JP2001071639A - 光情報記録媒体及び情報記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特に波長５５０ｎｍ以下の短波長レーザ光に
よって記録再生が可能であり、かつ優れた記録特性を有
する高感度な光情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板上にレーザ光の照射による情報の記
録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該
記録層が下記の一般式（Ｉ）で表される色素化合物を含
有することを特徴とする光情報記録媒体： 一般式（Ｉ）： Ｒ¹Ｒ²Ｃ＝ＣＲ³Φ [式中、Ｒ¹及びＲ²は、各々独立に、ハメットの置換基
定数σ_pが０．２〜０．９の範囲にある電子吸引性基を
表し、Ｒ³は水素原子または置換基を表し、Φは、ハメ
ットの置換基定数σ_pが−０．６〜０．０の範囲にある
電子供与性基のみを有するアリール基または芳香族ヘテ
ロ環基を表し、そしてＲ¹、Ｒ²、Ｒ³及びΦのうちの何
れか二つが互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子
と共に環を形成していてもよい]。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
情報の記録および再生が可能な光情報記録媒体および情
報記録方法に関するものである。特に本発明は、波長５
５０ｎｍ以下の短波長レーザ光を用いて情報を記録する
のに適したヒートモード型の光情報記録媒体に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、レーザ光により一回限りの情
報の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）が知ら
れている。この光ディスクは、追記型ＣＤ（所謂ＣＤ−
Ｒ）とも称され、その代表的な構造は、透明な円盤状基
板上に有機色素からなる記録層、金などの金属からなる
光反射層、さらに樹脂製の保護層がこの順に積層状態で
設けられている。そしてこのＣＤ−Ｒへの情報の記録
は、近赤外域のレーザ光（通常は７８０ｎｍ付近の波長
のレーザ光）をＣＤ−Ｒに照射することにより行われ、
記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇
し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生
成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報
が記録される。一方、情報の読み取り（再生）もまた記
録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光を照射することに
より行われ、記録層の光学的特性が変化した部位（記録
部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率の違
いを検出することにより情報が再生される。

【０００３】近年、記録密度のより高い光情報記録媒体
が求められている。このような要望に対して、追記型デ
ジタル・ビデオ・ディスク（所謂ＤＶＤ−Ｒ）と称され
る光ディスクが提案されている（例えば、「日経ニュー
メディア」別冊「ＤＶＤ」、１９９５年発行）。このＤ
ＶＤ−Ｒは、照射されるレーザ光のトラッキングのため
の案内溝（プレグルーブ）がＣＤ−Ｒに比べて半分以下
（０．７４〜０．８μｍ）と狭く形成された透明な円盤
状基板上に、色素からなる記録層、そして通常は該記録
層の上に光反射層、そして更に必要により保護層を設け
てなるディスクを二枚、あるいは該ディスクと同じ形状
の円盤状保護基板とを該記録層を内側にして接着剤で貼
り合わせた構造を有している。ＤＶＤ−Ｒへの情報の記
録再生は、可視レーザ光（通常は、６３０ｎｍ〜６８０
ｎｍの範囲の波長のレーザ光）を照射することにより行
われ、ＣＤ−Ｒより高密度の記録が可能であるとされて
いる。

【０００４】最近、インターネット等のネットワークや
ハイビジョンＴＶが急速に普及している。そのため、画
像情報を安価簡便に記録するための大容量の記録媒体の
要求が高まっている。ＤＶＤ−Ｒは、大容量の記録媒体
としての地位をある程度までは確保されるものの、将来
の要求に対応できる程の充分大きな記録容量を有してい
るとは言えない。そこで、ＤＶＤ−Ｒよりも更に短波長
のレーザ光を用いることによって記録密度を向上させ、
より大きな記録容量を備えた光ディスクの開発が進めら
れている。例えば特開平１１−５３７５８号公報には、
有機色素を含む記録層、及び銀又はその合金から形成さ
れた光反射層が設けられた構成の光情報記録媒体におい
て、記録層側から光反射層側に向けて波長５３０ｎｍ以
下のレーザ光を照射することにより、情報の記録再生を
行う記録再生方法が開示されている。具体的には、記録
層の色素として、金属アゾ系色素、キノフタロン系色素
またはトリメチンシアニン色素を用いた光ディスクに、
青色（波長４１０ｎｍ）又は青緑色（波長５１５ｎｍ）
の半導体レーザ光を照射することにより情報の記録再生
を行う情報記録再生方法が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討では、
上記特開平１１−５３７５８号公報に記載の光ディスク
は、実用上感度、そして反射率や変調度などの記録特性
においては尚充分でないことから更に改良を要すること
が判明した。本発明の課題は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒよ
りも更に短波長のレーザ光、特に波長５５０ｎｍ以下の
レーザ光によって記録再生が可能であり、かつ優れた記
録特性を有する光情報記録媒体を提供することである。
また、本発明の課題は、短波長レーザ光に対して高い感
度を示す特定の色素化合物を含む記録層を設けた光情報
記録媒体を用いることにより、高密度の情報の記録が可
能な情報記録方法を提供することでもある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者の研究により、
前記一般式（Ｉ）で表される色素化合物（珪皮酸色素）
を記録層の記録材料として用いることで、波長が５５０
ｎｍ以下の短波長のレーザ光に対しても高い感度を示
し、かつ高い反射率、そして高い変調度を与える良好な
記録再生特性を備えた光情報記録媒体を製造できること
が見出された。

【０００７】本発明は、基板上にレーザ光の照射による
情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であ
って、該記録層が下記の一般式（Ｉ）で表される色素化
合物を含有することを特徴とする光情報記録媒体： 一般式（Ｉ）：

【０００８】

【化４】Ｒ¹Ｒ²Ｃ＝ＣＲ³Φ

【０００９】[式中、Ｒ¹及びＲ²は、各々独立に、ハメ
ットの置換基定数σ_pが０．２〜０．９の範囲にある電
子吸引性基を表し、Ｒ³は水素原子または置換基を表
し、Φは、ハメットの置換基定数σ_pが−０．６〜０．
０の範囲にある電子供与性基のみを有するアリール基ま
たは芳香族ヘテロ環基を表し（但し、電子供与性基を二
以上有する場合には、これらの電子供与性基が互いに結
合して環を形成していてもよい）、そしてＲ¹、Ｒ²、Ｒ
³及びΦのうちの何れか二つが互いに結合してそれぞれ
が結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい]に
ある。

