JPS61102292A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPS61102292A JPS61102292A JP59223849A JP22384984A JPS61102292A JP S61102292 A JPS61102292 A JP S61102292A JP 59223849 A JP59223849 A JP 59223849A JP 22384984 A JP22384984 A JP 22384984A JP S61102292 A JPS61102292 A JP S61102292A
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
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- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
- G11B7/2472—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/249—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
- G11B7/2495—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds as anions
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は安定な光情報記録媒体に関し、さらに詳しくは
レーザビームのような高密度エネルギービームにより書
き込みおよび読出しを行うための光情報配録媒体に関す
る。
レーザビームのような高密度エネルギービームにより書
き込みおよび読出しを行うための光情報配録媒体に関す
る。
従来、回転しているディスク状の情報記録媒体にレーザ
光を照射して情報の配録再生を行なう情報配録再生装置
が知られている。そして、この種の情＠配録装置に用い
られる情報記録媒体の記録・層としてはＴｅ、Ｂｉ力ど
の金線薄膜またけカルコゲン系非晶質薄Ｗなどが提案さ
れている。しかし、とわらは酸化および濁度に対して弱
い、レーザ光に対する反射率が高すぎレーザ光の利用率
が低いなどの欠点を有する。
光を照射して情報の配録再生を行なう情報配録再生装置
が知られている。そして、この種の情＠配録装置に用い
られる情報記録媒体の記録・層としてはＴｅ、Ｂｉ力ど
の金線薄膜またけカルコゲン系非晶質薄Ｗなどが提案さ
れている。しかし、とわらは酸化および濁度に対して弱
い、レーザ光に対する反射率が高すぎレーザ光の利用率
が低いなどの欠点を有する。
また、彫近に力って此較的長波長の光で物性変化し得る
有機色素薄膜を記録層に用いることが提案されている。
有機色素薄膜を記録層に用いることが提案されている。
この有機色素薄膜は上記欠点を除去するものであるが一
般に長波長側に吸収特性をもつ有機色素は熱および光に
対して安定性が低い力どの問題点がある。
般に長波長側に吸収特性をもつ有機色素は熱および光に
対して安定性が低い力どの問題点がある。
本発明は上記問題に鑑みてなさねたものであって、その
目的は記録特性がよく安定な光情報記録媒体を提供する
ことにある。
目的は記録特性がよく安定な光情報記録媒体を提供する
ことにある。
本発明の記録層は下記一般式［）ｉたけ／および［Ｕ）
で表わされる仕合物を含むことを特徴としている。
で表わされる仕合物を含むことを特徴としている。
一般式〔Ｉ〕
一般式［ＩＴ”ｌ
′Ｒ１
ま
ただし、上記各式において、φはチアゾール、オキサゾ
ール、ピロール、３．３−ジアルキルインドレニン、イ
ミダゾール、ピリジンおよびキノリンから選ばれた複素
環を表わし、前記複素環にはベンゼン環またはナフタレ
ン環が縮合していてもよくまた芳香核上には置換基が存
在していてもよく、ＷｌおよびＦ２け同じかまたは異な
っていてもよくそれぞれは買得もしくけ非置換の芳香環
を表わすかおふいはＦｌおよびＦ、は−緒になって芳香
ｙＡｔたけ複素環を形成してもよく、Ｘはアニオンを表
わし、ｔは０．１またけ２を表わし、ｍおよびｎは０．
１．２または３を表わし、Ｒよは水素、アルキル基、ア
さ）基またはハロゲン原子を表わしそしてｙＨ置撲もし
くけ非置換の５員環管たは６負環を形成するために必要
な原子群を表わす。
ール、ピロール、３．３−ジアルキルインドレニン、イ
ミダゾール、ピリジンおよびキノリンから選ばれた複素
環を表わし、前記複素環にはベンゼン環またはナフタレ
ン環が縮合していてもよくまた芳香核上には置換基が存
在していてもよく、ＷｌおよびＦ２け同じかまたは異な
っていてもよくそれぞれは買得もしくけ非置換の芳香環
を表わすかおふいはＦｌおよびＦ、は−緒になって芳香
ｙＡｔたけ複素環を形成してもよく、Ｘはアニオンを表
わし、ｔは０．１またけ２を表わし、ｍおよびｎは０．
１．２または３を表わし、Ｒよは水素、アルキル基、ア
さ）基またはハロゲン原子を表わしそしてｙＨ置撲もし
くけ非置換の５員環管たは６負環を形成するために必要
な原子群を表わす。
上記一般式において複素環を表わすφは、具こで、Ｒ２
はアルキル基（例Ａば、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基Ｊイソプロピル基、ｎ−ブチル基、第２ブチル基
、イソブチル基、第３ブチル基、ｎ−アミル基、第３７
ミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、第３オクチ
ル基など）、置檜アルキル基（例身ば２−ヒドロキシエ
チル基、３−ヒドロキシゾロビル基、４−ヒドロキシブ
チル基、２−アセトキシエチル基、カルボキシメチル基
