JPH09267562A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPH09267562A
JPH09267562A JP9029685A JP2968597A JPH09267562A JP H09267562 A JPH09267562 A JP H09267562A JP 9029685 A JP9029685 A JP 9029685A JP 2968597 A JP2968597 A JP 2968597A JP H09267562 A JPH09267562 A JP H09267562A
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JP
Japan
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group
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unsubstituted
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optical recording
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Pending
Application number
JP9029685A
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English (en)
Inventor
Tatsuya Tomura
辰也 戸村
Tsutomu Sato
勉 佐藤
Noboru Sasa
登 笹
Yasunobu Ueno
泰伸 植野
Yasuhiro Azuma
康弘 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH09267562A publication Critical patent/JPH09267562A/ja
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の波長域より短波長に発振波長を有する
半導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用
可能な耐光性、保存安定性に優れた光記録媒体を提供す
ること、及び現状システムで記録、再生が可能で且つ次
世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生のみは
可能なCD−R媒体用の記録媒体を提供すること。 【解決手段】 下記一般式(I)等で示される化合物の
少なくとも1種あるいは該化合物と680〜750nm
に最大吸収波長を有する有機色素とを記録層に含有させ
る。 【化1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体に関する
ものであって、特に光ビームを照射することにより、記
録材料の透過率、反射率等の光学的な変化を生じさせ、
情報の記録、再生を行ない、且つ追記が可能な光記録媒
体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在の追記光型ディスクシステム(WO
RM、CD−R)では、使用レーザの発振波長が770
nm〜790nmにあり、記録媒体は上記波長で記録、
再生が可能なように構成されている。今後、情報量の増
大に伴い記録媒体の大容量化への流れは必須である。従
って、記録、再生に用いるレーザ波長が短波長化するこ
とも必然的に起ってくることが容易に予想される。た
ゞ、データ用追記光型ディスクとして、シアニン色素や
フタロシアニン色素を記録材料として用いた数多くの提
案がなされている(例えば、シアニン色素を記録材料と
して用いたものには、特開昭57−82093号、特開
昭58−56892号、特開昭58−112790号、
特開昭58−114989号、特開昭59−85791
号、特開昭60−83236号、特開昭60−8984
2号、特開昭61−25886号各公報等が、また、フ
タロシアニン色素を記録材料として用いたものには、特
開昭61−150243号、特開昭61−177287
号、特開昭61−154888号、特開昭61−246
091号、特開昭62−39286号、特開昭63−3
7791号、特開昭63−39888号各公報等があ
る)が、耐光性、保存安定性に優れ、且つ700nm以
下のレーザを用いた光ピックアップで記録、再生が可能
な記録材料は、未だ開発されていないのが現状である。
【0003】現在のCD−Rディスクシステムも、使用
レーザの発振波長である770nm〜790nmで、記
録、再生が可能なように構成されている。このシステム
も上記同様に、大容量化、記録・再生波長の短波長化は
必須である。この点、現在のCD及びCD−ROMは、
基板自体の凹凸上にAlがコーティングしてあり、Al
の反射率の波長依存性が小さいため、将来、レーザ波長
が短波長化されても再生は可能である。しかしながら、
CD−Rは記録層に680nm〜750nmに最大吸収
波長を有する色素を用い、その光学定数及び膜厚構成か
ら770nm〜790nmに高い反射率が得られる様設
定してあるため、700nm以下の波長域では反射率は
極めて低く、レーザ波長の短波長化に対応できず、現在
のCD−Rシステムで記録、再生している情報が、将来
のシステムでは再生出来ない事態を招く。これまでCD
−Rとして、シアニン色素/金属反射層、フタロシアニ
ン色素/金属反射層又はアゾ金属キレート色素/金属反
射層などを記録材料として用いた数多くの提案がなされ
ている(例えば、シアニン色素/金属反射層を記録材料
として用いたものには、特開平1−159842号、特
開平2−42652号、特開平2−13656号、特開
平2−168446号各公報等が、フタロシアニン色素
を記録材料として用いたものには、特開平1−1765
85号、特開平3−215466号、特開平4−113
886号、特開平4−226390号、特開平5−12
72号、特開平5−171052号、特開平5−116
456号、特開平5−69860号、特開平5−139
044号各公報等が、またアゾ金属キレート色素を記録
材料として用いたものには、特開平4−46186号、
特開平4−141489号、特開平4−361088
号、特開平5−279580号各公報等がある)が、こ
のような点に解決を与えるものは未だ見出されていな
い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような状況に鑑みてなされたものであって、上記従来
システムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レ
ーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐
光性、保存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料を提
供するとともに、現状システムで記録、再生が可能で且
つ次世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生可
能なCD−R媒体用の記録材料を提供すること目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討を
重ねた結果、特定の構造を有する色素を主成分とする記
録層を設けることにより、発振波長700nm以下の半
導体レーザを用いる高密度光ディスクシステムに適用可
能なことを見出し、更には本色素を現在CD−R用記録
材料として用いられている有機色素と混合して用いるこ
とにより、700nm以下の波長域にも高い反射率を得
ることが可能であることを見出し、本発明を完成するに
至った。
【0006】即ち、本発明によれば、第一に、基板上に
直接又は下引き層を介して記録層を設け、更に必要に応
じて、その上に反射層、保護層を設けてなる光記録媒体
において、前記記録層中に下記一般式(I)又は(II)
で示される化合物の少なくとも1種を含有してなること
を特徴とする光記録媒体が提供される。
【化1】
【化2】 〔式中、M、X1〜X4及びX5〜X8は、それぞれ以下の
ものを表わす。 M:2個の水素原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原
子を有してもよい2価、3価若しくは4価の金属原子、
又は置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、−(OPR12)p
基、(−OPOR34)p基、−(OSiR567)p
基、−(OCOR8)p基、−(OR9)p基、−(OCO
COOR10)p基、−(OCOCOR11)p基若しくは−
(OCONR1213)p基を有してもよい金属原子、 R1〜R13:それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未
置換の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換
