JPH0547044A - 追記型光デイスク - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プレーヤビリティの良い追記型光ディスク、
すなわち、１ビームからの値で３ビーム法のＴＥレベル
を見ることができ、１ビームで確実にＴＥがとれる追記
型光ディスクを提供する。 【構成】 トラッキンググルーブを備える光透過性基板
と、このトラッキンググルーブ形成面の上に光吸収層を
有し、該光吸収層の上に光反射層を有する追記型光ディ
スクにおいて、該追記型光ディスクは、ランド部の電位
をＩl ，グルーブ部の電位をＩｇ，鏡面部の電位をＩo
とした場合、ＲＭＩ値＝（Ｉl −Ｉｇ）／Ｉo で定義さ
れるＲＭＩ値が０．２２以上となるようにした。
すなわち、１ビームからの値で３ビーム法のＴＥレベル
を見ることができ、１ビームで確実にＴＥがとれる追記
型光ディスクを提供する。 【構成】 トラッキンググルーブを備える光透過性基板
と、このトラッキンググルーブ形成面の上に光吸収層を
有し、該光吸収層の上に光反射層を有する追記型光ディ
スクにおいて、該追記型光ディスクは、ランド部の電位
をＩl ，グルーブ部の電位をＩｇ，鏡面部の電位をＩo
とした場合、ＲＭＩ値＝（Ｉl −Ｉｇ）／Ｉo で定義さ
れるＲＭＩ値が０．２２以上となるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、書込み可能な追記型光
ディスクであって、いわゆる一般のＣＤプレーヤにより
再生される追記型光ディスクに関する。
ディスクであって、いわゆる一般のＣＤプレーヤにより
再生される追記型光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、書込み可能な追記型光ディスクで
あって、一般のＣＤプレーヤでそのまま再生できる追記
型光ディスクの開発が、いわゆるオレンジブック及びレ
ッドブックと称される規格を基準にして活発に行われて
いる。これらの基準の中で、上記追記型光ディスクのト
ラッキングエラー信号（以下、単にＴＥと称する）に関
する規定としては、１ビームのプッシュプル法によるデ
ータ規定しか存在しない。
あって、一般のＣＤプレーヤでそのまま再生できる追記
型光ディスクの開発が、いわゆるオレンジブック及びレ
ッドブックと称される規格を基準にして活発に行われて
いる。これらの基準の中で、上記追記型光ディスクのト
ラッキングエラー信号（以下、単にＴＥと称する）に関
する規定としては、１ビームのプッシュプル法によるデ
ータ規定しか存在しない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現在使
用されているＣＤプレーヤは、いわゆる３ビーム法や、
１ビームの時間差法によるＴＥ制御が主流である。従っ
て、プレーヤビリティの悪い光ディスクが存在する。す
なわち、同じディスクでありながらプッシュプル法によ
るＴＥはしっかりと出ているのに、３ビーム法によるＴ
Ｅはほとんどでないディスクが存在する。このような事
態は、ユーザー側に混乱を生ぜしめるのは必至であり、
かかる事態を回避するような積極的対処が望まれる。か
かる対処の方法として３ビーム法のＴＥを規定する方法
が考えられる。しかし、３ビーム法は、２つの副ビー
ムを結ぶ線とトラックとが交叉してなす角度θの仕様が
まちまちに設計されていること、ピックアップの移動
軌跡が精度良く描かれないと、上記角度θが移動時に変
化すること等の理由により３ビーム法のＴＥの特定はで
きない。
用されているＣＤプレーヤは、いわゆる３ビーム法や、
１ビームの時間差法によるＴＥ制御が主流である。従っ
て、プレーヤビリティの悪い光ディスクが存在する。す
なわち、同じディスクでありながらプッシュプル法によ
るＴＥはしっかりと出ているのに、３ビーム法によるＴ
Ｅはほとんどでないディスクが存在する。このような事
態は、ユーザー側に混乱を生ぜしめるのは必至であり、
かかる事態を回避するような積極的対処が望まれる。か
かる対処の方法として３ビーム法のＴＥを規定する方法
が考えられる。しかし、３ビーム法は、２つの副ビー
ムを結ぶ線とトラックとが交叉してなす角度θの仕様が
まちまちに設計されていること、ピックアップの移動
軌跡が精度良く描かれないと、上記角度θが移動時に変
化すること等の理由により３ビーム法のＴＥの特定はで
きない。
【０００４】このような実情のもと本発明は創案された
