JPH0827983B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents

光情報記録媒体

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JPH0827983B2
JPH0827983B2 JP11319889A JP11319889A JPH0827983B2 JP H0827983 B2 JPH0827983 B2 JP H0827983B2 JP 11319889 A JP11319889 A JP 11319889A JP 11319889 A JP11319889 A JP 11319889A JP H0827983 B2 JPH0827983 B2 JP H0827983B2
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隆 石黒
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、透明な基板上に少なくとも光吸収層と光反
射層を有する光情報記録媒体に関する。
［従来の技術］ レーザ光の照射により、データを記録することができ
る光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等の金属層や、シアニ
ン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素層等からな
る記録層を有し、レーザ光の照射により、上記記録層を
変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピットを
形成し、データを記録する。この記録層を有する光情報
記録媒体では、ピットを形成する際の記録層の変形、昇
華、蒸発或は変性等を容易にするため、記録層の背後に
空隙を設けることが一般に行なわれている。具体的には
例えば、空間部を挟んで２枚の基板を積層する、いわゆ
るエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がとられ
る。
この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板１
側からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録したデータを再生するときは、上記基板１側から記
録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットと
それ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みと
る。
一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き
込みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持た
ず、記録データを再生するためのピットを予めプレス等
の手段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この
上にAu、Ag、Cu、Al等の金属膜からなる光反射層を形成
し、さらにこの上を保護層で覆ったものである。
このROM型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信
号の仕様は、いわゆるCD規格として規格化され、これに
準拠する再生装置は、コンパクトディスクプレーヤ（CD
プレーヤ）として極めて広く普及している。
［発明が解決しようとする課題］ 上記光情報記録媒体は、やはりCDと同じレーザ光を用
いる記録手段であるため、再生に際し、既に広く普及し
たCDに準拠することが強く望まれる。
しかしながら、上記の光情報記録媒体は、CDには無い
記録層を有し、基板にではなく、この記録層にピットを
形成して記録する手段がとられる。さらに、この記録層
にピットを形成するのを容易にするための空隙層等を有
することから、再生信号が自ずとCDと異なってくる。こ
のため、いわゆるCDについての規格を定めた上記CD規格
を満足することが困難であった。特に、透光性基板側か
ら入射したレーザ光の反射率が低いことにより、CD規格
に準拠した再生信号が得られないのが現状である。
本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされた
もので、高い反射率を有し、再生信号の変調度が高いCD
規格に準拠する再生信号が得られる光情報記録媒体を提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するため、本発明において
採用した手段の要旨は、透光性を有する基板上に直接ま
たは他の層を介して光吸収性の色素を含む光吸収層が設
けられ、同光吸収層の上に直接または他の層を介して金
属膜からなる光反射層が設けられた光情報記録媒体にお
いて、光吸収層の複素屈折率の実数部nabsと膜厚dabsと
再生光の波長λとで与えられるρ＝nabsdabs／λが、0.