、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシプロピル基
、２−スルホエチル基、３−スルホプロピル基、４−ス
ルホブチル基、３−スルフニードプルピル基、４−スル
フエートフチル基、Ｎ−（メチルスルホニル）−カルバ
ミルメチル基、 ３−（アセチルスルファミル）フロビ
ルｍ、ａ−＜アセチルスルファミル）ブチル基など）、
環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基など）、ア
リル基（ＣＨ１１＝ＣＨ−ＣＨ２−）などのアルケニル
基、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基
、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基など）
、置換アラルキル基（例えば、カルボキシフェニル基、
スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基など）、アリ
ール基（例りば、フェニル基など）オたけ置檜アリール
基（例λば、カルボキシフェニル基、スルホフェニル基
、ヒドロキシフェニル基力と）を表わす。
はアルキル基（例Ａば、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基Ｊイソプロピル基、ｎ−ブチル基、第２ブチル基
、イソブチル基、第３ブチル基、ｎ−アミル基、第３７
ミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、第３オクチ
ル基など）、置檜アルキル基（例身ば２−ヒドロキシエ
チル基、３−ヒドロキシゾロビル基、４−ヒドロキシブ
チル基、２−アセトキシエチル基、カルボキシメチル基
、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシプロピル基
、２−スルホエチル基、３−スルホプロピル基、４−ス
ルホブチル基、３−スルフニードプルピル基、４−スル
フエートフチル基、Ｎ−（メチルスルホニル）−カルバ
ミルメチル基、 ３−（アセチルスルファミル）フロビ
ルｍ、ａ−＜アセチルスルファミル）ブチル基など）、
環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基など）、ア
リル基（ＣＨ１１＝ＣＨ−ＣＨ２−）などのアルケニル
基、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基
、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基など）
、置換アラルキル基（例えば、カルボキシフェニル基、
スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基など）、アリ
ール基（例りば、フェニル基など）オたけ置檜アリール
基（例λば、カルボキシフェニル基、スルホフェニル基
、ヒドロキシフェニル基力と）を表わす。
オた、２け置換または未置排の複素環、例えば、チアゾ
ール系列の核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾー
ル、４−フェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、
５−フェニルチアゾール、４．５−リメチルチアゾール
、４．５−：）フェニルチアゾール、４−（２−チェニ
ル）−；′ チアゾールなど）、ベンゾチアゾー
ル系列の核（例えばベンゾチアゾール、５−クロロベン
ゾチアゾール、５−メチルベンゾチアゾール、６−メチ
ルベンゾチアゾール、５．６−シメチルペンゾチアゾー
ル、５−ブロモベンゾチアゾール、５−フェニルベンゾ
チアゾール、５−メトキシベンゾチアゾール、６−メト
キシベンゾチアゾール、５．６−：）メトキシベンゾチ
アゾール、５，６−シオキシメチレンペンゾチアゾール
、５−ヒドロキシベンゾチアゾール、６−ヒドロキシベ
ンゾチアゾール、 ４，５，６．７−チトラヒドロベ
ンゾチアゾールなど）、ナフトチアゾール系列の核（例
えばナツト［２，１−ｄ ］チアゾール、ナフト［：１
．２−ｄ］チアゾール、５−メトキシナフト［１，２−
ｄ〕チアゾール、５−エトキシナフト（１，２−ｄ〕チ
アゾール、８−メトキシナフト［２，１−（１）チアゾ
ール、７−メドキシナ １１フ） Ｃ２，１−ｄ
）チアゾールなど）、チオナフテン［７，６−＋１
）チアゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフテ
ンＣ７，６−ｄ ）チアゾール）、オキサゾール系列の
核（例えば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサ
ゾール、４−フェニルオキサゾール、４．５−ジフェニ
ルオキサゾール、４−エチルオキサゾール、４．５−ジ
メチルオキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ベ
ンゾオキサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール
、５−り四ロペンソオキサゾール、５−メチルベンゾオ
キサゾール、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−メ
ｆルベンゾオキサゾール、５，６−シメチルペンゾオキ
サゾール、５−メトキシベンゾオキサゾール、６−メト
キシベンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサ
ゾール、６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナ
フトオキサゾール系列の核（例りげナフトＣ２，１−ｄ
）オキサゾール、ナフト〔１，２−ｄ）オキサゾール
など）、−９＝ セレナゾール系列の核（例えば４−メチルセレナゾール
、４−フェニルセレナゾールナト）、ベンゾセレナゾー
ル系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−クロロベ
ンゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾール、５
．６−シメチルペンゾセレナゾール、５−メトキシベン
ゾセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベンゾセレ
ナゾール、５，６−シオキシメチレンベンゾセレナソー
ル、５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、 ４，５，６
．７−チトラヒドロペンゾセレナゾールなど）、ナフト
セレナゾール系列の核（例えげナフトｒ２．１−ｄ）セ
レナゾール、ナフト（Ｌ２−（１）セレナゾール）、チ
アゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチア
ゾリン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリン
、４．４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンなど）、
オキサゾリン系列の核（例えばオキサシリン）、セレナ
ゾリン系列の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリン
系列の核（例えばキノリン、６−メチルキノリン、６−
クロロキノリン、６−メドキシキノリン、６−ニトキシ
キノリン、６−ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系
列のＦ（例オげキノリン、６−メドキシキノリン、７−
メチルキノリン、８−メチルキノリン）、１−インキノ
リン系列の核（例工ばインキノリン、３．４−ジヒドロ
イソキノリン）、３−インキノリン系列の核（例えばイ
ソキノリン）、３．３−ジアルキルインドレニン系列の
核（例えば３，３−ジメチルインドレニン、５．５−ヅ
メブルー５−クロロインドレニン、３，３．５−トリメ
チルインドレニン、５，５．７−トリメチルインドレニ
ン、３．３−ジメチル−５−クロルインドレニン、３．
３−ジメチル−５，７−ジクロルインドレニン）、３．
３−ジアルキルナフトビロール系列の核（例えば３．３
−ジメチル−ナフト［１，２−７１〕ピロール、３．３
−ジメチル−ナフト［２，１−ｄ ”ｌピロール、６−
クロロ−３，３−ジメチル−ナツト［１，２−６］ビロ
ールガど）ピリジン系列の核（例身げピリジン、５−メ
チルビリジン）、ベンゾイミダゾール系列の核（例えば
１−エチル−５，６−シクロロベンゾイオタソール、１
−ヒドロキシエチル−５，６−２）クロロヘンソインタ
ソール、１−エチル−５−クロロペンゾイミタソール、
１−エチル−５，６−リフロモベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−フェニルペンゾイミタソール、１−エチ
ル−５−フルオロベンゾイミダゾール、１−エチル−５
−シアノベンゾイミダゾール、１−（β−アセトキシエ
チル）−５−シアノペンシイきタソール、１−エチル−
５−クロロ−６−７アノペンゾイミダゾール、１−エチ
ル−５−フルオロ−６−シアノベンゾイミダゾール、１
−工ｆルー５−７セチルベンゾイミタソール、１−エチ
ル−５−カルボキシペンシイきダゾール、１−エチル−
５−エトキシカルボニルベンゾイオタソール、１−エチ
ル−５−スルファミルペンゾイミタソール、１−エチル
−５−Ｎ−エチルスルホニルベンゾイオタソール、１−
エチル−５，６−ジフルオロベンゾイミダゾール、１−
エチル−５，６−ジシアツペンゾイミダゾール、１−エ
チル−５−エチルスルホニルベンゾイオタソール、１−
エチル−５−メチルスルホニルベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−トリフルオロメチルベンゾイオタソール
、１−エチル−５−） Ｑフルオロメチルスルホニルペ
ンゾイミタソール、１−エチル−５−トリフルオロメチ
ルスルフィニルベンゾイミダゾールなど）を形成するに
必要な非金属原子群を表わす。
ール系列の核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾー
ル、４−フェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、
５−フェニルチアゾール、４．５−リメチルチアゾール
、４．５−：）フェニルチアゾール、４−（２−チェニ
ル）−；′ チアゾールなど）、ベンゾチアゾー
ル系列の核（例えばベンゾチアゾール、５−クロロベン
ゾチアゾール、５−メチルベンゾチアゾール、６−メチ
ルベンゾチアゾール、５．６−シメチルペンゾチアゾー
ル、５−ブロモベンゾチアゾール、５−フェニルベンゾ
チアゾール、５−メトキシベンゾチアゾール、６−メト
キシベンゾチアゾール、５．６−：）メトキシベンゾチ
アゾール、５，６−シオキシメチレンペンゾチアゾール
、５−ヒドロキシベンゾチアゾール、６−ヒドロキシベ
ンゾチアゾール、 ４，５，６．７−チトラヒドロベ
ンゾチアゾールなど）、ナフトチアゾール系列の核（例
えばナツト［２，１−ｄ ］チアゾール、ナフト［：１
．２−ｄ］チアゾール、５−メトキシナフト［１，２−
ｄ〕チアゾール、５−エトキシナフト（１，２−ｄ〕チ
アゾール、８−メトキシナフト［２，１−（１）チアゾ
