JPH10856A

JPH10856A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH10856A
Application number: JP8152612A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Maeda; 修一前田
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1996-06-13
Filing date: 1996-06-13
Publication date: 1998-01-06

Abstract

(57)【要約】【課題】２種類の波長で再生できる追記可能な光記録
媒体を提供する。【解決手段】有機色素を含有する記録層が次の（イ）
〜（ニ）の条件を満たすフタロシアニン系色素とテトラ
アザポルフィリン系色素の混合物からなる光記録媒体。（イ）第１の記録再生波長λ₁（７６０〜８００ｎｍ）
よりも３０〜７０ｎｍ短波長側に吸収極大Ｂ₁を有する
こと。（ロ）λ₁±５ｎｍでの吸光度が、Ｂ₁での吸光度の１
０％以下であること。（ハ）第２の再生波長λ₂（６００〜７００ｎｍ）より
も３０〜１２０ｎｍ短波長側に第２の吸収極大Ｂ₂を有
すること。（ニ）波長λ₂±５ｎｍでの吸光度がＢ₂での吸光度の
２０％以下であること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体に関し、
詳しくはレーザー光により記録できる光記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】昨今ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤが普及し、それ
に伴いユーザーが記録できる追記型ＣＤすなわち、ＣＤ
−Ｒの需要も伸びている。さらに、高密度記録のため、
レーザー光の発振波長の短波長化が注目され、７８０ｎ
ｍ、８３０ｎｍよりも短波長のレーザー光で記録再生可
能な光記録媒体が求められている。かかる状況におい
て、７８０ｎｍ近傍で記録再生するＣＤ−Ｒ媒体に対し
ても、より短波長のレーザーで再生できるタイプが望ま
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
ては、有機色素系光記録媒体は、安価でプロセス上容易
であることからＣＤ−Ｒ媒体として使用されてきたが、
有機色素は相変化や光磁気記録媒体のような無機材料と
異なり波長依存性が大きいという欠点がある。従来用い
られているＣＤ−Ｒ用の有機色素は主に２つのタイプに
わけられる。６００〜７００ｎｍ近傍に吸収極大をもつ
ものと、この波長域に小さな吸収帯をもつものである。
前者のタイプでは、７８０ｎｍ近傍のレーザーで記録し
た部分を短波長レーザーで再生すると、ある程度の変調
度が得られるものの、その吸収のために６００〜７００
ｎｍの短波長レーザー波長での反射率が１０％をはるか
に下回るため、トラッキング等再生上、困難が生じる。
後者のタイプでは吸収そのものが小さいため上記短波長
レーザーで再生すると２０〜３０％程度の反射率が得ら
れ、再生には困難がないものの、屈折率が小さいために
十分な変調度が得られない。かかる問題を解決するため
に、例えば特開平７−１５６５５０や特開平８−３１０
１０等では、２種以上の色素を混合することが提案され
ている。しかし、短波長での反射率が３０％以下であっ
たり、現実的には測定が極めて困難な有機色素層の屈折
率、消衰係数でパラメータ制御する等、２つの波長にお
いて十分な反射率を得ながら良好な信号特性を得るため
の条件が十分とはいえない。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、２波長で
十分な反射率を得、良好な信号特性を得る条件、およ
び、媒体を鋭意検討した結果、本発明に到達した。本発
明の要旨は、透明基板上に、少なくとも、有機色素を含
有する記録層、金属反射層、保護層の順に積層した光記
録媒体において、記録層が透明基板上の膜とした状態
で、次の（イ）〜（ニ）の条件を満たし、かつ該有機色
素が下記一般式〔Ｉ〕で示される１種以上のフタロシア
ニン系色素１種以上及び下記一般式〔II〕で示されるテ
トラアザポルフィリン系色素１種以上との混合物である
ことを特徴とする光記録媒体に存する。

【０００５】

【化３】

【０００６】（式中、Ａ１〜Ａ４は置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル
基、置換基を有していてもよいシクロヘキシル基、置換
基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有してい
てもよいフェノキシ基、置換基を有していてもよいシク
ロヘキシルオキシ基を表し、Ｚ１〜Ｚ４は、ハロゲン原
子、ニトロ基を表す。ｎ１〜ｎ４は０〜３の整数を表
す。Ｍ¹は２価の金属原子、３価又は４価の置換金属原
子、酸化金属又は２個の水素原子を表す。）