ものであって、その目的は、プレーヤビリティの良い追
記型光ディスク、すなわち、１ビームからの値で３ビー
ム法のＴＥレベルを見ることができ、１ビームで確実に
ＴＥがとれる追記型光ディスクを提供することにある。
ものであって、その目的は、プレーヤビリティの良い追
記型光ディスク、すなわち、１ビームからの値で３ビー
ム法のＴＥレベルを見ることができ、１ビームで確実に
ＴＥがとれる追記型光ディスクを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明は、トラッキンググルーブを備える光透
過性基板と、このトラッキンググルーブ形成面の上に光
吸収層を有し、該光吸収層の上に光反射層を有する追記
型光ディスクにおいて、該追記型光ディスクは、ランド
部の電位をＩl ，グルーブ部の電位をＩｇ，鏡面部の電
位をＩo とした場合、ＲＭＩ値＝（Ｉl−Ｉｇ）／Ｉo
で定義されるＲＭＩ値が０．２２以上となるようにし
た。
るために本発明は、トラッキンググルーブを備える光透
過性基板と、このトラッキンググルーブ形成面の上に光
吸収層を有し、該光吸収層の上に光反射層を有する追記
型光ディスクにおいて、該追記型光ディスクは、ランド
部の電位をＩl ，グルーブ部の電位をＩｇ，鏡面部の電
位をＩo とした場合、ＲＭＩ値＝（Ｉl−Ｉｇ）／Ｉo
で定義されるＲＭＩ値が０．２２以上となるようにし
た。
【０００６】
【作用】本発明の追記型光ディスクには、一般に回転下
において、記録光がパルス状に照射される。この時、光
吸収層の一部が融解、除去されるか、又は分解物が基板
中に拡散して記録部分になる。このように形成された記
録部分は、やはり媒体の回転下、読み出し光の反射光の
差を検出することによって行われる。
において、記録光がパルス状に照射される。この時、光
吸収層の一部が融解、除去されるか、又は分解物が基板
中に拡散して記録部分になる。このように形成された記
録部分は、やはり媒体の回転下、読み出し光の反射光の
差を検出することによって行われる。
【０００７】
【実施例】本発明の追記型光ディスクの構造を説明する
ための概略断面図が図１に示される。図１は、簡略化の
ためディスクの回転中心から左方のみを断面で示してい
る。
ための概略断面図が図１に示される。図１は、簡略化の
ためディスクの回転中心から左方のみを断面で示してい
る。
【０００８】本発明の追記型光ディスク１は、ディスク
形状の光透過性基板１１の上に光吸収層１２が設層さ
れ、この光吸収層１２の上に光反射層１３が設層され、
この光反射層１３の上に保護層１４が設層される。
形状の光透過性基板１１の上に光吸収層１２が設層さ
れ、この光吸収層１２の上に光反射層１３が設層され、
この光反射層１３の上に保護層１４が設層される。
【０００９】光透過性基板１１の片側平面には、図１に
示されるようにトラッキング用のプリグルーブ７０が、
同心円状にまたはスパイラル状に形成されている。この
ようなプリグルーブ７０を有する基板１１は、生産性向
上の観点から、いわゆる一体的に形成された射出成形樹
脂基板を用いることが好ましく、このものは、例えば、
ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メチ
ル樹脂（ＰＭＭＡ）等の透明材料から形成される。ま
た、一体的に形成された射出成形樹脂基板に限らず、い
わゆる２Ｐ（photo-polymer ）法で形成した基板であっ
てもよい。
示されるようにトラッキング用のプリグルーブ７０が、
同心円状にまたはスパイラル状に形成されている。この
ようなプリグルーブ７０を有する基板１１は、生産性向
上の観点から、いわゆる一体的に形成された射出成形樹
脂基板を用いることが好ましく、このものは、例えば、
ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メチ
ル樹脂（ＰＭＭＡ）等の透明材料から形成される。ま
た、一体的に形成された射出成形樹脂基板に限らず、い
わゆる２Ｐ（photo-polymer ）法で形成した基板であっ
てもよい。
【００１０】このような基板１１の厚さは１．０〜１．
５mm程度とされる。このような基板１１の上には、光吸
収層１２が成膜され、この光吸収層１２の中には、記録
組成物としてのシアニン系の色素が含有される。シアニ
ン系色素としては、例えば、下記一般式［Ｉ］で示され
るものが好適である。
５mm程度とされる。このような基板１１の上には、光吸