の1価の芳香族炭化水素基、 p:0〜2の整数、 X1〜X4、X5〜X8:それぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、置換若しくは未置換の直鎖若しくは
分岐のアルキル基、アルキルアルコキシ基、置換若しく
は未置換のアルコキシ基、カルボン酸エステル基、置換
若しくは未置換のアリール基、置換若しくは未置換のア
リールオキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオ
基、置換若しくは未置換のアリールチオ基、置換若しく
は未置換のベンジル基、置換若しくは未置換のベンジル
オキシ基、置換若しくは未置換のベンジルチオ基又は複
素環残基。〕 第二に、前記一般式(I)又は(II)において、X1
4がそれぞれ独立に水素原子又は置換若しくは未置換
の直鎖若しくは分岐のアルキル基で、X5〜X8がそれぞ
れ独立に水素原子、アルコキシ基又はハロゲン原子(但
し、X1〜X8のすべてが水素原子となることはない)で
ある上記第一に記載した光記録媒体が提供される。第三
に、前記一般式(I)又は(II)において、X1〜X4
それぞれ独立に水素原子又は置換若しくは未置換の直鎖
若しくは分岐のアルキル基で、X5〜X8がそれぞれ独立
に水素原子又はハロゲン原子(但し、X1〜X8のすべて
が水素原子となることはない)である上記第一に記載し
た光記録媒体が提供される。第四に、前記一般式(I)
又は(II)において、X1〜X4がそれぞれ独立に水素原
子、置換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐のアルキル
基、アルキルアルコキシ基又はアルコキシル基で、X5
〜X8は置換基Y1及びY2を有するフェニル基で、Y1
2はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子で置換さ
れても良い直鎖若しくは分岐のアルキル基、アルキルア
ルコキシ基、アルコキシル基又はハロゲン原子で置換さ
れても良いアリール基である上記第一に記載した光記録
媒体が提供される。第五に、前記一般式(I)又は(I
I)において、X1〜X4がシアノ基で、X5〜X8は置換
若しくは未置換の直鎖又は分岐のアルキル基である上記
第一に記載した光記録媒体が提供される。第六に、前記
一般式(I)又は(II)において、X1〜X4がシアノ基
で、X5〜X8は置換基Z1〜Z5、Z1'〜Z5'、Z1''〜
5''、Z1'''〜Z5'''を有するフェニル基で、該置換
基の少なくとも1つがフッ素原子、フッ素原子を含有す
るアルキル基又はアルコキシル基である上記第一に記載
した光記録媒体が提供される。第七に、前記一般式
(I)又は(II)において、X1〜X4がシアノ基で、X
5〜X8は置換若しくは未置換のアリール基である上記第
一に記載の光記録媒体が提供される。第八に、前記一般
式(I)又は(II)において、X1〜X4がそれぞれ独立
に水素原子、置換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐の
アルキル基で、X5〜X8は水素原子、アルキル基又はハ
ロゲン原子である上記第一に記載した光記録媒体が提供
される。第九に、前記記録層が前記一般式(I)又は
(II)で示される化合物の少なくとも1種と680nm
〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素とを含有
してなることを特徴とする上記第一〜第八のいずれかに
記載した光記録媒体が提供される。第十に、前記680
nm〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素がペ
ンタメチンのシアニン色素、フタロシアニン色素及びア
ゾ金属キレート色素の少なくとも1種である上記第九に
記載した光記録媒体が提供される。第十一に、前記記録
層が波長630〜720nmのレーザ光によって記録さ
れるものである上記第一〜第十のいずれかに記載した光
記録媒体が提供される。第十二に、前記反射層がアルミ
ニウム又は金からなる上記第一〜第十一のいずれかに記
載した光記録媒体が提供される。第十三に、前記保護層
が紫外線硬化型樹脂からなる上記第一〜第十二のいずれ
かに記載した光記録媒体が提供される。
【0007】本発明の光記録媒体は、前記一般式(I)
又は(II)で示される化合物の少なくとも1種を含有す
る記録層を設けたことから、700nm以下の波長域の
レーザ光で記録、再生が可能で、しかも耐光性且つ保存
安定性に優れたものとなり、また別の態様では、前記一
般式(I)又は(II)で示される少なくとも1種の化合
物と、680〜750nmに最大吸収波長を有する有機
色素との混合物からなる記録層を設けたことから、現状
システムでのCD−R媒体として使用でき、しかも次世
代の高密度光ディスクシステムとなっても、記載された
情報を再生することが可能なものとなる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
本発明の光記録媒体は、記録層中に前記一般式(I)又
は(II)で示される化合物の少なくとも1種を含有して
なることを特徴とする。
【化1】
【化2】
【0009】まず、本発明で使用する前記一般式(I)
又は(II)で示される化合物について説明する。前記一
般式(I)又は(II)において、Mは2個の水素原子、
又は酸素原子若しくはハロゲン原子を有してもよい2
価、3価若しくは4価の金属原子、又は置換若しくは未
置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、−(OPR12)p基、(−OPOR
34)p基、−(OSiR567)p基、−(OCO
8)p基、−(OR9)p基、−(OCOCOOR10)p
基、−(OCOCOR11)p基若しくは−(OCONR
1213)p基を有してもよい金属原子を表わす。R1〜R
13はそれぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置換の1
価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換の1価の
芳香族炭化水素基を表わし、pは0〜2の整数を表わ
す。X1〜X4及びX5〜X8はそれぞれ独立に水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは未置換の直鎖若
しくは分岐のアルキル基、アルキルアルコキシ基、置換
若しくは未置換のアルコキシ基、カルボン酸エステル
基、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは未
置換のアリールオキシ基、置換若しくは未置換のアルキ
ルチオ基、置換若しくは未置換のアリールチオ基、置換
若しくは未置換のベンジル基、置換若しくは未置換のベ
ンジルオキシ基、置換若しくは未置換のベンジルチオ基
又は複素環残基を表わす。
【0010】本発明において、X1≠X5、X2≠X6、X
3≠X7、X4≠X8である場合は、分子の対称性が低下し
溶解性に優れ、塗布型記録層の形成が可能となり、更に
下記に示す(A)〜(D)、(F)〜(H)のそれぞれ
4つの異性体が存在し、これらの混合物である場合、吸
収波長等の特性を微調整する際有利であり、且つ薄膜化
した時の記録パワーマージンなどの拡大が計れる。
【0011】
【化3】
【化4】
【化5】
【0012】
【化6】
【化7】
【化8】
【0013】
【化9】
【化10】
【0014】一般式(I)及び(II)中、X1〜X4、X
5〜X8のアルキル基(アルコキシ基、アルキルアルコキ
シ基中のアルキル部分を含む)の具体例としては、例え
ば、次のものが挙げられる。なお、これらのアルキル基
は、ハロゲン原子等の置換基で置換されていてもよい。
メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、
イソブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、イソ
アミル基、2−メチルブチル基、n−ヘキシル基、2−
メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチル
ペンチル基、2−エチルブチル基、n−ヘプチル基、2
−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、4−メチ
ルヘキシル基、5−メチルヘキシル基、2−エチルペン
チル基、3−エチルペンチル基、n−オクチル基、2−
メチルヘプチル基、3−メチルヘプチル基、4−メチル
ヘプチル基、5−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシ
ル基、3−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシ
ル基、n−ドデシル基等の一級アルキル基;イソプロピ
ル基、sec−ブチル基、1−エチルプロピル基、1−
メチルブチル基、1,2−ジメチルプロピル基、1−メ
チルヘプチル基、1−エチルブチル基、1,3−ジメチ
ルブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1−エチル−
