JPH1139707A - 光記録媒体 - Google Patents
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- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
- G11B7/2548—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of inorganic materials
-
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/256—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers improving adhesion between layers
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2572—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials
- G11B7/2575—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials resins
-
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2595—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on gold
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の波長域より短波長に発振波長を有する
半導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用
可能な耐光性、保存安定性に優れた光記録媒体を提供す
ること、及び現状システムで記録、再生が可能で且つ次
世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生のみは
可能なＣＤ−Ｒ媒体用の記録媒体を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で示される化合物の少
なくとも１種あるいは該化合物と６８０〜７５０ｎｍに
最大吸収波長を有する有機色素とを記録層に含有させ
る。 【化１】
半導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用
可能な耐光性、保存安定性に優れた光記録媒体を提供す
ること、及び現状システムで記録、再生が可能で且つ次
世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生のみは
可能なＣＤ−Ｒ媒体用の記録媒体を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で示される化合物の少
なくとも１種あるいは該化合物と６８０〜７５０ｎｍに
最大吸収波長を有する有機色素とを記録層に含有させ
る。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体に関する
ものであって、特に光ビームを照射することにより、記
録材料の透過率、反射率等の光学的な変化を生じさせ、
情報の記録、再生を行ない、且つ追記が可能な光記録媒
体に関するものである。
ものであって、特に光ビームを照射することにより、記
録材料の透過率、反射率等の光学的な変化を生じさせ、
情報の記録、再生を行ない、且つ追記が可能な光記録媒
体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在の追記光型ディスクシステム（ＷＯ
ＲＭ、ＣＤ−Ｒ）では、使用レーザの発振波長が７７０
ｎｍ〜７９０ｎｍにあり、記録媒体は上記波長で記録、
再生が可能なように構成されている。今後、情報量の増
大に伴い記録媒体の大容量化への流れは必須である。従
って、記録、再生に用いるレーザ波長が短波長化するこ
とも必然的に起ってくることが容易に予想される。た
ゞ、データ用追記光型ディスクとして、シアニン色素や
フタロシアニン色素を記録材料として用いた数多くの提
案がなされている（例えば、シアニン色素を記録材料と
して用いたものには、特開昭５７−８２０９３号、特開
昭５８−５６８９２号、特開昭５８−１１２７９０号、
特開昭５８−１１４９８９号、特開昭５９−８５７９１
号、特開昭６０−８３２３６号、特開昭６０−８９８４
２号、特開昭６１−２５８８６号各公報等が、また、フ
タロシアニン色素を記録材料として用いたものには、特
開昭６１−１５０２４３号、特開昭６１−１７７２８７
号、特開昭６１−１５４８８８号、特開昭６１−２４６
０９１号、特開昭６２−３９２８６号、特開昭６３−３
７７９１号、特開昭６３−３９８８８号各公報等があ
る）が、耐光性、保存安定性に優れ、且つ７００ｎｍ以
下のレーザを用いた光ピックアップで記録、再生が可能
な記録材料は、未だ開発されていないのが現状である。
ＲＭ、ＣＤ−Ｒ）では、使用レーザの発振波長が７７０
ｎｍ〜７９０ｎｍにあり、記録媒体は上記波長で記録、
再生が可能なように構成されている。今後、情報量の増
大に伴い記録媒体の大容量化への流れは必須である。従
って、記録、再生に用いるレーザ波長が短波長化するこ
とも必然的に起ってくることが容易に予想される。た
ゞ、データ用追記光型ディスクとして、シアニン色素や
フタロシアニン色素を記録材料として用いた数多くの提
案がなされている（例えば、シアニン色素を記録材料と
して用いたものには、特開昭５７−８２０９３号、特開
昭５８−５６８９２号、特開昭５８−１１２７９０号、
特開昭５８−１１４９８９号、特開昭５９−８５７９１
号、特開昭６０−８３２３６号、特開昭６０−８９８４
２号、特開昭６１−２５８８６号各公報等が、また、フ
タロシアニン色素を記録材料として用いたものには、特
開昭６１−１５０２４３号、特開昭６１−１７７２８７
号、特開昭６１−１５４８８８号、特開昭６１−２４６
０９１号、特開昭６２−３９２８６号、特開昭６３−３
７７９１号、特開昭６３−３９８８８号各公報等があ
る）が、耐光性、保存安定性に優れ、且つ７００ｎｍ以
下のレーザを用いた光ピックアップで記録、再生が可能
な記録材料は、未だ開発されていないのが現状である。
【０００３】現在のＣＤ−Ｒディスクシステムも、使用
レーザの発振波長である７７０ｎｍ〜７９０ｎｍで、記
録、再生が可能なように構成されている。このシステム
も上記同様に、大容量化、記録・再生波長の短波長化は
必須である。この点、現在のＣＤ及びＣＤ−ＲＯＭは、
基板自体の凹凸上にＡｌがコーティングしてあり、Ａｌ
の反射率の波長依存性が小さいため、将来、レーザ波長
が短波長化されても再生は可能である。しかしながら、
ＣＤ−Ｒは記録層に６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸収
波長を有する色素を用い、その光学定数及び膜厚構成か
ら７７０ｎｍ〜７９０ｎｍに高い反射率が得られる様設
定してあるため、７００ｎｍ以下の波長域では反射率は
極めて低く、レーザ波長の短波長化に対応できず、現在
のＣＤ−Ｒシステムで記録、再生している情報が、将来
のシステムでは再生出来ない事態を招く。これまでＣＤ
−Ｒとして、シアニン色素／金属反射層、フタロシアニ
ン色素／金属反射層又はアゾ金属キレート色素／金属反
射層などを記録材料として用いた数多くの提案がなされ
ている（例えば、シアニン色素／金属反射層を記録材料
として用いたものには、特開平１−１５９８４２号、特
開平２−４２６５２号、特開平２−１３６５６号、特開
平２−１６８４４６号各公報等が、フタロシアニン色素
を記録材料として用いたものには、特開平１−１７６５
８５号、特開平３−２１５４６６号、特開平４−１１３
８８６号、特開平４−２２６３９０号、特開平５−１２
７２号、特開平５−１７１０５２号、特開平５−１１６
４５６号、特開平５−６９８６０号、特開平５−１３９
０４４号各公報等が、またアゾ金属キレート色素を記録
材料として用いたものには、特開平４−４６１８６号、
特開平４−１４１４８９号、特開平４−３６１０８８
号、特開平５−２７９５８０号各公報等がある）が、こ
のような点に解決を与えるものは未だ見出されていな
い。
レーザの発振波長である７７０ｎｍ〜７９０ｎｍで、記
録、再生が可能なように構成されている。このシステム
も上記同様に、大容量化、記録・再生波長の短波長化は
必須である。この点、現在のＣＤ及びＣＤ−ＲＯＭは、
基板自体の凹凸上にＡｌがコーティングしてあり、Ａｌ
の反射率の波長依存性が小さいため、将来、レーザ波長
が短波長化されても再生は可能である。しかしながら、
ＣＤ−Ｒは記録層に６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸収
波長を有する色素を用い、その光学定数及び膜厚構成か
ら７７０ｎｍ〜７９０ｎｍに高い反射率が得られる様設
定してあるため、７００ｎｍ以下の波長域では反射率は
極めて低く、レーザ波長の短波長化に対応できず、現在
のＣＤ−Ｒシステムで記録、再生している情報が、将来
のシステムでは再生出来ない事態を招く。これまでＣＤ
−Ｒとして、シアニン色素／金属反射層、フタロシアニ
ン色素／金属反射層又はアゾ金属キレート色素／金属反
射層などを記録材料として用いた数多くの提案がなされ
ている（例えば、シアニン色素／金属反射層を記録材料
として用いたものには、特開平１−１５９８４２号、特
開平２−４２６５２号、特開平２−１３６５６号、特開
平２−１６８４４６号各公報等が、フタロシアニン色素
を記録材料として用いたものには、特開平１−１７６５
８５号、特開平３−２１５４６６号、特開平４−１１３
８８６号、特開平４−２２６３９０号、特開平５−１２
７２号、特開平５−１７１０５２号、特開平５−１１６
４５６号、特開平５−６９８６０号、特開平５−１３９
０４４号各公報等が、またアゾ金属キレート色素を記録
材料として用いたものには、特開平４−４６１８６号、
特開平４−１４１４８９号、特開平４−３６１０８８
号、特開平５−２７９５８０号各公報等がある）が、こ
のような点に解決を与えるものは未だ見出されていな
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような状況に鑑みてなされたものであって、上記従来
システムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レ
ーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐
光性、保存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料を提
供するとともに、現状システムで記録、再生が可能で且
つ次世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生可
能なＣＤ−Ｒ媒体用の記録材料を提供すること目的とす
る。
のような状況に鑑みてなされたものであって、上記従来
システムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レ
ーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐
光性、保存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料を提
供するとともに、現状システムで記録、再生が可能で且