【０００７】

【化４】

【０００８】（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸は置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルキル
チオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基
を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有して
いてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいア
リールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子を
表し、Ｍ²は２価の金属原子、３価又は４価の置換金属
原子、酸化金属又は２個の水素原子を示す。）

【０００９】（イ）第１の記録再生波長λ₁（７６０〜
８００ｎｍ）よりも３０〜７０ｎｍ短波長側に吸収極大
Ｂ₁を有すること。（ロ）λ₁±５ｎｍでの吸光度が、Ｂ₁での吸光度の１
０％以下であること。（ハ）第２の再生波長λ₂（６００〜７００ｎｍ）より
も３０〜１２０ｎｍ短波長側に第２の吸収極大Ｂ₂を有
すること。（ニ）波長λ₂±５ｎｍでの吸光度がＢ₂での吸光度の
２０％以下であること。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明における記録層は、記録用のレーザ
ー光を吸収することによる昇温で減量し、膜厚が減少
し、光学特性が変化することにより、戻り光の位相が変
化し、反射率が変化したところを記録部とするものであ
る。

【００１１】本発明において、透明基板としてはポリカ
ーボネート、ポリメタクリレート、非晶質ポリオレフィ
ン等の樹脂やガラス等の公知のものが用いられ、サーボ
用の案内溝を有している。その溝は、深さは、通常１０
０〜２００ｎｍ、好ましくは、１４０〜１８０ｎｍで、
溝幅は、通常０．４５〜０．５μｍ、トラックピッチ
は、通常１〜１．６μｍであり、溝形状はＵ字溝が好ま
しい。溝の深さは、１００ｎｍ未満の場合には、記録時
に十分な変化がおきず、十分な記録変調度が得られない
場合がある。２００ｎｍを越えると、溝部と溝間部の反
射率差が大きすぎるため、溝上記録の場合には反射率が
低くなりすぎるので良くない。溝幅は、０．４５μｍ未
満には十分なトラッキングエラー信号振幅を得ることが
困難となる恐れがある。また、０．５μｍを越える溝幅
の場合には、記録した時に記録部が横に広がりやすくな
るので好ましくない。トラックピッチは、１．０〜１．
６μｍが好ましい。なお、Ｈｅ−Ｎｅレーザーによる光
学測定、あるいは、ＳＴＭやＡＦＭでプロファイルを測
定して求める。なお本件に関しては、ＳＴＭで求めた。

【００１２】記録層は、通常、有機色素等をエタノー
ル、エトキシエタノール、エトキシプロパノール、エチ
ルシクロヘキサン、プロピルシクロヘキサン、３−ヒド
ロキシ−３−メチル−２−ブタノン、ジアセトンアルコ
ール、フッ素系アルコール等の溶媒に溶かした溶液をス
ピンコートして得られる。この溶媒としては、沸点が１
００〜１６０℃である溶媒でフッ素系アルコール、すな
わち、１Ｈ、１Ｈ、３Ｈ−テトラフルオロプロパノー
ル、１Ｈ、１Ｈ、５Ｈ−オクタフルオロペンタノール、
１Ｈ、１Ｈ、３Ｈ−ヘキサフルオロブタノール、または
シクロヘキサン系溶媒、すなわちエチルシクロヘキサ
ン、ｎ−プロピルシクロヘキサン、ｉｓｏ−プロピルシ
クロヘキサン等が好ましく用いられる。沸点が１００℃
未満の場合には、スピンコート時に溶媒が速く気化する
ため、ディスクの半径４０ｍｍより外周側に塗布液がゆ
きつかず、半径方向の膜厚分布が極めて大きくなり、良
好な特性が得られないことがあるので好ましくない。ま
た、１６０℃を越える場合には、蒸発に時間がかかる上
に、膜中に溶媒が残留しやすく、この様な場合には、良
好な記録ジッターが得られないことが多い。膜厚は溝部
で６０〜１８０ｎｍ程度が好ましい。６０ｎｍ未満では
薄すぎて良好な記録感度が得られにくい恐れがある。ま
た、１８０ｎｍを越えると、記録部の横方向、スキャン
方向への変形が大きくなるため、クロストークやジッタ
ーが大きくなるため好ましくない。ところで、有機色素
の塗布には、スピンコート法を用いるため、溝部とラン
ド部の膜厚の比は、溝深さ、色素濃度、色素溶液の粘
度、基板材料と溶媒の濡れ性、成膜回転数、風速等のい
くつものパラメータにより左右されるものである。した
がって、特開平８−３１０１０のように、ランド部と溝
部の平均膜厚のみをパラメータとすると、信号特性その
ものに関係している実際の溝部の膜厚に関する情報を得
ることが難しい。特に、基板がポリカーボネートのよう
な高分子材の場合には基板の断面の切り出しが技術上、
極めて困難であるために、実際の溝部とランド部の記録
層の膜厚を測定することは難しい。実際に測定可能なの
は、ランド部と塗布膜の溝深さであり、溝部の膜厚はこ
の２つの値から算出できる。本件では塗布膜の溝深さが
５０〜１８０ｎｍであり、Ｕ字型であることが好まし
い。この溝深さが５０ｎｍ未満であると、トラッキング
エラー信号振幅が十分に得られなくなり、また、１８０
ｎｍを越える場合には溝部の膜厚が薄すぎるため、十分
な記録変調度が得られない恐れがある。