6＜ρ＜1.6であり、且つ光吸収層の複素屈折率の虚部k
absがkabs＜0.2である光情報記録媒体であるところの光
情報記録媒体である。
また、上記の場合において、光吸収層がシアニン色素
であるところの光情報記録媒体である。
また、上記光情報記録媒体において、光吸収層を形成
するシアニン色素が、下記一般式で示される化合物であ
るところの光情報記録媒体である。
但し、Ａ、Ａ′は、ベンゼン環若しくは置換ベンゼン
環を形成するか、またはナフタレン環若しくは置換ナフ
タレン環を形成する原子群であり、同種であっても異種
であってもよい。Ｂは、ペンタメチン（−CH＝CH−CH＝
CH−CH＝）であり、各水素原子は、ハロゲン原子、アル
キル基、アルコキシ基、ジフェニルアミノ基等に置換さ
れてもよく、また複数の炭素間にわたる置換または未置
換の環状側鎖を有してもよい。
R1、R1′は、置換または非置換のアルキル基、アルコ
キシ基、アルキルヒドロキシ基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アルキルカルボキシル基、アルキルスルホニル
基またはアルカリ金属イオン若しくはアルキル基と結合
したアルキルカルボキシル基若しくはアルキルスルホニ
ル基であり、同種でも異種でもよい。
X1 -は、ハロゲン原子、過塩素酸、硼弗化水素酸、ベ
ンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、アルキルスル
ホン酸、ベンゼンカルボン酸、アルキルカルボン酸また
はトリフルオロメチルカルボン酸等の陰イオンを表わ
し、R1、R1′がアルカリ金属イオンを結合した基を有す
る場合にはX1 -は存在しなくてもよい。
［作用］ この光情報記録媒体では、光吸収層にレーザ光を照射
することによって、光吸収層に発生したエネルギーが光
吸収層に隣接する他の層に及び、光吸収層に隣接する
層、例えば基板等を局部的に変形させ、光学的変性部分
（ピット）を形成する。こうして、基板などの表面に形
成された光学的変性部分は、予めプレス等の手段によっ
て形成されるピットに近似するものである。
透光性基板上に複素屈折率の実数部nabsとその膜厚d
absと再生光の波長λとで与えられるρ＝nabsdabs／λ
を0.6＜ρ＜1.6の条件を満足する光吸収層２を有し、そ
の背後に金属膜からなる光吸収層３を有する光情報記録
媒体によると、高い反射率が得られ、反射率70％以上と
いうCD規格に定められた規格特性を確保することが可能
である。
例えば、第４図は、再生光として波長λ＝780nmの半
導体レーザを用いた場合に、上記光ディスクの光吸収層
の複素屈折率の実数部nabs、膜厚dabs及び再生光の波長
λで与えられるρ＝nabsdabs／λと、基板側から入射さ
せた光の反射率との関係を示すグラフである。
このグラフは、指数関数と周期関数の組み合わされた
関数として表わされるものであり、ρが大きくなるに従
って周期関数の振幅が大きくなる。
このグラフから分かるように、ピーク点では、反射率
が70％を越えることが可能である。この周期関数の振幅
は、光情報記録媒体を構成する層の複素屈折率、膜厚、
それらの均質性等をパラメータとし変化する。例えば、
光吸収層より光が入射する側にある層の屈折率が小さい
と、反射率は、グラフ全体として反射率が高くなる方向
にシフトする等である。また、このグラフは、kabs、d
absをパラメーターとする指数関数で表わされ、光吸収
層の複素屈折率の虚部kabsが大きくなるほどグラフ全体
の反射率の減衰が大きくなるということがわかってい
る。
光吸収層が均質であり、その複素屈折率の実部nabs、
膜厚dabsに不均一な分布が無い限り、上記グラフのピー
クを示す点の周期には変化が無いことに本件発明者らの
シュミレーションにより分かっている。
なお、条件により上記グラフのボトム点の反射率につ
いても、上記パラメータ条件を制御することによりこれ
を高くすることが可能であるが、ρをボトム点付近に設
定した場合には、変調度を大きくとることが困難であ
り、ある場合には、記録前よりも反射率が上昇してしま
う場合も生じる。従って、ρはピーク点付近に設定する
ことが望ましい。
本件発明者らのシュミレーション結果より、0.6＜ρ
＜1.6の範囲において、ピーク点は２点あり、常に0.6＜
ρ＜1.10の範囲と、1.10＜ρ＜1.6の範囲とにあり、そ