つ次世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生可
能なＣＤ−Ｒ媒体用の記録材料を提供すること目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討を
重ねた結果、特定の構造を有する色素を主成分とする記
録層を設けることにより、発振波長７００ｎｍ以下の半
導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可
能なことを見出し、更には本色素を現在ＣＤ−Ｒ用記録
材料として用いられている有機色素と混合して用いるこ
とにより、７００ｎｍ以下の波長域にも高い反射率を得
ることが可能であることを見出し、本発明を完成するに
至った。
重ねた結果、特定の構造を有する色素を主成分とする記
録層を設けることにより、発振波長７００ｎｍ以下の半
導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可
能なことを見出し、更には本色素を現在ＣＤ−Ｒ用記録
材料として用いられている有機色素と混合して用いるこ
とにより、７００ｎｍ以下の波長域にも高い反射率を得
ることが可能であることを見出し、本発明を完成するに
至った。
【０００６】即ち、本発明によれば、第一に、基板上に
直接又は下引き層を介して記録層を設け、更に必要に応
じて、その上に反射層、保護層を設けてなる光記録媒体
において、前記記録層中に下記一般式（Ｉ）で示される
化合物の少なくとも１種を含有してなることを特徴とす
る光記録媒体が提供される。
直接又は下引き層を介して記録層を設け、更に必要に応
じて、その上に反射層、保護層を設けてなる光記録媒体
において、前記記録層中に下記一般式（Ｉ）で示される
化合物の少なくとも１種を含有してなることを特徴とす
る光記録媒体が提供される。
【化１】 〔式中、Ｍ、Ｒ1〜Ｒ4及びＸ1〜Ｘ4は、それぞれ以下の
ものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原
子を有してもよい２価、３価若しくは４価の金属原子、
又は置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、−（ＯＰＲ11Ｒ12）ｔ
基、（−ＯＰＯＲ13Ｒ14）ｔ基、−（ＯＳｉＲ15Ｒ16Ｒ
17）ｔ基、−（ＯＣＯＲ18）ｔ基、−（ＯＲ19）ｔ基、
−（ＯＣＯＣＯＯＲ20）ｔ基、−（ＯＣＯＣＯＲ21）ｔ
基若しくは−（ＯＣＯＮＲ22Ｒ23）ｔ基を有してもよい
金属原子、 Ｒ11〜Ｒ23：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未
置換の１価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換
の１価の芳香族炭化水素基、 ｔ：０〜２の整数、 Ｒ1〜Ｒ4：それぞれ独立に置換若しくは未置換のフェニ
ル基、 Ｘ1〜Ｘ4：それぞれ独立に水素原子又は置換若しくは未
置換のアルキル基。〕 第二に、上記第一において、一般式（Ｉ）中のＸ1〜Ｘ4
が各々独立に置換されたフェニル基であって、フェニル
基を置換している置換基がハロゲン原子であることを特
徴とする光記録媒体が提供される。第三に、上記第一又
は第二において、一般式（Ｉ）中のＸ1〜Ｘ4がフッ素原
子若しくはフッ素原子含有置換基で置換されているフェ
ニル基であることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第四に、上記第一〜第三のいずれかにおいて、一般
式（Ｉ）中のＸ1〜Ｘ4がアルキル基若しくはアルコキシ
基で置換されているフェニル基であることを特徴とする
光記録媒体が提供される。第五に、上記第一〜第四のい
ずれかにおいて、一般式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ4が分岐のア
ルキル基であることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第六に、上記第一〜第五のいずれかにおいて、一般
式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ4がハロゲン原子で置換されたアル
キル基であることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第七に、上記第六において、一般式（Ｉ）中のＲ1
〜Ｒ4がハロゲン原子で置換されたアルキル基のハロゲ
ン原子がフッ素であることを特徴とする光記録媒体が提
供される。第八に、上記第一〜第七のいずれかにおい
て、一般式（Ｉ）中のＭがＣｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、ＶＯ、Ｍｇのうちのいずれかであることを特
徴とする光記録媒体が提供される。第九に、上記第１〜
第八のいずれかにおいて、記録層が前記一般式（Ｉ）で
示される化合物の少なくとも１種と６８０ｎｍ〜７５０
ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素とを含有してなる
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。第十に、上
記第九において、６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸収波
長を有する有機色素がペンタメチンのシアニン色素、フ
タロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素の少なくと
も１種であることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第十一に、上記第一〜第十のいずれかにおいて、記
録層が波長６３０〜７２０ｎｍのレーザ光によって記録
されるものである光記録媒体が提供される。
ものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原
子を有してもよい２価、３価若しくは４価の金属原子、
又は置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、−（ＯＰＲ11Ｒ12）ｔ
基、（−ＯＰＯＲ13Ｒ14）ｔ基、−（ＯＳｉＲ15Ｒ16Ｒ
17）ｔ基、−（ＯＣＯＲ18）ｔ基、−（ＯＲ19）ｔ基、
−（ＯＣＯＣＯＯＲ20）ｔ基、−（ＯＣＯＣＯＲ21）ｔ
基若しくは−（ＯＣＯＮＲ22Ｒ23）ｔ基を有してもよい
金属原子、 Ｒ11〜Ｒ23：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未
置換の１価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換
の１価の芳香族炭化水素基、 ｔ：０〜２の整数、 Ｒ1〜Ｒ4：それぞれ独立に置換若しくは未置換のフェニ
ル基、 Ｘ1〜Ｘ4：それぞれ独立に水素原子又は置換若しくは未
置換のアルキル基。〕 第二に、上記第一において、一般式（Ｉ）中のＸ1〜Ｘ4
が各々独立に置換されたフェニル基であって、フェニル
基を置換している置換基がハロゲン原子であることを特
徴とする光記録媒体が提供される。第三に、上記第一又
は第二において、一般式（Ｉ）中のＸ1〜Ｘ4がフッ素原
子若しくはフッ素原子含有置換基で置換されているフェ
ニル基であることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第四に、上記第一〜第三のいずれかにおいて、一般
式（Ｉ）中のＸ1〜Ｘ4がアルキル基若しくはアルコキシ
基で置換されているフェニル基であることを特徴とする
光記録媒体が提供される。第五に、上記第一〜第四のい
ずれかにおいて、一般式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ4が分岐のア
ルキル基であることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第六に、上記第一〜第五のいずれかにおいて、一般
式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ4がハロゲン原子で置換されたアル
キル基であることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第七に、上記第六において、一般式（Ｉ）中のＲ1
〜Ｒ4がハロゲン原子で置換されたアルキル基のハロゲ
ン原子がフッ素であることを特徴とする光記録媒体が提
供される。第八に、上記第一〜第七のいずれかにおい
て、一般式（Ｉ）中のＭがＣｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、ＶＯ、Ｍｇのうちのいずれかであることを特
徴とする光記録媒体が提供される。第九に、上記第１〜
第八のいずれかにおいて、記録層が前記一般式（Ｉ）で
示される化合物の少なくとも１種と６８０ｎｍ〜７５０
ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素とを含有してなる
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。第十に、上
記第九において、６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸収波
長を有する有機色素がペンタメチンのシアニン色素、フ
タロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素の少なくと
も１種であることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第十一に、上記第一〜第十のいずれかにおいて、記
録層が波長６３０〜７２０ｎｍのレーザ光によって記録
されるものである光記録媒体が提供される。
【０００７】本発明の光記録媒体は、前記一般式（Ｉ）
で示される化合物の少なくとも１種を含有する記録層を
設けたことから、７００ｎｍ以下の波長域のレーザ光で
記録、再生が可能で、しかも耐光性且つ保存安定性に優
れたものとなり、また別の態様では、前記一般式（Ｉ）
で示される少なくとも１種の化合物と、６８０〜７５０
ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素との混合物からな
る記録層を設けたことから、現状システムでのＣＤ−Ｒ
媒体として使用でき、しかも次世代の高密度光ディスク
システムとなっても、記載された情報を再生することが
可能なものとなる。
で示される化合物の少なくとも１種を含有する記録層を
設けたことから、７００ｎｍ以下の波長域のレーザ光で
記録、再生が可能で、しかも耐光性且つ保存安定性に優
れたものとなり、また別の態様では、前記一般式（Ｉ）
で示される少なくとも１種の化合物と、６８０〜７５０
ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素との混合物からな
る記録層を設けたことから、現状システムでのＣＤ−Ｒ
媒体として使用でき、しかも次世代の高密度光ディスク
システムとなっても、記載された情報を再生することが
可能なものとなる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
本発明の光記録媒体は、記録層中に前記一般式（Ｉ）で
示される化合物の少なくとも１種を含有してなることを
特徴とする。