ール、７−メドキシナ １１フ） Ｃ２，１−ｄ
）チアゾールなど）、チオナフテン［７，６−＋１
）チアゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフテ
ンＣ７，６−ｄ ）チアゾール）、オキサゾール系列の
核（例えば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサ
ゾール、４−フェニルオキサゾール、４．５−ジフェニ
ルオキサゾール、４−エチルオキサゾール、４．５−ジ
メチルオキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ベ
ンゾオキサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール
、５−り四ロペンソオキサゾール、５−メチルベンゾオ
キサゾール、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−メ
ｆルベンゾオキサゾール、５，６−シメチルペンゾオキ
サゾール、５−メトキシベンゾオキサゾール、６−メト
キシベンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサ
ゾール、６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナ
フトオキサゾール系列の核（例りげナフトＣ２，１−ｄ
）オキサゾール、ナフト〔１，２−ｄ）オキサゾール
など）、−９＝ セレナゾール系列の核（例えば４−メチルセレナゾール
、４−フェニルセレナゾールナト）、ベンゾセレナゾー
ル系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−クロロベ
ンゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾール、５
．６−シメチルペンゾセレナゾール、５−メトキシベン
ゾセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベンゾセレ
ナゾール、５，６−シオキシメチレンベンゾセレナソー
ル、５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、 ４，５，６
．７−チトラヒドロペンゾセレナゾールなど）、ナフト
セレナゾール系列の核（例えげナフトｒ２．１−ｄ）セ
レナゾール、ナフト（Ｌ２−（１）セレナゾール）、チ
アゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチア
ゾリン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリン
、４．４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンなど）、
オキサゾリン系列の核（例えばオキサシリン）、セレナ
ゾリン系列の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリン
系列の核（例えばキノリン、６−メチルキノリン、６−
クロロキノリン、６−メドキシキノリン、６−ニトキシ
キノリン、６−ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系
列のＦ（例オげキノリン、６−メドキシキノリン、７−
メチルキノリン、８−メチルキノリン）、１−インキノ
リン系列の核（例工ばインキノリン、３．４−ジヒドロ
イソキノリン）、３−インキノリン系列の核（例えばイ
ソキノリン）、３．３−ジアルキルインドレニン系列の
核（例えば３，３−ジメチルインドレニン、５．５−ヅ
メブルー５−クロロインドレニン、３，３．５−トリメ
チルインドレニン、５，５．７−トリメチルインドレニ
ン、３．３−ジメチル−５−クロルインドレニン、３．
３−ジメチル−５，７−ジクロルインドレニン）、３．
３−ジアルキルナフトビロール系列の核（例えば３．３
−ジメチル−ナフト［１，２−７１〕ピロール、３．３
−ジメチル−ナフト［２，１−ｄ ”ｌピロール、６−
クロロ−３，３−ジメチル−ナツト［１，２−６］ビロ
ールガど）ピリジン系列の核（例身げピリジン、５−メ
チルビリジン）、ベンゾイミダゾール系列の核（例えば
１−エチル−５，６−シクロロベンゾイオタソール、１
−ヒドロキシエチル−５，６−２）クロロヘンソインタ
ソール、１−エチル−５−クロロペンゾイミタソール、
１−エチル−５，６−リフロモベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−フェニルペンゾイミタソール、１−エチ
ル−５−フルオロベンゾイミダゾール、１−エチル−５
−シアノベンゾイミダゾール、１−（β−アセトキシエ
チル）−５−シアノペンシイきタソール、１−エチル−
５−クロロ−６−７アノペンゾイミダゾール、１−エチ
ル−５−フルオロ−６−シアノベンゾイミダゾール、１
−工ｆルー５−７セチルベンゾイミタソール、１−エチ
ル−５−カルボキシペンシイきダゾール、１−エチル−
５−エトキシカルボニルベンゾイオタソール、１−エチ
ル−５−スルファミルペンゾイミタソール、１−エチル
−５−Ｎ−エチルスルホニルベンゾイオタソール、１−
エチル−５，６−ジフルオロベンゾイミダゾール、１−
エチル−５，６−ジシアツペンゾイミダゾール、１−エ
チル−５−エチルスルホニルベンゾイオタソール、１−
エチル−５−メチルスルホニルベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−トリフルオロメチルベンゾイオタソール
、１−エチル−５−） Ｑフルオロメチルスルホニルペ