【００１３】本発明では、基板上の膜とした時に、記録
層が次の（イ）〜（ニ）の条件を満足する必要がある。
（イ）記録再生波長λ₁（７６０〜８００ｎｍ）よりも
３０〜７０ｎｍ短波長側に吸収極大Ｂ₁を持つこと、
（ロ）λ₁±５ｎｍでの吸光度がＢ₁での吸光度の１０
％以下であること、（ハ）第２の再生波長λ₂（６００
〜７００ｎｍ）よりも３０〜１２０ｎｍ短波長側に吸収
極大Ｂ₂を持つこと、（ニ）λ₂±５ｎｍでの吸光度が
Ｂ₂での吸光度の２０％以下であること。また、Ｂ₁で
の吸光度とＢ₂での吸光度との比率は、通常、Ｂ₁：Ｂ
₂＝１：９〜９：１、好ましくは３：７〜９：１、更に
好ましくは３：７〜７：３、特に好ましくは５：５〜
７：３である。

【００１４】光学記録に用いられる有機色素としては、
２波長で高反射率を得るためには７６０〜８００ｎｍの
波長λ₁での記録再生用色素（色素１）と、６００〜７
００ｎｍの波長λ₂での再生用の有機色素（色素２）そ
れぞれに、要求される特性がある。色素１は、ＣＤ−Ｒ
のオレンジブックを満たす特性をもたらすのみならず、
さらに、従来のＣＤ−Ｒ用の色素よりも吸収の半値幅が
小さい色素でなければならない。

【００１５】色素１は、透明基板上の膜の状態で、λ₁
よりも３０〜７０ｎｍ短波長側に吸収極大Ｂ₁をもち、
λ₁±５ｎｍでの吸光度がＢ₁での吸光度の１０％以下
であること。特に５％未満であることが好ましい。ま
た、λ₂±５ｎｍでの吸光度がＢ₁での吸光度の５０％
以下であることが好ましい。本件では、色素１として会
合性を抑制する置換基を付与した前記一般式〔Ｉ〕で示
されるフタロシアニン系色素が挙げられる。

【００１６】前記一般式〔Ｉ〕において、Ｚ１〜Ｚ４で
表されるハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、特に臭素原子が好ま
しい。ｎ１〜ｎ４は、０又は１が特に好ましい。Ａ１〜
Ａ４としてはメチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクタデシル基等の炭
素数１〜２０の直鎖状乃至分岐状のアルキル基；対応す
るアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、フェ
ノキシ基、シクロヘキシルオキシ基が挙げられ、これら
は更に置換基としてアルキル基、ハロゲン原子、ハロア
ルキル基、ハロアルコキシ基、ハロアルキルチオ基、ア
ミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基等を有
していてもよい。これら置換基のハロゲンとしてはフッ
素原子、臭素原子が好ましく、アルキルとしては炭素数
１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられる。ま
た、複数の置換基を置換している場合は同じでも異なっ
ていてもよい。