収層１２が成膜され、この光吸収層１２の中には、記録
組成物としてのシアニン系の色素が含有される。シアニ
ン系色素としては、例えば、下記一般式［Ｉ］で示され
るものが好適である。
【００１１】
【化１】 上記一般式［Ｉ］において、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ
炭素数１〜６のアルキル基、好ましくは１〜４のアルキ
ル基を表わす。Ｘ-はカウンターイオンを表わし、具体
的にはＣｌＯ4 - 、Ｉ- 、Ｂｒ- 等が挙げられる。ｎは
２または３、好ましくは２の整数を表わす。
炭素数１〜６のアルキル基、好ましくは１〜４のアルキ
ル基を表わす。Ｘ-はカウンターイオンを表わし、具体
的にはＣｌＯ4 - 、Ｉ- 、Ｂｒ- 等が挙げられる。ｎは
２または３、好ましくは２の整数を表わす。
【００１２】このようなシアニン系色素等を含有する光
吸収層１２は、例えば、スピンコート法等の常用手段に
より塗設される。塗設される光吸収層１２は、図１に示
されるように基板１１上の内周縁部および外周縁部を残
すように形成される。塗設される光吸収層１２の厚さ
は、３０〜９００ｎｍ、好ましくは、１００〜３００ｎ
ｍである。この値が３０ｎｍ未満となると、吸収が少な
くなるため、半導体レーザー波長域での感度が低下して
信号が記録出来なくなるという不都合が生じ、この値が
９００ｎｍを越えると。色素記録層が厚くなりすぎ、吸
収が増加しすぎる結果、反射率が低下するという不都合
が生じる。なお、塗布に用いる溶媒としては、公知の種
々のものが用いられ、例えば、ジアセトンアルコール、
エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、イソホロン、メ
タノール、テトラフルオロプロパノール等が挙げられ
る。
吸収層１２は、例えば、スピンコート法等の常用手段に
より塗設される。塗設される光吸収層１２は、図１に示
されるように基板１１上の内周縁部および外周縁部を残
すように形成される。塗設される光吸収層１２の厚さ
は、３０〜９００ｎｍ、好ましくは、１００〜３００ｎ
ｍである。この値が３０ｎｍ未満となると、吸収が少な
くなるため、半導体レーザー波長域での感度が低下して
信号が記録出来なくなるという不都合が生じ、この値が
９００ｎｍを越えると。色素記録層が厚くなりすぎ、吸
収が増加しすぎる結果、反射率が低下するという不都合
が生じる。なお、塗布に用いる溶媒としては、公知の種
々のものが用いられ、例えば、ジアセトンアルコール、
エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、イソホロン、メ
タノール、テトラフルオロプロパノール等が挙げられ
る。
【００１３】さらに、光吸収層１２の中には、シアニン
系色素の光劣化を防止するという観点から、クエンチャ
を含有させることが好ましい このような光吸収層１２の上には、光反射層１３が設け
られる。光反射層１３はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金
属から構成され、このものは真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等で成膜される。このような
光反射層１３は図１に示されるように前記光吸収層１２
の上面および端面を包み込むように形成される。端面を
も覆うように形成されるために、光反射層１３と基板１
１とが直接当接するリング状の鏡面部３１，３５が形成
される。光反射層１３の厚さは、０．０２〜２．０μｍ
程度とされる。
系色素の光劣化を防止するという観点から、クエンチャ
を含有させることが好ましい このような光吸収層１２の上には、光反射層１３が設け
られる。光反射層１３はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金
属から構成され、このものは真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等で成膜される。このような
光反射層１３は図１に示されるように前記光吸収層１２
の上面および端面を包み込むように形成される。端面を
も覆うように形成されるために、光反射層１３と基板１
１とが直接当接するリング状の鏡面部３１，３５が形成
される。光反射層１３の厚さは、０．０２〜２．０μｍ
程度とされる。
【００１４】このような構造を有する追記型光ディスク
は、前述したように基板１１にプリグルーブ７０が形成