ンゾイミタソール、１−エチル−５−トリフルオロメチ
ルスルフィニルベンゾイミダゾールなど）を形成するに
必要な非金属原子群を表わす。
して下記の５員環および６員環化合物をあげるととがで
きる。
きる。
また、ψｌおよびψ２で表わされる置換または非置換の
芳香環の例としてはフェニル基、４−クロルフェニル基
、４−ジメチルアミノフェニル基、４−ジエチルアミノ
基、４−ジベンジルアミノフェニル基々どがありそして
鯉よと６とが一緒になって形成する芳香環および複素環
の例としては ガとがあげられ、それぞれの環上には、アルキル基１、
ハロゲン原子、アルコキシ基、置換または非置換のアリ
ール基などの置換基が存在していてもよい。また、アニ
オンを表わすＸの例としてはふつ紫イオン、塩素イオン
、臭素イオン、沃素イオンなどのハロゲンイオン、過塩
素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、ｐ−）ル
エンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル
硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの酸アニオン
がある。
芳香環の例としてはフェニル基、４−クロルフェニル基
、４−ジメチルアミノフェニル基、４−ジエチルアミノ
基、４−ジベンジルアミノフェニル基々どがありそして
鯉よと６とが一緒になって形成する芳香環および複素環
の例としては ガとがあげられ、それぞれの環上には、アルキル基１、
ハロゲン原子、アルコキシ基、置換または非置換のアリ
ール基などの置換基が存在していてもよい。また、アニ
オンを表わすＸの例としてはふつ紫イオン、塩素イオン
、臭素イオン、沃素イオンなどのハロゲンイオン、過塩
素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、ｐ−）ル
エンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル
硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの酸アニオン
がある。
本発明の上ｒ一般丈ｒＴ〕および［ｎｌで表わされる化
合物の具体例を以下に示すがこれらに制限されるもので
はかい。
合物の具体例を以下に示すがこれらに制限されるもので
はかい。
ジアミノ化合物またはジヒドロキシ化合物あるいはトリ
メトキシ化合物と反応させることにより合成することが
できる。
メトキシ化合物と反応させることにより合成することが
できる。
本発明における記録層を形成するにあたって本発明の上
記化合物をそれ自体単独で用いてもよいが、さらに必要
に応じて他の第３成分例えばバインダー、安定剤、他の
色素などを含有さ−せることもできる。特に安定剤とし
て長波長に吸収を本つ避移金岡錯体やトリアリールアミ
ノ化合物を記録層に含有させるとその光安定性がより向
上する。また、本発明の一般＜ ｒＩ〕およびｒｌＴ）
の化合物はそれぞれ単独で用いてもよいしあるいけ併用
してもよい。
記化合物をそれ自体単独で用いてもよいが、さらに必要
に応じて他の第３成分例えばバインダー、安定剤、他の
色素などを含有さ−せることもできる。特に安定剤とし
て長波長に吸収を本つ避移金岡錯体やトリアリールアミ
ノ化合物を記録層に含有させるとその光安定性がより向
上する。また、本発明の一般＜ ｒＩ〕およびｒｌＴ）
の化合物はそれぞれ単独で用いてもよいしあるいけ併用
してもよい。
記録層の膜厚は１００１〜１０μｍ好ましくは２００ス
〜２μｍである。そして膜形成方法としては溶液塗布法
、たとえば浸漬コーティング、スプレーコーティング、
スピンナーコーチインク、−２１＝ ブレードコーティング、ローラーコーティング、カーテ
ンコーティングなどをあるいは他の方法として蒸着、Ｃ
ＶＤ 、スノＲツター法などを用いるとともできる。な
お、塗布に用いる溶媒としては例えばメチルエチルケト
ンなどのケトン系、酢酸エチルなどのエステル系、メチ
ルセロソルブなどのエーテル系、ジクロロエタン、クロ
ロホルムかどのハロゲン化アルキル系、トルエン、キシ
レンなどの芳香族系などをあげることができる。
〜２μｍである。そして膜形成方法としては溶液塗布法
、たとえば浸漬コーティング、スプレーコーティング、
スピンナーコーチインク、−２１＝ ブレードコーティング、ローラーコーティング、カーテ
ンコーティングなどをあるいは他の方法として蒸着、Ｃ
ＶＤ 、スノＲツター法などを用いるとともできる。な
お、塗布に用いる溶媒としては例えばメチルエチルケト
ンなどのケトン系、酢酸エチルなどのエステル系、メチ
ルセロソルブなどのエーテル系、ジクロロエタン、クロ
ロホルムかどのハロゲン化アルキル系、トルエン、キシ
レンなどの芳香族系などをあげることができる。
また、記録層を設ける基板の材質にはなんら制限される
ことはなくとの分野で知られたもの例えば各種プラスチ
ック、ガラス、セラミックス、金鴎などを用いることが
できる。
ことはなくとの分野で知られたもの例えば各種プラスチ
ック、ガラス、セラミックス、金鴎などを用いることが
できる。
また基板の形状は使用用途に応じてテープ、ディスク、
ドラム、ベルトなどいずれであってもよい。
ドラム、ベルトなどいずれであってもよい。
−２２＝
本発明の記録媒体は基本的には基板上に記録層を設けた
ものでおるが、さらに目的に応じて他の層例えば下引き
層、中間層または保護層などを設けて屯よい。また、基
板と記録層との間の下引き層には必要に応じて案内溝を
形成してもよい。また、配録層は基板上の片面または両
面に設けてもよいし、さらにこの記録媒体を一対とし記
録層が対向するように配置したいわゆるサンドイッチ構
造にしてホコリやキズがつかがいようにすることもでき