【００１７】Ｍ¹で表される２価金属原子の例として
は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｐ
ｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃｒ等が挙げられる。１置換３
価金属原子の例としては、ＡｌＦ、ＡｌＣｌ、ＡｌＢ
ｒ、ＡｌＩ、ＧａＦ、ＧａＣｌ、ＧａＢｒ、ＧａＩ、Ｉ
ｎＦ、ＩｎＣｌ、ＩｎＢｒ、ＩｎＩ、Ｔ１Ｆ、ＴｌＣ
ｌ、ＴｌＢｒ、ＴｌＩ等が挙げられる。２置換４価金属
の例としては、ＳｉＦ₂、ＳｉＣｌ₂、ＳｉＢｒ₂、Ｓ
ｉＩ₂、ＧｅＦ₂、ＧｅＣｌ₂、ＧｅＢｒ₂、Ｇｅ
Ｉ₂、ＳｎＦ₂、ＳｎＣｌ₂、ＳｎＢｒ₂、ＳｎＩ₂、
ＴｉＦ₂、ＴｉＣｌ₂、ＴｉＢｒ₂、ＴｉＩ₂、ＺｒＣ
ｌ₂、ＨｆＣｌ₂、Ｓｉ（ＯＨ）₂、Ｇｅ（ＯＨ）₂、
Ｓｎ（ＯＨ）₂、Ｚｒ（ＯＨ）₂、Ｈｆ（ＯＨ）₂、Ｓ
ｉＲ₂、ＧｅＲ₂、ＳｎＲ₂、ＴｉＲ₂（ここでＲは置
換基を有していてもよいアルキル基、アリール基を表
す。）、Ｓｉ（ＯＲ′）₂、Ｇｅ（ＯＲ′）₂、Ｓｎ
（ＯＲ′）₂、Ｔｉ（ＯＲ′）₂（ここでＲ′は置換基
を有していてもよいアルキル基、アリール基、アシル
基、トリアルキルシリルオキシ基、ＰＯ基、ＣＯ基等を
表す。）等が挙げられる。酸化金属の例としてはＶＯ、
ＴｉＯ、ＰｂＯ等が挙げられる。特に好ましい金属原子
の例としてはＰｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｂ、ＳｎＣｌ₂、Ｓ
ｉ（ＯＲ′）₂、Ａｌ−Ｃｌ、ＶＯ、ＴｉＯである。本
発明に特に好適なフタロシアニン系色素として一般式
（III)、（IV）、（Ｖ）、（VI）、（VII)およびそれぞ
れ対応する表−１、２、３、４、５で表される化合物が
挙げられる。

【００１８】

【化５】

【００１９】

【表１】

【００２０】

【化６】

【００２１】

【表２】

【００２２】

【化７】

【００２３】

【表３】

【００２４】

【化８】

【００２５】

【表４】

【００２６】

【化９】

【００２７】

【表５】

【００２８】一方、色素２は、同じく透明基板上の膜と
した状態で、上記波長λ₂よりも３０〜１２０ｎｍ短波
長側に吸収極大Ｂ₂をもち、λ₂±５ｎｍでの吸光度が
Ｂ₂での吸光度の２０％以下、好ましくは１０％未満で
ある。本件の色素２として前記一般式〔II〕で表される
テトラアザポルフィリン系色素が挙げられる。前記一般
式〔II〕において、Ｒ¹〜Ｒ⁸としては、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチ
ル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシ
ル基等の炭素数１〜２０の直鎖状ないし分岐状のアルキ
ル基、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、より好
ましくは炭素数１〜６のアルキル基；フェニル基、トリ
ル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２のア
リール基；またはシクロプロピル基、シクロブチル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル
基、シクロオクチル基等の炭素数３〜１０のシクロアル
キル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基等のアルコキシ基；対応するアルキルチオ基；フ
ェノキシ基、ナフチルオキシ基等のアリールオキシ基が
挙げられる。これらの基は更に置換基としてハロゲン原
子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチ
ル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基等のアルキル
基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−
ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチ
ルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１〜１０の
アルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ
基、プロポキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エト
キシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシプロ
ポキシ基、エトキシプロポキシ基、メトキシブトキシ
基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキ
シアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキ
シメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、
メトキシエトキシエトキシ基、エトキシメトキシメトキ
シ基、エトキシメトキシエトキシ基、エトキシエトキシ
メトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等の炭素数３
〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；アリルオ
キシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル
基等の炭素数６〜１２のアリール基；フェノキシ基、ト
リルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等
の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；シアノ基；ニト
ロ基：ヒドロキシ基；テトラヒドロフリル基；メチルス
ルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プ
ロピルスルホニルアミノ基、イソプロピルスルホニルア
ミノ基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブ
チルスルホニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルスルホニルア
ミノ基、ｎ−ペンチルスルホニルアミノ基、ｎ−ヘキシ
ルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスル
ホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等の
ハロゲン原子；メトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシ
カルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−
ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル
基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオ
キシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボ
ニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニル
オキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロ
ピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ
基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブ
チルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキ
シ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜
７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニル
オキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキ
シカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキ
シ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニ
ルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシカルボニルオキシ基、
ｎ−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜
７のアルコキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。

