JP2000141900A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短波長に発振波長を有する半導体レーザーを
用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐光性、
保存安定性に優れた光記録材料を提供する。 【解決手段】 下記一般式Ｉ又はIIで示されるアゾ化合
物と２価又は３価の金属又はその塩からなるアゾ金属キ
レート化合物の少なくとも１種を含有する。 【化１】 【化２】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は情報記録媒体に関す
るものであって、特に光ビームを照射することにより、
記録材料の透過率、反射率等の光学的な変化を生じさ
せ、情報の記録、再生を行ない、かつ追記が可能な情報
記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、次世代大容量光ディスクとしてＤ
ＶＤ−Ｒの開発が進められている。記録容量の向上の要
素技術は記録ピット微小化のための記録材料開発、ＭＰ
ＥＧ２に代表される画像圧縮技術の採用、記録ピット読
み取りのための半導体レーザーの短波長化等の技術開発
が必要である。これまで赤色波長域のレーザーとしては
バーコードリーダー、計測器用に６７０ｎｍ体のＡｌＧ
ａＩｎＰレーザーダイオードが商品化されているのみで
あったが、光ディスクの高密度化に伴い、赤色レーザー
が本格的に光ストレージ市場で使用されつつある。ＤＶ
Ｄドライブの場合、光源として６３５ｎｍ帯と６５０ｎ
ｍ帯のレーザーダイオードの２波長で規格化されてい
る。高密度記録のためには記録波長はより短波長が好ま
しく、追記メディア用ドライブとしては波長６３５ｎｍ
が好ましい。一方、再生専用のＤＶＤ−ＲＯＭドライブ
は波長〜６５０ｎｍで商品化されている。このような状
況下で最も好ましいＤＶＤ−Ｒメディアは波長〜６３５
ｎｍで記録再生が可能でかつ、波長〜６５０ｎｍでも再
生可能なメディア（ＤＶＤ−Ｒ）で、耐光性、保存安定
性に優れ、６５０ｎｍ以下でのレーザー光を用いた光ピ
ックアップで記録再生が可能な記録材料がまれている。

【０００３】現在のＣＤ−Ｒディスクシステムは、使用
レーザーの発振波長が７７０〜７９０ｎｍで、記録、再
生が行なえるように構成されている。このシステムも上
記同様に、大容量化、記録、再生波長の短波長化は必須
である。現在のＣＤ及びＣＤ−ＲＯＭは、基板自体の凹
凸上にＡｌがコーティングしてあり、Ａｌの反射率の波
長依存性が小さいため、将来、レーザー波長が短波長化
されても再生は可能である。しかしながら、ＣＤ−Ｒは
記録層に６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有す
る色素を用い、その光学定数及び膜厚構成から７７０ｎ
ｍ〜７９０ｎｍに高い反射率が得られる様に設定してあ
るため、７００ｎｍ以下の波長域では反射率は極めて低
く、レーザー波長の短波長化に対応できず現在のＣＤ−
Ｒシステムで記録、再生している情報が、将来のシステ
ムでは再生出来ない事態を招く。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来シス
テムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レーザ
ーを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐光
性、保存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料を提供
するとともに、現状システムで記録、再生が可能でかつ
次世代の高密度光ディスクシステムにおいても再生可能
なＣＤ−Ｒ媒体用の記録材料を提供することを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は検討した結
果、特定の構造を有する色素を主成分とする記録層とす
ることにより、発振波長７００ｎｍ以下の半導体レーザ
ーを用いる高密度光ディスクシステムに適用可能なこと
を見出し、さらに本発明の化合物を現在のＣＤ−Ｒ用記
録材料として用いられている有機色素と混合して用いる
ことにより、７００ｎｍ以下の波長域にも高い反射率を
得ることが可能であることを見出だし本発明に至った。
すなわち、本発明は下記の各構成よりなる。

【０００６】（１）基板上に直接又は下引き層を介し記
録層を設け、さらに必要に応じて反射層、保護層又は第
２基板を設けてなる光記録媒体において、下記一般式Ｉ
もしくはIIで示されるアゾ化合物と２価又は３価の金属
又はその塩からなるアゾ金属キレート化合物の少なくと
も１種を含有してなることを特徴とする光記録媒体。

【０００７】

【化３】

【０００８】（ただし、Ｒ₁〜Ｒ₈は水素原子、ハロゲン
原子、ニトロ基、シアノ基、置換または未置換のアルキ
ル基、置換又は未置換のシクロアルキル基、置換又は未
置換のアリール基、置換又は未置換のアルコキシ基、置
換又は未置換のアリールオキシ基を表し、Ｍは２価の金
属、３価又は４価の置換金属原子、酸化金属又は２個の
水素原子を表す。）