る。さらに、書己録層上には必要に応じ透明基体を用い
るときに表面として機畦する反射層や各移最土保＠ｎ、
ハーフミラ一層などを設けることもできる。ただ、本発
明の化合物はそれ自体きわめて反射率が高いのでこのよ
うな下地ないし反射層は通常用いる必要がない。
ものでおるが、さらに目的に応じて他の層例えば下引き
層、中間層または保護層などを設けて屯よい。また、基
板と記録層との間の下引き層には必要に応じて案内溝を
形成してもよい。また、配録層は基板上の片面または両
面に設けてもよいし、さらにこの記録媒体を一対とし記
録層が対向するように配置したいわゆるサンドイッチ構
造にしてホコリやキズがつかがいようにすることもでき
る。さらに、書己録層上には必要に応じ透明基体を用い
るときに表面として機畦する反射層や各移最土保＠ｎ、
ハーフミラ一層などを設けることもできる。ただ、本発
明の化合物はそれ自体きわめて反射率が高いのでこのよ
うな下地ないし反射層は通常用いる必要がない。
下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、ｃｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護および（
ｆ）プレグルーブの形成などを目的として使用される。
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、ｃｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護および（
ｆ）プレグルーブの形成などを目的として使用される。
（ａ）の目的に対しては例えばアイオノマー樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン
、液状ゴムなどの高分子材料およびシランカップリング
剤などの種々の物質を用いることができ、（’ｂ）、（
０１の目的に対しては上記高分子材料以外に無機化合物
例えばＳｉｎｇ、ＩＭｇＦｇ、８１０． ＴｉＯ２、Ｚ
ｎ０％ＴｉＮ、 ＳｉＮ ？ｒど、金属または半金属例
えばＺｎ、 Ｃｕ、 Ｓ、 Ｎｉ、ｃｒ。
アミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン
、液状ゴムなどの高分子材料およびシランカップリング
剤などの種々の物質を用いることができ、（’ｂ）、（
０１の目的に対しては上記高分子材料以外に無機化合物
例えばＳｉｎｇ、ＩＭｇＦｇ、８１０． ＴｉＯ２、Ｚ
ｎ０％ＴｉＮ、 ＳｉＮ ？ｒど、金属または半金属例
えばＺｎ、 Ｃｕ、 Ｓ、 Ｎｉ、ｃｒ。
ａｅ、 ｓｏ、 ｃｄ、 Ａｇｓ ｈｌなどを用いるこ
とができる。（＋１１の目的に対しては金−例えばＡｔ
、Ａｇなどまたは全町光沢を有する有機薄膜例えばメタ
ン染料、キサンチン系染料などを用いることができそし
て（ｅ）、（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることかできる。
とができる。（＋１１の目的に対しては金−例えばＡｔ
、Ａｇなどまたは全町光沢を有する有機薄膜例えばメタ
ン染料、キサンチン系染料などを用いることができそし
て（ｅ）、（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることかできる。
下引き層の膜厚は０．１〜３０μｍ好捷しくは０，２〜
１０μｍが適当である。また、保護層はキズ、ホコリ、
汚れなどからの保護および記録層の化学的安堂件の向上
を目的として設けられ、その材料としては下引き層と同
じ材料を使用することができる。保一層の膜厚け０，１
μｍυ上好ま１くは５０μｍ以上が適当である。
１０μｍが適当である。また、保護層はキズ、ホコリ、
汚れなどからの保護および記録層の化学的安堂件の向上
を目的として設けられ、その材料としては下引き層と同
じ材料を使用することができる。保一層の膜厚け０，１
μｍυ上好ま１くは５０μｍ以上が適当である。
次に、図面について本発明による光情報記録媒体の構成
を１明する。
を１明する。
第１図に示すように、本発明の光情報記録媒体は基本的
には基板１上に本発明の上記式〔Ｉ〕またけ〔■〕の化
合物を含む記録層２を設けたものである。また、記録層
は光反射層と光吸収層とを任意の順序で組合せた２層構
成とすることもできる。
には基板１上に本発明の上記式〔Ｉ〕またけ〔■〕の化
合物を含む記録層２を設けたものである。また、記録層
は光反射層と光吸収層とを任意の順序で組合せた２層構
成とすることもできる。
また、第２図ないし第４図に示すように第１図の構成の
ものにさらに下引き層３および／または保護層４を設け
た構成とすることもできる。
ものにさらに下引き層３および／または保護層４を設け
た構成とすることもできる。
また、下引き層または保護層には安定剤、分散剤、難溶
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤なども含有
されていてもよい。
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤なども含有
されていてもよい。
さらに、本発甲による光情報記録媒体の別の構成として
は、第１図ないし第４図に示した同一構成の２枚の記録
媒体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記
録層２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にして本よいし、保護層４を介して接着した
いわゆる密着サンドイッチ構造（貼り合せ構造）にして
もよい。
は、第１図ないし第４図に示した同一構成の２枚の記録
媒体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記
