径
２００ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、前記塗布液を
ディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回転数
で所定の時間スピナーを回転させ塗布し、常温で乾燥し
、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが５００人、１０００人
および２０００人である光記録媒体をそれぞれ作成した
。

これら光記録媒体に２５４ｎａ＋の紫外線を均一かつ十
分に照射し５記録層中のＤ＾化合物を重合させ、記録層
を青色膜にした後、入力情報にしたがい、以下の記録条
件により記録を実施した。

半導体レーザー：　（ＩＩＬＰ−１５００、日立製作新
製）半導体レーザー波長：　　８３０ｎｍ レーザービーム径：　ｌ騨 レーザー出カニ　　３ｍＷ １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：　３００
ｎｓ 青色の光記録媒体表面にレーザービームな照射すると照
射部は赤色に変色し、記録が実施された。記録の読み取
りには、波長６８０ｒ＋ｍ、出力１ｍＷの半導体レーザ
ーを読み取り光源として使用し、その反射光をフォトデ
ィテクター（ＰＮ接合フォトダイオード）で受光した。

この記録の評価を次のようにして実施した。

記録濃度は、記録（赤色）部のオプティカルデンシティ
−を測定した。解像度および感度は、記録画像とレーザ
ービーム径の対応を顕微鏡により観察して判定し、非常
に良好なものを◎、良好なものをＯ１記録ができないあ
るいは対応の劣悪なものを×とした。また、記録読みと
りは、搬送雑音比（Ｃ／Ｎ比）を測定して評価した。こ
の記録結果の評価を第１表に示した。

実施例２ 実施例１で作成した三種の記録媒体に２５４ｎｍの紫外
線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした徨、
入力すｈ報にしたがい、以下の記録条件により記録を実
施した。

半導体レーザー：　（ＩＩＬＰ−７８０２、日立製作新
製）半導体レーザー波長：　　８ＱＯｎｒｎレーザービ
ーム径＝　１μ思 レーザー出カニ　　３ｍＷ １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：　　３０
０ｎｓ 記録の評価は、実施例１と同様な基準により実、施し、
その評価結果を第１表に示した。

実施例３、比較例１．２ 記録に用いるレーザーをそれぞれ下記のものに変更した
ことを除いては実施例１と同様な条件で記録を実施し、
その評価結果を第１表に示した。

実施例３：半導体レーザー（Ｇａ−へＳレーザー（Ｗ−
へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　　８９０ｎｍ 比較例１：半導体レーザー（Ｇａ−Ａｓレーザー（Ｗ−
へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　　　９６０ｒ
＋ｍ 比較例２：キセノンガスレーザー、レーザー波長：　７
５２ｎｍ 実施例４ 実施例１で使用したと同じガラス製のディスク基板上に
、先ず染料ＡＩｆＬ（２８）で表わされるスクェアリリ
ウム染料ｌｔＬ量部を塩化メチレン２重量部中に溶解し
て得た塗布液を用いて実施例１と同様にして、乾燥後の
厚みが３０００人の塗１１ｉを形成した。

次いで実施例１で使用したジアセチレン誘導体化合物の
結晶微粉末１重量部およびバインダーとしてのニトロセ
ルロース１重量部を塩化メチレン４重量部中に分散、溶
解させて得た塗布液を、スクェアリリウム染料の塗膜上
に先と同様にして乾燥後の厚みが３０００人の塗膜を形
成し、二層分離構造の記録層を有する光記録媒体を形成
した。この光記録媒体の記録層を青色膜にした後、実施
例１と同様な条件で記録の書き込みおよび読み取りを実
施した。記録の評価は、実施例１と同様にして行い、そ
の結果を第１表に示した。

比較例３ スクェアリリウム染料を使用せずに、ジアセチレン誘導
体化合物Ｉｍｆｌｔ部およびニトロセルロース１重量部
を塩化メチロ２４重■部に溶解した溶液を塗布液として
使用し、実施例１と同様の方法により光記録媒体を作成
した。この光記録媒体に対して実施例１および比較例１
，２の記録条件によりそれぞれ記録の書き込みおよび読
み取りを実施した。その評価結果を第１表に示した。

第　　１　　表 実施例５ 一般式ＣＩ２　Ｈ２Ｓ−ＣＥＣ−ＣＥＣ−Ｃａ　Ｈｔ　
６−　Ｃ０ＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物
に代え、一般式Ｃ８Ｈ，、−ＣＥＣ−（ｊ　Ｃ−Ｃ，Ｈ
４−Ｃ００Ｉ（を用いたことを除いては実施例１と同様
の方法により記録媒体を作成した。この記録媒体に対し
て実施例１と同じ記録条件により記録を実施した。その
評価結果を第２表に示した。

実施例６〜９ 染料誠（２８）で表わされるスクェアリリウム染料に代
え、染料Ａ（２）　、　（２９）　、　（３７）　、　
（４２）で表わされるスクェアリリウム染料をそれぞれ
用いたことを除いては実施例１と同様の方法により記録
媒体を作成した。この記録媒体に対して実施例１と同じ
記録条件により記録を実施した。その評価結果を第２表
に示した。

第　　２　　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光記録読み取り方法に用いる記録装
置の一例を示す模式図である。 １：光記録媒体　　　２：半導体レーザー３：制御回路
　　　　４：コリメートレンズ５：ダイクロイックミラ
ー ６：反射板　　　　　７：波長板 ８：対物レンズ　　　９：駆動回路 ＩＯ＝半導体レーザーまたは発光ダイオード１１：出力
回路　　　　１２：フォトディテクター１３：コリメー
トレンズ １４：偏光ビームスプリッタ−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）ポリジアセチレン誘導体化合物と、スクエアリリウ
   ム染料とを含有してなる記録層を有する光記録媒体に、
   ８００〜９００ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し
   、記録層の照射部を変色させる工程と、該記録層に５０
   ０〜７５０ｎｍの可視光を照射して、記録情報を読み取
   る工程とを有することを特徴とする光記録読み取り方法
   。