されているために、プリググルーブ７０の有無によりい
わゆるグルーブ部４１とランド部５１とがそれぞれ存在
する。そして、本発明の追記型光ディスクは、ランド部
における電位をＩl （ランド部における反射光量を電位
に換算したもの），グルーブ部の電位をＩｇ（グルーブ
部における反射光量を電位に換算したもの），鏡面部の
電位をＩo （鏡面部における反射光量を電位に換算した
もの）とした場合、ＲＭＩ値＝（Ｉl −Ｉｇ）／Ｉo で
定義される値が０．２２以上、特に、０．２２〜０．５
０となるように設計される。このＲＭＩ値は、１ビーム
で測定されるが、３ビーム法のＴＥと数学的に相関があ
り（これについては後述する）、ＲＭＩ値が０．２２未
満になると、いわゆるプレーヤビリティが不安定になり
トラッキングエラー信号が確実に検出できないという不
都合が生じる。このＲＭＩ値をディスクの構成から規制
するパラメータとしては、グルーブ溝の深さ、グルーブ
溝の幅、グルーブ溝の形状、光吸収層の厚さ、光学定
数、光吸収層と光反射層との界面の形状、および基板の
材質等が挙げられる。このＲＭＩ値は、上述したように
３ビーム法のＴＥと数学的に相関があることが確認され
ており、それを立証する相関グラフが図２および図３に
示される。図２および図３は、それぞれ、ディスク半径
ｒ＝２５ｍｍおよびｒ＝５５ｍｍの位置におけるＲＭＩ
値と３ビーム法のＴＥ（単位：ボルト）との関係を示し
ており、各種仕様のディスクを２つの機種のＣＤプレー
ヤ（Ｎｏ．１およびＮｏ．２）を用いて測定している。
２つの機種のＣＤプレーヤの３ビームのθ値が異なるた
めに、２種の勾配ラインが存在する。なお、図４および
図５には、それぞれ、ディスク半径ｒ＝２５ｍｍおよび
ｒ＝５５ｍｍの位置におけるＲＭＩ値とプッシュプル法
のＴＥ（単位：ボルト）との関係を示しており、これら
のグラフは、ＲＭＩ値とプッシュプル法のＴＥ、ひいて
は３ビーム法のＴＥとプッシュプル法のＴＥとは数学的
に相関がないことを示唆している。
は、前述したように基板１１にプリグルーブ７０が形成
されているために、プリググルーブ７０の有無によりい
わゆるグルーブ部４１とランド部５１とがそれぞれ存在
する。そして、本発明の追記型光ディスクは、ランド部
における電位をＩl （ランド部における反射光量を電位
に換算したもの），グルーブ部の電位をＩｇ（グルーブ
部における反射光量を電位に換算したもの），鏡面部の
電位をＩo （鏡面部における反射光量を電位に換算した
もの）とした場合、ＲＭＩ値＝（Ｉl −Ｉｇ）／Ｉo で
定義される値が０．２２以上、特に、０．２２〜０．５
０となるように設計される。このＲＭＩ値は、１ビーム
で測定されるが、３ビーム法のＴＥと数学的に相関があ
り（これについては後述する）、ＲＭＩ値が０．２２未
満になると、いわゆるプレーヤビリティが不安定になり
トラッキングエラー信号が確実に検出できないという不
都合が生じる。このＲＭＩ値をディスクの構成から規制
するパラメータとしては、グルーブ溝の深さ、グルーブ
溝の幅、グルーブ溝の形状、光吸収層の厚さ、光学定
数、光吸収層と光反射層との界面の形状、および基板の
材質等が挙げられる。このＲＭＩ値は、上述したように
３ビーム法のＴＥと数学的に相関があることが確認され
ており、それを立証する相関グラフが図２および図３に
示される。図２および図３は、それぞれ、ディスク半径
ｒ＝２５ｍｍおよびｒ＝５５ｍｍの位置におけるＲＭＩ
値と３ビーム法のＴＥ（単位：ボルト）との関係を示し
ており、各種仕様のディスクを２つの機種のＣＤプレー
ヤ（Ｎｏ．１およびＮｏ．２）を用いて測定している。
２つの機種のＣＤプレーヤの３ビームのθ値が異なるた
めに、２種の勾配ラインが存在する。なお、図４および
図５には、それぞれ、ディスク半径ｒ＝２５ｍｍおよび
ｒ＝５５ｍｍの位置におけるＲＭＩ値とプッシュプル法
のＴＥ（単位：ボルト）との関係を示しており、これら
のグラフは、ＲＭＩ値とプッシュプル法のＴＥ、ひいて
は３ビーム法のＴＥとプッシュプル法のＴＥとは数学的
に相関がないことを示唆している。
【００１５】なお、図１に示されるように光反射層１３
の上には、通常、光吸収層１２と光反射層１３を保護す
るために保護層１４が設層される。保護層１４は、一般
に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートして塗設した後、
紫外線を照射し、塗膜を硬化させて形成する。その他、