録層２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にして本よいし、保護層４を介して接着した
いわゆる密着サンドイッチ構造（貼り合せ構造）にして
もよい。
以下に実施例をあげて本発明をさらに訝明するが、本発
明はこれらに限定されるものではないＯ 実施例 １ ２６一 前掲例示化合物（１）を、１．２−ジクロルエタンに溶
解して０．６重量％の塗布液を調製した。この塗布液を
光硬化性樹脂による案内溝を設けたアクリル基板上に塗
布して膜厚５００Ａの配録層を得た。とうして得られた
記録媒体に、スハーサを介して保護カバーを接着した。
明はこれらに限定されるものではないＯ 実施例 １ ２６一 前掲例示化合物（１）を、１．２−ジクロルエタンに溶
解して０．６重量％の塗布液を調製した。この塗布液を
光硬化性樹脂による案内溝を設けたアクリル基板上に塗
布して膜厚５００Ａの配録層を得た。とうして得られた
記録媒体に、スハーサを介して保護カバーを接着した。
この記録媒体に、波長７８０ ｎｍの半導体レーザを用
いてビーム径１．６７７ｍ 、線速１，４ｍ／ｓｅａお
よび配録面ビームノ々ワー３ｍＷで、０．７ ＭＨｚ
の信号ｆ配録した。
いてビーム径１．６７７ｍ 、線速１，４ｍ／ｓｅａお
よび配録面ビームノ々ワー３ｍＷで、０．７ ＭＨｚ
の信号ｆ配録した。
さらに、０．２ｍＷの連続ビームを照射して記録さねた
信号を読み出したところ、５３ｄＢＬ：ｌ：）ＣＮ比が
得られた。
信号を読み出したところ、５３ｄＢＬ：ｌ：）ＣＮ比が
得られた。
さらに、この記録媒体を５０℃、９０％ＲＨの環１
境下に１０００時間保存した力゛・特性の変イヒは
み゛“ とめられなかった。
境下に１０００時間保存した力゛・特性の変イヒは
み゛“ とめられなかった。
実施例 ２〜２０
実施例１における化合物（１１の代りに、以下の表に示
した前掲例示化合物を用いた以外は実施例１と同様にし
て各記録媒体を作製した。これらの記録媒体についてＣ
／Ｎおよび保存性を試験した結果を以下の表にまとめて
示す。
した前掲例示化合物を用いた以外は実施例１と同様にし
て各記録媒体を作製した。これらの記録媒体についてＣ
／Ｎおよび保存性を試験した結果を以下の表にまとめて
示す。
ム２： ニトロセルロース
比較例
実施例１の化合物（１）のかわ９に、下記一般式の化合
物を用いて同様の記録媒体を作製した。
物を用いて同様の記録媒体を作製した。
実施例１と同様の評価を行なったところ、５３（ｉＢの
Ｃ／Ｎ が得られたが、５０℃、９０１ＲＨで１０００
時間保存後は、Ｃ／Ｎは４１ ｄＢに飲下した。
Ｃ／Ｎ が得られたが、５０℃、９０１ＲＨで１０００
時間保存後は、Ｃ／Ｎは４１ ｄＢに飲下した。
本発明の光情報記録媒体によりけ、配録特性が良く（高
いＣ／Ｎ ）かつ安定な記録媒体を得ることができた。
いＣ／Ｎ ）かつ安定な記録媒体を得ることができた。
第１図ないし第４図は本発明の光情報記録媒体の構成を
示す断面図である。 １・・・基板、２・・・配録層、３・・・下引き層、４
・・・保饅層。
示す断面図である。 １・・・基板、２・・・配録層、３・・・下引き層、４
・・・保饅層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に、下記一般式〔 I 〕または／および〔II〕で
表わされる化合物を含む記録層を有することを特徴とす
る、光情報記録媒体、 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ （上記各式において、φはチアゾール、オキサゾール、
ピロール、３、３−ジアルキルインドレニン、イミダゾ
ール、ピリジンおよびキノリンから選ばれた複素環を表
わし、前記複素環にはベンゼン環またはナフタレン環が
縮合していてもよくまた芳香核上には置換基が存在して
いてもよく、Ψ＿１およびΨ＿２は同じかまたは異なつ
ていてもよくそれぞれは置換もしくは非置換の芳香環を
表わすかあるいはΨ＿１およびΨ＿２は一緒になつて芳
香環または複素環を形成してもよく、Ｘはアニオンを表
わし、ｌは０、１または２を表わし、ｍおよびｎは０、
１、２または３を表わし、Ｒ＿１は水素、アルキル基、
アミノ基またはハロゲン原子を表わしそしてＹは置換も
しくは非置換の５員環または６員環を形成するために必
要な原子群を表わす）。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223849A JPS61102292A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 光情報記録媒体 |
| DE19853537539 DE3537539A1 (de) | 1984-10-23 | 1985-10-22 | Optisches informationsaufzeichnungsmaterial |
| US07/217,125 US4891305A (en) | 1984-10-23 | 1988-07-07 | Optical information recording element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223849A JPS61102292A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102292A true JPS61102292A (ja) | 1986-05-20 |