【００２９】さらに、Ｒ¹〜Ｒ⁸としてはニトロ基、シ
アノ基、ハロゲン原子であってもよい。Ｒ¹〜Ｒ⁸の例
としては、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘ
キシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタ
デシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられ
る。特に好ましいＲ¹〜Ｒ⁸の例としては、イソプロピ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、２−エ
チルヘキシル基等の炭素数１〜８の分岐のアルキル基が
挙げられる。

【００３０】Ｍ²で表される２価金属原子の例として
は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｐ
ｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃｒ等が挙げられる。１置換３
価金属原子の例としては、ＡｌＦ、ＡｌＣｌ、ＡｌＢ
ｒ、ＡｌＩ、ＧａＦ、ＧａＣｌ、ＧａＢｒ、ＧａＩ、Ｉ
ｎＦ、ＩｎＣｌ、ＩｎＢｒ、ＩｎＩ、Ｔ１Ｆ、ＴｌＣ
ｌ、ＴｌＢｒ、ＴｌＩ等が挙げられる。２置換４価金属
の例としては、ＳｉＦ₂、ＳｉＣｌ₂、ＳｉＢｒ₂、Ｓ
ｉＩ₂、ＧｅＦ₂、ＧｅＣｌ₂、ＧｅＢｒ₂、Ｇｅ
Ｉ₂、ＳｎＦ₂、ＳｎＣｌ₂、ＳｎＢｒ₂、ＳｎＩ₂、
ＴｉＦ₂、ＴｉＣｌ₂、ＴｉＢｒ₂、ＴｉＩ₂、ＺｒＣ
ｌ₂、ＨｆＣｌ₂、Ｓｉ（ＯＨ）₂、Ｇｅ（ＯＨ）₂、
Ｓｎ（ＯＨ）₂、Ｚｒ（ＯＨ）₂、Ｈｆ（ＯＨ）₂、Ｓ
ｉＲ₂、ＧｅＲ₂、ＳｎＲ₂、ＴｉＲ₂（Ｒは置換基を
有していてもよいアルキル基、アリール基を表す。）、
Ｓｉ（ＯＲ′）₂、Ｇｅ（ＯＲ′）₂、Ｓｎ（ＯＲ′）
₂、Ｔｉ（ＯＲ′）₂（Ｒ′は置換基を有していてもよ
いアルキル基、アリール基、アシル基、トリアルキルシ
リルオキシ基、ＰＯ基、ＣＯ基等を表す。）等が挙げら
れる。酸化金属の例としてはＶＯ、ＴｉＯ、ＰｂＯ等が
挙げられる。特に好ましい金属原子の例としてはＰｄ、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｂ、ＳｎＣｌ₂、Ｓｉ（ＯＲ′）₂、Ａ
ｌ−Ｃｌ、ＶＯ、ＴｉＯである。本発明で用いられる一
般式〔II〕のテトラアザポルフィリン系化合物の具体例
としては、例えば下記の化合物が挙げられる。これらの
色素は単独で用いてもよいし、２種以上混合して用いて
もよい。