本発明の光記録媒体は、記録層中に前記一般式（Ｉ）で
示される化合物の少なくとも１種を含有してなることを
特徴とする。
【化１】
【０００９】まず、本発明で使用する前記一般式（Ｉ）
で示される化合物について説明する。前記一般式（Ｉ）
において、Ｍは２個の水素原子、又は酸素原子若しくは
ハロゲン原子を有してもよい２価、３価若しくは４価の
金属原子、又は置換若しくは未置換のアルキル基、アリ
ール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、−（ＯＰＲ
11Ｒ12）ｔ基、（−ＯＰＯＲ13Ｒ14）ｔ基、−（ＯＳｉ
Ｒ15Ｒ16Ｒ17）ｔ基、−（ＯＣＯＲ18）ｔ基、−（ＯＲ
19）ｔ基、−（ＯＣＯＣＯＯＲ20）ｔ基、−（ＯＣＯＣ
ＯＲ21）ｔ基若しくは−（ＯＣＯＮＲ22Ｒ23）ｔ基を有
してもよい金属原子を表わす。Ｒ11〜Ｒ23はそれぞれ独
立に水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭化
水素基又は置換若しくは未置換の１価の芳香族炭化水素
基を表わし、ｔは０〜２の整数を表わす。Ｒ1〜Ｒ4はそ
れぞれ独立に置換若しくは未置換のフェニル基を表わ
す。また、Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ独立に水素原子又は置換
若しくは未置換のアルキル基を表す。
で示される化合物について説明する。前記一般式（Ｉ）
において、Ｍは２個の水素原子、又は酸素原子若しくは
ハロゲン原子を有してもよい２価、３価若しくは４価の
金属原子、又は置換若しくは未置換のアルキル基、アリ
ール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、−（ＯＰＲ
11Ｒ12）ｔ基、（−ＯＰＯＲ13Ｒ14）ｔ基、−（ＯＳｉ
Ｒ15Ｒ16Ｒ17）ｔ基、−（ＯＣＯＲ18）ｔ基、−（ＯＲ
19）ｔ基、−（ＯＣＯＣＯＯＲ20）ｔ基、−（ＯＣＯＣ
ＯＲ21）ｔ基若しくは−（ＯＣＯＮＲ22Ｒ23）ｔ基を有
してもよい金属原子を表わす。Ｒ11〜Ｒ23はそれぞれ独
立に水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭化
水素基又は置換若しくは未置換の１価の芳香族炭化水素
基を表わし、ｔは０〜２の整数を表わす。Ｒ1〜Ｒ4はそ
れぞれ独立に置換若しくは未置換のフェニル基を表わ
す。また、Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ独立に水素原子又は置換
若しくは未置換のアルキル基を表す。
【００１０】前記一般式（Ｉ）で表される化合物では下
記に示した（Ａ）〜（Ｄ）の４つの異性体が存在し、こ
れらの混合物である場合、吸収波長等の特性を微調整す
る際有利であり、且つ薄膜化した時の記録パワーマージ
ンなどの拡大が計れる。
記に示した（Ａ）〜（Ｄ）の４つの異性体が存在し、こ
れらの混合物である場合、吸収波長等の特性を微調整す
る際有利であり、且つ薄膜化した時の記録パワーマージ
ンなどの拡大が計れる。
【００１１】
【化２】
【化３】
【化４】
【００１２】
【化５】
【００１３】また、Ｘ1〜Ｘ4をハロゲン原子置換フェニ
ル基又はＲ1〜Ｒ4をハロゲン原子置換アルキル基と限定
することで熱分解が急激に起こる化合物となり、記録感
度の向上、微小ピット形成が可能となる。ハロゲン原子
のうちの臭素、塩素、フッ素原子が特に好ましく、その
中でも溶解性も含めて考えると特にフッ素原子が良い。
一般式（Ｉ）中、Ｘ1〜Ｘ4のフッ素原子含有アリール基
のフッ素原子含有基は、トリフルオロメチル基、トリフ
ルオロエチル基、ジフルオロエチル基、ジフルオロプロ
ピル基、トリフルオロプロピル基、テトラフルオロプロ
ピル基、ヘキサフルオロブチル基、又は各種ペリフルオ
ロアルキル基などが挙げられる。また、フッ素原子含有
置換基以外の置換基でフェニル基が置換されていてもよ
く、その具体的な置換基としては、アルキル基、アルコ
キシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子などが挙げ
られる。
ル基又はＲ1〜Ｒ4をハロゲン原子置換アルキル基と限定
することで熱分解が急激に起こる化合物となり、記録感
度の向上、微小ピット形成が可能となる。ハロゲン原子
のうちの臭素、塩素、フッ素原子が特に好ましく、その
中でも溶解性も含めて考えると特にフッ素原子が良い。
一般式（Ｉ）中、Ｘ1〜Ｘ4のフッ素原子含有アリール基
のフッ素原子含有基は、トリフルオロメチル基、トリフ
ルオロエチル基、ジフルオロエチル基、ジフルオロプロ
ピル基、トリフルオロプロピル基、テトラフルオロプロ
ピル基、ヘキサフルオロブチル基、又は各種ペリフルオ
ロアルキル基などが挙げられる。また、フッ素原子含有
置換基以外の置換基でフェニル基が置換されていてもよ
く、その具体的な置換基としては、アルキル基、アルコ
キシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子などが挙げ
られる。
【００１４】一般式（Ｉ）中、Ｒ1〜Ｒ4のフッ素原子含
有アルキル基は、トリフルオロメチル基、トリフルオロ
エチル基、ジフルオロエチル基、ジフルオロプロピル
基、トリフルオロプロピル基、テトラフルオロプロピル
基、ヘキサフルオロブチル基、又は各種ペリフルオロア
ルキル基などが挙げられ、他のハロゲン原子例えば、塩
素、臭素原子などで置換されているアルキル基も同義で
ある。
有アルキル基は、トリフルオロメチル基、トリフルオロ
エチル基、ジフルオロエチル基、ジフルオロプロピル
基、トリフルオロプロピル基、テトラフルオロプロピル
基、ヘキサフルオロブチル基、又は各種ペリフルオロア
ルキル基などが挙げられ、他のハロゲン原子例えば、塩
素、臭素原子などで置換されているアルキル基も同義で
ある。
【００１５】一般式（Ｉ）中、Ｒ1〜Ｒ4のアルキル基の
具体例としては、例えば、次のものが挙げられる。な
お、これらのアルキル基は、ハロゲン原子等の置換基で
置換されていてもよい。メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル
基、ネオペンチル基、イソアミル基、２−メチルブチル
基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチ
ルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチ
ル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メ
チルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘ
キシル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル
基、ｎ−オクチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチ
ルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプ
チル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル
基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等の
一級アルキル基；イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、
１−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−
ジメチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチ
ルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメ
チルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１
−メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロ
ピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル
基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−
２−メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エ
チルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプ
ロピルぺンチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチ
ル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メ
チルオクチル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピル
ヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基等の
二級アルキル基；ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキ
シル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オクチル基等
の三級アルキル基；シクロヘキシル基、４−メチルシク
ロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２−エチルヘキ
シル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル
基、アダマンタン基等のシクロアルキル基等。また、不
飽和のアルキル基としてはエチレン基、プロピレン基、
ブチレン基、ヘキセン基、オクテン基、ドデセン基、シ
クロヘキセン基、ブチルヘキセン基などが挙げられる。
具体例としては、例えば、次のものが挙げられる。な
お、これらのアルキル基は、ハロゲン原子等の置換基で
置換されていてもよい。メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル
基、ネオペンチル基、イソアミル基、２−メチルブチル
基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチ
ルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチ
ル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メ
チルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘ
キシル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル
基、ｎ−オクチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチ
ルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプ
チル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル
基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等の