【００１０】本発明の色素化合物において、Ｒ¹、Ｒ²、
Ｒ³及びΦのうちの何れか二つが互いに結合してそれぞ
れが結合する炭素原子と共に環を形成する場合、又はΦ
上の複数の置換基（電子供与性基）が環を形成する場合
のハメットの置換基定数σ_pは、環を構成する置換基の
端（置換基部分として一番遠いところ）で切断して、水
素原子を付加した残基のσ_p値を意味する。ハメットの
置換基定数σ_pの算出方法を以下の例を用いて示す。 （１）Ｒ¹とＲ²が環を形成する場合（後述する例示化合
物のI-9、I-10、I-12、I-13、I-14、I-15、I-16、I-1
7、I-19が該当する) Ｒ¹の置換基定数は、Ｈ−Ｒ²−Ｒ¹−基のσ_p値を意味
し、Ｒ²の置換基定数は、Ｈ−Ｒ¹−Ｒ²−基のσ_p値を意
味する。 （２）Ｒ¹とΦが環を形成する場合（後述する例示化合
物のI-27が該当する) Ｒ¹の置換基定数は、Φと結合するところで切断し、−
Ｒ¹−Ｈのσ_p値を意味し、Φの置換基定数は、Ｈ−Ｒ¹
−のσ_pを意味する。上記の例の場合、両者は、向きが
違うため、σ_p値はそれぞれ異なる。

【００１１】また本発明は、上記光情報記録媒体に波長
５５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報を記録する情
報記録方法にもある。

【００１２】本発明の光情報記録媒体は、以下の態様で
あることが好ましい。 （１）一般式（Ｉ）のＲ¹およびＲ²で表されるハメット
の置換基定数σ_pが、０．２〜０．９の範囲にある電子
吸引性基が、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アルコキ
シカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバ
モイル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル
基、アルコキシスルホニル基、スルファモイル基、アル
キルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、スルフ
ィノ基、ハロゲン原子、アルキニル基、ジアシルアミノ
基、ホスホノ基、カルボキシル基、又はヘテロ環基であ
る光情報記録媒体。 （２）一般式（Ｉ）のΦの置換基のハメットの置換基定
数σ_pが、−０．６〜０．０の範囲にある電子供与性基
が、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アリール
オキシ基、アルコキシ基、アリールアミノ基、モノアル
キルアミノ基、ヒドロキシル基、トリアルキルシリル
基、トリアルキルシリルオキシ基、アシルアミノ基、ウ
レイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、１−イミダ
ゾリル基、１−アジリジニル基、フェロセニル基、又は
３−チエニル基である光情報記録媒体。 （３）一般式（Ｉ）で表される色素化合物において、Ｒ
³が水素原子である光情報記録媒体。 （４）一般式（Ｉ）で表される色素化合物において、Φ
は、ハメットの置換基定数σ_pが−０．６〜０．０の範
囲にある電子供与性基のみを有するフェニル基を表す光
情報記録媒体。

【００１３】（５）色素化合物が、Ｒ¹およびＲ²のうち
の一方がシアノ基であり、Ｒ³が水素原子であり、そし
てΦは、ハメットの置換基定数σ_pが−０．６〜０．０
の範囲にある電子供与性基のみを有するフェニル基で表
される（但し、電子供与性基を二以上有する場合には、
これらの電子供与性基が互いに結合して環を形成してい
てもよい）光情報記録媒体。 （６）色素化合物が、下記の一般式（Ｉ−Ｂ）で表され
る光情報記録媒体：一般式（Ｉ−Ｂ）：

【００１４】

【化５】

【００１５】[式中、Ｚ¹は、置換基を有していてもよい
５員乃至６員の炭素環又は複素環を形成するために必要
な原子群を表し、そしてΦは、ハメットの置換基定数σ
_pが−０．６〜０．０の範囲にある電子供与性基のみを
有するフェニル基を表す（但し、電子供与性基を二以上
有する場合には、これらの電子供与性基が互いに結合し
て環を形成していてもよい）]。 （７）色素化合物が、下記の一般式（Ｉ−Ｃ）で表され
る光情報記録媒体：一般式（Ｉ−Ｃ）：

【００１６】

【化６】

【００１７】[式中、Ｚ²は、置換基を有していてもよい
５員乃至６員の炭素環又は複素環を形成するために必要
な原子群を表し、Ｚ³は、Φと炭素原子と共に５員乃至
６員の炭素環又は複素環を形成するために必要な原子群
を表し、そしてΦは、ハメットの置換基定数σ_pが−
０．６〜０．０の範囲にある電子供与性基のみを有する
フェニル基を表す（但し、電子供与性基を二以上有する
場合には、これらの電子供与性基が互いに結合して環を
形成していてもよい）]。

【００１８】（８）基板が、その表面に０．３〜０．８
μｍのトラックピッチのプレグルーブが形成された透明
な円盤状基板であり、記録層が該プレグルーブが形成さ
れた側の表面に設けられている光情報記録媒体。 （９）記録層上に更に金属からなる光反射層が設けられ
ている光情報記録媒体。 （１０）記録層上方に更に保護層が設けられている光情
報記録媒体。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の光情報記録媒体は、記録
層が一般式（Ｉ）で表される色素化合物を含有すること
を特徴とする。 一般式（Ｉ）：

【００２０】

【化７】Ｒ¹Ｒ²Ｃ＝ＣＲ³Φ

【００２１】上記一般式（Ｉ）において、Ｒ¹およびＲ²
は、各々独立に、ハメットの置換基定数σ_pが、０．２
〜０．９の範囲にある電子吸引性基を表す。Ｒ³は、水
素原子または置換基を表す。Φはハメットの置換基定数
σ_pが、−０．６〜０．０の範囲にある電子供与性基の
みを有するアリール基または芳香族ヘテロ環基を表す。
Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びΦのうちの何れか二つが互いに結合
してそれぞれが結合する炭素原子と共に環を形成してい
てもよい。