2−メチルプロピル基、1−メチルヘキシル基、1−エ
チルヘプチル基、1−プロピルブチル基、1−イソプロ
ピル−2−メチルプロピル基、1−エチル−2−メチル
ブチル基、1−プロピル−2−メチルプロピル基、1−
メチルヘプチル基、1−エチルヘキシル基、1−プロピ
ルペンチル基、1−イソプロピルぺンチル基、1−イソ
プロピル−2−メチルブチル基、1−イソプロピル−3
−メチルブチル基、1−メチルオクチル基、1−エチル
ヘプチル基、1−プロピルヘキシル基、1−イソブチル
−3−メチルブチル基等の二級アルキル基;tert−
ブチル基、tert−ヘキシル基、tert−アミル
基、tert−オクチル基等の三級アルキル基;シクロ
ヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、4−エチル
シクロヘキシル基、4−tert−ブチルシクロヘキシ
ル基、4−(2−エチルヘキシル)シクロヘキシル基、
ボルニル基、イソボルニル基、アダマンタン基等のシク
ロアルキル基等。また、不飽和のアルキル基としてはエ
チレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキセン基、オ
クテン基、ドデセン基、シクロヘキセン基、ブチルヘキ
セン基などが挙げられる。
【0015】また、置換若しくは未置換のアリール基及
び置換若しくは未置換のアリールオキシ基のアリール部
分の具体例としては、フェニル基、メチルフェニル基、
ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフ
ェニル基、tert−ブチルフェニル基、ブチルフェニ
ル基、ノニルフェニル基、メトキシフェニル基、ジメト
キシフェニル基、ブトキシフェニル基、ナフチル基、ピ
リジル基、メチルピリジル基等が挙げられる。なお、こ
れらのアリール基は、ハロゲン原子等の置換基で置換さ
れていてもよい。また、複素環残基の具体例としては、
置換若しくは未置換のピリジン残基、ピリダジン残基、
ピリミジン残基、ピラジン残基、チオフェン残基等が挙
げられる。
【0016】一般式(I)及び(II)において、X5
8が、置換基Y1、Y2を有するフェニル基である場合
のY1、Y2のアルキル基(アルコキシ基、アルキルアル
コキシ基のアルキル部分を含む)としては、メチル基、
エチル基、n−プロピル基、ns−ブチル基、イソブチ
ル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル
基、2−メチルブチル基、n−ヘキシル基、2−メチル
ペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチ
ル基、2−エチルブチル基、n−ヘプチル基、2−メチ
ルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキ
シル基、5−メチルヘキシル基、2−エチルペンチル
基、3−エチルペンチル基、n−オクチル基、2−メチ
ルヘプチル基、3−メチルヘプチル基、4−メチルヘプ
チル基、5−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシル
基、3−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル
基、n−ドデシル基等の1級アルキル基、イソプロピル
基、sec−ブチル基、1−エチルプロピル基、1−メ
チルブチル基、1,2−ジメチルプロピル基、1−メチ
ルヘプチル基、1−エチルブチル基、1,3−ジメチル
ブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1−エチル−2
−メチルプロピル基、1−メチルヘキシル基、1−エチ
ルヘプチル基、1−プロピルブチル基、1−イソプロピ
ル−2−メチルプロピル基、1−エチル−2−メチルブ
チル基、1−プロピル−2−メチルプロピル基、1−メ
チルヘプチル基、1−エチルヘキシル基、1−プロピル
ペンチル基、1−イソプロピルぺンチル基、1−イソプ
ロピル−2−メチルブチル基、1−イソプロピル−3−
メチルブチル基、1−メチルオクチル基、1−エチルヘ
プチル基、1−プロピルヘキシル基、1−イソブチル−
3−メチルブチル基等の2級アルキル基、tert−ブ
チル基、tert−ヘキシル基、tert−アミル基、
tert−オクチル基等の3級アルキル基等が挙げら
れ、これらのアルキル基はハロゲン原子等の置換基で置
換されていても良い。また、アリール基としては、フェ
ニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、エチ
ルフェニル基、tert−ブチルフェニル基、ブチルフ
ェニル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル
基、ブトキシフェニル基等が挙げられ、またこれらのア
リール基はハロゲン原子等の置換基で置換されていても
よい。
【0017】また、一般式(I)及び(II)において、
5〜X8が置換基Z1〜Z5、Z1'〜Z5'、Z1''〜
5''、Z1'''〜Z5'''を有するフェニル基である場
合、Z1〜Z5、Z1'〜Z5'、Z1''〜Z5''、Z1'''〜Z
5'''は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ハロ
ゲン原子置換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐のアル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子置換若しくは未置
換のアルコキシ基、ハロゲン原子置換若しくは未置換の
アリール基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アル
キルシリル基、水酸基、ニトロ基又はニトリル基を表わ
す。
【0018】一般式(I)及び(II)中のZ1〜Z5、Z
1'〜Z5'、Z1''〜Z5''、Z1'''〜Z5'''のアルキル基
(アルコキシ基、アルキルアルコキシ基、アルキルアミ
ノ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基中のアルキル
部分を含む)としては、メチル基、エチル基、n−プロ
ピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル
基、ネオペンチル基、イソアミル基、2−メチルブチル
基、n−ヘキシル基、2−メチルペンチル基、3−メチ
ルペンチル基、4−メチルペンチル基、2−エチルブチ
ル基、n−ヘプチル基、2−メチルヘキシル基、3−メ
チルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、5−メチルヘ
キシル基、2−エチルペンチル基、3−エチルペンチル
基、n−オクチル基、2−メチルヘプチル基、3−メチ
ルヘプチル基、4−メチルヘプチル基、5−メチルヘプ
チル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル
基、n−ノニル基、n−デシル基等の1級アルキル基、
イソプロピル基、sec−ブチル基、1−エチルプロピ
ル基、1−メチルブチル基、1,2−ジメチルプロピル
基、1−メチルヘプチル基、1−エチルブチル基、1,
2−ジメチルブチル基、1,3−ジメチルブチル基、1
−エチル−2−メチルプロピル基、1−メチルヘキシル
基、1−エチルヘプチル基、1−プロピルブチル基、1
−イソプロピル−2−メチルプロピル基、1−エチル−
2−メチルブチル基、1−イソプロピルブチル基、1−
メチルヘプチル基、1−エチルヘキシル基、1−プロピ
ルペンチル基、1−イソプロピルペンチル基、1−イソ
プロピル−2−メチルブチル基、1−メチルオクチル
基、1−エチルヘプチル基、1−プロピルヘキシル基、
1−イソブチル−3−メチルブチル基等の2級アルキル
基、tert−ブチル基、tert−アミル基、ter
t−ヘプチル基等の3級アルキル基等が挙げられ、これ
らのアルキル基はハロゲン原子等の置換基で置換されて
いても良い。また、アリール基としてはフェニル基、メ
チルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェ
ニル基、エチルフェニル基、tert−ブチルフェニル
基、ジ(tert−ブチル)フェニル基、ブチルフェニ
ル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、ト
リメトキシフェニル基、ブトキシフェニル基等が挙げら
れ、またこれらのアリール基はハロゲン原子等の置換基
で置換されていてもよい。
【0019】なお、一般式(I)及び(II)中、X1
4、X5〜X8の置換アリール基については、各アリー
ル基にメチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、
n−ペンチル基、ネオペンチル基、イソプロピル基、s
ec−ブチル基、1−エチルプロピル基、1−メチルブ
チル基、tert−ブチル基、tert−ヘキシル基、
tert−アミル基等のアルキル基や同様のアルキルを
有したアルコキシ基、トリフルオロメチル基、その他フ