一級アルキル基；イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、
１−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−
ジメチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチ
ルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメ
チルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１
−メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロ
ピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル
基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−
２−メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エ
チルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプ
ロピルぺンチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチ
ル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メ
チルオクチル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピル
ヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基等の
二級アルキル基；ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキ
シル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オクチル基等
の三級アルキル基；シクロヘキシル基、４−メチルシク
ロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２−エチルヘキ
シル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル
基、アダマンタン基等のシクロアルキル基等。また、不
飽和のアルキル基としてはエチレン基、プロピレン基、
ブチレン基、ヘキセン基、オクテン基、ドデセン基、シ
クロヘキセン基、ブチルヘキセン基などが挙げられる。
【００１６】一般式（Ｉ）中、Ｍの具体例としては、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｍｇ及びそのハロゲン化物、酸化物、
アルキル化物、アルコキシ化物、アリール化物、アリー
ルオキシ化物、シリルオキシ化物、水酸化物等である。
ｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｍｇ及びそのハロゲン化物、酸化物、
アルキル化物、アルコキシ化物、アリール化物、アリー
ルオキシ化物、シリルオキシ化物、水酸化物等である。
【００１７】また、前記Ｒ11〜Ｒ23の定義中、１価の脂
肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基、ヘキシ
ル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシ
ル基等のアルキル基や、ビニル基、アリル基、イソプロ
ペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペン
テニル基等のアルケニル基などが挙げられる。１価の芳
香族炭化水素基としては、フェニル基、ベンジル基など
が挙げられる。また、それらの置換基としては、フッ
素、塩素、臭素などのハロゲン原子、三フッ化炭素基、
シアノ基、エステル基などが挙げられる。
肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基、ヘキシ
ル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシ
ル基等のアルキル基や、ビニル基、アリル基、イソプロ
ペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペン
テニル基等のアルケニル基などが挙げられる。１価の芳
香族炭化水素基としては、フェニル基、ベンジル基など
が挙げられる。また、それらの置換基としては、フッ
素、塩素、臭素などのハロゲン原子、三フッ化炭素基、
シアノ基、エステル基などが挙げられる。
【００１８】前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の具
体例としては、例えば表１に示されるものが挙げられ
る。なお、表１において、異性体については記述されて
いないが、化合物Ｎｏ．１〜３１に示される化合物に
は、実際には前述したような４つの異性体が存在する。
体例としては、例えば表１に示されるものが挙げられ
る。なお、表１において、異性体については記述されて
いないが、化合物Ｎｏ．１〜３１に示される化合物に
は、実際には前述したような４つの異性体が存在する。
【００１９】
【表１−（１）】
【００２０】
【表１−（２）】
【００２１】
【表１−（３）】
【００２２】
【表１−（４）】
【００２３】また、記録層においては、前記したよう
に、前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも１種の化合
物と、６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する有機
色素との混合物を主成分とすることにより、現状システ
ムで記録再生が可能であるとともに、次世代システムに
おいても再生のみは可能なＣＤ−Ｒ記録媒体となる。こ
の場合の６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する色
素としては、従来技術に挙げた公報に記載された色素を
使用することができる。特に、ペンタメチンのシアニン
色素、フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素が
好ましい。
に、前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも１種の化合
物と、６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する有機
色素との混合物を主成分とすることにより、現状システ
ムで記録再生が可能であるとともに、次世代システムに
おいても再生のみは可能なＣＤ−Ｒ記録媒体となる。こ
の場合の６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する色
素としては、従来技術に挙げた公報に記載された色素を
使用することができる。特に、ペンタメチンのシアニン
色素、フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素が
好ましい。
【００２４】ペンタメチンのシアニン色素の好ましい例
としては、下記一般式（II）で示されるものが挙げられ
る。
としては、下記一般式（II）で示されるものが挙げられ
る。
【化６】 式中、Ｒ31、Ｒ32は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ33、
Ｒ34は炭素数１〜６の置換又は未置換のアルキル基、Ｘ
は酸アニオンを表わす。なお、芳香族環は他の芳香族環
と縮合されていてもよく、また、アルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基又はアシル基で置換されていてもよ
い。
Ｒ34は炭素数１〜６の置換又は未置換のアルキル基、Ｘ
は酸アニオンを表わす。なお、芳香族環は他の芳香族環
と縮合されていてもよく、また、アルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基又はアシル基で置換されていてもよ
い。
【００２５】フタロシアニン色素の好ましい例として
は、下記一般式（III）若しくは（IＶ）で示されるもの
が挙げられる。
は、下記一般式（III）若しくは（IＶ）で示されるもの
が挙げられる。
【化７】 式中、Ｍ1はＮｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、ＴｉＯ又はＶＯを、Ｘ11〜Ｘ14はそれぞれ独立に置
換位置α位の−ＯＲ又は−ＳＲを、Ｒは置換されていて
もよい炭素数３〜１２の直鎖、分岐若しくは脂環式アル
キル基又は同じく置換されていてもよいアリール基を表
わす。Ｘ11〜Ｘ14以外のベンゼン環の置換基は水素原子
又はハロゲン原子である。
ｅ、ＴｉＯ又はＶＯを、Ｘ11〜Ｘ14はそれぞれ独立に置
換位置α位の−ＯＲ又は−ＳＲを、Ｒは置換されていて
もよい炭素数３〜１２の直鎖、分岐若しくは脂環式アル
キル基又は同じく置換されていてもよいアリール基を表
わす。Ｘ11〜Ｘ14以外のベンゼン環の置換基は水素原子
又はハロゲン原子である。
【００２６】
【化８】 式中、Ｍ2は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｉｎ、又はＳｎを、Ｘ15〜
Ｘ18はそれぞれ独立に置換位置α位の−ＯＲ又は−ＳＲ
を、Ｒは置換されていてもよい炭素数３〜１２の直鎖、
分岐若しくは脂環式アルキル基又は同じく置換されてい
てもよいアリール基を、Ｙ1、Ｙ2は−ＯＳｉＲ25Ｒ26Ｒ
27、−ＯＣＯＲ25Ｒ26Ｒ27、又は−ＯＰＯＲ25Ｒ26Ｒ27
を表わし、Ｒ25〜Ｒ27はそれぞれ独立に炭素数１〜１０
のアルキル基又はアリール基を表わす。Ｘ9〜Ｘ12以外
のベンゼン環の置換基は、水素原子又はハロゲン原子で
ある。
Ｘ18はそれぞれ独立に置換位置α位の−ＯＲ又は−ＳＲ
を、Ｒは置換されていてもよい炭素数３〜１２の直鎖、
分岐若しくは脂環式アルキル基又は同じく置換されてい
てもよいアリール基を、Ｙ1、Ｙ2は−ＯＳｉＲ25Ｒ26Ｒ
27、−ＯＣＯＲ25Ｒ26Ｒ27、又は−ＯＰＯＲ25Ｒ26Ｒ27
を表わし、Ｒ25〜Ｒ27はそれぞれ独立に炭素数１〜１０
のアルキル基又はアリール基を表わす。Ｘ9〜Ｘ12以外
のベンゼン環の置換基は、水素原子又はハロゲン原子で
ある。
【００２７】また、アゾ金属キレート色素の好ましい例
としては、下記一般式（Ｖ）で示されるアゾ系化合物と
金属とのアゾ金属キレート化合物の１種又は２種以上が
挙げられ、金属の好ましい例としては、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎなどが挙げられる。
としては、下記一般式（Ｖ）で示されるアゾ系化合物と
金属とのアゾ金属キレート化合物の１種又は２種以上が
挙げられ、金属の好ましい例としては、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎなどが挙げられる。
【化９】 式中、Ａはそれが結合している炭素原子及び窒素原子と
一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Ｂはそれ
が結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香環又