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタ
ン樹脂等が保護層１４の材質として用いられる。このよ
うな保護層１４の厚さは、通常、０．１〜１００μｍ程
度である。また、前記基板１１と光吸収層１２との間に
は、基板１１を溶媒から保護するための中間層を設けて
も良い。光吸収層１２と光反射層１３の間には、光吸収
の効率を上げるための中間層を設けてもよい。
の上には、通常、光吸収層１２と光反射層１３を保護す
るために保護層１４が設層される。保護層１４は、一般
に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートして塗設した後、
紫外線を照射し、塗膜を硬化させて形成する。その他、
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタ
ン樹脂等が保護層１４の材質として用いられる。このよ
うな保護層１４の厚さは、通常、０．１〜１００μｍ程
度である。また、前記基板１１と光吸収層１２との間に
は、基板１１を溶媒から保護するための中間層を設けて
も良い。光吸収層１２と光反射層１３の間には、光吸収
の効率を上げるための中間層を設けてもよい。
【００１６】
【発明の効果】本発明の追記型光ディスクは、ランド部
の電位をＩl ，グルーブ部の電位をＩｇ，鏡面部の電位
をＩo とした場合、ＲＭＩ値＝（Ｉl −Ｉｇ）／Ｉo で
定義されるＲＭＩ値の概念を導入したので、１ビームか
らの測定値で３ビーム法のＴＥレベルを見ることがで
き、このＲＭＩ値を０．２２以上となるようにしたの
で、プレーヤビリティの良い追記型光ディスク、すなわ
ち、１ビームで確実にＴＥがとれる追記型光ディスクを
提供することができる。
の電位をＩl ，グルーブ部の電位をＩｇ，鏡面部の電位
をＩo とした場合、ＲＭＩ値＝（Ｉl −Ｉｇ）／Ｉo で
定義されるＲＭＩ値の概念を導入したので、１ビームか
らの測定値で３ビーム法のＴＥレベルを見ることがで
き、このＲＭＩ値を０．２２以上となるようにしたの
で、プレーヤビリティの良い追記型光ディスク、すなわ
ち、１ビームで確実にＴＥがとれる追記型光ディスクを
提供することができる。
【図１】本発明の追記型光ディスクの構造を説明するた
めの概略断面図である。
めの概略断面図である。
【図２】ディスク半径ｒ＝２５ｍｍの位置におけるＲＭ
Ｉ値と３ビーム法のＴＥとの関係を示すグラフである。
Ｉ値と３ビーム法のＴＥとの関係を示すグラフである。
【図３】ディスク半径ｒ＝５５ｍｍの位置におけるＲＭ
Ｉ値と３ビーム法のＴＥとの関係を示すグラフである。
Ｉ値と３ビーム法のＴＥとの関係を示すグラフである。
【図４】ディスク半径ｒ＝２５ｍｍの位置におけるＲＭ
Ｉ値とプッシュプル法のＴＥとの関係を示すグラフであ
る。
Ｉ値とプッシュプル法のＴＥとの関係を示すグラフであ
る。
【図５】ディスク半径ｒ＝５５ｍｍの位置におけるＲＭ
Ｉ値とプッシュプル法のＴＥとの関係を示すグラフであ
る。
Ｉ値とプッシュプル法のＴＥとの関係を示すグラフであ
る。
１１…基板 １２…光吸収層 １３…光反射層 １４…保護層 ３１，３５…鏡面部 ４１…グルーブ部 ５１…ランド部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 覚 埼玉県入間郡鶴ケ島町富士見６丁目１番１ 号 パイオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 柳沢 秀一 埼玉県入間郡鶴ケ島町富士見６丁目１番１ 号 パイオニア株式会社総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 トラッキンググルーブを備える光透過性
基板と、このトラッキンググルーブ形成面の上に光吸収
層を有し、該光吸収層の上に光反射層を有する追記型光
ディスクにおいて、 該追記型光ディスクは、ランド部の電位をＩl ，グルー
ブ部の電位をＩｇ，鏡面部の電位をＩo とした場合、下
記式［１］で定義されるＲＭＩ値が０．２２以上となる
ようにしたことを特徴とする追記型光ディスク。 式［１］ ＲＭＩ値＝（Ｉl −Ｉｇ）／Ｉo - 【請求項２】 前記ＲＭＩ値は、０．２２〜０．５０で
あることを特徴とする追記型光ディスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3202949A JPH0547044A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 追記型光デイスク |