【０００９】

【化４】

【００１０】（ただし、Ｚはそれが結合している炭素原
子及び窒素原子と一緒になって６員環もしくは５員環を
形成する残基を表し、Ｒ₉，Ｒ₁₀はそれぞれ独立に水素
原子、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換の
フェニル基を表し、Ｒ₉とＲ₁₀は連結して環を形成して
も良い。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₃はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル
基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のフ
ェニル基、置換又は未置換のアルコキシ基、置換又は未
置換のアリールオキシ基、置換又は未置換のカルバモイ
ル基、置換又は未置換のアシル基、置換又は未置換のア
ルコキシカルボニル基、置換又は未置換のアリールオキ
シカルボニル基、置換又は未置換のアルケニル基、置換
又は未置換のアミノ基を表し、Ｒ₁₁とＲ₁₂、Ｒ₁₂とＲ₉
もしくはＲ₁₀、Ｒ₁₃とＲ₉もしくはＲ₁₀は連結して環を
形成しても良い。Ｘはヒドロキシ基及びその誘導体、カ
ルボキシ基及びその誘導体、アミド基及びその誘導体、
スルホ基及びその誘導体、スルホンアミド基及びその誘
導体を表す。） （２）上記（１）において、一般式ＩもしくはIIの金属
キレート化物のうち少なくともいずれかは熱重量分析で
熱分解温度が３５０℃以下でかつ主原料過程での総減量
が３０％以上の熱物性である化合物であることを特徴と
する光記録媒体。 （３）上記（１）又は（２）において、記録層が該記録
材料と該記録材料よりも長波長域に吸収能を有し、記録
再生波長域に吸収能を有さない金属錯体との混合層から
なることを特徴とする光記録媒体。

【００１１】（４）上記（１）〜（３）のいずれかにお
いて、記録層が該記録材料と該記録材料よりも長波長域
に吸収能を有し、記録再生波長域に吸収能を有さないア
ルミニウム色素またはイモニウム色素またはジイモニウ
ム色素との混合層からなることを特徴とする光記録媒
体。 （５）上記（１）〜（４）のいずれかに記載の光記録媒
体において、Ｉ，IIの金属キレート化物以外に６８０〜
７５０ｎｍに最大吸収波長を有する色素との混合層から
なることを特徴とする光記録媒体。

【００１２】（６）上記（５）に記載の記録媒体におい
て、６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する色素が
ペンタメチンのシアニン色素、フタロシアニン色素もし
くは、アゾ金属キレート化合物からなることを特徴とす
る光記録媒体。 （７）上記（１）〜（６）のいずれかに記載の光記録媒
体を用い記録波長が７２０〜６００ｎｍで記録すること
を特徴とする記録方法。

【００１３】上記（１）は高密度光記録媒体としての基
本構造および材料構成であり、（２）は最適物性を示
す。（３），（４）は耐光性を高めた高信頼性の光記録
媒体を提供し、（６）は記録再生波長が７８０ｎｍ前後
の記録再生システムで記録、再生が可能で、かつ次世代
の高密度ディスクシステムとなっても再生可能な光記録
媒体の基本構成である。（７）は一般式（Ｉ）及び（I
I）の金属キレート化物を含む光記録媒体を７２０〜６
３０ｎｍの記録波長で記録する方法を規定したものであ
る。

【００１４】前記一般式Ｉ中Ｒ₁〜Ｒ₈のアルキル基はメ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イ
ソブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、イソア
ミル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メ
チルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペ
ンチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−
メチルへキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチル
へキシル基、５−メチルへキシル基、２−エチルペンチ
ル基、３−エチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−メ
チルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘ
プチル基、５−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル
基、３−エチルへキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル
基、ｎ−ドデシル基等の１級アルキル基、イソプロピル
基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エチルプロピル基、１−メ
チルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−メチ
ルヘプチル基、１−エチルブチル基、１，３−ジメチル
ブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１−エチル−２
−メチルプロピル基、１−メチルへキシル基、１−エチ
ルヘプチル基、１−プロピルブチル基、１−イソプロピ
ル−２−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルブ
チル基、１−プロピル−２−メチルプロピル基、１−メ
チルヘプチル基、１−エチルへキシル基、１−プロピル
ペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、１−イソプ
ロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロピル−３−
メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１−エチルヘ
プチル基、１−プロピルへキシル基、１−イソブチル−
３−メチルブチル基等の２級アルキ基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔ
ｅｒｔ−オクチル基等の３級アルキル基、シクロへキシ
ル基、４−メチルシクロへキシル基、４−エチルシクロ
へキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、
４−（２−エチルへキシル）シクロへキシル基、ボルニ
ル基、イソボルニル基、アダマンタン基等のシクロアル
キル基等が挙げられ、これらのアルキル基はハロゲン等
の置換基で置換されていても良い。不飽和のアルキル基
としてはエチレン基、プロピレン基、ブチレン基、へキ
セン基、オクテン基、ドデセン基、シクロへキセン基、
ブチルへキセン基などが挙げられる。更に、これら１級
及び２級アルキル基は水酸基、ハロゲン原子、ニトロ
基、カルボキシ基、シアノ基、置換又は未置換のアリー
ル基、置換又は未置換の複素環残基で置換されていても
良く、又、酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記のア
ルキル基で置換されていても良い。酸素を介して置換さ
れているアルキル基としてはメトキシメチル基、メトキ
シエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、ブ
トキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、フェノキ
シメチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル
基、ピペリジノ基、モルホリノ基等が、硫黄を介して置
換されているアルキル基としてはメチルチオエチル基、
エチルチオエチル基、エチルチオプロピル基、フェニル
チオエチル基等が、窒素を介して置換されているアルキ
ル基としてはジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノ
エチル基、ジエチルアミノプロピル基等が挙げられる。