| JPH0553636B2 JPH0553636B2 (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=16804677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223849A Granted JPS61102292A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-26 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102292A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6382791A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 昇華転写型感熱記録用受像体 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125246A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-26 | Ricoh Co Ltd | レ−ザ記録媒体 |
| JPS58173696A (ja) * | 1982-04-06 | 1983-10-12 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
| JPS58194595A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-12 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
| JPS58219091A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-20 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
| JPS58220143A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-21 | Canon Inc | 有機被膜 |
| JPS58220792A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
| JPS5924692A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-08 | Tdk Corp | 光記録媒体の製造方法 |
| JPS5967092A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-16 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS5985791A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-17 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS59150795A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59223849A patent/JPS61102292A/ja active Granted
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125246A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-26 | Ricoh Co Ltd | レ−ザ記録媒体 |
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| JPS58219091A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-20 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
| JPS58220143A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-21 | Canon Inc | 有機被膜 |
| JPS58220792A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
| JPS5924692A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-08 | Tdk Corp | 光記録媒体の製造方法 |
| JPS5967092A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-16 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS5985791A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-17 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS59150795A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6382791A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 昇華転写型感熱記録用受像体 |
| JPH0533916B2 (ja) * | 1986-09-26 | 1993-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0553636B2 (ja) | 1993-08-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |