JPS6348547A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含有する光記録
媒体への光記録方法に関し、特に光書き込み手段として
８００〜９００ｎｍの赤外線レーザーを用いた光記録方
法に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録媒体としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されてしする。

このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜９００ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。

一方、特開昭５８−２］７５５８号および特開昭５８−
２２０１４：１号には、各種のスクェアリリウム染料が
開示され、これら染料を含有する有機被膜が半導体レー
ザーの輻射波長領域の輻射線を吸収し発熱するので、レ
ーザーエネルギーによりビットを形成するいわゆるヒー
トモート記録が実施できることを開示している。しかし
、記録媒体の表面に物理的なピットを形成して記録を実
ｍする場合には、比較的大きなエネルギーを必要とし、
高密度、高感度で高速の記録を実施することは比較的困
難である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能な光記録方法を提供するこ
とにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の・可
能な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に１憂ね、高品質な光
記録画像を得ることのできる光記録方法を提供すること
にある。

（問題点を解決するだめの手段〕 すなわち、本発明の光記録方法は、ポリジアセチレン銹
導体化合物と、スクェアリリウム染料とを含有してなる
記録層を有する光記録媒体に、８００〜９００ｎｍの赤
外線を記録情報に応して照射し、記録層を変色させる工
程を有することを特徴とする。

本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるポリジア
セチレン誘導体化合物とは、下記一般式で表わされるジ
アセチレン誘導体化合物（以下、ＤＡ化合物と略称する
） Ｒ−ＣミＣ−Ｃミ　ｃ−Ｖ （式中、ＲおよびＲ′は、極性基：極性基で置換されて
もよい、アルキル基、シクロヘキンル基のような飽和脂
肪族化水素基；極性基で置換されてもよい、ビニル基、
プロペニル基のようなオレフィン系炭化水素基；または
極性基で置換されてもよい、フェニル基、ナフチル基、
アルキルフェニル基のような芳香族炭化水素基であり、
ここでいう極性基としては、例えばカルボキシル基また
はその金属若しくはアミン塩、スルホン酸基またはその
金属若しくはアミン塩、スルホアミド基、アミド基、ア
ミノ基、イミノ基、ヒドロキシ基、オキシアミノ基、ジ
アゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リン酸基
、ケイ酸基、アルミン酸基、ニトリル基、チオアルコー
ル基、ニトロ基およびハロゲン原子が挙げられる。）を
重合させて得られるものであり、通常、光記録媒体の製
造時には、ＤＡ化合物の形で光記録媒体中に含有され、
記録の実施に先立ち、紫外線を照射することにより重合
させ、記録に供される。

一方、本発明で用いるスクェアリリウム染料とは、下記
の基本構造 ■ 蜘Ｍ＠　　　　　　Ｍ：後述 ＡＩ　、Ａ２　　、芳香環及び／又は 複素環を含む置換基 を有する化合物（分子内塩をも含む）でありで、７５０
ｒ＋ｍ以上に吸収ピークを有し、この波長の赤外光によ
り発熱する化合物である。このスクェアリリウム染料類
としては、代表的には下記一般式［Ｉ］〜［■］で示さ
れる染料が例示される。

−（′試［Ｉ］ ろｅ −４４ム（〔ＩＩコ し ＯｅＭ（＋）　　　　　　　　Ｘｅ 一般式［１１１］ 一般式［ｒＶ］ 一般式（Ｉ）（ＩＩ）中、ｊｌｌｌおよびＲ２は、アル
キル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基
、１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル
基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、
を−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−
オクチル基など）、置換アルキル基（例えば２−とドロ
キシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロ
キシブチル基、２−アセトキシエチル基、カルボキシメ
チル基、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシプロ
ピル基、２−スルホエチル基１，３−スルホプロピル基
、４−スルホブチル基、３−スルフェートプロピル基、
４−スルフェートブチル基、　Ｎ−（メチルスルホニル
）−カルバミルメチル基、　３−（アセチルスルファミ
ル）プロピル基、　４−（アセチルスルファミル）ブチ
ル基など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル
基など）、アリル基、アラルキル基（例えば、ベンジル
基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチ
ルメチル基など）、置換アラルキル基（例えば、カルボ
キシベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジ
ル基など）、アリール基（例えば、フェニル基など）ま
たは置換アリール基（例えば、カルボキシフェニル基、
スルホフェニル基、ヒドロキシフェニル基など）を示す
。特に、本発明においては、これらの有機残基のうち、
疎水性のものが好ましい。