は複素環を形成する残基を表わし、またＸは活性水素を
有する基を表わす。
一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Ｂはそれ
が結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香環又
は複素環を形成する残基を表わし、またＸは活性水素を
有する基を表わす。
【００２８】本発明の前記一般式（Ｉ）で示される少な
くとも１種の色素と前記一般式（II）〜（Ｖ）で示され
る少なくとも１種の色素とを併用する場合の重量組成比
は、本発明色素／〔（II）〜（Ｖ）の色素〕＝１０／１
００〜９０／１００、好ましくは４０／１００〜２０／
１００である。また、両色素を併用した場合の記録層の
膜厚は５００Å〜５μｍ、好ましくは１０００Å〜５０
００Åである。
くとも１種の色素と前記一般式（II）〜（Ｖ）で示され
る少なくとも１種の色素とを併用する場合の重量組成比
は、本発明色素／〔（II）〜（Ｖ）の色素〕＝１０／１
００〜９０／１００、好ましくは４０／１００〜２０／
１００である。また、両色素を併用した場合の記録層の
膜厚は５００Å〜５μｍ、好ましくは１０００Å〜５０
００Åである。
【００２９】次に、本発明の記録媒体の構成について述
べる。図１は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例
を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。基板
１の上に、必要に応じて下引き層３を介して、記録層２
を設け、更に必要に応じ保護層４が設けられている。ま
た、必要に応じて基板１の下にハードコート層を設ける
ことができる。図２は、本発明の記録媒体に適用し得る
別のタイプの層構成例を示す図で、これはＣＤ−Ｒメデ
ィアの例である。図１の構成の記録層２の上に反射層６
が設けられている。図３は、本発明の記録媒体に適用し
得る別のタイプ（ＤＶＤ−Ｒ用）の層構成例を示す図
で、この場合、（ｂ）、（ｃ）においては図２の構成の
保護層４の上に接着層８と保護基板７が設けられてい
る。なお、本発明の記録媒体は、図１及び図２に示した
構成の記録層（有機薄膜層）を内側にして、他の基板と
空間を介して密封したエアーサンドイッチ構造にしても
よく、また保護層を介して接着した貼合せ構造にしても
よい。
べる。図１は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例
を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。基板
１の上に、必要に応じて下引き層３を介して、記録層２
を設け、更に必要に応じ保護層４が設けられている。ま
た、必要に応じて基板１の下にハードコート層を設ける
ことができる。図２は、本発明の記録媒体に適用し得る
別のタイプの層構成例を示す図で、これはＣＤ−Ｒメデ
ィアの例である。図１の構成の記録層２の上に反射層６
が設けられている。図３は、本発明の記録媒体に適用し
得る別のタイプ（ＤＶＤ−Ｒ用）の層構成例を示す図
で、この場合、（ｂ）、（ｃ）においては図２の構成の
保護層４の上に接着層８と保護基板７が設けられてい
る。なお、本発明の記録媒体は、図１及び図２に示した
構成の記録層（有機薄膜層）を内側にして、他の基板と
空間を介して密封したエアーサンドイッチ構造にしても
よく、また保護層を介して接着した貼合せ構造にしても
よい。
【００３０】次に、構成各層の必要特性及びその構成材
料について述べる。 １）基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザ光に対して透明でなければならない
が、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である必
要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
イミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあるい
は金属などを用いることができる。なお、基板の表面に
トラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信
号などのプレフォーマットなどが形成されていてもよ
い。
料について述べる。 １）基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザ光に対して透明でなければならない
が、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である必
要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
イミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあるい
は金属などを用いることができる。なお、基板の表面に
トラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信
号などのプレフォーマットなどが形成されていてもよ
い。
【００３１】２）記録層 記録層はレーザ光の照射により何らかの光学的変化を生
じさせその変化により情報を記録できるものであって、
この記録層中には前記一般式（Ｉ）で示される化合物の
少なくとも１種、場合により更に前記一般式（II)〜
（Ｖ）で示される色素の少なくとも１種が含有されてい
る必要がある。更に、これらの色素は光学特性、記録感
度、信号特性の向上のため、他の有機色素及び金属、金
属化合物と混合又は積層化して用いることも、もちろん
可能である。この場合の他の有機色素としては、ポリメ
チン色素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、ス
クアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフ
トキノン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キ
サンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テト
ラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチア
ジン系染料、及び金属錯体化合物などが挙げられる。ま
た金属、金属化合物の例としては、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、
Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ2、Ｓｎ
Ｏ、Ａｓ、Ｃｄなどが挙げられ、それぞれを分散混合あ
るいは積層の形態で用いることができる。更に、上記染
料中に高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状
ゴムなどの種々の材料若しくはシランカップリング剤な
どを分散混合しても良いし、特性改良の目的で、安定剤
（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電
防止剤、界面活性剤、可塑剤などを一緒に用いることが
できる。
じさせその変化により情報を記録できるものであって、
この記録層中には前記一般式（Ｉ）で示される化合物の
少なくとも１種、場合により更に前記一般式（II)〜
（Ｖ）で示される色素の少なくとも１種が含有されてい
る必要がある。更に、これらの色素は光学特性、記録感
度、信号特性の向上のため、他の有機色素及び金属、金
属化合物と混合又は積層化して用いることも、もちろん
可能である。この場合の他の有機色素としては、ポリメ
チン色素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、ス
クアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフ
トキノン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キ
サンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テト
ラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチア
ジン系染料、及び金属錯体化合物などが挙げられる。ま
た金属、金属化合物の例としては、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、
Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ2、Ｓｎ
Ｏ、Ａｓ、Ｃｄなどが挙げられ、それぞれを分散混合あ
るいは積層の形態で用いることができる。更に、上記染
料中に高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状
ゴムなどの種々の材料若しくはシランカップリング剤な
どを分散混合しても良いし、特性改良の目的で、安定剤
（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電
防止剤、界面活性剤、可塑剤などを一緒に用いることが
できる。
【００３２】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤ又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうこと
ができる。塗布法を用いる場合には、上記染料などを有
機溶剤に溶解して、スプレー、ローラーコーティング、
ディッピング又はスピンコーティングなどの慣用のコー
ティング法で行なうことができる。用いられる有機溶剤
としては、一般にメタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの
アミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類、
ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼンなどの芳香族類、あるいはメトキシエタノール、
エトキシエタノールなどのセルソルブ類、ヘキサン、ペ
ンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの
炭化水素類などが挙げられる。記録層の膜厚は、１００
Å〜１０μｍ、好ましくは２００Å〜２０００Åが適当
である。
ＶＤ又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうこと
ができる。塗布法を用いる場合には、上記染料などを有
機溶剤に溶解して、スプレー、ローラーコーティング、
ディッピング又はスピンコーティングなどの慣用のコー
ティング法で行なうことができる。用いられる有機溶剤
としては、一般にメタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの
アミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類、
ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼンなどの芳香族類、あるいはメトキシエタノール、
エトキシエタノールなどのセルソルブ類、ヘキサン、ペ
ンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの
炭化水素類などが挙げられる。記録層の膜厚は、１００
Å〜１０μｍ、好ましくは２００Å〜２０００Åが適当
である。
【００３３】３）下引き層 下引き層は、接着性の向上、水又はガスなどに対す
るバリヤー、記録層の保存安定性の向上、反射率の
向上、溶剤からの基板の保護、案内溝、案内ピッ
ト、プレフォーマットの形成などを目的として使用され
る。の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子化合物
及びシランカップリング剤などを用いることができ、
及びの目的に対しては、上記高分子材料以外に無機化
合物、例えばＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、Ｚ
ｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮなどがあり、更に金属又は半金
属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｌなどを用いることができる。また、の
目的に対しては、金属、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇなど
や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キ
サンテン系染料などを用いることができ、及びの目
的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性
樹脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は０．
０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当
である。
るバリヤー、記録層の保存安定性の向上、反射率の
向上、溶剤からの基板の保護、案内溝、案内ピッ
ト、プレフォーマットの形成などを目的として使用され
る。の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子化合物
及びシランカップリング剤などを用いることができ、
及びの目的に対しては、上記高分子材料以外に無機化
合物、例えばＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、Ｚ
ｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮなどがあり、更に金属又は半金
属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｌなどを用いることができる。また、の
目的に対しては、金属、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇなど
や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キ
サンテン系染料などを用いることができ、及びの目
的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性
樹脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は０．
０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当
である。
【００３４】４）反射層 反射層は単体で高反射率の得られる腐食されにくい金
属、半金属などが使用できる。材料例としては、Ａｕ、
Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｎなどが挙げられ、
反射率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌが最も好まし
い。これらの金属、半金属は単独で使用してもよく、２
種以上の合金としてもよい。膜形成法としては蒸着、ス
パッタリングなどが挙げられ、膜厚としては５０〜５０
００Å、好ましくは１００〜３０００Åである。
属、半金属などが使用できる。材料例としては、Ａｕ、
Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｎなどが挙げられ、
反射率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌが最も好まし
い。これらの金属、半金属は単独で使用してもよく、２
種以上の合金としてもよい。膜形成法としては蒸着、ス
パッタリングなどが挙げられ、膜厚としては５０〜５０
００Å、好ましくは１００〜３０００Åである。
【００３５】５）保護層、基板面ハードコート層 保護層又は基板面ハードコート層は、記録層（反射吸
収層）を傷、埃、汚れなどから保護する、記録層（反
射吸収層）の保存安定性の向上、反射率の向上などを
目的として使用される。これらの目的に対しては、前記
の下引き層に示した材料を用いることができる。また、
無機材料としてＳｉＯ、ＳｉＯ2なども用いることもで
き、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリカー
ボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル
樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、
天然ゴム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレンゴ
ム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの
熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材
料のうち最も好ましいものは、生産性に優れた紫外線硬
化樹脂である。保護層又は基板面ハードコート層の膜厚
は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍ
が適当である。
収層）を傷、埃、汚れなどから保護する、記録層（反
射吸収層）の保存安定性の向上、反射率の向上などを
目的として使用される。これらの目的に対しては、前記
の下引き層に示した材料を用いることができる。また、
無機材料としてＳｉＯ、ＳｉＯ2なども用いることもで
き、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリカー
ボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル
樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、
天然ゴム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレンゴ
ム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの
熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材
料のうち最も好ましいものは、生産性に優れた紫外線硬
化樹脂である。保護層又は基板面ハードコート層の膜厚
は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍ
が適当である。
【００３６】６）保護基板 保護基板はこの保護基板側からレーザー光を照射する場
合、使用レーザー光に対し透明でなくてはならず、単な
る保護板として用いる場合、透明性は問わない。使用可
能な基板材料としては基板材料と全く同様であり、ポリ
エステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリイミドなどのプラスチック、又はガラス、
セラミック、あるいは金属などを用いることができる。
合、使用レーザー光に対し透明でなくてはならず、単な
る保護板として用いる場合、透明性は問わない。使用可
能な基板材料としては基板材料と全く同様であり、ポリ
エステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリイミドなどのプラスチック、又はガラス、
セラミック、あるいは金属などを用いることができる。
【００３７】７）接着材、接着層 ２枚の記録体を接着できる材料なら何でもよく、生産性
を考えると、紫外線硬化型若しくはホットメルト型接着
剤が好ましい。
を考えると、紫外線硬化型若しくはホットメルト型接着
剤が好ましい。
【００３８】本発明において、前記の下引き層、保護層
及び基板面ハードコート層には記録層の場合と同様に、
安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤などを含有させることができる。
及び基板面ハードコート層には記録層の場合と同様に、
安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤などを含有させることができる。
【００３９】
【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明これらに限定されるものではない。
発明これらに限定されるものではない。
【００４０】実施例１ 厚さ１．２μｍのポリメチルメタクリレート基板上に、
フォトポリマーにて深さ１２００Å、半値幅０．３５μ
ｍ、トラックピッチ１．０μｍの案内溝を形成した基板
上に、化合物具体例Ｎｏ．２４の１，２−ジクロロエタ
ン溶液をスピンナー塗布し、厚さ９００Åの記録層を設
けて、記録媒体を得た。
フォトポリマーにて深さ１２００Å、半値幅０．３５μ
ｍ、トラックピッチ１．０μｍの案内溝を形成した基板
上に、化合物具体例Ｎｏ．２４の１，２−ジクロロエタ
ン溶液をスピンナー塗布し、厚さ９００Åの記録層を設
けて、記録媒体を得た。
【００４１】実施例２〜８ 実施例１において化合物具体例Ｎｏ．２４の代わりに、
化合物具体例Ｎｏ．４、Ｎｏ．９、Ｎｏ．１６、Ｎｏ．
１９、Ｎｏ．２０、Ｎｏ．２１、Ｎｏ．２９を用いたこ
と以外は、実施例１と同様にして実施例２〜８の記録媒
体を得た。
化合物具体例Ｎｏ．４、Ｎｏ．９、Ｎｏ．１６、Ｎｏ．
１９、Ｎｏ．２０、Ｎｏ．２１、Ｎｏ．２９を用いたこ
と以外は、実施例１と同様にして実施例２〜８の記録媒
体を得た。
【００４２】比較例１ 実施例１において、化合物具体例Ｎｏ．２４の代わりに
下記式（VI）で示される化合物を用いたこと以外は、実
施例１と同様にして比較例１の記録媒体を作成した。
下記式（VI）で示される化合物を用いたこと以外は、実
施例１と同様にして比較例１の記録媒体を作成した。
【化１０】
【００４３】実施例１〜８及び比較例１の記録媒体を用
い、下記の記録条件で基板から光を入射して記録し、そ
の後記録位置を再生光によりＣ／Ｎ比及び反射率を測定
した。その結果を表２に示す。 記録条件： レーザ発振波長 ６３５ｎｍ 記録周波数 １．２５ＭＨｚ 記録線速 １．２ｍ／ｓｅｃ 再生条件： レーザ発振波長 ６３５ｎｍ 再生パワー ０．２５〜０．３ｍＷの連続光 スキャニングバンド巾 ３０ＫＨｚ 耐光テスト条件： 耐光テスト ４万Ｌｕｘ、Ｘｅ光、２０時間連続照射 保存テスト ８５℃、８５％、７２０時間放置
い、下記の記録条件で基板から光を入射して記録し、そ
の後記録位置を再生光によりＣ／Ｎ比及び反射率を測定