れらにおいて高い反射率を得ることができることが分か
っている。
なお、0.6≧ρのときには、周期関数の振幅が小さい
ために記録による変調度は、本発明の範囲よりも小さく
なる。また、1.6≦ρのときには、膜厚が厚くなるた
め、膜厚の制御が困難になり製造上問題がある。
第５図は、反射層にAu膜を用いた光ディスクにおい
て、シアニン系色素からなる光吸収層の透光性を変え、
その複素屈折率の実数部をnabs＝3.2及びnabs＝4.7と一
定にしながら、その虚部kabsを０に近い値から1.0まで
変化させたときの各々の反射率が示されている。なお、
dabsは0.6＜ρ＜1.10の中で最適条件に設定した。この
グラフから分かるように、70％以上のkabsが0.2より大
きいと、高い反射率を得ることが困難である。
さらに、シアニン色素からなる光吸収層は、nabs、k
absの数値設定が容易であるため、光吸収層に隣接する
層、例えば基板等の表面に明確な光学的変性部分を形成
できる。そしてこのピットからは、変調度が高い再生信
号が得られ、CD規格に準拠した記録可能型光情報記録媒
体が容易に得られるため望ましい。
［実施例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について
詳細に説明する。
本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、
第１図〜第３図に示す。同図において、１は、透光性を
有する基板、２は、その上に形成された光吸収層、３
は、その上に形成された光反射層、４は、その外側に設
けられた保護層を示す。
第２図は、レーザ光による記録前の状態を、第３図
は、記録後の状態、すなわち、光学ピックアップ８から
レーザ光７を光吸収層２に収束して照射した時に、例え
ば基板１の表面が一部変形され、ピット５が形成された
状態を模式的に示す。
透光性基板１は、レーザ光に対する屈折率1.4〜1.6の
範囲内の透明度の高い材料で、耐衝撃性に優れた主とし
て樹脂により形成されたもの、例えばポリカーボネート
板、アクリル板、エポキシ板等が用いられるが、場合に
よってはガラス板等が用いられることもある。また、基
板上に他の層、例えばSiO2等の耐溶剤層やエンハンス層
を、コーティングしておいてもよい。
上記光吸収層２に用いられる材料は、光吸収性の有機
色素であり、ポリメチン系色素、トリアリールメタン系
色素、ピリリウム系色素、フェナンスレン系色素、テト
ラデヒドロコリン系色素、トリアリールアミン系色素、
スクアリリウム系色素、クロコニックメチン系色素、メ
ロシニアン系色素等が例示できるが、これらに限定され
るものではなく、光吸収性の有機色素である限り本発明
の効果を得ることは可能である。具体的には、次のもの
が挙げられる。
ポリメチン系色素 ただし、上記化学式（10）〜（13）においてＡ、Ｂ、
Ｄ及びＥは置換もしくは未置換のアリール基を示し、
R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は同じか又は異なってい
ても良く、各々は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル
基を示し、Ｙは５員環又は６員環を完成するのに必要な
原子群を有する残基を示し、R8及びR9は同じか又は異な
っていても良く、それぞれは置換もしくは未置換のアル
キル基、置換もしくは未置換のアラルキル基又はアルケ
ニル基を示し、Z1及びZ2は置換または未置換の複素環を
完成するのに必要な原子群を示し、Z3は置換もしくは未
置換の５員環又は６員環を完成するのに必要な原子群を
示し、また、上記５員環もしくは６員環は芳香族環と縮
合しても良く、R10は水素原子又はハロゲン原子を示
し、R11及びR12は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基、カルボキシル基、アルキル基、置換もしくは未置換
のアリール基又はアシルオキシ基を示し、そしてｌ、ｍ
及びｎは０又は１である。
トリアリールメタン系色素 ただし、上記化学式（14）及び（15）において、R1、
R2及びR3は同じか又は異なっていても良く、各々は水素
原子、ヒドロキシ、ハロゲン原子、C1〜C20アルキル基
又は−Ｎ（C1〜C10アルキル）2を示し、ｌ、ｍ及びｎは
０又は１〜９を示し、Ar1、Ar2及びAr3は同じか又は異