置換または未置換の複素環、例えば、チアゾール系列の
核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾール、４−フ
ェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、５−フェニ
ルチアゾール、４．５−ジメチルチアゾール、４．５−
ジフェニルチアゾール、４−（２−チェニル）−チアゾ
ールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えばベンゾ
チアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−メチル
ベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチアゾール、５，
６−シメチルベンゾチアゾール、５−ブロモベンゾチア
ゾール、５−フェニルベンゾチアゾール、５−メトキシ
ベンゾチアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール、５
，６−シメトキシベンゾチアゾール、５．６−シオキシ
メチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾチア
ゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４，５，６
．７−チトラヒドロペンゾチアゾールなど）、ナフトチ
アゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄｌチアゾ
ール、ナフト［１，２−ｄ］チアゾール、５−メトキシ
ナフト［１，２−ｄ］チアゾール、５−エトキシナフト
［１，２−ｄ］チアゾール、８−メトキシナフト［２，
１−ｄ］チアゾール、７−メトキシナフト［２，１−ｄ
］チアゾールなど）、チオナフテン［７，６−ｄ］チア
ゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフテン［７
，［ｉ−ｄ］チアゾール）、オキサゾール系列の核（例
えば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール
、４−フェニルオキサゾール、４．５−ジフェニルオキ
サゾール、４−エチルオキサゾール、４．５−ジメチル
オキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ベンゾオ
キサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５−
クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾオキサゾ
ール、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−メチルベ
ンゾオキサゾール、５．６−ジメチルベンゾオキサゾー
ル、５−メトキシベンゾオキサゾール、６−メトキシベ
ンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール
、６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフトオ
キサゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄ］オキ
サゾール、ナフト［１，２−ｄ］オキサゾールなど）、
セレナゾール系列の核（例えば４−メチルセレナゾール
、４−フェニルセレナゾールなど）、ベンゾセレナゾー
ル系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−クロロベ
ンゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾール、５
．６−シメチルベンゾセレナゾール、５−メチルベンゾ
セレナゾール、５−メチル−６−メチルベンゾセレナゾ
ール、５．６−シオキシメチレンベンゾセレナゾール、
５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、４．５，６．７−
チトラヒドロペンゾセレナゾールなど）、ナフトセレナ
ゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄｌ　セレナ
ゾール、ナフト［１，２−ｄｌ　セレナゾール）、チア
ゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチアゾ
リン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリン、
４．４−ビスーヒドロキシメチルチアゾリシなど）、オ
キサゾリン系列の核（例えばオキサゾリン）、セレナゾ
リン系列の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリン系
列の核（例えばキノリン、６−メチルキノリン、６−ク
ロロ千ノリン、６−メドキシキノリン、６−ニトキシキ
ノリン。

６−ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系列の核（例
えばキノリン、６−メドキシキノリン、７−メチルキノ
リン、８−メチルキノリン）、１−イソキノリン系列の
核（例えばインキノリン、３．４−ジヒドロイソキノリ
ン）、３−インキノリン系列の核（例えばイソキノリン
）、３．３−ジアルキルインドレニン系列の核（例えば
３．３−ジメチルインドレニン、３．３−ジメチル−５
−クロロインドレニン、３，３．５−トリメチルインド
レニン、３，３．７−トリメチルインドレニン）、ピリ
ジン系列の核（例えばピリジン、５−メチルビリジン）
、ヘンシイミダゾール系列の核（例えば１−エチル−５
，６−ジクロロベンゾイミダゾール、ｌ−とドロキシエ
チル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、ｌ−エチ
ル−５−クロロベンゾイミダゾール、１−エチル−５，
６−ジブロモベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フ
ェニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フルオロ
ベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−シアノベンゾイ
ミダゾール、１−（β−アセトキシエチル）−５−シア
ノベンゾイミダゾール、１−エチル−５−クロロ−６−
シアノベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フルオロ
−６−シアノベンゾイミダゾール、１−エチル−５−ア
セチルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−カルボキ
シベンゾイミダゾール、１−エチル−５−エトキシカル
ボニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−スルファ
ミルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−Ｎ−エチル
スルファミルベンゾイミダゾール、１−エチル−５，６
−ジフルオロベンゾイミダゾール、１−エチル−５，６
−ジクロロベンゾイミダゾール、１−エチル−５−エチ
ルスルホニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−メ
チルスルホニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、１−エチル−
５−トリフルオロメチルスルホニルベンゾイミダゾール
、ｌ−エチル−５−トリフルオロメチルスルフィニルベ
ンゾイミダゾールなど）を完成するに必要な非金属原子
群を表わす。×　は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨ
ウ化物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸
塩イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫
酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオ
ンなどの陰イオンを表わし、　×　はＲＩおよび／まｅ たはＲ２自体が陰イオン基、例えば−５Ｏ３、−０ＳＯ
３、■ 含むときには存在しない。Ｍ　は、例えば水素陽イオン
、ナトリウム陽イオン、アンモニウム陽イオン、カリウ
ム陽イオン、ピリジウム陽イオンなどの陽イオンを表わ
す。ｎおよびｍは、０又は１である。