【００２２】一般式（Ｉ）において、Ｒ¹およびＲ²で表
される電子吸引性基のハメットの置換基定数σ_pは、
０．３０〜０．８５の範囲にあることが好ましく、更に
好ましくは、０．３５〜０．８０の範囲にある。ハメッ
トの置換基定数σ_pは、例えばＣｈｅｍ．Ｒｅｖ．９
１，１６５（１９９１）に記載されている。Ｒ¹および
Ｒ²で表される該電子吸引性基の例としては、シアノ
基、ニトロ基、炭素原子数１乃至１０のアシル基（例、
アセチル、プロピオニル、ブチリル、ピバロイル、ベン
ゾイル）、炭素原子数２乃至１０のアルコキシカルボニ
ル基（例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、
プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル）、炭素原
子数７乃至１１のアリールオキシカルボニル基（例、フ
ェノキシカルボニル）、炭素原子数１乃至１０のカルバ
モイル基（例、メチルカルバモイル、エチルカルバモイ
ル、フェニルカルバモイル、ジメチルカルバモイル）、
炭素原子数１乃至１０のアルキルスルホニル基（例、メ
タンスルホニル）、炭素原子数６乃至１０のアリールス
ルホニル基（例、ベンゼンスルホニル）、炭素原子数１
乃至１０のアルコキシスルホニル基（例、メトキシスル
ホニル）、炭素原子数１乃至１０のスルファモイル基
（例、エチルスルファモイル、フェニルスルファモイ
ル）、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルフィニル基
（例、メタンスルフィニル、エタンスルフィニル）、炭
素原子数６乃至１０のアリールスルフィニル基（例、ベ
ンゼンスルフィニル）、スルフィノ基、ハロゲン原子、
炭素原子数２乃至１０のアルキニル基（例、エチニ
ル）、炭素原子数２乃至１０のジアシルアミノ基（例、
ジアセチルアミノ）、ホスホノ基、カルボキシル基、５
乃至６員のヘテロ環基（例えば、２−ベンゾチアゾリ
ル、２−ベンゾオキサゾリル、３−ピリジル、５−（１
Ｈ）−テトラゾリル、４−ピリミジル）を挙げることが
できる。

【００２３】上記Ｒ¹およびＲ²で表される電子吸引性基
の好ましい例としては、シアノ基、ニトロ基、アシル基
（特に、アセチル、ピバロイル、ベンゾイル）、アルコ
キシカルボニル基（特に、エトキシカルボニル、ブトキ
シカルボニル）、カルバモイル基（特に、ジメチルカル
バモイル、フェニルカルバモイル）、アルキルスルホニ
ル基（特に、メタンスルホニル）、アリールスルホニル
基（特に、ベンゼンスルホニル）、スルファモイル基
（特に、フェニルスルファモイル）、アルキルスルフィ
ニル基（特に、メタンスルフィニル）、５乃至６員のヘ
テロ環基（特に、５−（１Ｈ）−テトラゾリル）を挙げ
ることができる。

【００２４】一般式（Ｉ）においてＲ³で表される置換
基としては、例えば炭素原子数１〜２０の鎖状または環
状のアルキル基（例えば、メチル、エチル、イソプロピ
ル、シクロヘキシル）、炭素原子数６〜１８の置換また
は無置換のアリール基（例えば、フェニル、クロロフェ
ニル、２，４−ジ−ｔ−アミルフェニル、１−ナフチ
ル）、炭素原子数７〜１８の置換または無置換のアラル
キル基（例えば、ベンジル、アニシル）、炭素原子数２
〜２０のアルケニル基（例えば、ビニル、２−メチルビ
ニル）、炭素原子数２〜２０のアルキニル基（例えば、
エチニル、２−メチルエチニル、２−フェニルエチニ
ル）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素原子
数２〜２０のアシル基（例えば、アセチル、ベンゾイ
ル、サリチロイル、ピバロイル）、炭素原子数１〜２０
のアルコキシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロ
ヘキシルオキシ）、炭素原子数６〜２０のアリールオキ
シ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ、トルオイ
ル）、炭素原子数１〜２０のアルキルチオ基（例えば、
メチルチオ、ブチルチオ、ベンジルチオ、３−メトキシ
プロピルチオ）、炭素原子数６〜２０のアリールチオ基
（例えば、フェニルチオ、４−クロロフェニルチオ）、
炭素原子数１〜２０のアルキルスルホニル基（例えば、
メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、炭素原子数６
〜２０のアリールスルホニル基（例えば、ベンゼンスル
ホニル、パラトルエンスルホニル）、炭素原子数１〜１
０のカルバモイル基（例えば、無置換のカルバモイル、
メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ｎ−ブチル
カルバモイル、ジメチルカルバモイル）、炭素原子数１
〜１０のアミド基（例えば、アセトアミド、ベンズアミ
ド）、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基（例えば、
アセトキシ、ベンゾイルオキシ）、炭素原子数２〜１０
のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル）、５乃至６員のヘテロ環基
（例えば、ピリジル、チエニル、フリル、チアゾリル、
イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ環、ピロ
リジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラン環、チ
オピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環などのヘテロ
環）を挙げることができる。

【００２５】上記Ｒ³としては、水素原子、炭素原子数
１〜６のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基
又は炭素原子数７〜１０のアラルキル基が好ましく、更
に好ましくは、水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル
基またはフェニルであり、特に好ましくは、水素原子で
ある。

【００２６】一般式（Ｉ）においてΦで表されるアリー
ル基として好ましいものは、炭素原子数６〜１８のアリ
ール基（例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチ
ル、１−アントラセニル）であり、更に好ましくはフェ
ニル、１−ナフチルまたは２−ナフチルであり、特にフ
ェニルが好ましい。

【００２７】一般式（Ｉ）においてΦで表される芳香族
ヘテロ環基として好ましいものは、炭素原子数４〜９の
芳香族ヘテロ環であり、含有されるヘテロ原子としては
窒素原子、酸素原子、硫黄原子が好ましく、特に含窒素
芳香族ヘテロ環基が好ましく、例えば２−ピリジル、３
−ピリジル、２−ピラジル、２−イミダゾリル、２−ピ
ロリル、２−フリル、２−チオフェニル、３−インドリ
ル、４−キノリニル、２−イソキノリニルを挙げること
ができる。