なっていても良く、各々置換又は未置換のアリール基を
示し、ｓ、ｔ及びｕは０又は１〜３を示し、ｓ＋ｔ＋ｕ
＝３である。
ビリリウム系色素 ただし、上記化学式（16）及び（17）において、Ｘ、
X1及びX2は硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を示し、
Ｚ及びZ1は置換されていても良いピリリウム、チオピリ
リウム、セレナピリリウム、ベンゾピリリウム、ベンゾ
チオピリリウム、ベンゾセレナピリリウム、ナフトピリ
リウム、ナフトチオピリリウム又はナフトセレナピリリ
ウムを完成するのに必要な原子群からなる炭化水素基を
示し、Z2は置換されていても良いピラン、チオピラン、
セレナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベン
ゾセレナピラン、ナフトピラン、ナフトチオピラン又は
ナフトセレナピランを完成するのに必要な原子群からな
る炭化水素基を示し、R1、R2、R3及びR4は水素原子、置
換もしくは未置換のアルキル基又は置換もしくは未置換
のアリール基を示し、R5、R6及びR7は水素原子、ハロゲ
ン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしく
は未置換のアリール基又は置換もしくは未置換のアラル
キル基を示し、ｍ及びｌは１又は２を示し、そしてｎは
０、１又は２を示す。
フェナンスレン系色素 ただし、上記化学式（18）及び（19）において、R1及
びR2はアルキル基を示し、R3、R4及びR5は水素原子、ヒ
ドロキシ、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキ
ル、アリール、アラルキル、アミノまたはアルコキシ基
を示し、 を示し、ｌ、ｍ及びｎは０又は１〜６を示す。テトラヒ
ドロコリン系色素 ただし、R1はアルキル、カルボキシアルキル例えばCO
OC2H5などを表わし、R1は水素、アルキル基などを表
し、そしてＭはＨ、Ni（II）、Co（II）、Co（III）な
どを表わす。
トリアリールアミン系色素 ただし、上記式（21）及び（22）におけるR1〜R3、
ｌ、ｍ、ｎ、Ar1〜Ar3、ｓ、ｔ及びｕは上記化学式（1
4）及び（15）について述べたと同じである。
上に挙げた化学式（10）〜（22）における色素カチオ
ンに対するカウンターイオンとしては、例えば塩化物イ
オン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸イオ
ン、ベンゼンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン
酸イオン、メチル硫酸イオン、エチル硫酸イオン、プロ
ピル硫酸イオンなどの酸アニオンがある。
スクアリリウム色素 ただし、上記化学式（23）及び（24）においてＡは水
素、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ
基、シアノ基、トリフロロメチル基、 を表わし、ｎは０から５の整数であり、ｎが２から５の
ときＡは同一でも、異なっていても良い。さらにＹは水
素、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基を表わし、R1、
R2はアルキル基、置換基を含んでも良いフェニル基、置
換基を含んでも良いベンジル基、アリル基を表わす。
ただし、上記（25）において、Ｘは酸素原子又は硫黄
原子であり、Ｒは少なくとも３個の炭素原子を有するア
ルキル基であり、R1は水素原子又はメチル基である。
クロコニックメチン色素 ただし、上記化学式（26）（27）において、R1及びR2
は置換もしくは未置換のアルキル基、環状アルキル基、
アリル基、置換もしくは未置換のアラルキル基又は置換
もしくは未置換のアリール基を示す。Z1及びZ2は置換又
は未置換の複素環を完成するに必要な非金属原子群を示
す。ｍ及びｎは０又は１である。M+は陽イオンを示しX-
は陰イオンを示す。
ただし、上記化学式（28）中、R1及びR2はアルキル基
を示す。また、R1とR2で窒素原子とともに環を形成して
も良い。R3、R4、R5及びR6は水素原子、ハロゲン原子、
アルキル基、アルコキシ基又ヒドロキシ基を示す。ま
た、R1とR2は結合してベンゼン環を形成しても良く、ま
た、R3及びR4及びR5及びR6がそれぞれ結合してベンゼン