一般式（Ｉｎ）　　（ｒ’／）中、Ｒ３２５，及びＲ４
ハ、メチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキル
基を示す。またＲ３とＲ４で窒素原子とともにモルフォ
リノ、ピペリジニル、ピロリジノなどの環を形成すると
ことも出来る。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は水素原子
、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチルなと
）、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
ブトキシなど）又はヒドロキシ基を示す。また、Ｒ５と
Ｒ６で結合してベンゼン環を形成することができ、さら
にＲ５およびＲ６とＲ７およびＲ８がそれぞれ結合して
ベンゼン環を形成することができる。

次に、本発明で用いるスクェアリリウム染料の代表例を
下記に列挙するが、便宜上、一般式［Ｉ］あるいは［Ｉ
ＩＩ］のベタイン構造の形で表わす。しかし、これらの
染料の調製においては、ベタイン形や塩の形にある染料
の混合物が得られるので、混合物として使用される。

一般弐〇］、（Ｉｌｌの代表例 （２）。

！１ （３）　　　　　　　　　　　。

（４）　　　　　　　　　　　。

コ （７）。

（８）。

（９）　　　　　　　　　　　　。

（ｌＯ）　　　　　　　　　　　。

（１１）　　　　　　　　　　　。

（＋４）　　　　　　　　　　　　　　Ｑ（１５）　　
　　　　　　　　　　　。

（１６）。

しＬ （１７）　　　　　　　　　　　　　。

（１８）　　　　　　　　　　　　　。

（１８）　　　　　　　　　　　　。

（２０）　　　　　　　　　　　　Ｏ Ｃ）Ｉ　　　　　　　　　　　　　　　　ＣＨ１ｊ１ ＣＨ２Ｃ；Ｈ２ （２Ｇ）　　　　　　　　　　　　　　　　０（２８）
　　　　　　　　　　　　　　　　　。

ｅ 一般式［ｍｌ　、［１’Ｖ］の代表例 上記（１）〜（４２）のスクェアリリウム染料は、１種
または２種以上を組合せて用いることができる。

本発明に用いる光記録媒体は前記ポリジアセチレンＭＦ
ｓ　ｔｇ、体化合物と前記スクェアリリウム染料とを含
有してなるか、該光記録媒体の具体的な構成としては、
以下に示すような態様がある。但し、ポリジアセチレン
誘導体化合物については、ここでは重合面のＤ＾化合物
の形で表記する。

（１）光記録媒体を構成する記録層が、Ｄへ化合物とス
クェアリリウム染料とを混合して含有してなるもの（−
層混合系）。

（２）光記録媒体を構成する記録層が、ＤＡ化合物を含
有する層と、スクェアリリウム染料を含有する輻射線吸
収層との二層からなるもの（二層分離系）。

（３）光記録媒体を構成する記録層が、ＤＡ化合物を含
有する層と、スクェアリリウム染料を含有する輻射線吸
収層との交互多重積層構造からなるもの（多重積層系）
。

なお、二層分離系および多重積層系においては、ＤＡ化
合物を含有する層と、スクェアリリウム染料を含有する
輻射線吸収層のＰ々層順序はいずれが記録層の表面側に
位置してもよく、また、必要に応じてこのように構成さ
れるＪ己録層の上に各種の保護層を設けてもよい。