した。その結果を表２に示す。 記録条件： レーザ発振波長 ６３５ｎｍ 記録周波数 １．２５ＭＨｚ 記録線速 １．２ｍ／ｓｅｃ 再生条件： レーザ発振波長 ６３５ｎｍ 再生パワー ０．２５〜０．３ｍＷの連続光 スキャニングバンド巾 ３０ＫＨｚ 耐光テスト条件： 耐光テスト ４万Ｌｕｘ、Ｘｅ光、２０時間連続照射 保存テスト ８５℃、８５％、７２０時間放置
【００４４】
【表２】
【００４５】実施例９ 深さ１０００Å、半値幅０．３５μｍ、トラックピッチ
１．０μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、化合物具体例Ｎｏ．１をメ
チルシクロヘキサン、２−メトキシエタノール、メチル
エチルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解し
た液をスピンナー塗布し、厚さ１８００Åの記録層を形
成し、次いでその上にスパッタ法によりＡｕ２０００Å
の反射層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリマ
ーにて５μｍの保護層を設け、更にその上にホットメル
ト接着剤により厚み０．６ｍｍのポリカーボネート基板
を張り合わせて記録媒体を得た。
１．０μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、化合物具体例Ｎｏ．１をメ
チルシクロヘキサン、２−メトキシエタノール、メチル
エチルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解し
た液をスピンナー塗布し、厚さ１８００Åの記録層を形
成し、次いでその上にスパッタ法によりＡｕ２０００Å
の反射層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリマ
ーにて５μｍの保護層を設け、更にその上にホットメル
ト接着剤により厚み０．６ｍｍのポリカーボネート基板
を張り合わせて記録媒体を得た。
【００４６】実施例１０〜１６ 実施例９において、化合物具体例Ｎｏ．１の代わりにそ
れぞれ化合物具体例Ｎｏ．２、Ｎｏ．５、Ｎｏ．１４、
Ｎｏ．１７、Ｎｏ．２０、Ｎｏ．２２、Ｎｏ．２８を用
いたこと以外は、実施例９と同様にして実施例１０〜１
６の記録媒体を得た。
れぞれ化合物具体例Ｎｏ．２、Ｎｏ．５、Ｎｏ．１４、
Ｎｏ．１７、Ｎｏ．２０、Ｎｏ．２２、Ｎｏ．２８を用
いたこと以外は、実施例９と同様にして実施例１０〜１
６の記録媒体を得た。
【００４７】比較例２ 実施例９において、化合物具体例Ｎｏ．６の代わりに比
較例１で用いた前記式（VI）で示される化合物を用いた
こと以外は、実施例９と同様にして比較例２の記録媒体
を得た。
較例１で用いた前記式（VI）で示される化合物を用いた
こと以外は、実施例９と同様にして比較例２の記録媒体
を得た。
【００４８】比較例３ 実施例９において、化合物具体例Ｎｏ．１の代わりに下
記一般式（VII)で示される化合物を用いたこと以外は、
実施例９と同様にして比較例３の記録媒体を得た。
記一般式（VII)で示される化合物を用いたこと以外は、
実施例９と同様にして比較例３の記録媒体を得た。
【００４９】
【化１１】
【００５０】実施例９〜１６及び比較例２〜３の記録媒
体に発振波長６３５ｎｍ、ビーム径１．０μｍの半導体
レーザ光を用い、トラッキングしながらＥＦＭ信号を記
録し（線速１．４ｍ／ｓｅｃ）、同じレーザの連続光で
再生し、再生波形を観察した。その結果を表３に示す。
体に発振波長６３５ｎｍ、ビーム径１．０μｍの半導体
レーザ光を用い、トラッキングしながらＥＦＭ信号を記
録し（線速１．４ｍ／ｓｅｃ）、同じレーザの連続光で
再生し、再生波形を観察した。その結果を表３に示す。
【００５１】
【表３】
【００５２】実施例１７ 深さ１０００Å、半値幅０．４０μｍ、トラックピッチ
１．１μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、前記の式（VII）で示され
る化合物と化合物具体例Ｎｏ．３とを重量比１：１で混
合し、これをメチルシクロヘキサン、２−メトキシエタ
ノール、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン混合
溶媒に溶解し、スピンナー塗布して、厚さ１６００Åの
記録層を形成し、次いで、スパッタ法によりＡｕ２１０
０Åの反射層を形成して、更にその上にアクリル系フォ
トポリマーにて７μｍの保護層を設け、記録媒体を得
た。
１．１μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、前記の式（VII）で示され
る化合物と化合物具体例Ｎｏ．３とを重量比１：１で混
合し、これをメチルシクロヘキサン、２−メトキシエタ
ノール、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン混合
溶媒に溶解し、スピンナー塗布して、厚さ１６００Åの
記録層を形成し、次いで、スパッタ法によりＡｕ２１０
０Åの反射層を形成して、更にその上にアクリル系フォ
トポリマーにて７μｍの保護層を設け、記録媒体を得
た。
【００５３】実施例１８及び１９ 実施例１７において、化合物具体例Ｎｏ．３の代わりに
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．５、Ｎｏ．６を用いたこと
以外は、実施例１７と同様にして実施例１８及び１９の
記録媒体を得た。
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．５、Ｎｏ．６を用いたこと
以外は、実施例１７と同様にして実施例１８及び１９の
記録媒体を得た。
【００５４】実施例２０及び２１ 実施例１７において、化合物具体例Ｎｏ．３の代わりに
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．８、Ｎｏ．１８を用い、且
つ前記式（VII）で示される化合物の代わりに下記式（V
III）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例１
７と同様にして実施例２０及び２１の記録媒体を得た。
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．８、Ｎｏ．１８を用い、且
つ前記式（VII）で示される化合物の代わりに下記式（V
III）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例１
７と同様にして実施例２０及び２１の記録媒体を得た。
【００５５】
【化１２】
【００５６】実施例２２及び２３ 実施例１７において、化合物具体例Ｎｏ．３の代わりに
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．２２、Ｎｏ．２６を用い、
且つ前記式（VII）で示される化合物の代わりに下記式
（IX）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例１
７と同様にして実施例２２及び２３の記録媒体を得た。
それぞれ化合物具体例Ｎｏ．２２、Ｎｏ．２６を用い、
且つ前記式（VII）で示される化合物の代わりに下記式
（IX）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例１
７と同様にして実施例２２及び２３の記録媒体を得た。
【００５７】
【化１３】
【００５８】比較例４〜６ 実施例１７において、記録層をそれぞれ前記一般式（VI
I）で示される化合物のみ、前記一般式（VIII）で示さ
れる化合物のみ、前記一般式（IX）で示される化合物の
みとしたこと以外は、実施例１７と同様にして比較例３
〜５の記録媒体を得た。
I）で示される化合物のみ、前記一般式（VIII）で示さ
れる化合物のみ、前記一般式（IX）で示される化合物の
みとしたこと以外は、実施例１７と同様にして比較例３
〜５の記録媒体を得た。
【００５９】実施例１７〜２３及び比較例４〜６の記録
媒体に発振波長７８０ｎｍ、ビーム径１．６μｍの半導
体レーザ光を用い、トラッキングしながらＥＦＭ信号を
記録し（線速１．４ｍ／ｓｅｃ）、前記レーザ及び発振
波長６３５ｎｍ、ビーム径１．１μｍの半導体レーザの
連続光で再生し、再生波形を観察した。その結果を表４
に示す。
媒体に発振波長７８０ｎｍ、ビーム径１．６μｍの半導
体レーザ光を用い、トラッキングしながらＥＦＭ信号を
記録し（線速１．４ｍ／ｓｅｃ）、前記レーザ及び発振
波長６３５ｎｍ、ビーム径１．１μｍの半導体レーザの
連続光で再生し、再生波形を観察した。その結果を表４
に示す。
【００６０】
【表４】
【００６１】
【発明の効果】請求項１の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）で示される化合物の少なくとも１種を記録層中に
含有してなるものとしたことから、波長７００ｎｍ以下
に高い光吸収能と光反射性を有しているため、高密度記
録が可能な７００ｎｍ以下の波長域のレーザ光で記録、
再生が可能であり、しかも耐光性、保存安定性に優れて
いる。
（Ｉ）で示される化合物の少なくとも１種を記録層中に
含有してなるものとしたことから、波長７００ｎｍ以下
に高い光吸収能と光反射性を有しているため、高密度記
録が可能な７００ｎｍ以下の波長域のレーザ光で記録、
再生が可能であり、しかも耐光性、保存安定性に優れて
いる。
【００６２】請求項２の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）において、Ｘ1〜Ｘ4をハロゲン原子で置換された
フェニル基としたことにより、記録感度が向上し低ジッ
タが可能となるという効果が加わる。
（Ｉ）において、Ｘ1〜Ｘ4をハロゲン原子で置換された
フェニル基としたことにより、記録感度が向上し低ジッ
タが可能となるという効果が加わる。
【００６３】請求項３の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）において、Ｘ1〜Ｘ4をフッ素原子（含有置換基）
で置換されたフェニル基としたことによって、溶解性が
向上して、塗工法による記録層形成の製造マージンが増
加し生産性が向上するという効果が加わる。
（Ｉ）において、Ｘ1〜Ｘ4をフッ素原子（含有置換基）
で置換されたフェニル基としたことによって、溶解性が
向上して、塗工法による記録層形成の製造マージンが増
加し生産性が向上するという効果が加わる。
【００６４】請求項４の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）において、Ｘ1〜Ｘ4をアルキル基若しくはアルコ
キシ基で置換されたフェニル基としたことから、嵩高い
アルキル（アルコキシ）基を含むことで分子間の会合を
防ぎ、記録層の屈折率が向上してディスクの反射率が向
上するという効果が加わる。
（Ｉ）において、Ｘ1〜Ｘ4をアルキル基若しくはアルコ
キシ基で置換されたフェニル基としたことから、嵩高い
アルキル（アルコキシ）基を含むことで分子間の会合を
防ぎ、記録層の屈折率が向上してディスクの反射率が向
上するという効果が加わる。
【００６５】請求項５の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ4を分岐の嵩高いアルキル基と
したことから、請求項４同様に、溶解性が向上し、分子
間の会合を防ぎ、記録層の屈折率が向上してディスクの
反射率が向上するという効果が加わる。
（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ4を分岐の嵩高いアルキル基と