【００３１】

【化１０】

【００３２】

【化１１】

【００３３】

【化１２】

【００３４】

【化１３】

【００３５】

【化１４】

【００３６】

【化１５】

【００３７】

【化１６】

【００３８】

【化１７】

【００３９】

【化１８】

【００４０】

【化１９】

【００４１】

【化２０】

【００４２】

【化２１】

【００４３】そして、記録層は、上記色素１の１種以上
と上記色素２の１種以上とを混合した溶液をスピンコー
トして基板上に形成する。その結果、記録層単層は、上
記請求項１に示される条件を満たす。λ₁での吸収端、
λ₂での吸収端の吸光度の、それぞれの吸収極大にたい
する割合が記録層の好ましい消衰係の範囲に相当する条
件であり、吸収極大の波長と上記吸収端の吸光度の割合
の両方が、記録層の好ましい屈折率の範囲に相当する条
件を示す。記録層の屈折率は、波長λ₁で２〜３、波長
λ₂で１．７〜２．３、消衰係数は、λ₁で、０．０２
〜０．０８、λ ₂で０．０２〜０．１である。吸光度、
吸収極大、屈折率、消衰がこの範囲をはずれて小さい場
合、２波長で十分な変調度を得ることが困難となりやす
い。

【００４４】金属反射層は、記録層を透過したレーザー
光を効率良く反射する金属膜であり、６００〜７００ｎ
ｍで反射率が低下しないために、記録再生波長±５ｎｍ
の波長領域の光の屈折率が０．１〜０．２、消衰係数が
３〜５であるものが好ましい。好ましい金属反射膜とし
て、金を主成分とした金属反射膜や、銀を主成分とした
金属反射膜が例示できる。特に銀を主成分とした金属反
射膜が好ましい。また、耐候性の向上のために、銀に、
ロジウム、パラジウム、白金、チタン、モリブデン、ジ
ルコニウム、タンタル、タングステン、バナジウム等の
添加元素を５原子％以下の範囲で加えてもよい。金属反
射層の膜厚は、好ましくは８０ｎｍ以上で、記録層の変
形を抑制しすぎたり、記録感度を悪化させすぎない程度
の膜厚が好ましい。

【００４５】本発明の光学記録媒体においては、反射層
の上に保護層を積層し、記録部の金属反射層の穴の発生
を防止したり、変形の非対称性を抑制する効果を有して
いる。保護層としては紫外線硬化樹脂が好ましい。ま
た、保護層は、通常１μｍ以上、好ましくは３μｍ以上
の膜厚にして、酸素による硬化抑制等がおこらないよう
にする。

【００４６】

【実施例】以下本発明を実施例を用いてさらに詳細に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、実施例に
限定されるものではない。実施例１溝深さ１４０ｎｍ、溝幅（溝の半値幅）０．４５μｍ
（トラックピッチ１．６μｍ）のＶ字案内溝を有するポ
リカーボネート基板上に前記化合物（Ａ−２７）のフタ
ロシアニン色素と、前記化合物（Ｂ−７）のテトラアザ
ポルフィリン色素を１：１の重量割合で、溶媒（ｎ−プ
ロピルシクロヘキサン）に対し、色素総重量３．５ｗｔ
％溶解した塗布液を作成し、これを前述のポリカーボネ
ート基板上に９００ｒｐｍでスピンコートし、その後１
００℃のオーブンで１時間アニール記録層を形成した。

【００４７】その上に銀の反射層を厚さ１００ｎｍ、ス
パッタリングにて形成し、更にその上にＵＶ硬化樹脂
（大日本インキ製「ＳＤ−３１８」）を約３μｍスピン
コートし、紫外線ランプで硬化させ保護層とし、ディス
クを形成した。このディスクを半導体レーザー評価機
（ＤＤＵ−１０００）にかけ、７８０ｎｍ（λ₁）での
光ディスク特性を測定した。その結果反射率は６５％
で、４．８ｍ／ｓでの記録特性（記録パワー９ｍＷ）は
すべてオレンジブックの規格を満たしていた。

【００４８】この記録部を、６５０ｎｍ（λ₂）の半導
体レーザー評価機（パルステック社製）で再生したとこ
ろ、反射率は４５％、３Ｔジッターが１４％で良好なア
イパターンが再生できた。尚、塗布膜の溝深さは９０ｎ
ｍであった。この結果として、それぞれの色素の吸収極
大（Ｂ₁、Ｂ₂）、Ｂ₁、Ｂ₂での吸光度に対する
λ ₁、λ₂での吸光度の割合、６８０ｎｍでの３Ｔジッ
ター（％）の結果を表−６に示す。