ッ素置換アルキル基、フッ素置換アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基等で置換し
ていても良い。また、カルボン酸エステル基のアルキル
はメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、
イソブチル、tert−ブチル等上記のアルキル基で具
体的に挙げたものと同義である。X5〜X8がハロゲン原
子の場合、好ましいのは臭素原子若しくは塩素原子であ
る。
【0020】一般式(I)及び(II)中、Mの具体例と
しては、水素原子;Ca、Mg、Zu、Cu、Ni、P
d、Fe、Pb、Co、Pt、Cd、Ruなどの二価の
金属;Al、In、Fe、Ga、Tl、Mnなどの三価
金属のハロゲン化物、ヒドロキシル化物、アルコキシ化
物、トリアルキルシロキシ化物など;及びSi、Ti、
Sn、Cr、Ga、Sn、Mn、Zr、Vなどの四価金
属のハロゲン化物、ヒドロキシル化物、アルコキシ化
物、トリアルキルシロキシ化物、酸化物などが挙げられ
る。また、前記R1〜R13の定義中、1価の脂肪族炭化
水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチ
ル基、tert−ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オ
クチル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基等の
アルキル基や、ビニル基、アリル基、イソプロペニル
基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、2−ペンテニル
基等のアルケニル基などが挙げられる。1価の芳香族炭
化水素基としては、フェニル基、ベンジル基などが挙げ
られる。また、それらの置換基としては、フッ素、塩
素、臭素などのハロゲン原子、三フッ化炭素基、シアノ
基、エステル基などが挙げられる。
【0021】特に、一般式(I)及び(II)において、
5〜X8がハロゲン原子の場合、吸収波長が長波長化
し、記録材料の波長制御には非常に適しており、記録再
生波長を635nm前後とした時の式中のMは、Pd、
Ni、Co、Pt、Cu、Zn、VOが最も好ましい。
分解温度の低下とともに熱分解が急激に起こる様にな
り、記録ピット形状が良好となって、記録再生特性に優
れた特性を示す様になる。しかしながら、X5〜X8がハ
ロゲン置換されると溶解性の低下が認められ、溶剤塗布
法による記録層形成が難しくなってくる。このため、ハ
ロゲン置換体とハロゲン無置換体とを混合して記録層形
成することは、有効な手段となるわけである。更に、ハ
ロゲン置換体と無置換体の混合物とすることで、記録再
生波長のマージンの拡大が計れる。この場合のハロゲン
置換体と無置換体の混合比は1〜99:99〜1の範囲
で選択することができ、好ましくは20〜80:80〜
20の範囲である。また、ハロゲン置換体単独で記録層
とする場合、X1〜X4により溶解性を向上させねばなら
ず、その場合、アルキル基の炭素数5以上で射出成形基
板への溶剤塗布法による記録層形成が可能となる。更
に、X5〜X8のハロゲン原子としては、化合物の製法及
び記録特性上臭素原子が最も好ましい。
【0022】以上について、簡単にまとめると、前述し
た化合物のうち、特に一般式(I)の化合物が好まし
く、更に一般式(I)の化合物のX1〜X8の各置換基に
おいて、X1〜X4が置換若しくは未置換の直鎖又は分岐
のアルキル基で、X5〜X8が水素又はハロゲン原子であ
るもの、X1〜X4が置換若しくは未置換の直鎖又は分岐
の炭素数5以上のアルキル基で、X5〜X8が水素又はハ
ロゲン原子であるもの、X1〜X4が置換若しくは未置換
の直鎖又は分岐のアルキル基で、X5〜X8が置換若しく
は未置換のアリール基であるもの、X1〜X4がシアノ基
で、X5〜X8が置換若しくは未置換のアリール基である
もの、X1〜X4がシアノ基で、X5〜X8が置換若しくは
未置換の直鎖又は分岐のアルキル基であるもの、X1
4がハロゲン原子で、X5〜X8が置換若しくは未置換
の直鎖又は分岐のアルコキシ基又はアリールオキシ基で
あるもの、X1〜X4が置換若しくは未置換のアリール基
で、X5〜X8がカルボン酸エステル基であるそれぞれの
置換基の組み合わせのものが、特に好ましい。なお、一
般式(I)及び(II)の化合物のX1〜X8の置換基は、
1〜X4をX5〜X8とX5〜X8をX1〜X4と読み替える
こともできる。
【0023】前記一般式(I)又は(II)で表わされる
化合物の具体例としては、例えば表1〜表5に示される
ものが挙げられる。なお、表1〜表5において、異性体
については記述されていないが、例えば、化合物No.
1、No.7、No.11、No.14、No.26〜
56は、実際には前述したような4つの異性体が存在す
る。
【0024】
【表1−(1)】
【0025】
【表1−(2)】
【0026】
【表1−(3)】
【0027】
【表1−(4)】
【0028】
【表1−(5)】
【0029】
【表2】
【0030】
【表3−(1)】
【0031】
【表3−(2)】
【0032】
【表3−(3)】
【0033】
【表3−(4)】
【0034】
【表3−(5)】
【0035】
【表3−(6)】
【0036】
【表3−(7)】
【0037】
【表3−(8)】
【0038】
【表4−(1)】
【0039】
【表4−(2)】
【0040】
【表5−(1)】
【0041】
【表5−(2)】
【0042】また、記録層においては、前記したよう
に、前記一般式(I)又は(II)で示される少なくとも
1種の化合物と、680〜750nmに最大吸収波長を
有する有機色素との混合物を主成分とすることにより、
現状システムで記録再生が可能であるとともに、次世代
システムにおいても再生のみは可能なCD−R記録媒体
となる。この場合の680〜750nmに最大吸収波長
を有する色素としては、ペンタメチンのシアニン色素、
フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素が好まし
い。
【0043】ペンタメチンのシアニン色素の好ましい例
としては、下記一般式(III)で示されるものが挙げら
れる。
【化11】 式中、R21、R22は炭素数1〜3のアルキル基、R23
24は炭素数1〜6の置換又は未置換のアルキル基、X
は酸アニオンを表わす。なお、芳香族環は他の芳香族環
と縮合されていてもよく、また、アルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基又はアシル基で置換されていてもよ
い。
【0044】フタロシアニン色素の好ましい例として
は、下記一般式(IV)若しくは(V)で示されるものが
挙げられる。
【化12】 式中、M1はNi、Pd、Cu、Zn、Co、Mn、F
e、TiO又はVOを、X11〜X14はそれぞれ独立に置
換位置α位の−OR又は−SRを、Rは置換されていて
もよい炭素数3〜12の直鎖、分岐若しくは脂環式アル
キル基又は同じく置換されていてもよいアリール基を表
わす。X11〜X14以外のベンゼン環の置換基は水素原子
又はハロゲン原子である。
【0045】
【化13】 式中、M2は、Si、Ge、In、又はSnを、X15
18はそれぞれ独立に置換位置α位の−OR又は−SR
を、Rは置換されていてもよい炭素数3〜12の直鎖、
分岐若しくは脂環式アルキル基又は同じく置換されてい
てもよいアリール基を、Y1、Y2は−OSiR2526
27、−OCOR252627、又は−OPOR252627
を表わし、R25〜R27はそれぞれ独立に炭素数1〜10
のアルキル基又はアリール基を表わす。X9〜X12以外
のベンゼン環の置換基は、水素原子又はハロゲン原子で
ある。
【0046】また、アゾ金属キレート色素の好ましい例
としては、下記一般式(VI)で示されるアゾ系化合物と
金属とのアゾ金属キレート化合物の1種又は2種以上が
挙げられ、、金属の好ましい例としては、Ni、Pt、
Pd、Co、Cu、Znなどが挙げられる。
【化14】 式中、Aはそれが結合している炭素原子及び窒素原子と
一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Bはそれ
が結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香環又
は複素環を形成する残基を表わし、またXは活性水素を
有する基を表わす。
【0047】本発明の前記一般式(I)又は(II)で示
される少なくとも1種の色素と前記一般式(III)〜(V
I)で示される少なくとも1種の色素とを併用する場合
の重量組成比は、本発明色素/〔(III)〜(VI)の色
素〕=10/100〜90/100、好ましくは40/
100〜20/100である。また、両色素を併用した
場合の記録層の膜厚は500Å〜5μm、好ましくは1
000Å〜5000Åである。
【0048】次に、本発明の記録媒体の構成について述
べる。図1は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例
を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。基板