【００２８】一般式（Ｉ）においてΦとして最も好まし
いものはフェニルである。

【００２９】一般式（Ｉ）においてＲ¹、Ｒ²、およびＲ
³は置換基を有していてもよく、置換基としては一般式
（Ｉ）のＲ³の例として述べたものを挙げることができ
る。

【００３０】一般式（Ｉ）において、Φの置換基として
許容されるものは、ハメットの置換基定数σ_pが−０．
６〜０．０の範囲にある電子供与性基であり、更に好ま
しくはハメットの置換基定数σ_pが−０．５５〜０．０
の範囲にある電子供与性基であり、特に好ましくは、−
０．５〜−０．１の範囲にある電子供与性基である。Φ
の置換基となる電子供与性基の具体例としては、炭素原
子数１乃至１０アルキル基（例、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ
−ブチル、ｔ−ブチル、シクロヘキシル）、炭素原子数
２乃至１０のアルケニル基（例、ビニル）、炭素原子数
６乃至１０のアリール基（例、フェニル）、炭素原子数
６乃至１０のアリールオキシ基（例、フェニルオキ
シ）、炭素原子数１乃至１０のアルコキシ基（例、メト
キシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキ
シ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、
シクロヘキシルオキシ、２−ヒドロキシエトキシ、カル
ボキシメトキシ、メトキシエトキシ）、炭素原子数６乃
至１０のアリールアミノ基（例、アニリノ、Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−エチルアミノ、１−インドリニル）、炭素原子
数１乃至１０のモノアルキルアミノ基（例、メチルアミ
ノ、エチルアミノ）、ヒドロキシル基、炭素原子数３乃
至１０のトリアルキルシリル基、炭素原子数３乃至１０
のトリアルキルシリルオキシ基、炭素原子数１乃至１０
のアシルアミノ基（例、アセトアミノ）、炭素原子数１
乃至１０のウレイド基（例、ジエチルウレイド、フェニ
ルウレイド）、炭素原子数２乃至１０のアルコキシカル
ボニルアミノ基（例、イソブトキシカルボニルアミ
ノ）、１−イミダゾリル基、１−アジリジニル基、フェ
ロセニル基、および３−チエニル基を挙げることができ
る。

【００３１】Φの置換基となる電子供与性基の好ましい
例としては、アルキル基（特に、メチル、エチル、ｎ−
ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル）、アリール基（特
に、フェニル）、アリールオキシ基（特に、フェニルオ
キシ）、アルコキシ基（特に、メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、シクロヘキシルオ
キシ、２−ヒドロキシエトキシ、カルボキシメトキ
シ）、アリールアミノ基（特に、アニリノ）、ヒドロキ
シル基、ウレイド基（特に、ジエチルウレイド）、及び
アルコキシカルボニルアミノ基（特に、イソブトキシカ
ルボニルアミノ）を挙げることができる。

【００３２】Φがフェニル基の場合、上記の置換基は、
フェニル基のオルト位あるいはパラ位に結合しているこ
とが好ましく、特にパラ位に結合している場合が好まし
い。Φが二以上の置換基を有する場合、これらの置換基
は、互いに結合して環を形成していてもよい。形成され
る環としては、例えば、ジオキソラン環を挙げることが
できる。

【００３３】Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びΦのうちの何れか二つ
が互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子と共に形
成される環としては、例えば、下記の式で表されるもの
を挙げることができる。下記の式において、Ｒａ、及び
Ｒｂは、それぞれ置換基を表し、置換基としては、例え
ば、前記Ｒ³の置換基として挙げた例と同じものを挙げ
ることができる。これらの環は、化合物中に二以上形成
されていてもよい。

【００３４】

【化８】

【００３５】本発明で用いる色素化合物は、下記の（Ｉ
−Ａ）、（Ｉ−Ｂ）、及び（Ｉ−Ｃ）で表される色素化
合物であることが好ましい。 （１）（Ｉ−Ａ）で表される色素化合物 Ｒ¹およびＲ²のうちの一方がシアノ基であり、Ｒ³が水
素原子であり、そしてΦは、ハメットの置換基定数σ_p
が−０．６〜０．０の範囲にある電子供与性基のみを有
するフェニル基で表される色素化合物である（但し、電
子供与性基を二以上有する場合には、これらの電子供与
性基が互いに結合して環を形成していてもよい）

【００３６】Ｒ¹およびＲ²のうちの一方がシアノ基であ
る場合、他方の置換基は、前述したＲ¹およびＲ²で表さ
れる電子吸引性基の好ましい例の中から選ぶことができ
るが、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、
カルバモイル基、又は５乃至６員のヘテロ環基である場
合が更に好ましく、特に好ましくは、シアノ基である。
フェニル基の置換基である電子供与性基の好ましい例と
しては、アルコキシ基、及びアリールアミノ基を挙げる
ことができる。フェニル基が二以上の置換基を有する場
合、これらの置換基は、互いに結合して環を形成する場
合も好ましく、形成される環としては、前記ジオキソラ
ン環を挙げることができる。

【００３７】（２）（Ｉ−Ｂ）で表される色素化合物 一般式（Ｉ−Ｂ）：

【００３８】

【化９】

【００３９】一般式（Ｉ−Ｂ）において、Ｚ¹は、置換
基を有していてもよい５員乃至６員の炭素環又は複素環
を形成するために必要な原子群を表す。Φは、ハメット
の置換基定数σ_pが−０．６〜０．０の範囲にある電子
供与性基のみを有するフェニル基を表す（但し、電子供
与性基を二以上有する場合には、これらの電子供与性基
が互いに結合して環を形成していてもよい）。

【００４０】Ｚ¹を含む５員乃至６員の炭素環又は複素
環としては、例えば、前記Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びΦのうち
の何れか二つが互いに結合して環を形成する場合の例と
同じものを挙げることができる。特に好ましくは、前記
Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−６、Ａ−７、Ａ−８、及
びＡ−９の式で示される環を挙げることができる。

【００４１】上記の環の置換基の例としては、前記Ｒ³
で表される置換基の例を挙げることができる。特に好ま
しいものとしては、アルキル基（例、メチル）、及びア
リール基（例、フェニル）を挙げることができる。フェ
ニル基の置換基である電子供与性基の好ましい例として
は、アルコキシ基、アリールアミノ基、アシルアミノ
基、アルコキシカルボニルアミノ基及び複素環基を挙げ
ることができる。フェニル基が二以上の置換基を有する
場合、これらの置換基は、互いに結合して環を形成する
場合も好ましく、形成される環としては、前記ジオキソ
ラン環を挙げることができる。