【００４９】実施例２実施例１のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−９）に替えた以外は実施例１と同様の実験を行っ
た。結果を表−６に示す。

【００５０】実施例３実施例１のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−５）に替えた以外は実施例１と同様の実験を行っ
た。結果を表−６に示す。

【００５１】実施例４実施例１のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−１）に替えた以外は実施例１と同様の実験を行っ
た。結果を表−６に示す。

【００５２】実施例５実施例１のフタロシアニン色素を前記化合物（Ａ−７
２）のフタロシアニン色素に、実施例１のテトラアザポ
ルフィリン色素を前記化合物（Ｂ−６）のテトラアザポ
ルフィリン色素に替えた以外は実施例１と同様の実験を
行った。結果を表−６に示す。

【００５３】実施例６実施例５のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−２）に替え、λ₂を６４０ｎｍに替えた以外は実
施例５と同様の実験を行った。結果を表−６に示す。

【００５４】実施例７実施例５のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−４）に替えた以外は実施例５と同様の実験を行っ
た。結果を表−６に示す。

【００５５】実施例８実施例５のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−８）に替えた以外は実施例５と同様の実験を行っ
た。結果を表−６に示す。

【００５６】実施例９実施例５のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−１２）に替えた以外は実施例５と同様の実験を行
った。結果を表−６に示す。

【００５７】実施例１０実施例１のフタロシアニン色素を前記化合物（Ａ−２
２）のフタロシアニン色素に、実施例１のテトラアザポ
ルフィリン色素を前記化合物（Ｂ−４１）のテトラアザ
ポルフィリン色素に替えた以外は実施例１と同様の実験
を行った。結果を表−６に示す。

【００５８】実施例１１実施例１０のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−４２）に替え、λ₂を６８０ｎｍに替えた以外は
実施例１０と同様の実験を行った。結果を表−６に示
す。

【００５９】実施例１２溝深さ１３５ｎｍ、溝幅０．４５μｍ（トラックピッチ
１．６μｍ）のＶ字案内溝を有するポリカーボネート基
板上に、前記化合物（Ａ−５９）のフタロシアニン色素
と、前記化合物（Ｂ−４３）のテトラアザポルフィリン
色素を１：１の重量割合で、溶媒（オクタフルオロペン
タノール）に対し、色素総重量２．２ｗｔ％溶解した塗
布液を作成し、これを前述のポリカーボネート基板上に
９００ｒｐｍでスピンコートし、その後１０５℃のオー
ブンで３０分間アニール記録層を形成した。

【００６０】その上に銀の反射層を厚さ１００ｎｍ、ス
パッタリングにて形成し、更にその上にＵＶ硬化樹脂
（大日本インキ製「ＳＤ−３１８」）を約４μｍスピン
コートし、紫外線ランプで硬化させ保護層とし、ディス
クを形成した。このディスクを半導体レーザー評価機
（ＤＤＵ−１０００）にかけ、７８０ｎｍ（λ₁）での
光ディスク特性を測定した。その結果反射率は６６％
で、４．８ｍ／ｓでの記録特性（記録パワー９ｍＷ）は
すべてオレンジブックの規格を満たしていた。

【００６１】この記録部を、６５０ｎｍ（λ₂）の半導
体レーザー評価機（パルステック社製）で再生したとこ
ろ、反射率は４６％、３Ｔジッターが１５％で良好なア
イパターンが再生できた。尚、塗布膜の溝深さは１００
ｎｍであった。この結果として、それぞれの色素の吸収
極大（Ｂ₁、Ｂ₂）、Ｂ₁、Ｂ₂での吸光度に対するλ
₁、λ₂での吸光度の割合、６８０ｎｍでの３Ｔジッタ
ー（％）の結果を表−６に示す。

【００６２】実施例１３実施例１２のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−４９）に替えた以外は実施例１２と同様の実験を
行った。結果を表−６に示す。

【００６３】実施例１４実施例１２のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−４７）に替えた以外は実施例１２と同様の実験を
行った。結果を表−６に示す。

【００６４】実施例１５実施例１２のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−５７）に替えた以外は実施例１２と同様の実験を
行った。結果を表−６に示す。