1の上に、必要に応じて下引き層3を介して、記録層2
を設け、更に必要に応じ保護層4が設けられている。ま
た、必要に応じて基板1の下にハードコート層を設ける
ことができる。図2は、本発明の記録媒体に適用し得る
別のタイプの層構成例を示す図で、これはCD−Rメデ
ィアの例である。図1の構成の記録層2の上に反射層6
が設けられている。図3は、本発明の記録媒体に適用し
得る別のタイプの層構成例を示す図で、これは図2の構
成の保護層4の上に接着層8と保護基板7が設けられて
いる。なお、本発明の記録媒体は、図1及び図2に示し
た構成の記録層(有機薄膜層)を内側にして、他の基板
と空間を介して密封したエアーサンドイッチ構造にして
もよく、また保護層を介して接着した貼合せ構造にして
もよい。
【0049】次に、構成各層の必要特性及びその構成材
料について述べる。 1)基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザ光に対して透明でなければならない
が、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である必
要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
イミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあるい
は金属などを用いることができる。なお、基板の表面に
トラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信
号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。
【0050】2)記録層 記録層はレーザ光の照射により何らかの光学的変化を生
じさせその変化により情報を記録できるものであって、
この記録層中には前記一般式(I)及び(II)で示され
る化合物の少なくとも1種、場合により更に前記一般式
(III)〜(VI)で示される色素の少なくとも1種が含有
されている必要がある。更に、これらの色素は光学特
性、記録感度、信号特性の向上のため、他の有機色素及
び金属、金属化合物と混合又は積層化して用いること
も、もちろん可能である。この場合の他の有機色素とし
ては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシ
アニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリ
ウム系、ナフトキノン系、アントラキノン(インダンス
レン)系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズ
レン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、ト
リフェノチアジン系染料、及び金属錯体化合物などが挙
げられる。また金属、金属化合物例としては、In、T
e、Bi、Se、Sb、Ge、Sn、Al、Be、Te
2、SnO、As、Cdなどが挙げられ、それぞれを
分散混合あるいは積層の形態で用いることができる。更
に、上記染料中に高分子材料、例えばアイオノマー樹
脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリ
コーン、液状ゴムなどの種々の材料若しくはシランカッ
プリング剤などを分散混合しても良いし、特性改良の目
的で、安定剤(例えば遷移金属錯体)、分散剤、難燃
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒
に用いることができる。
【0051】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、C
VD又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうこと
ができる。塗布法を用いる場合には、上記染料などを有
機溶剤に溶解して、スプレー、ローラーコーティング、
ディッピング又はスピンコーティングなどの慣用のコー
ティング法で行なうことができる。用いられる有機溶剤
としては、一般にメタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどの
アミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類、
ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼンなどの芳香族類、あるいはメトキシエタノール、
エトキシエタノールなどのセルソルブ類、ヘキサン、ペ
ンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの
炭化水素類などが挙げられる。記録層の膜厚は、100
Å〜10μm、好ましくは200Å〜2000Åが適当
である。
【0052】3)下引き層 下引き層は、接着性の向上、水又はガスなどに対す
るバリヤー、記録層の保存安定性の向上、反射率の
向上、溶剤からの基板の保護、案内溝、案内ピッ
ト、プレフォーマットの形成などを目的として使用され
る。の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子化合物
及びシランカップリング剤などを用いることができ、
及びの目的に対しては、上記高分子材料以外に無機化
合物、例えばSiO2、MgF2、SiO、TiO2、Z
nO、TiN、SiNなどがあり、更に金属又は半金
属、例えばZn、Cu、Ni、Cr、Ge、Se、A
u、Ag、Alなどを用いることができる。また、の
目的に対しては、金属、例えばAl、Au、Agなど
や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キ
サンテン系染料などを用いることができ、及びの目
的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性
樹脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は0.
01〜30μm、好ましくは0.05〜10μmが適当
である。
【0053】4)反射層 反射層は単体で高反射率の得られる腐食されにくい金
属、半金属などが使用できる。材料例としては、Au、
Ag、Al、Cr、Ni、Fe、Snなどが挙げられ、
反射率、生産性の点からAu、Alが最も好ましい。こ
れらの金属、半金属は単独で使用してもよく、2種以上
の合金としてもよい。膜形成法としては蒸着、スパッタ
リングなどが挙げられ、膜厚としては50〜5000
Å、好ましくは100〜3000Åである。
【0054】5)保護層、基板面ハードコート層 保護層又は基板面ハードコート層は、記録層(反射吸
収層)を傷、埃、汚れなどから保護する、記録層(反
射吸収層)の保存安定性の向上、反射率の向上などを
目的として使用される。これらの目的に対しては、前記
の下引き層に示した材料を用いることができる。また、
無機材料としてSiO、SiO2なども用いることもで
き、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリカー
ボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル
樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、
天然ゴム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレンゴ
ム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの
熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材
料のうち最も好ましいものは、生産性に優れた紫外線硬
化樹脂である。保護層又は基板面ハードコート層の膜厚
は0.01〜30μm、好ましくは0.05〜10μm
が適当である。
【0055】本発明において、前記の下引き層、保護層
及び基板面ハードコート層には記録層の場合と同様に、
安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤などを含有させることができる。
【0056】
【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明これらに限定されるものではない。
【0057】実施例1〜8 〈光情報記録媒体Aの作成〉厚さ1.2μmのポリメチ
ルメタクリレート基板上に、フォトポリマーにて深さ1
200Å、半値幅0.4μm、トラックピッチ1.4μ
mの案内溝を形成した基板上に、後記表6に示す化合物
の1,2−ジクロロエタン溶液をスピンナー塗布し、厚
さ800Åの記録層を設けて、光情報記録媒体を得た。
【0058】比較例1 実施例1において、化合物No.4の代わりに下記式
(a)で示される化合物を用いたこと以外は、実施例1
と同様にして比較例1の光情報記録媒体比1を作成し
た。
【化15】
【0059】作成した光情報記録媒体1〜8及び比1に