【００１５】上記アリール基の具体例としてはフェニル
基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、ヘプ
タレニル基、ビフェニレル基、ａｓ−インダセニル基、
ｓ−インダセニル基、アセナフタレニル基、フルオレニ
ル基、フェナレニル基、フェナントラニル基、アントラ
ニル基、フルオラセニル基、アセフェナントラレニル
基、アセアントリレン基、トリフェニレニル基、ピレニ
ル基、クリセニル基、ナフタセニル基等が挙げられる。
更に、これらアリール基は水酸基、ハロゲン原子、ニト
ロ基、カルボキシ基、シアノ基、置換又は未置換のアリ
ール基、置換又は未置換の複素環残基で置換されていて
も良く、又、酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記の
アルキル基で置換されていても良い。

【００１６】上記アルコキシ基の具体例は酸素原子に直
接置換未置換のアルキル基が結合されているものであれ
ば良く、アルキル基の具体例としては前述の具体例を挙
げることが出来る。上記アリールオキシ基の具体例とし
ては酸素原子に直接置換未置換のアリール基が結合され
ているものであれば良く、アリール基の具体例としては
前述の具体例を挙げることが出来る。

【００１７】一般式Ｉ中のＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、
Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｍ
ｇ及びそのハロゲン化物、酸化物、アルキル化物、アル
コキシ化物、アリール化物、アリールオキシ化物、シリ
ルオキシ化物、水酸化物等である。Ｍの好ましいものと
してはＣｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＶＯ、Ｍ
ｇである。

【００１８】一般式II中のＺはそれが結合している炭素
原子及び窒素原子と一緒になって６員環又は５員環を形
成するもので、６員環の例としてはピリジン、ピリダジ
ン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン等があげられ、
５員環の例としてはピラゾール、イミダゾール、オキサ
ゾール、チアゾール、トリアゾール、オキサジアゾー
ル、チアジアゾール等が上げられる。又、Ｒ₉、Ｒ₁₀、
Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃のハロゲン原子の具体例としてはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。又、アルキル
基の具体例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ネ
オペンチル基、イソアミル基、２−メチルブチル基、ｎ
−へキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペン
チル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、
ｎ−へブチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘ
キシル基、４−メチルへキシル基、５−メチルへキシル
基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、ｎ
−オクチル基、２−メチルヘブチル基、３−メチルヘブ
チル基、４−メチルへブチル基、５−メチルへプチル
基、２−エチルへキシル基、３−エチルヘキシル基、ｎ
−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等の１級ア
ルキル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エ
チルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジメチ
ルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルブチ
ル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブ
チル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−メチ
ルへキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルブ
チル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、１
−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メ
チルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルへ
キシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプロピル
ペンチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチル基、
１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メチルオ
クチル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルへキシ
ル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基等の２級ア
ルキル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−へキシル
基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の３
級アルキル基、シクロへキシル基、４−メチルシクロへ
キシル基、４−エチルシクロへキシル基、４−ｔｅｒｔ
−ブチルシクロへキシル基、４−（２−エチルヘキシ
ル）シクロへキシル基、ボルニル基、イソボルニル基、
アダマンタン基等のシクロアルキル基等が挙げられ、こ
れらのアルキル基はハロゲン等の置換基で置換されてい
ても良い。不飽和のアルキル基としてはエチレン基、プ
ロピレン基、ブチレン基、へキセン基、オクテン基、ド
デセン基、シクロへキセン基、ブチルヘキセン基などが
挙げられる。更に、これら１級及び２級アルキル基は水
酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシ基、シアノ
基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換の複
素環残基で置換されていても良く、又、酸素、硫黄、窒
素等の原子を介して前記のアルキル基で置換されていて
も良い。酸素を介して置換されているアルキル基として
はメトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチ
ル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エトキシ
エトキシエチル基、フェノキシメチル基、メトキシプロ
ピル基、エトキシプロピル基、ピペリジノ基、モルホリ
ノ基等が、硫黄を介して置換されているアルキル基とし
てはメチルチオエチル基、エチルチオエチル基、エチル
チオプロピル基、フェニルチオエチル基等が、窒素を介
して置換されているアルキル基としてはジメチルアミノ
エチル基、ジエチルアミノエチル基、ジエチルアミノプ
ロピル基等が挙げられる。

【００１９】前記のフェニル基は水酸基、ハロゲン原
子、ニトロ基、カルボキシ基、シアノ基、置換又は未置
換のアリール基、置換又は未置換の複素環残基で置換さ
れていても良く、また酸素、硫黄、窒素の原子を介して
前記のアルキル基で置換されていても良い。Ｒ₁₁、
Ｒ₁₂、Ｒ₁₃のアルコキシ基の具体例としては酸素原子の
直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているもの
であれば良く、アルキル基の具体例としては前述の具体
例を挙げることが出来る。

【００２０】アリール基の具体例としてはフェニル基、
ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、へプタレ
ニル基、ビフェニレル基、ａｓ−インダセニル基、ｓ−
インダセニル基、アセナフタレニル基、フルオレニル
基、フェナレニル基、フェナントラニル基、アントラニ
ル基、フルオラセニル基、アセフェナントラレニル基、
アセアントリレン基、トリフェニレニル基、ピレニル
基、クリセニル基、ナフタセニル基等が挙げられる。更
に、これらアリール基は水酸基、ハロゲン原子、ニトロ
基、カルボキシ基、シアノ基、置換又は未置換のアリー
ル基、置換又は未置換の複素環残基で置換されていても
良く、又、酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記のア
ルキル基で置換されていても良い。