【００６５】実施例１６実施例１２のフタロシアニン色素を前記化合物（Ａ−７
５）のフタロシアニン色素に、実施例１２のテトラアザ
ポルフィリン色素を前記化合物（Ｂ−６０）のテトラア
ザポルフィリン色素に替えた以外は実施例１２と同様の
実験を行った。結果を表−６に示す。

【００６６】実施例１７実施例１２のテトラアザポルフィリン色素を前記化合物
（Ｂ−６９）に替え、λ₂を６８０ｎｍに替えた以外は
実施例１２と同様の実験を行った。結果を表−６に示
す。

【００６７】

【表６】

【００６８】比較例１テトラアザポルフィリン色素を使用せず、塗布液中の濃
度が１．８ｗｔ％にした以外は実施例１と同様の実験を
行った。この結果７８０ｎｍではオレンジブックを満た
す特性が得られたが、６８０ｎｍで再生すると、アイパ
ターンは全く見えなかった。

【００６９】

【発明の効果】本発明により、従来の７８０ｎｍ、８３
０ｎｍ前後での記録再生と同時に、６００〜７００ｎｍ
の短波長でも好適に再生のできる光ディスクを提供する
ことができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に、少なくとも、有機色素を
含有する記録層、金属反射層、保護層の順に積層した光
記録媒体において、記録層が透明基板上の膜とした状態
で、次の（イ）〜（ニ）の条件を満たし、かつ下記一般
式〔Ｉ〕で示されるフタロシアニン系色素１種以上及び
下記一般式〔II〕で示されるテトラアザポルフィリン系
色素１種以上との混合物であることを特徴とする光記録
媒体。（イ）第１の記録再生波長λ₁（７６０〜８００ｎｍ）
よりも３０〜７０ｎｍ短波長側に吸収極大Ｂ₁を有する
こと。（ロ）λ₁±５ｎｍでの吸光度が、Ｂ₁での吸光度の１
０％以下であること。（ハ）第２の再生波長λ₂（６００〜７００ｎｍ）より
も３０〜１２０ｎｍ短波長側に第２の吸収極大Ｂ₂を有
すること。（ニ）波長λ₂±５ｎｍでの吸光度がＢ₂での吸光度の
２０％以下であること。【化１】（式中、Ａ１〜Ａ４は置換基を有していてもよいアルキ
ル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を
有していてもよいシクロヘキシル基、置換基を有してい
てもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいフェ
ノキシ基、置換基を有していてもよいシクロヘキシルオ
キシ基を表し、Ｚ１〜Ｚ４は、ハロゲン原子、ニトロ基
を表す。ｎ１〜ｎ４は０〜３の整数を表す。Ｍ¹は２価
の金属原子、３価又は４価の置換金属原子、酸化金属又
は２個の水素原子を表す。）【化２】（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸は置換基を有していてもよいアルキ
ル基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換
基を有していてもよいアリール基、置換基を有していて
もよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいア
ルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ
基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子を表し、Ｍ²は
２価の金属原子、３価又は４価の置換金属原子、酸化金
属又は２個の水素原子を示す。）
【請求項２】前記一般式〔Ｉ〕で示されるフタロシア
ニン系色素が次の（イ）′〜（ハ）′の条件を満たし、
前記一般式（II）で示されるテトラアザポルフィリン系
色素が次の（ニ）′（ホ）′の条件を満たすことを特徴
とする請求項１に記載の光記録媒体。（イ）′第１の記録再生波長λ₁（７６０〜８００ｎ
ｍ）よりも３０〜７０ｎｍ短波長側に吸収極大Ｂ₁を有
すること。（ロ）′λ₁±５ｎｍでの吸光度が、Ｂ₁での吸光度の
１０％以下であること。（ハ）′λ₂±５ｎｍでの吸光度が、Ｂ₁での吸光度の
５０％以下であること。（ニ）′第２の再生波長λ₂（６００〜７００ｎｍ）よ
りも３０〜１２０ｎｍ短波長側に第２の吸収極大Ｂ₂を
有すること。（ホ）′波長λ₂±５ｎｍでの吸光度がＢ₂での吸光度
の２０％以下であること。
【請求項３】金属反射層が銀を主成分とすることを特
徴とする請求項１又は２に記載の光記録媒体。
【請求項４】保護層が紫外線硬化樹脂である請求項１
〜３のいずれか１項に記載の光記録媒体。