ついて、下記の記録条件1で基板から光を入射して記録
し、その後記録位置を再生光によりC/N及び反射率を
測定した。その結果を表6に示す。 記録条件1: レーザ発振波長 680nm 記録周波数 1.25MHz 記録線速 1.2m/sec 再生条件: レーザ発振波長 680nm 再生パワー 0.25〜0.3mWの連続光 スキャニングバンド巾 30KHz 耐光テスト条件: 耐光テスト 4万Lux、Xe光、50時間連続照射 保存テスト 85℃、85%、720時間放置
【0060】
【表6】
【0061】実施例9〜16 〈光情報記録媒体Bの作成〉厚さ1.2mmのポリメチ
ルメタクリレート基板上に、フォトポリマーにて深さ1
200Å、半値幅0.35μm、トラックピッチ1.0
μmの案内溝を形成した基板上に、後記表7に示す化合
物の1,2−ジクロロエタン溶液をスピンナー塗付し、
厚さ800Åの記録層を設けて、光情報記録媒体9〜1
6を作成した。
【0062】実施例17〜64 〈光情報記録媒体Cの作成〉厚さ1.2mmのポリメチ
ルメタクリレート基板上に、フォトポリマーにて深さ1
200Å、半値幅0.35μm、トラックピッチ1.0
μmの案内溝を形成した基板上に、下記表7に示す化合
物の1,2−ジクロロエタン溶液をスピンナー塗付し、
厚さ900Åの記録層を設けて、光情報記録媒体17〜
64を作成した。
【0063】比較例2 実施例9において、化合物No.33の代わりに前記式
(a)で示される化合物を用いたこと以外は、実施例9
と同様にして比較例2の光情報記録媒体比2を作成し
た。
【0064】作成した光情報記録媒体9〜64及び比2
について前記試験条件1において、レーザー発振波長を
680nmから650nmに変えた以外は同様の条件で
行った。その結果を表7に示す。
【0065】
【表7−(1)】
【0066】
【表7−(2)】
【0067】
【表7−(3)】
【0068】実施例65〜72 〈光情報記録媒体Dの作成〉深さ1000Å、半値幅
0.45μm、トラックピッチ1.6μmの案内溝を有
する厚さ1.2mmの射出成形ポリカーボネート基板上
に、後記表8に示す化合物をメチルシクロヘキサン、2
−メトキシエタノール、メチルエチルケトン、テトラヒ
ドロフランの混合溶液に溶解した液をスピンナー塗付
し、厚さ1800Åの記録層を形成し、次いでその上に
スパッタ法によりAu2000Åの反射層を設け、更に
その上にアクリル系フォトポリマーにて5μmの保護層
を設けて、光情報記録媒体65〜72を作成した。
【0069】比較例3 実施例65において、化合物No.4の代わりに前記式
(a)で示される化合物を用いたこと以外は、実施例6
5と同様にして比較例3の光情報記録媒体比3を作成し
た。
【0070】作成した光情報記録媒体65〜72及び比
3に、レーザー発振波長680nm、ビーム径1.4μ
mの半導体レーザー光を用い、トラッキングしながらE
FM信号を記録し(線速1.4m/sec)、再生波形
を観察した(初期値)。次いで、耐光テスト(4万Lu
x、Xe光、50時間連続照射)を行った後、再生波形
を観察した(耐光テスト後)。その結果を表8に示す。
【0071】
【表8】
【0072】実施例73〜112 〈光情報記録媒体Eの作成〉深さ1000Å、半値幅
0.35μm、トラックピッチ1.0μmの案内溝を有
する厚さ1.2mmの射出成形ポリカーボネート基板上
に、後記表9に示す化合物をメチルシクロヘキサン、2
−メトキシエタノール、メチルエチルケトン、テトラヒ
ドロフランの混合溶液に溶解した液をスピンナー塗付
し、厚さ1800Åの記録層を形成し、次いでスパッタ
法によりAu2000Åの反射層を設け、更にその上に
アクリル系フォトポリマーにて5μmの保護層を設け
て、光情報記録媒体73〜112を作成した。
【0073】比較例4−1 実施例73において、化合物No.91の代わりに前記
式(a)で示される化合物を用いたこと以外は、実施例
73と同様にして比較例4−1の光情報記録媒体比4−
1を作成した。
【0074】比較例4−2 実施例97において、化合物No.59の代わりに前記
式(a)で示される化合物を用いたこと以外は、実施例
97と同様にして比較例4−2の光情報記録媒体比4−
2を作成した。
【0075】実施例113〜120 〈光情報記録媒体Iの作成〉深さ1000Å、半値幅
0.35μm、トラックピッチ1.0μmの案内溝を有
する厚さ0.6mmの射出成形ポリカーボネート基板上
に、後記表9に示す化合物をメチルシクロヘキサン、2
−メトキシエタノール、メチルエチルケトン、テトラヒ
ドロフランの混合溶液に溶解した液をスピンナー塗付
し、厚さ1800Åの記録層を形成し、次いでその上に
スパッタ法によりAu2000Åの反射層を設け、更に
その上にアクリル系フォトポリマーにて5μmの保護層
を設け、更にホットメルト接着剤により厚み0.6mm
のポリカーボネート基板を貼り合わせて、光情報記録媒
体113〜120を作成した。
【0076】実施例121〜128 〈光情報記録媒体Jの作成〉深さ1000Å、半値幅
0.45μm、トラックピッチ1.1μmの案内溝を有
する厚さ0.6mmの射出成形ポリカーボネート基板上
に、後記表9に示す化合物をメチルシクロヘキサン、2
−メトキシエタノール、メチルエチルケトン、テトラヒ
ドロフランの混合溶液に溶解した液をスピンナー塗付
し、厚さ1600Åの記録層を形成し、次いでその上に
スパッタ法によりAu2100Åの反射層を設け、更に
その上にアクリル系フォトポリマーにて5μmの保護層
を設けて、光情報記録媒体121〜128を作成した。
【0077】作成した光情報記録媒体73〜128及び
比4−1、比4−2に、発振波長635nm、ビーム径
1.0μmの半導体レーザー光を用い、トラッキングし
ながらEFM信号を記録し(線速1.4m/sec)、
再生波形を観察した(初期値)。次いで、耐光テスト
(4万Lux、Xe光、50時間連続照射)を行った
後、再生波形を観察した(耐光テスト後)。その結果を
表9に示す。
【0078】
【表9−(1)】
【0079】
【表9−(2)】
【0080】
【表9−(3)】
【0081】実施例129〜131 〈光情報記録媒体Fの作成〉深さ1000Å、半値幅
0.40μm、トラックピッチ1.1μmの案内溝を有
する厚さ1.2mmの射出成形ポリカーボネート基板上
に、後記表10に示す化合物と下記式(b)で示される
化合物とを重量比(1:1)で混合し、それをメチルシ
クロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエチル
ケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液を
スピンナー塗付し、厚さ1600Åの記録層を形成し、
次いでその上にスパッタ法によりAu2100Åの反射
層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリマーにて
5μmの保護層を設けて、光情報記録媒体129〜13
1を作成した。
【0082】
【化16】
【0083】実施例132〜133 実施例129において、後記表10に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて下記式(c)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例129と同
様にして光情報記録媒体132〜133を作成した。
【0084】
【化17】
【0085】実施例134及び135 実施例129において、後記表10に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて下記式(d)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例129と同
様にして光情報記録媒体134及び135を作成した。
【0086】
【化18】
【0087】実施例136〜138 〈光情報記録媒体Gの作成〉深さ1000Å、半値幅
0.40μm、トラックピッチ1.1μmの案内溝を有
する厚さ1.2mmの射出成形ポリカーボネート基板上
に、後記表10に示す化合物と前記式(b)で示される
化合物とを重量比(1:1)で混合し、それをメチルシ
クロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエチル
ケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液を
スピンナー塗付し、厚さ1700Åの記録層を形成し、
次いでその上にスパッタ法によりAu2000Åの反射
層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリマーにて
5μmの保護層を設けて、光情報記録媒体136〜13
8を作成した。
【0088】実施例139及び140 実施例136において、後記表10に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて前記式(c)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例136と同
様にして光情報記録媒体139及び140を作成した。