環を形成しても良い。
メロシアニン色素 ただし、上記式（29）中、 は、 などの環を表わし、 等の環を表わし、そしてｎは１又は２を示す。
なお、本発明による光記録情報記録媒体の光吸収層２
に用いられる材料の好ましいシアニン色素とは、次の一
般式で表される、複素環をメチン鎖で結合した構造をも
つ色素をいう。
但し、上記化学式において、Ｙ、Ｙ′はＯ、Ｓ、Se、
NH、−CH＝CH−、CH3−Ｃ−CH3であり、Ｒ、Ｒ′はアル
キル基、Ｘはハロゲン原子、ｎは０、１、２、３であ
る。
具体的には、インドレニン系シアニン色素、及びチア
ゾール系シアニン色素等が例示でき、次のものが挙げら
れる。
ただし、上記化学式（30）（31）において、R1、R2及
びR3は同じか又は異なっていても良く、それぞれはC1〜
C6のアルキル基を表わし、Ｘはハロゲン、過ハロゲン
酸、四フッ化ホウ酸、トルエンスルホン酸又はアルキル
硫酸を表わし、Ａはベンゼン環又はナフチル環を表わ
し、そしてそれぞれの環上には置換基としてアルキル、
アルコキシ、ヒドロキシ、カルボキシル、ハロゲン、ア
リル又はアルキルカルボキシルがあってもあるいはなく
ても良く、そしてｎは０又は１〜３の整数を表わす。
また、メチン鎖を形成する各炭素上にはアルキル基、
ハロゲン原子が置換されていても良く、また、各炭素間
が飽和炭化水素で環状に結合していても良い。
また、Ｘは下記に示す金属錯体アニオンであっても良
い。
ただし、上記式（32）〜（36）において、ＭはNi、C
o、Mn、Cu、Pd及びPtなどの遷移金属を示し、R1ないR4
は同じか又は異なっていても良く、それぞれは置換もし
くは未置換のアルキル、アリール又はアミノ基を示し、
R5ないしR12は同じか又は異なっていても良く、それぞ
れは水素原子、ハロゲン原子又は置換もしくは未置換の
アルキル、アシル、アルコキシ、アシルオキシ、アリー
ル、アルケニル又はアミノ基を示し、R13は置換もしく
は未置換のアミノ基を示し、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ及びｒ
は０又は１〜４を示し、そしてｕ及びｖは０又は１〜２
を示す。
しかし、本発明は、上記シアニン色素に限定されるも
のではなく、光吸収性のシアニン色素である限り、他の
シアニン色素、例えば、キノリン系シアニン色素、オキ
サゾール系シアニン色素等のシアニン色素であっても、
本発明の効果を得ることは可能である。
本発明の効果を得るためのさらに望ましいシアニン色
素であるインドジカーボシアニンは、下記式によって表
される。
但し、Ａ、Ａ′は、ベンゼン環若しくは置換ベンゼン
環を形成するか、またはナフタレン環若しくは置換ナフ
タレン環を形成する原子群であり、同種であっても異種
であってもよい。Ｂは、ペンタメチン（−CH＝CH−CH＝
CH−CH＝）であり、各水素原子は、ハロゲン原子、アル
キル基、アルコキシ基、ジェフニルアミノ基等に置換さ
れてもよく、また複数の炭素間にわたる置換または未置
換の環状側鎖を有してもよい。
R1、R1′は、置換または非置換のアルキル基、アルコ
キシ基、アルキルヒドロキシ基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アルキルカルボキシル基、アルキルスルホニル
基またはアルカリ金属イオン若しくはアルキル基と結合
したアルキルカルボキシル基若しくはアルキルスルホニ
ル基であり、同種でも異種でもよい。
X1 -は、ハロゲン原子、過塩素酸、硼弗化水素酸、ベ
ンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、アルキルスル
ホン酸、ベンゼンカルボン酸、アルキルカルボン酸また
はトリフルオロメチルカルボン酸等の陰イオンを表わ
し、R1、R1′がアルカリ金属イオンを結合した基を有す
る場合にはX1 -は存在しなくてもよい。
上記一般式で表わされるシアニン色素の置換基A,A′
としては、置換もしくは未置換のベンゼン環または置換
または未置換のナフタレン環があげられ、これらの置換
基としては、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ
基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アリル基、アルキ
ルカルボキシル基、アルキルアルコキシ基、アラルキル