本発明に用いる光記録媒体の基板としては、ガラス、ア
クリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラ
スチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料か使用
てきるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する
場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用
いる。

基板上に記録層を形成するには、代表的にはＤＡ化合物
の微粉末および／またはスクェアリリウム染料を適当な
揮発性溶媒に分散もしくは溶解して塗布液を作成し、こ
の塗布液あるいはこれら塗布液を基板上に塗布する方法
が採用できる。塗布液には、基板との間あるいは各層間
の密着性を向上させるために、適宜天然若しくは合成高
分子からなる各種のバインダーを添加してもよい。また
、記録層の安定性、品質向上を計るために各種の添加剤
を加えてもよい。

塗布のために用いる溶媒は、使用するバインダーの種類
や、ＯＡ化合物およびスクェアリリウム染料をバインダ
ー中に含有させるに際して分散状態とするかあるいは非
晶質状７３とするかによって適宜運択させるが、スクェ
アリリウム染料が粒子状態の場合には、メタノール、エ
タノール、イソプロパツール等のアルコール類；アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチル
アセトアミド等のアミド類ニジメチルスルホキシド等の
スルホキシドＭ：テトラヒトロフラン、ジオキサン、エ
チレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類；
酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、ヘンゼン、ト
ルエン、キシレン、リグロイン等の芳香族類等か挙げら
れ、またスクェアリリウムが非晶質状態の場合にはジク
ロルメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１．１−ジク
ロルメタン、１．２−ジクロルメタン、１，１．２−ト
リクロルメタン、クロルベンゼン、ブロモヘンセン、１
．２−ジクロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素類等が
挙げられる。

このような塗布液の基板への塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ビ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブ
レードコーティング法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法が用いられる。

記録層が一層混合系の場合は、その１嗅厚としては、　
５００人〜２鱗程度か適しており、特に１０００〜５０
００人の範囲が好ましい。記録層内の晶化合物とスクェ
アリリウム染料との配合割合は、１／Ｉ５〜１５／１程
度が好ましく、最適には　Ｉ１５〜１０／ｌである。

また、二層分Ｓ系の場合は、各層の膜厚としては、各々
　１００人〜１鱗程度か適しており、特に２００〜５０
００人の範囲が好ましい。

多ｆｆｉ積層系の場合は、各ＯＡ化合物１層の膜厚の総
和および各スクェアリリウム染料層の股Ｂの総和が、各
々　１００人〜１μｓ程度が適しており、特に２００〜
５０００人の範囲が好ましい。

本発明の記録方法においては、記録に供されるＬ記のよ
うに構成された記録媒体は、記録の実施に先立ち、記録
層中のＤＡ化合物を重合させる。すなわち、ＤＡ化合物
は、初期にはほぼ無色透明であるが、記録層全体に紫外
線を照射すると重合し、ポリジアセチレン誘導体化合物
へと変化する。この重合は紫外線の照射等によって起り
、単に熱エネルギーの印加のみによっては生じない。こ
の重合の結果、記録層は６２０〜６６０ｎｍに最大吸収
波長を存するようになり、青色乃至暗色へと変化する。

この重合に基づく色相の変化は不可逆変化であり、−度
青色へ変化した記録層は無色透明膜へとは戻らない。こ
のようにして、記録層中のＤＡ化合物が重合しポリジア
セチレン誘導体化合物へと変化し、青色乃至暗色化した
記録層を有する記録媒体が、本発明の方法に使用される
。

この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体化
合物は、約５０℃以上に加熱すると今度は約５４０ｎｍ
に最大吸収波長を有するようになり、赤色へと変化する
。この変化も不可逆変化である。