【0089】実施例141及び142 実施例136において、後記表10に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて前記式(d)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例136と同
様にして光情報記録媒体141及び142を作成した。
【0090】実施例143〜145 〈光情報記録媒体Hの作成〉深さ1000Å、半値幅
0.45μm、トラックピッチ1.6μmの案内溝を有
する厚さ1.2mmの射出成形ポリカーボネート基板上
に、後記表10に示す化合物と前記式(b)で示される
化合物とを重量比(1:1)で混合し、それをメチルシ
クロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエチル
ケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液を
スピンナー塗付し、厚さ1700Åの記録層を形成し、
次いでその上にスパッタ法によりAu2000Åの反射
層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリマーにて
5μmの保護層を設けて、光情報記録媒体143〜14
5を作成した。
【0091】実施例146及び147 実施例143において、後記表10に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて前記式(c)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例143と同
様にして光情報記録媒体146及び147を作成した。
【0092】実施例148及び149 実施例143において、後記表10に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて前記式(d)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例143と同
様にして光情報記録媒体148及び149を作成した。
【0093】比較例5−1 実施例129において、化合物No.129の代わりに
前記式(b)で示される化合物を用いたこと以外は、実
施例129と同様にして比較例5−1の光情報記録媒体
比5−1を作成した。
【0094】比較例5−2 実施例129において、化合物No.129の代わりに
前記式(c)で示される化合物を用いたこと以外は、実
施例129と同様にして比較例5−2の光情報記録媒体
比5−2を作成した。
【0095】比較例5−3 実施例129において、化合物No.129の代わりに
前記式(d)で示される化合物を用いたこと以外は、実
施例129と同様にして比較例5−3の光情報記録媒体
比5−3を作成した。
【0096】作成した光情報記録媒体129〜149及
び比5−1〜比5−3に、発振波長780nm、ビーム
径1.6μmの半導体レーザー光を用い、トラッキング
しながらEFM信号を記録し(線速1.4m/se
c)、前記レーザー光及び発振波長680nm、ビーム
径1.1μmの半導体レーザーの連続光で再生し、再生
波形を観察した。その結果を表10に示す。
【0097】
【表10−(1)】
【0098】
【表10−(2)】
【0099】実施例150〜155 〈光情報記録媒体Fの作成〉深さ1000Å、半値幅
0.40μm、トラックピッチ1.1μmの案内溝を有
する厚さ1.2mmの射出成形ポリカーボネート基板上
に、後記表11に示す化合物と前記式(b)で示される
化合物とを重量比(1:1)で混合し、それをメチルシ
クロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエチル
ケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液を
スピンナー塗付し、厚さ1600Åの記録層を形成し、
次いでその上にスパッタ法によりAu2100Åの反射
層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリマーにて
5μmの保護層を設けて、光情報記録媒体150〜15
5を作成した。
【0100】実施例156〜159 実施例150において、後記表11に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて前記式(c)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例150と同
様にして光情報記録媒体156〜159を作成した。
【0101】実施例160〜163 実施例150において、後記表11に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて前記式(d)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例150と同
様にして光情報記録媒体160〜163を作成した。
【0102】実施例164〜169 〈光情報記録媒体Gの作成〉深さ1000Å、半値幅
0.40μm、トラックピッチ1.1μmの案内溝を有
する厚さ1.2mmの射出成形ポリカーボネート基板上
に、後記表11に示す化合物と前記式(b)で示される
化合物とを重量比(1:1)で混合し、それをメチルシ
クロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエチル
ケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液を
スピンナー塗付し、厚さ1700Åの記録層を形成し、
次いでその上にスパッタ法によりAu2000Åの反射
層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリマーにて
5μmの保護層を設けて、光情報記録媒体164〜16
9を作成した。
【0103】実施例170〜173 実施例164において、後記表11に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて前記式(c)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例164と同
様にして光情報記録媒体170〜173を作成した。
【0104】実施例174〜177 実施例164において、後記表11に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて前記式(d)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例164と同
様にして光情報記録媒体174〜177を作成した。
【0105】実施例178〜180 〈光情報記録媒体Kの作成〉深さ1000Å、半値幅
0.40μm、トラックピッチ1.1μmの案内溝を有
する厚さ1.2mmの射出成形ポリカーボネート基板上
に、後記表11に示す化合物と前記式(b)で示される
化合物とを重量比(1:1)で混合し、それをメチルシ
クロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエチル
ケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液を
スピンナー塗付し、厚さ1600Åの記録層を形成し、
次いでその上にスパッタ法によりAu2100Åの反射
層を設け、更にその上にアクリル系フォトポリマーにて
5μmの保護層を設けて、光情報記録媒体178〜18
0を作成した。
【0106】実施例181及び182 実施例178において、後記表11に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて前記式(c)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例178と同
様にして光情報記録媒体181及び182を作成した。
【0107】実施例183及び184 実施例178において、後記表11に示す化合物と、前
記式(b)で示される化合物に代えて前記式(d)で示
される化合物とを用いたこと以外は、実施例178と同
様にして光情報記録媒体183及び184を作成した。
【0108】比較例6−1 実施例150において、化合物No.64を用いず、前
記式(b)で示される化合物を用いたこと以外は、実施
例150と同様にして比較例6−1の光情報記録媒体比
6−1を作成した。
【0109】比較例6−2 実施例150において、化合物No.64を用いず、前
記式(c)で示される化合物を用いたこと以外は、実施
例150と同様にして比較例6−2の光情報記録媒体比
6−2を作成した。
【0110】比較例6−3 実施例150において、化合物No.64を用いず、前
記式(d)で示される化合物を用いたこと以外は、実施
例150と同様にして比較例6−3の光情報記録媒体比
6−3を作成した。
【0111】作成した光情報記録媒体150〜184及
び比6−1〜6−3に、発振波長780nm、ビーム径
1.6μmの半導体レーザー光を用い、トラッキングし
ながらEFM信号を記録し(線速1.4m/sec)、
前記レーザー光及び発振波長635nm、ビーム径1.