基、アルキルカルボニル基、金属イオンと結合したスル
ホネートアルキル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリール基、フェニルエチレン基さらには次の
もの等が例示される。
−CH＝CH−CN、−NHCOCH3、 また、これらの各置換基を有するインドレニン系シア
ニンを複数組合せたものも使用でき、例えばそれらの物
質の置換基Ａ、Ａ′に付く置換基としては表１のものが
例示できる。
二種のシアニンのうち一方はインドジカーボシアニン
以外のシアニンであっても良い。
上記一般式のＢに結合する環状側鎖としては、ペンタ
メチン鎖の複数炭素間、例えば第二、第四炭素間に結合
し、例えば４員環、５員環、６員環を形成する炭素その
他の原子からなる結合鎖があげられ、置換基を有してい
ても良い。Ｂに直接結合するもしくは上記環状側鎖上の
置換基には、ハロゲン原子、ジフェニルアミノ基、アル
コキシ基（例えばメトキシ、エトキシ等の低級アルコキ
シ基）、アルキル基（例えばメチル、エチル等の低級ア
ルキル基）等があげられる。
なお光吸収層には、上記有機色素及びシアニン色素を
含む他に、他の色素、樹脂（例えば、ニトロセルロース
等の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー）、液ゴム等
を含んでいても良い。具体的には、後述の実施例におい
てあげられたものの他、熱可塑性樹脂として、イソブチ
レン、無水マレイン酸共重合体、エチレン酢ビコポリマ
ー、カルボキシビニルポリマー、塩素化ポリプロピレ
ン、ポリエチレンオキシド、ポリアミド（ナイロン６、
ナイロン12、メトキシメチル化ポリアミド等）、クマロ
ン樹脂、ケトン樹脂、酢酸ビニル、ポリスチレン、PVA
（ポリビニルアルコール）、PVE（ポリビニルエステ
ル）等が、セルロース誘導体としては、カルボキシメチ
ルセルロース、ニトロセルロース、HPC（ヒドロキシプ
ロピルセルロース）、HEC（ヒドロキシエチルセルロー
ス）、MC（メチルセルロース）、EC（エチルセルロー
ス）、EHEC（エチルヒドロキシエチルセルロース）、CM
EC（カルボキシメチルエチルセルロース）等が、オリゴ
マーとして、オリゴスチレン、メチルスチレンオリゴマ
ー等が、エラストマー・ゴムとして、スチレンブロック
コポリマー、ウレタン系熱可塑性エラストマー等があげ
られる。
この光吸収層２は、まず、上記シアニン色素を、アセ
チルアセトン、メチルセロソルブ、トルエン等の有機溶
媒で溶解したものを上記基板１の表面にコーティングす
るすることにより形成される。このための手段として
は、例えば、蒸着法、LB法、スピンコート法等が挙げら
れるが、塗料の濃度、粘度、溶剤の乾燥速度等を調整す
ることにより、光吸収層２の膜厚の制御が可能であるた
め、スピンコート法が望ましい。
なお上記有機溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノー
ル、アミルアルコール、イソアミルアルコール、ヘキシ
ルアルコール、ヘプタノール、ベンジルアルコール、シ
クロヘキサノール、フルフリルアルコール等のアルコー
ル類、セロソルブ、ジエチルセロソルブ、ブチルセロソ
ルブ、メチルカルビトール、カルビトール、アセター
ル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノン、アセト
フェノン等のケトン類、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、ギ酸
アミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸
ブチル、酢酸アミル、酢酸フェニル、メチルセロソルブ
アセテート、セロソルブアセテート等のエステル類、ニ
トロメタン、ニトロエタン、ニトロプロパン、ニトロブ
タノール、ニトロベンゼン等のニトロ炭化水素類、塩化
メチル、塩化メチレン、クロロホルム、臭化メチル、プ
ロモホルム、ヨウ化メチレン、塩化エチル、塩化エチレ
ン、塩化エチリデン、トリクロルエタン、トリクロルエ
チレン、塩化プロピレン、塩化ブチル、ジクロルブタ
ン、ヘキサクロルプロピレン、ジクロルペンタン、塩化
アミル、クロルベンゼン、０−ジクロルベンゼン、トリ
クロルベンゼン、クロロトルエン、ジクロルトルエン等
の塩素化溶剤、その他パラルデヒド、クロトンアルデヒ