本発明の光記録方法は、このようなポリジアセチレン誘
導体化合物の変色特性を利用して記録−を実施するもの
であり、以下この本発明の記録方法′につき詳述する。

第１図は、本発明の光記録方法を実施するのに用いる光
記録装置の一例を示す模式図である。この光記録装置は
、光記録媒体１を所定位置にセットするための不図示の
光記録媒体載置手段と光記録媒体へ情報を書込むための
情報書込み手段とから構成されている。情報書込み手段
は、８００〜９００　ｎｌ１１の範囲内の波長の紫外線
を放射する半導体レーザー２、人力情報に応じて半導体
レーザー２の発振を制御する制御回路３および光学系（
コリメートレンズ４、反射板５、波長板６および対物レ
ンズ７）から構成されている。半導体レーザー２として
は、具体的には、出力波長８２０〜８４０ｒ＋ｍのＧａ
Ａｓ接合レーザーを使用するのが特に好適である。

入力情報は、制御回路を経て半導体レーザーにより光信
号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記録媒
体載置手段上に蔵置され、同期回転している青色乃至暗
色の記録層を有する光記録媒体の所定の位置に結像され
る。結像位置は光記録媒体が一層混合系の場合は記録層
であり、二層分難系の場合はピリリウム染料類を含有す
る輻射線吸収層である。結像点（部位）に存在するポリ
アセチレン誘導体化合物はこの波長のレーザービームを
吸収しないが、スクェアリリウム染料はこのレーザービ
ームを吸収し発熱する。このスクェアリリウム染料の発
熱が隣接するポリアセチレン誘導体化合物に伝わり、ポ
リジアセチレン誘導体化合物が赤色へと変色する。かく
して入力情報に応じて記録層上の記録部位の色変化によ
る光記録が実施される。　光記録媒体としては、上述の
例では円盤状のディスク（光ディスク）が用いられたが
、ポリジアセチレン誘導体化合物およびスクェアリリウ
ム染料を含有する記録層を支持する基板の種類により、
光テープ、光カード等も使用できる。

〔発明の効果〕

本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層が８００〜９００ｎｌ１１１の範囲内の波
長の赤外線を吸収するスクェアリリウム染料を含有して
いるので、　８００〜９００　ｎｍの赤外線を放射する
小型軽量の半導体レーザーを用いて光記録が実施できる
。

（２）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なのて、高速、高密度、高感度な光記録が実施で
きる。

Ｃ実施例〕 以下、本発明を実施例に基つきより詳細に説明する。

実施例１ 一般式−２）ｈｓ−ｃミＣ−ＣミＣ−ＣｅＨ＋６−ＧＯ
Ｏｆ＋で表わされるジアセチレン誘導体化合物の結晶微
粉末１重量部と前記の染料Ａ／Ｌ　（１４）で表わされ
るスクェアリリウム染料１５重量部とを塩化メチレン２
０重量部中に添加し、十分撹拌したものを塗布液として
準備した。

次にガラス製のディスク基板（厚さ１．５ｍｍ、直径２
００＋１１０１１をスピナー塗布機に装着し、前記塗！
５液をディスクＪ２（板の中央部に少量滴下した後、所
定の回転数で所定の時間スピナーを回転させ塗布し、常
温で乾燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが５００人、
１０００人および２０００人である光ｎ己録媒体をそれ
ぞれ作成した。

これら光記録媒体に２５４ｎ＋ｎの紫外線を均一かつ十
分に照射し、記録層中のＤへ化合物を重合させ、記録、
腎を青色膜にした後、入力情報にしたがい、以下の記録
条件により記録を実施した。

半導体レーザー：　（ｊｌＬＰ−１５００、日立製作所
製）半導体レーザー波長：　　８３０ｎ＋Ｉ＋レーザー
ビーム径＝　１μ レーザー出カニ　　３ｍＷ、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：　　：］
０Ｏｎｓ 青色の光記録媒体表面にレーザービームを照射すると照
射部は赤色に変色し、記録が実施された。記録の読み取
りには、波長８８０ｎｍ、出力］ｍＷの半導体レーザー
を読み取り光源として使用し、その反射光をフォトディ
テクター（ＰＮ接合フォトダイオード）で受光した。

この記録の評価を次のようにして実施した。

記録濃度は、記録（赤色）部のオプティカルデンシティ
−を測定した。解像度および感度は、記録画像とレーザ
ービーム径の対応を顕微鏡により観察して判定し、非常
に良好なものを◎、良好なものをＯ１記録ができないあ
るいは対応の劣悪なものを×とした。また、記録読みと
りは、搬送雑音比（Ｃ／Ｎ比）を測定して評価した。こ
の記録結果の評価を第１表に示した。