【００４２】（３）（Ｉ−Ｃ）で表される色素化合物 一般式（Ｉ−Ｃ）：

【００４３】

【化１０】

【００４４】一般式（Ｉ−Ｃ）において、Ｚ²は、置換
基を有していてもよい５員乃至６員の炭素環又は複素環
を形成するために必要な原子群を表す。Ｚ³は、炭素原
子とΦと共に５員乃至６員の炭素環又は複素環を形成す
るために必要な原子群を表す。そしてΦは、ハメットの
置換基定数σ_pが−０．６〜０．０の範囲にある電子供
与性基のみを有するフェニル基を表す（但し、電子供与
性基を二以上有する場合には、これらの電子供与性基が
互いに結合して環を形成していてもよい）。

【００４５】Ｚ²を含む５員乃至６員の炭素環又は複素
環としては、例えば、前記Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びΦのうち
の何れか二つが互いに結合して環を形成する場合の例と
同じものを挙げることができる。好ましくは、前記Ａ−
４の式で示される環を挙げることができる。Ｚ³を含む
５員乃至６員の炭素環としては、シクロヘキサン環が好
ましい。フェニル基の置換基である電子供与性基の好ま
しい例としては、アルコキシ基を挙げることができる。

【００４６】一般式（Ｉ）で表される化合物は、任意の
位置で結合して多量体を形成していてもよく、この場合
の各単位は互いに同一でも異なっていてもよく、またポ
リスチレン、ポリメタクリレート、ポリビニルアルコー
ル、セルロース等のポリマー鎖に結合していてもよい。

【００４７】以下に、一般式（Ｉ）で表される色素化合
物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定
されるものではない。

【００４８】

【化１１】

【００４９】

【化１２】

【００５０】

【化１３】

【００５１】

【化１４】

【００５２】

【化１５】

【００５３】

【化１６】

【００５４】本発明に用いられる一般式（Ｉ）で表され
る色素化合物は、例えば、特公昭３９−１１９５６号、
同５６−２１１４１号、及び同６１−２６０５５号の各
公報、そして米国特許第３７０７３７５号明細書に記載
の方法、もしくはこれらに類似の方法により合成するこ
とができる。次に本発明に用いられる一般式（Ｉ）で表
される化合物の合成法を述べる。 ［化合物（Ｉ−１）の合成］下記の反応スキームに従っ
て本発明の例示化合物（Ｉ−１）を合成した。

【００５５】

【化１７】

【００５６】化合物（ａ）１１．９ｇ、化合物（ｂ）
７．５０ｇおよび酢酸アンモニウム０．３ｇをメタノー
ル１００ｍＬ中に分散し、２時間加熱還流した。アセト
ニトリル５０ｍＬおよびピペリジン１ｍＬを添加し、更
に２時間加熱還流した。放冷後、反応混合物を水中へ注
入し、析出した固体を濾取した。エタノールから再結晶
することにより、目的の化合物（Ｉ−１）８．５０ｇを
黄色結晶として得た（融点１７３〜１７５℃）。他の化
合物も同様の方法によって容易に合成することができ
る。

【００５７】本発明の光情報記録媒体は、基板上に前記
一般式（Ｉ）で表される色素化合物を含有する記録層を
有する。本発明の光情報記録媒体には、種々の構成のも
のが含まれる。本発明の光情報記録媒体は、一定のトラ
ックピッチのプレグルーブが形成された円盤状基板上に
記録層、光反射層および保護層をこの順に有する構成、
あるいは該基板上に光反射層、記録層および保護層をこ
の順に有する構成であることが好ましい。また、一定の
トラックピッチのプレグルーブが形成された透明な円盤
状基板上に記録層及び光反射層が設けられてなる二枚の
積層体が、それぞれの記録層が内側となるように接合さ
れた構成のものも好ましい。

【００５８】本発明の光情報記録媒体においては、より
高い記録密度を達成するためにＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに
比べて、より狭いトラックピッチのプレグループが形成
された基板を用いることが可能である。本発明の光情報
記録媒体の場合、該トラックピッチは０．３〜０．８μ
ｍの範囲にあることが好ましく、更に０．４〜０．６μ
ｍの範囲にあることが好ましい。

【００５９】本発明の光情報記録媒体として、円盤状基
板上に記録層、光反射層および保護層をこの順に有する
構成のものを例にとって以下にその製造方法を説明す
る。本発明の光情報記録媒体の基板は、従来の光情報記
録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意
に選択することができる。基板材料としては、例えばガ
ラス、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等
のアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体
等の塩化ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポ
リオレフィンおよびポリエステルなどを挙げることがで
き、所望によりそれらを併用してもよい。なお、これら
の材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板として
使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸法安
定性および価格などの点からポリカーボネートが好まし
い。

【００６０】記録層が設けられる側の基板表面には、平
面性の改善、接着力の向上および記録層の変質防止の目
的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料として
は例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メ
タクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合
体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルア
ミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスル
ホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニ
ル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミ
ド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸
ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
カーボネート等の高分子物質；およびシランカップリン
グ剤などの表面改質剤を挙げることができる。下塗層
は、上記物質を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液
を調製したのち、この塗布液をスピンコート、ディップ
コート、エクストルージョンコートなどの塗布法により
基板表面に塗布することにより形成することができる。
下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあ
り、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。

【００６１】記録層の形成は、前記色素化合物、更に所
望によりクエンチャー、結合剤などを溶剤に溶解して塗
布液を調製し、次いでこの塗布液を基板表面に塗布して
塗膜を形成したのち乾燥することにより行うことができ
る。塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、セロソルブア
セテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジ
クロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム
などの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのア
ミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフ
ラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エ
タノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−
ブタノールジアセトンアルコールなどのアルコール；
２，２，３，３−テトラフロロプロパノールなどのフッ
素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類
などを挙げることができる。上記溶剤は使用する色素の
溶解性を考慮して単独または二種以上併用することがで
きる。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可
塑剤、あるいは潤滑剤など各種の添加剤を目的に応じて
添加してもよい。