| US07/862,312 US5204153A (en) | 1991-08-13 | 1992-04-02 | Write once read many type optical disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3202949A JPH0547044A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 追記型光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547044A true JPH0547044A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16465834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3202949A Pending JPH0547044A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 追記型光デイスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5204153A (ja) |
| JP (1) | JPH0547044A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827983B2 (ja) * | 1989-05-02 | 1996-03-21 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
| US5274623A (en) * | 1990-07-19 | 1993-12-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Information recording medium having high modulation degree |
| TW247960B (ja) * | 1992-11-16 | 1995-05-21 | Canon Kk | |
| US5714222A (en) * | 1995-01-23 | 1998-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and process for producing same |
| EP0932148A1 (en) * | 1998-01-26 | 1999-07-28 | Eastman Kodak Company | Recordable elements comprising a super-sensitive markable phase-change layer |
| US6319580B1 (en) * | 1998-06-16 | 2001-11-20 | Hitachi Maxell, Ltd. | Recording disk and producing method therefor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0143992A1 (en) * | 1983-11-02 | 1985-06-12 | Ricoh Company, Ltd | Optical information recording medium |
| US4839883A (en) * | 1986-06-30 | 1989-06-13 | Matsushita Electric Ind. Co., Ltd. | Optical information recording medium |
-
1991
- 1991-08-13 JP JP3202949A patent/JPH0547044A/ja active Pending
-
1992
- 1992-04-02 US US07/862,312 patent/US5204153A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5204153A (en) | 1993-04-20 |
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