実施例２ 実施例１で作成した三種の記録媒体に２５４ｎｍの紫外
線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後、
人力情報にしたがい、以下の記録条件により記録を実施
した。

半導体レーザー：　（ＨＬＰ−７８０２、日立製作所製
）半導体レーザー波長：　　８００ｒ＋ｍレーザービー
ム径：　ｌμ レーザー出力＝３１１１１＃、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：　　３０
０ｎｓ 記録の評価は、実施例１と同様な基準により実施し、そ
の評価結果を第１表に示した。

実施例３、比較例１．２ 記ｔｊに用いるレーザーをそれぞれ下記のものに変更し
たことを除いては実施例１と同様な条件で記録を実施し
、その評価結果を第１表に示した。

実施例３：半導体レーザー（Ｇａ　−Ａｓレーザー（Ｗ
−へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　　　８９０
ｎｍ 比較例１：半導体レーザー（Ｇａ−Ａｓレーザー（Ｗ−
へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　　９６０ｒ＋
ｍ 比較例２：キセノンガスレーザー、レーザー波長：　７
５２ｎＬ１１ ′：Ａ上例４ 実施例１で使用したと同じガラス製のディスク基板上に
、先ず染料逝５で表わされるスクェアリリウム染料１瓜
量部を塩化メチレン　２重量部中に溶解して得た塗布液
を用いて実施例１と同様にして、乾燥後の厚みが３００
０人の塗膜を形成した。次いで実施例１で使用したジア
セチレン誘導体化合物の結晶微粉末１重量部およびバイ
ンダーとしてのニトロセルロース１重量部を塩化メチレ
ン４重量部中に分散、溶解させて得た塗布液を、スクェ
アリリウム染料の塗膜上に先と同様にして９′ｉ、燥後
の厚みが３０００人の塗膜を形成し、二層分離構造の記
録層を有する光記録媒体を形成した。この光記録媒体の
記録層を青色膜にした後、実施例１と同様な条件で記録
の書き込みおよび読み取りを実施した。記録の評価は、
実施例１と同様にして行い、その結果を第１表に示した
。

比較例３ スクェアリリウム染料を使用せずに、ジアセチレン誘導
体化合物１重量部およびニトロセルロース１重量部を塩
化メチレン４重量部に溶解した溶液を塗布液として使用
し、実施例１と同様の方法により光記録媒体を作成した
。この光記録媒体に対して実施例１および比較例１．２
の記録条件によりそれぞれ記録の書き込みおよび読み取
りを実施した。その評価結果を第１表に示した。

第１表 実施例５ 一般式０１２　Ｈ２Ｓ−Ｃｍ（ニーＣ１Ｃ−１１４Ｈ１
６−０００）１テ表わされるジアセチレン誘導体化合物
に代え、一般式Ｃ８Ｈ，ツーＣ＝Ｃ−１ｊＣ−Ｃ２Ｈ４
−（：ＯＯＨを用いたことを除いては実施例１と同様の
方法により記録媒体を作成した。この記録媒体に対して
実施例１と同じ記録条件により記録を実施した。その評
価結果を第２表に示した。

実施例６〜９ 染料！　（１４）で表わされるスクェアリリウム染料に
代え、染料、／、　（３）　、　（３１）　、　（３６
）　、　（４１）で表わされるスクェアリリウム染料を
それぞれ用いたことを除いては実施例１と同様の方法に
より記録媒体を作成した。この記録媒体に対して実施例
１と同じ記録条件により記録を実施した。その評価結果
を第゛２表に示した。

第　　２　　表

【図面の簡単な説明】

７ｊＳ１図は、本発明の光記録方法に用いる記録装置の
一例を示す模式図である。 ｌ：光記録媒体　　　２：半導体レーザー３・制御回路
　　　　４：コリメートレンズ５・反射板　　　　　６
：波長板 ７：対物レンズ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）ポリジアセチレン誘導体化合物と、スクエアリリウ
   ム染料とを含有してなる記録層を有する光記録媒体に、
   ８００〜９００ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し
   、記録層を変色させるする工程を有することを特徴とす
   る光記録方法。