ド、フルフラール、アルドール、アセトニトリル、ホル
ムアミド、ジメチルホルムアミド、アセトール、γ−バ
レロラクトン、アミルフェノール、スルホラン、２−メ
ルカプトエチルアルコール、ジメチルスルホキシド、Ｎ
−メチルピロリドン、カルバミン酸メチル等の溶剤も用
いられる。またこれらの有機溶媒がシアニン色素に溶媒
和し、光吸収層に含有されていてもよい。
反射層３は金属膜であり、例えば、金、銀、銅、アル
ミニウムあるいはこれらを含む合金を、蒸着法、スパッ
タ法等の手段により形成される。反射率70％以上を有す
ることが必要なためこれらの中でも、金または金を含む
合金を主体とする金属膜が望ましい。
保護層４は、透光性基板１と同様の耐衝撃性に優れた
樹脂により形成され、紫外線硬化樹脂をスピンコート法
により塗布し、これに紫外線を照射して硬化させること
により形成される。この他、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン系ハードコート樹脂等が使用されるが、
緩衝作用を持たせるため、ウレタン樹脂等の弾性材で形
成されることもある。
また、この発明による光情報記録媒体では、透光性基
板１に対して光吸収層２の背後側の層、例えば光反射層
３や保護層４等を、上記ピット５が形成される層に比べ
て熱変形温度が高く、かつ硬度が高いもので形成するの
が望ましい。背後側の層を硬度の高い層で形成すること
は、記録信号のブロックエラーレートの低減に効果が認
められる。
なお、反射層３と保護層４との間に、反射層３の酸化
を防止する、耐酸化層を介在させてもよい。
本発明のより具体的な実施例について、以下に説明す
る。
（実施例１） 幅0.8μｍ、深さ0.08μｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラ
ル状のプレグループが形成された厚さ1.2mm、外径120mm
φ、内径15mmφのポリカーボネート基板１を射出成形法
により成形した。
シアニン色素として0.95gの1,1′−ジブチル3,3,3′,
3′テトラメチル4,5,4′,5′−ジベンゾインドジカーボ
シアニンパークロレート（日本感光色素（株）製、品番
NK3219）を、アセチルアセトン溶剤10mlに溶解し、これ
を上記の基板１の上にスピンコート法により塗布し、膜
厚250nmの光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複
素屈折率は、nabs＝2.7、kabs＝0.05である。後述する
ように、再生光の半導体レーザの波長λ＝780nmであ
り、ρ＝nabsdabs／λ＝0.87である。
このディスクの全面に真空蒸着法により、膜厚60nmの
Au膜を成膜し、光反射層３を形成した。さらに、この光
反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、こ
れに紫外線を照射して硬化させ、厚み10μｍの保護層４
を形成した。
こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導体
レーザを線速1.2m/sec、記録パワー6.8mWで照射し、EFM
信号を記録した。そして、この光ディスクを、市販のCD
プレーヤ（Aurex XR−V73、再生光が波長λ＝780nm、再
生パワー0.5mWのレーザ）で再生したところ、光ディス
クの反射率が70.2％、再生信号のアイパターンから求め
られるI11／Itopが0.9、I3／Itopが0.6、ブロックエラ
ーレートが2.0×10-3であった。
CD規格では、反射率が70％以上、I11／Itopが0.6以
上、I3／Itopが0.3〜0.7ブロックエラーレートは3.0×1
0-2以下と定められており、この実施例による光ディス
クは、この規格を満足している。
（実施例） 上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネート基
板１に、同実施例１と同じシアニン色素1.45gを、アセ
チルアセトン溶剤10ccに溶解したものをスピンコート法
により塗布し、膜厚410nmの光吸収層２を形成した。こ
の場合、ρ＝nabsdabs／λ＝1.42である。
このディスクの全面に上記実施例１と同様にして光反