【００６２】結合剤を使用する場合に、結合剤の例とし
ては、例えば、ゼラチン、セルロース誘導体、デキスト
ラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；および
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイ
ソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重
合体等のビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメ
タクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリビニルアルコ
ール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール
樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂
等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの合成有機高分子を
挙げることができる。記録層の材料として結合剤を併用
する場合に、結合剤の使用量は、一般に色素に対して
０．０１倍量〜５０倍量（重量比）の範囲にあり、好ま
しくは０．１倍量〜５倍量（重量比）の範囲にある。こ
のようにして調製される塗布液の色素の濃度は、一般に
０．０１〜１０重量％の範囲にあり、好ましくは０．１
〜５重量％の範囲にある。

【００６３】塗布方法としては、スプレー法、スピンコ
ート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート
法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げる
ことができる。記録層は単層でも重層でもよい。記録層
の層厚は一般に２０〜５００ｎｍの範囲にあり、好まし
くは５０〜３００ｎｍの範囲にある。

【００６４】記録層には、記録層の耐光性を向上させる
ために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。
褪色防止剤としては、一般的に一重項酸素クエンチャー
が用いられる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に
公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用するこ
とができる。その具体例としては、特開昭５８−１７５
６９３号、同５９−８１１９４号、同６０−１８３８７
号、同６０−１９５８６号、同６０−１９５８７号、同
６０−３５０５４号、同６０−３６１９０号、同６０−
３６１９１号、同６０−４４５５４号、同６０−４４５
５５号、同６０−４４３８９号、同６０−４４３９０
号、同６０−５４８９２号、同６０−４７０６９号、同
６３−２０９９９５号、特開平４−２５４９２号、特公
平１−３８６８０号、及び同６−２６０２８号等の各公
報、ドイツ特許３５０３９９号明細書、そして日本化学
会誌１９９２年１０月号第１１４１頁などに記載のもの
を挙げることができる。好ましい一重項酸素クエンチャ
ーの例としては、下記の一般式（II）で表される化合物
を挙げることができる。 一般式(II)：

【００６５】

【化１８】

【００６６】（但し、Ｒ²¹は置換基を有していてもよい
アルキル基を表わし、そしてＱ^-はアニオンを表わ
す。） 一般式(II)において、Ｒ²¹は置換されていてもよい炭素
数１〜８のアルキル基が一般的であり、無置換の炭素数
１〜６のアルキル基が好ましい。アルキル基の置換基と
しては、ハロゲン原子（例、Ｆ，Ｃｌ）、アルコキシ基
（例、メトキシ、エトキシ）、アルキルチオ基（例、メ
チルチオ、エチルチオ）、アシル基（例、アセチル、プ
ロピオニル）、アシルオキシ基（例、アセトキシ、プロ
ピオニルオキシ）、ヒドロキシ基、アルコキシカルボニ
ル基（例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル）、アルケニル基（例、ビニル）、アリール基（例、
フェニル、ナフチル）を挙げることができる。これらの
中で、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、
アルコキシカルボニル基が好ましい。Ｑ^-のアニオンの
好ましい例としては、ＣｌＯ₄ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＢＦ₄ ^-、及
びＳｂＦ₆ ^-を挙げることができる。一般式(II)で表され
る化合物例を表１に記載する。

【００６７】

【表１】 表１ ──────────────────────── 化合物番号 Ｒ⁴¹ Ｑ^- ──────────────────────── II−１ ＣＨ₃ ＣｌＯ₄ ^- II−２ Ｃ₂Ｈ₅ ＣｌＯ₄ ^- II−３ n-Ｃ₃Ｈ₇ ＣｌＯ₄ ^- II−４ n-Ｃ₄Ｈ₉ ＣｌＯ₄ ^- II−５ n-Ｃ₅Ｈ₁₁ ＣｌＯ₄ ^- II−６ n-Ｃ₄Ｈ₉ ＳｂＦ₆ ^- II−７ n-Ｃ₄Ｈ₉ ＢＦ₄ ^- II−８ n-Ｃ₄Ｈ₉ ＡｓＦ₆ ^- ────────────────────────

【００６８】前記一重項酸素クエンチャーなどの褪色防
止剤の使用量は、色素の量に対して、通常０．１〜５０
重量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５重量％
の範囲、更に好ましくは、３〜４０重量％の範囲、特に
好ましくは５〜２５重量％の範囲である。

【００６９】記録層の上には、情報の再生時における反
射率の向上の目的で光反射層を設けることが好ましい。
光反射層の材料である光反射性物質はレーザーに対する
反射率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓ
ｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓ
ｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属あるいはステンレス鋼を
挙げることができる。これらの物質は単独で用いてもよ
いし、あるいは二種以上の組合せで、または合金として
用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、
Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼
である。特に好ましくは、Ａｕ金属、Ａｇ金属、あるい
はこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｇ金属、あ
るいはＡｇ合金である。好ましいＡｕ又はＡｇ合金とし
ては、それぞれＰｔ、Ｃｕ、及びＡｌからなる群より選
ばれる少なくとも一種の金属を含む合金を挙げることが
できる。光反射層は、例えば、上記光反射性物質を蒸
着、スパッタリングまたはイオンプレーティングするこ
とにより記録層の上に形成することができる。光反射層
の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲にあり、
５０〜２００ｎｍの範囲にあることが好ましい。

【００７０】光反射層の上には、記録層や光反射層を物
理的および化学的に保護する目的で保護層を設けること
が好ましい。なお、ＤＶＤ−Ｒ型の光情報記録媒体の製
造の場合と同様の形態、すなわち二枚の基板を記録層を
内側にして張り合わせる構成をとる場合は、必ずしも保
護層の付設は必要ではない。保護層に用いられる材料の
例としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、Ｕ
Ｖ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。保護
層は、例えばプラスチックの押出加工で得られたフィル
ムを接着剤を介して反射層上にラミネートすることによ
り形成することができる。あるいは真空蒸着、スパッタ
リング、塗布等の方法により設けられてもよい。また、
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらを適当
な溶剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を
塗布し、乾燥することによっても形成することができ
る。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当
な溶剤に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗
布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成
することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防
止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に
応じて添加してもよい。保護層の層厚は一般には０．１
〜１００μｍの範囲にある。以上の工程により、基板上
に、記録層、光反射層そして保護層が設けられた積層体
を製造することができる。

【００７１】本発明の光情報記録方法は、上記光情報記
録媒体を用いて、例えば、次のように行れる。まず光情
報記録媒体を定線速度（ＣＤフォーマットの場合は１．
２〜１．４ｍ／秒）または定角速度にて回転させなが
ら、基板側あるいは保護層側から半導体レーザ光などの
記録用の光を照射する。この光の照射により、記録層が
その光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは
化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学
的特性を変えることにより、情報が記録されると考えら
れる。本発明においては、記録光として３９０〜５５０
ｎｍの範囲の発振波長を有する半導体レーザ光が用いら
れる。好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲
の発振波長を有する青紫色半導体レーザー、中心発振波
長５１５ｎｍの青緑色半導体レーザー、中心発振波長８
５０ｎｍの赤外半導体レーザーを光導波路素子を使って
半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨ
Ｇレーザーを挙げることができる。中でも記録密度の点
で青紫色半導体またはＳＨＧレーザーを用いることが特
に好ましい。上記のように記録された情報の再生は、光
情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら
半導体レーザ光を基板側あるいは保護層側から照射し
て、その反射光を検出することにより行うことができ
る。

【００７２】

【実施例】次に、実施例により、本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。

【００７３】［実施例１］化合物（Ｉ−１）を２，２，
３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解し、記録層
形成用塗布液（濃度：１重量％）を得た。この塗布液を
表面にスパイラル状のプレグルーブ（トラックピッチ：
０．６μｍ、グルーブ幅：０．３μｍ、グルーブの深
さ：０．１５μｍ）が射出成形により形成されたポリカ
ーボネート基板（直径：１２０ｍｍ、厚さ：０．６ｍ
ｍ）のそのプレグルーブ側の表面にスピンコート法によ
り塗布し、記録層（厚さ（プレグルーブ内）：約１２０
ｎｍ）を形成した。次に、記録層上に銀をスパッタして
厚さ約１００ｎｍの光反射層を形成した。更に、光反射
層上にＵＶ硬化性樹脂（ＳＤ３１８、大日本インキ化学
工業（株）製）を塗布し、紫外線を照射して硬化させ、
層厚７μｍの保護層を形成した。以上の工程により本発
明に従う光ディスクを得た。

【００７４】[実施例２]〜[実施例１０]実施例１におい
て、化合物（Ｉ−１）を表２に示す化合物に変えた（使
用量は変更なし）こと以外は同様にして、本発明に従う
光ディスクを製造した。

【００７５】[比較例１]〜[比較例４]実施例１におい
て、化合物（Ｉ−１）を下記に示す比較用色素化合物Ａ
〜Ｄ（使用量は変更なし）に変更したこと以外は同様に
して、比較用の光ディスクを製造した。

【００７６】

【化１９】

【００７７】上記の実施例及び比較例の光ディスクの記
録層に用いた色素化合物の置換基定数（σ_p）の値を下
記の表２に示す。

【００７８】

【表２】 表２ ──────────────────────────────── 記録層の ハメットの置換基定数（σ_p） 色素化合物 Ｒ¹ Ｒ² Φの置換基 ──────────────────────────────── 実施例１（Ｉ−１） 0.66(CN) 0.90 −0.27 実施例２（Ｉ−２） 0.66(CN) 0.45 −0.27 実施例３（Ｉ−４） 0.66(CN) 0.41 −0.27、−0.27 実施例４（Ｉ−５） 0.66(CN) 0.66(CN) −0.27、−0.22＊ 実施例５（Ｉ−６） 0.66(CN) 0.66(CN) −0.45 実施例６（Ｉ−10） 0.43 0.43 −0.45 実施例７（Ｉ−13） 0.45 0.50 −0.22 実施例８（Ｉ−15） 0.68 0.43 −0.27、−0.27 実施例９（Ｉ−18） 0.50 0.66(CN) −0.03 実施例10（Ｉ−25） 0.56 0.66(CN) −0.56 ────────────────────────────────── 比較例４ Ｄ 0.66(CN) 0.66(CN) −0.93、−0.17(CH₃) ────────────────────────────────── ＊実施例４のΦの置換基のσ_p：−0.27（OCH₃）、−0.22(NHCONH-フェニル)

【００７９】尚、実施例３及び実施例８で用いた色素化
合物（Ｉ−４）及び（Ｉ−１５）は、Φ上の置換基同士
が互いに結合してそれぞれジオキソラン環を形成してい
る。この場合のΦの置換基のハメットの置換基定数σ_p
は、本発明で定義する置換基定数の算出法に従うと、
（−Ｏ−ＣＨ₂−ＯＨ−基）として計算されるが、水素
原子が付加してもσ_p値は殆ど変化ないためジオキソラ
ン環の文献値（−Ｏ−ＣＨ₂−Ｏ−基として記載）のσ_p
値（−０．２７）を採用した。

【００８０】［光ディスクとしての評価］作製した光デ
ィスクに線速度３．５ｍ／秒で１４Ｔ−ＥＦＭ信号を波
長４０８ｎｍの青紫色半導体レーザーを用いて記録した
後、記録した信号を再生した。最適パワーでの変調度、
グルーブ反射率、及び感度を測定した。記録および記録
特性の評価はパルステック社製ＤＤＵ１０００を用いて
行った。評価結果を表３に示す。

【００８１】

【表３】 表３ ───────────────────────────── 記録層の 未記録部 変調度（％） 感度 色素化合物 反射率 （記録パワー （ｍＷ） （％） ：７ｍＷ） ────────────────────────────── 実施例１ （Ｉ−１） ８１ ６０ １１ 実施例２ （Ｉ−２） ７８ ５６ １２ 実施例３ （Ｉ−４） ８０ ５８ １１ 実施例４ （Ｉ−５） ７７ ５５ １３ 実施例５ （Ｉ−６） ７６ ６０ １１ 実施例６ （Ｉ−１０） ８２ ６１ １０ 実施例７ （Ｉ−１３） ７６ ５７ １３ 実施例８ （Ｉ−１５） ７８ ６０ １２ 実施例９ （Ｉ−１８） ７９ ５８ １４ 実施例１０（Ｉ−２５） ７５ ６２ １２ ────────────────────────────── 比較例１ Ａ ４４ ３８ １９ 比較例２ Ｂ ５０ ４３ ２０ 比較例３ Ｃ ３６ ３５ １８ 比較例４ Ｄ ４８ ４７ １６ ──────────────────────────────