【００２１】前記アリールオキシ基の具体例としては酸
素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されて
いれば良く、アリール基の具体例としては前述の具体例
をあげることが出来る。

【００２２】前記カルバモイル基の具体例としてはカル
バモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素原
子、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のア
リール基が結合されている物であれば良く、アルキル
基、アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げる
ことが出来る。

【００２３】前記アルコキシカルボニル基の具体例とし
てはアルコキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は
未置換のアルキル基が結合されていれば良く、アルキル
基の具体例としては前述の具体例を挙げることができ
る。前記アリールオキシカルボニル基の具体例としては
アリールオキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は
未置換のアリール基が結合されていれば良く、アリール
基の具体例としては前述の具体例を挙げることができ
る。

【００２４】前記アシル基の具体例としてはアシル基の
カルボニル炭素原子に直接置換又は未置換のアルキル
基、置換又は未置換のアリール基が結合されていれば良
く、アルキル基、アリール基の具体例としては前述の具
体例を挙げることができる。前記アミノ基の具体例とし
てはアミノ基の窒素原子に直接置換又は未置換のアルキ
ル基、置換又は未置換のアリール基が結合されていれば
良く、アルキル基、アリール基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。

【００２５】配位金属の具体例としてはＴｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍ
ｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等が挙げられるが、特に好
ましい例としてはＣｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｒであ
る。

【００２６】上記化合物ＩとIIの金属キレート化物の熱
物性としては熱重量分析で分解温度が３５０℃以下でか
つ主減量過程での総減量が３０％以上の熱物性である化
合物を用いることにより、高感度、低ジッタの記録が可
能となる。熱分解温度が３５０℃以上であると記録感度
が悪く、高パワーで記録してもジッタ特性が劣化する。
また主減量過程での総減量が３０％以下の熱物性の色素
もジッタ特性が劣化する。

【００２７】上記化合物ＩとIIの金属キレート化物を混
合させる効果としては仮に１方の記録材料の熱物性が上
記の特性を満たさなくとも、混合により分解点降下が起
こり、混合物の熱物性は結果的に所望の熱物性にするこ
とが可能である。また、吸収波長の微調整で記録特性の
改良にも効果が見込める。混合する比としては５：９５
〜９５：５の重量比であるが好ましい。

【００２８】また、記録層に該記録材料と該記録材料よ
りも長波長域に吸収能を有し、記録再生波長域に吸収能
を有さない金属錯体、アミニウム色素、イモニウム色
素、またはジイモニウム色素を混合させることにより耐
光性が改善される。この色素の添加量としては記録材料
に対し１〜５０ｗ％、好ましくは５〜３０％である。

【００２９】又、６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに吸収最大波
長を有する色素と本発明の色素を混合して短波長対応Ｃ
Ｄ−Ｒ媒体を構成する場合従来技術に挙げた公報Ｎo.の
色素をそのまま使用することができる。６８０ｎｍ〜７
５０ｎｍに吸収最大波長のある色素の好ましい例として
は シアニン色

【００３０】

【化５】

【００３１】Ｒ₅、Ｒ₆：炭素数１〜３のアルキル基 Ｒ₇、Ｒ₈：炭素数１〜６の置換未置換のアルキル基 Ｘ：酸アニオン なお芳香環は他の芳香環と縮合されていても良く、アル
キル、ハロゲン、アルコキシ基、アシル基で置換されて
いても良い。 フタロシアニン色素

【００３２】

【化６】

【００３３】Ｍ₁：Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、ＴｉＯ、ＶＯ Ｘ₅〜Ｘ₈：α位の−ＯＲ、−ＳＲ、又は水素原子であっ
て、全てが水素原子となることはない。

【００３４】Ｒ：炭素数３〜１２の置換未置換の直鎖、
分岐のアルキル基、シクロアルキル基、又は置換未置換
のアリール基 Ｘ₅〜Ｘ₈以外のベンゼン環の置換基は水素又はハロゲン
である

【００３５】

【化７】

【００３６】Ｍ₂：Ｓｉ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ Ｘ₉〜Ｘ₁₂：α位の−ＯＲ、−ＳＲ、又は水素原子であ
って、全てが水素原子となることはない。

【００３７】Ｙ₃、Ｙ₄：−ＯＳｉＲａＲｂＲｃ、−ＯＣ
ＯＲａ、−ＯＰＯＲａＲｂ Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ：炭素数１〜１０のアルキル基、アリ
ール基 Ｘ₉〜Ｘ₁₂以外のベンゼン環の置換基は水素又はハロゲ
ンである アゾ金属キレート化合物

【００３８】

【化８】

【００３９】（ｄ）で示されるアゾ系化合物と金属との
アゾ金属キレート化合物の１種又は、２種以上であり金
属の好ましい例としてはＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃ
ｕ、Ｚｎなどが挙げられる。又、Ａはそれが結合してい
る炭素原子及び、窒素原子と一緒になって複素環を形成
する残基を表わし、Ｂはそれが結合している２つの炭素
原子と一緒になって芳香環又は、複素環を形成する残基
を表わしＸは活性水素を有する基を表わす。