射層３を形成した。さらに、この光反射層３の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚み10μｍの保護層４を形成した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録した。そして、この光ディスク
を、上記実施例１で用いたのと同じCDプレーヤで再生し
たところ、光ディスクの反射率が72％、I11／Itopか0.9
5、I3／Itopが0.70、ブロックエラーレートが6.0×10-3
であった。従って、この実施例による光ディスクも、上
記実施例と同様に、CD規格を満足している。
［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明によれば、70％以上と、反
射率が高く、しかも変調度が高い再生信号が得られ、よ
ってCD規格に準拠した出力信号が得られる光情報記録媒
体が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式判断
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前のトラックに沿
って断面した部分拡大図、第３図は、第１図の光記録後
のトラックに沿って断面した部分拡大図、第４図は、光
ディスクの光吸収層の複素屈折率の実数部nabs、膜厚d
abs及び再生光の波長λで与えられるρ＝nabsdabs／λ
の値とレーザ光の反射率との関係の例を示すグラフ、第
５図は、光ディスクの光吸収層の複素屈折率の虚部kabs
の値とレーザ光の反射率との関係を示すグラフである。 １……基板、２……光吸収層、３……光反射層、４……
保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石黒 隆 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−232832（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】透光性を有する基板上に直接または他の層
    を介して光吸収性の色素を含む光吸収層が設けられ、同
    光吸収層の上に直接または他の層を介して金属膜からな
    る光反射層が設けられた光情報記録媒体において、光吸
    収層の複素屈折率の実数部nabsと膜厚dabsと再生光の波
    長λとで与えられるρ＝nabsdabs／λが、0.6＜ρ＜1.6
    であり、且つ光吸収層の複素屈折率の虚部KabsがKabs＜
    0.2であることを特徴とする光情報記録媒体。
  2. 【請求項２】上記特許請求の範囲第１項において、光吸
    収層がシアニン色素である光情報記録媒体。
  3. 【請求項３】上記特許請求の範囲第２項において、光吸
    収層を形成するシアニン色素が、下記一般式で示される
    化合物である光情報記録媒体。 （但し、Ａ、Ａ′は、ベンゼン環若しくは置換ベンゼン
    環を形成するか、またはナフタレン環若しくは置換ナフ
    タレン環を形成する原子群であり、同種であっても異種
    であってもよい。 Ｂは、ペンタメチン（−CH＝CH−CH＝CH−CH＝）であ
    り、各水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコ
    キシ基、ジフェニルアミノ基等に置換されてもよく、ま
    た複数の炭素間にわたる置換または未置換の環状側鎖を
    有してもよい。 R1、R1′は、置換または非置換のアルキル基、アルコキ
    シ基、アルキルヒドロキシ基、アラルキル基、アルケニ
    ル基、アルキルカルボキシル基、アルキルスルホニル基
    またはアルカリ金属イオン若しくはアルキル基と結合し
    たアルキルカルボキシル基若しくはアルキルスルホニル
    基であり、同種でも異種でもよい。 X1 -は、ハロゲン原子、過塩素酸、硼弗化水素酸、ベン
    ゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、アルキルスルホ
    ン酸、ベンゼンカルボン酸、アルキルカルボン酸または
    トリフルオロメチルカルボン酸等の陰イオンを表わし、
    R1、R1′がアルカリ金属イオンを結合した基を有する場
    合にはX1 -は存在しなくてもよい。）
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