1μmの半導体レーザーの連続光で再生し、再生波形を
観察した。その結果を表11に示す。
【0112】
【表11−(1)】
【0113】
【表11−(2)】
【0114】
【発明の効果】請求項1〜8の光記録媒体は、前記一般
式(I)又は(II)で示される化合物ないしはその中か
ら選択された特定の化合物の少なくとも1種を記録層中
に含有してなるものとしたことから、波長700nm以
下に高い光吸収能と光反射性を有しているため、高密度
記録が可能な700nm以下の波長域のレーザ光で記
録、再生が可能であり、しかも耐光性、保存安定性に優
れている。
【0115】請求項9の光記録媒体は、前記一般式
(I)又は(II)で示される化合物の少なくとも1種と
680〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素と
を記録層中に含有してなるものとしたことから、現状シ
ステムでのCD−Rとして使用でき、しかも次世代の高
密度光ディスクシステムとなっても、記録された情報を
再生することが可能になる。
【0116】請求項10の光記録媒体は、680〜75
0nmに最大吸収波長を有する有機色素として、ペンタ
メチンのシアニン色素、フタロシアニン色素及びアゾ金
属キレート色素の少なくとも一種を選択したことから、
高品位の信号特性が記録可能となる。
【0117】請求項11の光記録媒体は、記録層が波長
630〜720nmのレーザ光によって記録されるもの
であるため、770〜830nm対応の光記録媒体に比
べ1.6〜1.8倍の高密度化追記型光記録媒体が得ら
れる。
【0118】請求項12の光記録媒体は、前記反射層が
アルミニウム又は金からなるものとしたことから、生産
性の良い高反射率化、CD−Rメディア化が可能とな
る。
【0119】請求項13の光情報記録媒体は、前記保護
層が紫外線硬化型樹脂からなるものとしたことから、生
産性の高い保護層化したメディア化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の記録媒体に適用し得る通常の追記型光
記録媒体としての層構成例を示す図である。
【図2】本発明の記録媒体に適用し得るCD−R用とし
ての層構成例を示す図である。
【図3】本発明の記録媒体に適用し得るCD−R用とし
ての別の層構成例を示す図である。
【符号の説明】
1 基板 2 記録層(有機色素層) 3 下引き層 4 保護層 5 ハードコート層 6 反射層 7 保護基板 8 接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09B 47/24 C09B 47/24 G11B 7/24 516 8721−5D G11B 7/24 516 (72)発明者 植野 泰伸 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 東 康弘 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に直接又は下引き層を介して記録
    層を設け、更に必要に応じて、その上に反射層、保護層
    を設けてなる光記録媒体において、前記記録層中に下記
    一般式(I)又は(II)で示される化合物の少なくとも
    1種を含有してなることを特徴とする光記録媒体。 【化1】 【化2】 〔式中、M、X1〜X4及びX5〜X8は、それぞれ以下の
    ものを表わす。 M:2個の水素原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原
    子を有してもよい2価、3価若しくは4価の金属原子、
    又は置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基、ア
    ルコキシ基、アリールオキシ基、−(OPR12)p
    基、(−OPOR34)p基、−(OSiR567)p
    基、−(OCOR8)p基、−(OR9)p基、−(OCO
    COOR10)p基、−(OCOCOR11)p基若しくは−
    (OCONR1213)p基を有してもよい金属原子、 R1〜R13:それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未
    置換の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未置換
    の1価の芳香族炭化水素基、 X1〜X4、X5〜X8:それぞれ独立に水素原子、ハロゲ
    ン原子、シアノ基、置換若しくは未置換の直鎖若しくは
    分岐のアルキル基、アルキルアルコキシ基、置換若しく
    は未置換のアルコキシ基、カルボン酸エステル基、置換
    若しくは未置換のアリール基、置換若しくは未置換のア
    リールオキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオ
    基、置換若しくは未置換のアリールチオ基、置換若しく
    は未置換のベンジル基、置換若しくは未置換のベンジル
    オキシ基、置換若しくは未置換のベンジルチオ基又は複
    素環残基。〕
  2. 【請求項2】 前記一般式(I)又は(II)において、
    1〜X4がそれぞれ独立に水素原子又は置換若しくは未
    置換の直鎖若しくは分岐のアルキル基で、X5〜X8がそ
    れぞれ独立に水素原子、アルコキシ基又はハロゲン原子
    (但し、X1〜X8のすべてが水素原子となることはな
    い)である請求項1に記載の光記録媒体。
  3. 【請求項3】 前記一般式(I)又は(II)において、
    1〜X4がそれぞれ独立に水素原子又は置換若しくは未
    置換の直鎖若しくは分岐のアルキル基で、X5〜X8がそ
    れぞれ独立に水素原子又はハロゲン原子(但し、X1
    8のすべてが水素原子となることはない)である請求
    項1に記載の光記録媒体。
  4. 【請求項4】 前記一般式(I)又は(II)において、
    1〜X4がそれぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
    換の直鎖若しくは分岐のアルキル基、アルキルアルコキ
    シ基又はアルコキシル基で、X5〜X8は置換基Y1及び
    2を有するフェニル基で、Y1、Y2はそれぞれ独立に
    水素原子、ハロゲン原子で置換されても良い直鎖若しく
    は分岐のアルキル基、アルキルアルコキシ基、アルコキ
    シル基又はハロゲン原子で置換されても良いアリール基
    である請求項1に記載の光記録媒体。
  5. 【請求項5】 前記一般式(I)又は(II)において、
    1〜X4がシアノ基で、X5〜X8は置換若しくは未置換
    の直鎖又は分岐のアルキル基である請求項1に記載の光
    記録媒体。
  6. 【請求項6】 前記一般式(I)又は(II)において、
    1〜X4がシアノ基で、X5〜X8は置換基Z1〜Z5、Z
    1'〜Z5'、Z1''〜Z5''、Z1'''〜Z5'''を有するフェ
    ニル基で、該置換基の少なくとも1つがフッ素原子、フ
    ッ素原子を含有するアルキル基又はアルコキシル基であ
    る請求項1に記載の光記録媒体。
  7. 【請求項7】 前記一般式(I)又は(II)において、
    1〜X4がシアノ基で、X5〜X8は置換若しくは未置換
    のアリール基である請求項1に記載の光記録媒体。
  8. 【請求項8】 前記一般式(I)又は(II)において、
    1〜X4がそれぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
    換の直鎖若しくは分岐のアルキル基で、X5〜X8は水素
    原子、アルキル基又はハロゲン原子である請求項1に記
    載の光記録媒体。
  9. 【請求項9】 前記記録層が前記一般式(I)又は(I
    I)で示される化合物の少なくとも1種と680nm〜
    750nmに最大吸収波長を有する有機色素とを含有し
    てなることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載
    の光記録媒体。
  10. 【請求項10】 前記680nm〜750nmに最大吸
    収波長を有する有機色素がペンタメチンのシアニン色
    素、フタロシアニン色素及びアゾ金属キレート色素の少
    なくとも1種である請求項9に記載の光記録媒体。
  11. 【請求項11】 前記記録層が波長630〜720nm
    のレーザ光によって記録されるものである請求項1〜1
    0のいずれかに記載の光記録媒体。
  12. 【請求項12】 前記反射層がアルミニウム又は金から
    なる請求項1〜11のいずれかに記載の光記録媒体。
  13. 【請求項13】 前記保護層が紫外線硬化型樹脂からな
    る請求項1〜12のいずれかに記載の光記録媒体。
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