【００４０】ここで本発明の色素と上記具体例を含む６
８０ｎｍ〜７５０ｎｍに吸収最大波長を有する色素との
混合比は本発明の色素／６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに吸収
を有する色素＝１０／１００〜９０／１００好ましくは
４０／１００〜２０／１００でより記録層の厚みとして
は５００Å〜５μｍ好ましくは１０００Å〜５０００Å
である．ここで本発明の色素と上記具体例を含む６８０
ｎｍ〜７５０ｎｍに吸収最大波長を有する色素との混合
比は本発明の色素／６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに吸収を有
する色素＝１０／１００〜９０／１００好ましくは４０
／１００〜２０／１００であり記録層の厚みとしては５
００Å〜５μｍ好ましくは１０００Å〜５０００Åであ
る。

【００４１】本発明の記録媒体の構成としては追記型光
ディスクの構造図１（図１を２枚貼り合わせたいわゆる
エアーサンドイッチ構造としても良いし、密着貼り合わ
せ構造としても良い）と図２からなるＣＤ−Ｒ用メディ
アの構造としても良いし、これを接着剤で２枚張り合わ
せた構造としても良い。さらに図３に示したＤＶＤ−Ｒ
用の層構成としても良し、これを２枚張り合わせた構造
としても良い。なお、図中１は基板、２は記録層、３は
下引き層、４は保護層、５はハードコート層、６は金属
反射層、７は保護基板、８は接着層である。

【００４２】用いる基板としては基板側より記録再生を
行なう場合のみ使用レーザーに対して透明でなければな
らず、記録層側から記録、再生を行なう場合基板は透明
である必要はない。基板材料としては例えば、ポリエス
テル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹
脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミドなどのプラスチック又は、ガラス、セラ
ミックあるいは、金属などを用いることができる。尚、
基板の表面にトラッキング用の案内溝や、案内ピット、
さらにアドレス信号などのブリフォーマットなどが形成
されていても良い。

【００４３】記録層はレーザー光の照射により何らかの
光学的変化を生じさせ、その変化により情報を記録する
ものであって、この記録層中には本発明の色素が含有さ
れていることが必要で、記録層の形成に当たって本発明
の色素１種、又は２種以上の組み合わせで用いても良
い。さらに、本発明の上記色素は光学特性、記録感度、
信号特性などの向上の目的で他の有機色素及び金属、金
属化合物と混合又は積層化して用いても良い。有機色素
の例としては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、
フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム
系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン系
（インダンスレン系）、キサンテン系、トリフェニルメ
タン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナン
スレン系、トリフェノチアジン系染料及び、金属錯体化
合物などが挙げられる。

【００４４】金属、金属化合物の例としてはＩｎ、Ｔ
ｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｔｅ
Ｏ₂、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどが挙げられ、それぞれを
分散混合あるいは積層の形態で用いることができる。

【００４５】さらに、上記染料中に高分子材料、例えば
アイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天
然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もし
くはシランカップリング剤などを分散混合しても良い
し、特性改良の目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、
分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑
剤などを一緒に用いることが出来る。

【００４６】記録層の形成方法としては蒸着、スパッタ
リング、ＣＶＤまたは溶剤塗布などの通常の手段によっ
て行うことができる。塗布法を用いる場合には上記染料
などを有機溶剤に溶解して、スプレー、ローラーコーテ
ィング、ディピング及び、スピンコーティングなどの慣
用のコーティング法によって行うことが出来る。用いら
れる有機溶媒としては一般にメタノール、エタノール、
イソプロパノールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどの
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジ
エチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテ
ルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエ
ステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタ
ン、四塩化炭素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲ
ン化炭化水素類、ベンゼン、キシレン、モノクロロベン
ゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族類、メトキシエタ
ノール、エトキシエタノールなどのセロソルブ類、ヘキ
サン、ペンタン、シクロへキサン、メチルシクロへキサ
ンなどの炭化水素類などが挙げられる。記録層の膜厚は
１００Å〜１０μｍ好ましくは２００Å〜２０００Åが
適当である。

【００４７】下引き層は接着性の向上、水又はガス
などのバリアー、記録層の保存安定性の向上、反射
率の向上、溶剤からの基板の保護、案内溝、案内ピ
ット、プレフォーマットの形成などを目的として使用さ
れる。の目的に対しては高分子材料例えば、アイオノ
マー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル樹脂、天然樹脂、天
然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子化
合物及び、シランカップリング剤などを用いることがで
き、及びの目的に対しては上記高分子材料以外に無
機化合物、例えば、ＳｉＯ、ＭｇＦ、ＳｉＯ₂、Ｔｉ
Ｏ、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮなどがあり、さらに金属又
は半金属例えば、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓ
ｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどを用いることができる。又、
の目的に対しては金属、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等
や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチン染料、
キサンテン系染料などを挙げることができ、、の目
的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹
脂等を用いることができる。下引き層の膜厚としては
０．０１〜３０μｍ好ましくは、０．０５〜１０μｍが
適当である。