したことから、請求項４同様に、溶解性が向上し、分子
間の会合を防ぎ、記録層の屈折率が向上してディスクの
反射率が向上するという効果が加わる。
【００６６】請求項６の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ4がハロゲン原子で置換された
アルキル基としたことから、記録ピット形状が均一で高
感度、低ジッタなディスクの提供が可能になるという効
果が加わる。
（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ4がハロゲン原子で置換された
アルキル基としたことから、記録ピット形状が均一で高
感度、低ジッタなディスクの提供が可能になるという効
果が加わる。
【００６７】請求項７の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ4をフッ素原子で置換されたア
ルキル基としたことから溶解性に優れた製造マージンの
広い記録材料となり、且つ高感度、低ジッタが可能な記
録材料の提供が可能になるという効果が加わる。
（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ4をフッ素原子で置換されたア
ルキル基としたことから溶解性に優れた製造マージンの
広い記録材料となり、且つ高感度、低ジッタが可能な記
録材料の提供が可能になるという効果が加わる。
【００６８】請求項８はの光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）中ＭをＣｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｖ
Ｏ、Ｍｇのうちのいずれか１種としたことから、生産
性、記録特性に優れた材料を提供できるという効果が加
わる。
（Ｉ）中ＭをＣｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｖ
Ｏ、Ｍｇのうちのいずれか１種としたことから、生産
性、記録特性に優れた材料を提供できるという効果が加
わる。
【００６９】請求項９の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）で示される化合物の少なくとも１種と６８０〜７
５０ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素とを記録層中
に含有してなるものとしたことから、現状システムでの
ＣＤ−Ｒとして使用でき、しかも次世代の高密度光ディ
スクシステムとなっても、記録された情報を再生するこ
とが可能になる。
（Ｉ）で示される化合物の少なくとも１種と６８０〜７
５０ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素とを記録層中
に含有してなるものとしたことから、現状システムでの
ＣＤ−Ｒとして使用でき、しかも次世代の高密度光ディ
スクシステムとなっても、記録された情報を再生するこ
とが可能になる。
【００７０】請求項１０の光記録媒体は、６８０〜７５
０ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素として、ペンタ
メチンのシアニン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金
属キレート色素の少なくとも一種を選択したことから、
高品位の信号特性が記録可能となる。
０ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素として、ペンタ
メチンのシアニン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金
属キレート色素の少なくとも一種を選択したことから、
高品位の信号特性が記録可能となる。
【００７１】請求項１１の光記録媒体は、記録層が波長
６３０〜７２０ｎｍのレーザ光によって記録されるもの
であるため、７７０〜８３０ｎｍ対応の光記録媒体に比
べ１．６〜１．８倍の高密度化追記型光記録媒体が得ら
れる。
６３０〜７２０ｎｍのレーザ光によって記録されるもの
であるため、７７０〜８３０ｎｍ対応の光記録媒体に比
べ１．６〜１．８倍の高密度化追記型光記録媒体が得ら
れる。
【図１】本発明の記録媒体に適用し得る通常の追記型光
記録媒体としての層構成例を示す図である。
記録媒体としての層構成例を示す図である。
【図２】本発明の記録媒体に適用し得るＣＤ−Ｒ用とし
ての層構成例を示す図である。
ての層構成例を示す図である。
【図３】本発明の記録媒体に適用し得るＤＶＤ−Ｒ用と
しての層構成例を示す図である。
しての層構成例を示す図である。
１ 基板 ２ 記録層（有機色素層） ３ 下引き層 ４ 保護層 ５ ハードコート層 ６ 反射層 ７ 保護基板 ８ 接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植野 泰伸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 東 康弘 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に直接又は下引き層を介して記録
層を設け、更に必要に応じて、その上に反射層、保護層
を設けてなる光記録媒体において、前記記録層中に下記
一般式（Ｉ）で示される化合物の少なくとも１種を含有
してなることを特徴とする光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｍ、Ｒ1〜Ｒ4及びＸ1〜Ｘ4は、それぞれ以下の
ものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原
子を有してもよい２価、３価若しくは４価の金属原子、
又は置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、−（ＯＰＲ11Ｒ12）ｔ
基、（−ＯＰＯＲ13Ｒ14）ｔ基、−（ＯＳｉＲ15Ｒ16Ｒ
17）ｔ基、−（ＯＣＯＲ18）ｔ基、−（ＯＲ19）ｔ基、
−（ＯＣＯＣＯＯＲ20）ｔ基、−（ＯＣＯＣＯＲ21）ｔ
基若しくは−（ＯＣＯＮＲ22Ｒ23）ｔ基を有してもよい
金属原子、 Ｒ11〜Ｒ23：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未
置換の１価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換
の１価の芳香族炭化水素基、 ｔ：０〜２の整数、 Ｒ1〜Ｒ4：それぞれ独立に置換若しくは未置換のフェニ
ル基、 Ｘ1〜Ｘ4：それぞれ独立に水素原子又は置換若しくは未
置換のアルキル基。〕 - 【請求項２】 請求項１において、一般式（Ｉ）中のＸ
1〜Ｘ4が各々独立に置換されたフェニル基であって、フ
ェニル基を置換している置換基がハロゲン原子であるこ
とを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、一般式（Ｉ）
中のＸ1〜Ｘ4がフッ素原子若しくはフッ素原子含有置換
基で置換されているフェニル基であることを特徴とする
光記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかにおいて、一般
式（Ｉ）中のＸ1〜Ｘ4がアルキル基若しくはアルコキシ
基で置換されているフェニル基であることを特徴とする
光記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかにおいて、一般
式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ4が分岐のアルキル基であることを
特徴とする光記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかにおいて、一般
式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ4がハロゲン原子で置換されたアル
キル基であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項７】 請求項６において、一般式（Ｉ）中のＲ
1〜Ｒ4がハロゲン原子で置換されたアルキル基のハロゲ
ン原子がフッ素であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかにおいて、一般
式（Ｉ）中のＭがＣｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、ＶＯ、Ｍｇのうちのいずれかであることを特徴とす
る光記録媒体。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかにおいて、記録
層が前記一般式（Ｉ）で示される化合物の少なくとも１
種と６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する有
機色素とを含有してなることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項１０】 請求項９において、６８０ｎｍ〜７５
０ｎｍに最大吸収波長を有する有機色素がペンタメチン
のシアニン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金属キレ
ート色素の少なくとも１種であることを特徴とする光記
録媒体。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかにおいて、
記録層が波長６３０〜７２０ｎｍのレーザ光によって記
録されるものであることを特徴とする光記録媒体。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21127797A JP3659548B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1139707A true JPH1139707A (ja) | 1999-02-12 |
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Family
ID=16603268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21127797A Expired - Fee Related JP3659548B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 光記録媒体 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6225022B1 (ja) |
| JP (1) | JP3659548B2 (ja) |
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| JPH0724114B2 (ja) | 1985-12-12 | 1995-03-15 | 株式会社リコー | 光情報記録媒体 |
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-
1997
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1998
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