【００８２】表３の結果から、本発明の特徴とする色素
化合物を含有する記録層を有する光ディスク（実施例１
〜１０）は、比較化合物Ａ〜Ｄを含む記録層を有する光
ディスク（比較例１〜４）に比べて、上記青紫色半導体
レーザによる短波長レーザ光に対して高い反射率を示
し、かつ高い変調度を与え、しかも高感度であることが
わかる。従って本発明に従う色素化合物を用いること
で、短波長レーザ光に対して高い記録特性を備えた光デ
ィスクが得られることがわかる。

【００８３】

【発明の効果】本発明の特徴とする色素化合物を用いる
ことにより、５５０ｎｍ以下の短波長のレーザ光に対し
て高い反射率を示し、かつ高変調度を与える高感度な光
情報記録媒体を得ることができる。従って、ＣＤ−Ｒや
ＤＶＤ−Ｒの場合よりも情報の高密度記録が可能とな
り、更に大容量の情報の記録が可能な光情報記録媒体を
提供することができる。

フロントページの続き (72)発明者 小森 昇 神奈川県小田原市扇町２丁目12番１号 富 士写真フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA32 FA01 FA12 FA14 FB42 5D029 JA04 JB28

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にレーザ光の照射による情報の記
   録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該
   記録層が下記の一般式（Ｉ）で表される色素化合物を含
   有することを特徴とする光情報記録媒体： 一般式（Ｉ）： 【化１】Ｒ¹Ｒ²Ｃ＝ＣＲ³Φ [式中、Ｒ¹及びＲ²は、各々独立に、ハメットの置換基
   定数σ_pが０．２〜０．９の範囲にある電子吸引性基を
   表し、Ｒ³は水素原子または置換基を表し、Φは、ハメ
   ットの置換基定数σ_pが−０．６〜０．０の範囲にある
   電子供与性基のみを有するアリール基または芳香族ヘテ
   ロ環基を表し（但し、電子供与性基を二以上有する場合
   には、これらの電子供与性基が互いに結合して環を形成
   していてもよい）、そしてＲ¹、Ｒ²、Ｒ³及びΦのうち
   の何れか二つが互いに結合してそれぞれが結合する炭素
   原子と共に環を形成していてもよい]。
2. 【請求項２】 一般式（Ｉ）のＲ¹およびＲ²で表される
   ハメットの置換基定数σ_pが、０．２〜０．９の範囲に
   ある電子吸引性基が、シアノ基、ニトロ基、アシル基、
   アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
   基、カルバモイル基、アルキルスルホニル基、アリール
   スルホニル基、アルコキシスルホニル基、スルファモイ
   ル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル
   基、スルフィノ基、ハロゲン原子、アルキニル基、ジア
   シルアミノ基、ホスホノ基、カルボキシル基、又はヘテ
   ロ環基である請求項１に記載の光情報記録媒体。
3. 【請求項３】 一般式（Ｉ）のΦの置換基のハメットの
   置換基定数σ_pが、−０．６〜０．０の範囲にある電子
   供与性基が、アルキル基、アルケニル基、アリール基、
   アリールオキシ基、アルコキシ基、アリールアミノ基、
   モノアルキルアミノ基、ヒドロキシル基、トリアルキル
   シリル基、トリアルキルシリルオキシ基、アシルアミノ
   基、ウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、１−
   イミダゾリル基、１−アジリジニル基、フェロセニル
   基、又は３−チエニル基である請求項１又は２に記載の
   光情報記録媒体。
4. 【請求項４】 色素化合物が、Ｒ¹およびＲ²のうちの一
   方がシアノ基であり、Ｒ³が水素原子であり、そしてΦ
   は、ハメットの置換基定数σ_pが−０．６〜０．０の範
   囲にある電子供与性基のみを有するフェニル基で表され
   る（但し、電子供与性基を二以上有する場合には、これ
   らの電子供与性基が互いに結合して環を形成していても
   よい）請求項１乃至３のうちのいずれかの項に記載の光
   情報記録媒体。
5. 【請求項５】 色素化合物が、下記の一般式（Ｉ−Ｂ）
   で表される請求項１乃至３のうちのいずれかの項に記載
   の光情報記録媒体： 一般式（Ｉ−Ｂ）： 【化２】 [式中、Ｚ¹は、置換基を有していてもよい５員乃至６員
   の炭素環又は複素環を形成するために必要な原子群を表
   し、そしてΦは、ハメットの置換基定数σ_pが−０．６
   〜０．０の範囲にある電子供与性基のみを有するフェニ
   ル基を表す（但し、電子供与性基を二以上有する場合に
   は、これらの電子供与性基が互いに結合して環を形成し
   ていてもよい）]。
6. 【請求項６】 色素化合物が、下記の一般式（Ｉ−Ｃ）
   で表される請求項１乃至３のうちのいずれかの項に記載
   の光情報記録媒体： 一般式（Ｉ−Ｃ）： 【化３】 [式中、Ｚ²は、置換基を有していてもよい５員乃至６員
   の炭素環又は複素環を形成するために必要な原子群を表
   し、Ｚ³は、Φと炭素原子と共に５員乃至６員の炭素環
   又は複素環を形成するために必要な原子群を表し、そし
   てΦは、ハメットの置換基定数σ_pが−０．６〜０．０
   の範囲にある電子供与性基のみを有するフェニル基を表
   す（但し、電子供与性基を二以上有する場合には、これ
   らの電子供与性基が互いに結合して環を形成していても
   よい）]。
7. 【請求項７】 基板が、その表面に０．３〜０．８μｍ
   のトラックピッチのプレグルーブが形成された透明な円
   盤状基板であり、記録層が該プレグルーブが形成された
   側の表面に設けられている請求項１に記載の光情報記録
   媒体。
8. 【請求項８】 記録層上に更に金属からなる光反射層が
   設けられている請求項１に記載の光情報記録媒体。
9. 【請求項９】 記録層上方に更に保護層が設けられてい
   る請求項１に記載の光情報記録媒体。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９のうちのいずれかの項
    に記載の光情報記録媒体に波長５５０ｎｍ以下のレーザ
    光を照射して情報を記録する情報記録方法。