【００４８】金属反射層は単体で高反射率の得られる腐
食されにくい金属、半金属等が挙げられ、材料例として
はＡｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｎなどが挙
げられるが、反射率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌ
が最も好ましく、これらの金属、半金属は単独で使用し
ても良く、２種の合金としても良い。膜形成法としては
蒸着、スッパタリングなどが挙げられ、膜厚としては５
０〜５０００Å好ましくは１００〜３０００Åである。

【００４９】保護層及び基板面ハードコート層は記録
層（反射吸収層）を傷、ホコリ、汚れ等から保護する、
記録層（反射吸収層）の保存安定性の向上、反射率
の向上等を目的として使用される。これらの目的に対し
ては、前紀下引き層に示した材料を用いることができ
る。又、無機材料として、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂なども用い
ることができ、有機材料としてポリメチルアクリレー
ト、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、
ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭
化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロ
ロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロ
ジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができ
る。上記材料のうち最も好ましい例としては生産性に優
れた紫外線硬化樹脂である。保護層又は基板面ハードコ
ート層の膜厚は０．０１〜３０μｍ好ましくは０．０５
〜１０μｍが適当である。本発明において、前記下引き
層、保護層、及び基板面ハードコート層には記録層の場
合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止
剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。

【００５０】保護基板はこの保護基板側からレーザー光
を照射する場合、使用レーザー光に対し透明でなくては
ならず、単なる保護板として用いる場合、透明性は問わ
ない。使用可能な基板材料としては基板材料と全く同様
であり、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポ
リカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール
樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどのプラスチック又
は、ガラス、セラミックあるいは、金属などを用いるこ
とができる。

【００５１】２枚の記録媒体を接着できる材料なら何で
もよく、生産性を考えると、紫外線硬化型もしくはホッ
トメルト型接着剤が好ましい。本発明に用いる一般式
（Ｉ）の化合物の例を表１に表す。異性体については、
記述しないが、理論的に４種の異性体が存在する。

【００５２】

【表１】

【００５３】一般式（II）の化合物の例を表２に示す。

【００５４】

【表２】

【００５５】

【表３】

【００５６】金属錯体としては、下記一般式ＡないしＬ
のものが挙げられる。

【００５７】

【化９】

【００５８】Ｒ₁、Ｒ₂、は水素原子、置換又は未置換の
アルキル基、アリール基または複素環残基を表す。

【００５９】

【化１０】

【００６０】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は水素原子、ハロゲ
ン、直接もしくは２価の連結基を介して間接的に結合す
るアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、複素環
残基、モルホリノ基、ピペリジノ基等を表す。

【００６１】

【化１１】

【００６２】ＸはＳまたはＣＲ₁Ｒ₂を表す。Ｒ₁、Ｒ₂は
ＣＮ、ＣＯＲ₃、ＣＯＯＲ₄、ＣＯＮＲ₄Ｒ₅もしくはＳＯ
₂Ｒ₇、５員環、６員環を形成するのに必要な原子群を表
し、Ｒ₃〜Ｒ₇は置換または未置換のアルキル基、アリー
ル基を表す。

【００６３】

【化１２】

【００６４】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は水素原子、ハロゲ
ン、直接もしくは２価の連結基を介して間接的に結合す
るアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、複素環
残基、モルホリノ基、ピペリジノ基等を表す。Ｒ₅は水
素原子、アルキル基、アリール基、アシル基、カルボキ
シル基、スルホニル基を表す。

【００６５】

【化１３】

【００６６】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は水素原子、ハロゲ
ン、直接もしくは２価の連結基を介して間接的に結合す
るアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、複素環
残基、モルホリノ基、ピペリジノ基等を表す。Ｒ₅、Ｒ₆
は水素原子、アルキル基、アリール基、アシル基、カル
ボキシル基、スルホニル基を表す。

【００６７】

【化１４】

【００６８】Ｒ₁、Ｒ₂は水素原子、置換又は未置換のア
ルキル基、アリール基または複素環残基を表す。Ｒ₃、
Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆は水素原子、ハロゲン、アルキル基、ア
リール基を表す。

【００６９】

【化１５】

【００７０】ＸはＯまたはＳを表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃は
直接オキシ基、チオ基、アミノ基を介して結合する置換
または未置換のアルキル基、アリール基、シクロアルキ
ル基、複素環残基、モルホリノ基、ピペリジノ基等を表
す。

【００７１】

【化１６】

【００７２】ＸはＯまたはＳを表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃は
直接オキシ基、チオ基、アミノ基を介して結合する置換
または未置換のアルキル基、アリール基、シクロアルキ
ル基、複素環残基、モルホリノ基、ピペリジノ基等を表
す。Ｒ₄はアルキル基、アリール基を表す。

【００７３】

【化１７】

【００７４】Ｒ₁、Ｒ₂は水素原子、置換又は未置換のア
ルキル基、アリール基、又は複素環残基を表す。

【００７５】

【化１８】

【００７６】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は水素原子、ハロゲ
ン、直接もしくは２価の連結基を介して間接的に結合す
るアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、複素環
残基、モルホリノ基、ピペリジノ基等を表す。

【００７７】

【化１９】

【００７８】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は水素原子、ハロゲ
ン、直接もしくは２価の連結基を介して間接的に結合す
るアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、複素環
残基、モルホリノ基、ピペリジノ基等を表す。Ｒ₅は水
素原子、アルキル基、アリール基、アシル基、カルボキ
シル基、スルホニル基を表す。

【００７９】

【化２０】

【００８０】Ｒ₁はアルキル基又はアリール基を表す。
Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅は水素原子、ハロゲン、アル
キル基、アリール基を表す。上記金属錯体中のＭはＮ
ｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ等の遷移金属を表し、電荷を持っ
て、カチオンと塩を形成しても良く、さらにＭは上下に
他の配位子が結合していても良い。金属錯体化合物の具
体例を表３に示す。

【００８１】

【表４】

【００８２】

【表５】

【００８３】本発明に用いられるアミニウム、イモニウ
ム、ジイモニウム化合物は下記一般式のものである。

【００８４】

【化２１】

【００８５】式中Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は同一であっても
異なっていてもよく、それぞれ水素原子、置換または未
置換のアルキル基を表し、Ｘは酸アニオンを表し、ｍは
１または２でありＡは

【００８６】

【化２２】

【００８７】を表し、存在する全ての芳香族環は低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲンまたは水酸基に
よって置換されていても良い。かかるアミニウム、イモ
ニウム、ジイモニウム化合物の具体例を表４に示す。

【００８８】

【表６】

【００８９】

【発明の実施の形態】実施例１ 厚さ１．２ｍｍのＰＭＭＡ基板上に、フォトポリマーに
て深さ１２００Å、半値幅０．３０μｍ、トラックピッ
チ１．０μｍの案内溝を形成した基板上に、化合物Ｎo.
１とＮo.１０１を９０：１０の重量比で混合し、さらに
この両色素の合計に対し１５ｗ％の比で化合物Ｎo.２０
２の１，２ジクロロエタン溶液をスピンナー塗布し、厚
さ６００Åの記録層を形成し記録媒体とした。

【００９０】実施例２、３、４、５、６、７、８ 実施例１で化合物Ｎo.１０１の代わりにＮo.１０２、１
０３、１０５、１０６、１０７、１０９、１１０を用
い、化合物Ｎo.２０２の代わりにそれぞれ、Ｎo.２０
４、２０７、２１３、３０１、３０２、３０７、３１１
を用い実施例１と全く同様に記録媒体を形成した。

【００９１】比較例１ 実施例１で化合物例Ｎo.１とＮo.１０１の代わりに、以
下に示す化合物（比−１）を用い実施例１と全く同様に
記録媒体を形成した。

【００９２】

【化２３】

【００９３】＜記録条件＞ レーザー発振波長：６３５ｎｍ 記録周波数 ：１．２５ＭＨｚ 記録線速 ：１．２ｍ／ｓｅｃ． ＜再生条件＞ レーザー発信波長 ：６３５ｎｍ 再生パワー ：０．２５〜０．３ｍＷの連続光 スキャニングバンド幅：３０ＫＨｚ ＜耐候テスト条件＞ 耐光テスト ：４万Ｌｕｘ，Ｘｅ光、２０時間
連続照射 保存テスト ：８℃ ８５％ ７００時間放置 評価結果を表５に示す。

【００９４】

【表７】

【００９５】実施例９ 深さ１６００Å、半値幅０．２８μｍ、トラックピッチ
０．８μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、化合物例化合物Ｎo.３とＮ
o.１０１を１０：９０の重量比で混合し、さらにこの両
色素の合計に対し１５ｗ％の比で化合物Ｎo.３０２を
２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール、
２−メトキシエタノール、メチルエチルケトン、テトラ
ヒドロフランの混合溶液に溶解した液をスピンナー塗布
し厚さ、６００Åの有機色素層を形成し、次いで、スパ
ッタ法により金１２００Åの反射層を設け、さらにその
上にアクリル系フォトポリマーにて７μｍの保護層を設
け、さらにその上にホットメルト接着剤により厚み０．
６ｍｍのポリカーボネート基板を張り合わせて記録媒体
とした。

【００９６】実施例１０、１１、１２、１３、１４、１
５、１６ 実施例９で化合物Ｎo.１０１の代わりにそれぞれ、化合
物Ｎo.１０２、１０３、１０８、１０９、１１０、１１
１、１１３を用い、化合物Ｎo.３０２の代わりにそれぞ
れ、化合物Ｎo.２０２、２０３、２１０、３０９、３１
０、３１２、３１４を用い実施例９と全く同様に記録媒
体を得た。

【００９７】比較例２ 実施例９で有機薄膜として、化合物例Ｎo.３、１０１．
３０２の代わりに前記の比較例１の（比−１）のみを用
いて記録媒体とした。 比較例３ 実施例９で有機薄膜として、化合物例Ｎo.３、１０１．
３０２の代わり下記に示した（比−２）のみを用いて記
録媒体とした。

【００９８】

【化２４】

【００９９】＜記録条件＞この記録体に発振波長６３５
ｎｍ、ビーム径０．８μｍの半導体レーザー光を用い、
トラッキングしながらＥＦＭ信号を記録し、（線速１．
４ｍ／ｓｅｃ）同じレーザーの連続光で再生し、再生波
形を観察した。評価結果を表６に示す。

【０１００】

【表８】

【０１０１】実施例１７ 深さ１７００Å、半値幅０．３２μｍ、トラックピッチ
０．８μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍの射出成形
ポリカボネート基板上に、前記に記載の化合物（比−
２）と化合物Ｎo.６とＮo.１０２とＮo.２１０を重量比
１：０．９：０．１：０．１で混合し、これをメチルシ
クロへキサン、２−メトキシエタノール、メチルエチル
ケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒に溶解、スピンナ
ー塗布して、厚さ７００Åの有機色素層を形成し、次い
で、スパッタ法により金、１２００Åの反射層を形成し
て、さらにその上にアクリル系フォトポリマーで７μｍ
の保護層を設け、記録媒体とした。

【０１０２】実施例１８、１９ 実施例１７で記録層を化合物例Ｎo.６の代わりに、それ
ぞれ、Ｎo.７、１０を用い、化合物Ｎo.２１０の代わり
にそれぞれ、Ｎo.２１５、２２２を用い、実施例１７と
全く同様に記録媒体を得た。

【０１０３】実施例２０、２１ 実施例１７で記録層を化合物Ｎo.６の代わりに、それぞ
れ、Ｎo.１、３を用い、化合物Ｎo.２１０の代わりにそ
れぞれ、Ｎo.３１３、３１７を用い、（比−２）の代わ
りに（比−３）を用いた以外は実施例１７と全く同様に
記録媒体を得た。

【０１０４】

【化２５】

【０１０５】実施例２２、２３ 実施例１７で記録層を化合物Ｎo.６の代わりに、それぞ
れ、Ｎo.２、１２を用い、化合物Ｎo.２１０の代わりに
それぞれ、Ｎo.２０８、３０７を用い、（比−２）の代
わりに（比−４）を用いた以外は実施例１７と全く同様
に記録媒体を得た。

【０１０６】

【化２６】

【０１０７】比較例４、５、６ 実施例１７で有機記録層をそれぞれ、（比−２）のみ、
（比−３）のみ、（比−４）のみとして、実施例１７と
同様に記録媒体を得た。 ＜再生条件＞この記録媒体に発振波長７８０ｎｍ、ビー
ム径１．６μｍの半導体レーザーを用い、トラッキング
しながらＥＦＭ信号を記録し、（線速１．４ｍ／ｓｅ
ｃ）前記レーザー及び、発振波長６３５ｎｍ、ビーム径
１．１μｍの半導体レーザーの連続光で再生し、再生波
形を観察した。評価結果を表７に示す。

【０１０８】

【表９】

【０１０９】

【発明の効果】上記の通り本発明によれば、請求項１〜
４より７００ｎｍ以下の波長域のレーザー光で記録、再
生が可能でジッタ特性に優れ、さらに耐光性、保存安定
性に優れた情報記録媒体が提供できた。請求項５記録媒
体で現状システムでのＣＤ−Ｒとして使用でき、かつ次
世代の高密度光ディスクシステムとなっても、記録され
た情報を再生可能な情報記録媒体が提供できた。請求項
６は、請求項５記録体の最適構成で、高品位の信号特性
が記録可能となった。請求項７記録波長の限定をするこ
とで新規な記録法、記録媒体の提供が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）は通常の追記型光記録媒体の層
構成を示す。

【図２】（ａ）〜（ｅ）はＣＤ−Ｒ用の媒体の層構成を
示す。

【図３】（ａ）〜（ｃ）はＤＶＤ−Ｒ用の媒体の層構成
を示す。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 記録層 ３ 下引き層 ４ 保護層 ５ ハードコート層 ６ 金属反射層 ７ 保護基板 ８ 接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 東 康弘 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 FA01 FA12 FA14 FB42 FB43 FB45 GA07 4C050 PA12 PA13 5D029 JA04

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に直接又は下引き層を介し記録層
   を設け、さらに必要に応じて反射層、保護層又は第２基
   板を設けてなる光記録媒体において、下記一般式Ｉもし
   くはIIで示されるアゾ化合物と２価又は３価の金属又は
   その塩からなるアゾ金属キレート化合物の少なくとも１
   種を含有してなることを特徴とする光記録媒体。 【化１】 （ただし、Ｒ₁〜Ｒ₈は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ
   基、シアノ基、置換または未置換のアルキル基、置換又
   は未置換のシクロアルキル基、置換又は未置換のアリー
   ル基、置換又は未置換のアルコキシ基、置換又は未置換
   のアリールオキシ基を表し、Ｍは２価の金属、３価又は
   ４価の置換金属原子、酸化金属又は２個の水素原子を表
   す。） 【化２】 （ただし、Ｚはそれが結合している炭素原子及び窒素原
   子と一緒になって６員環もしくは５員環を形成する残基
   を表し、Ｒ₉，Ｒ₁₀はそれぞれ独立に水素原子、置換又
   は未置換のアルキル基、置換又は未置換のフェニル基を
   表し、Ｒ₉とＲ_{1 0}は連結して環を形成しても良い。Ｒ₁₁
   〜Ｒ₁₃はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニト
   ロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、置換又は未
   置換のアルキル基、置換又は未置換のフェニル基、置換
   又は未置換のアルコキシ基、置換又は未置換のアリール
   オキシ基、置換又は未置換のカルバモイル基、置換又は
   未置換のアシル基、置換又は未置換のアルコキシカルボ
   ニル基、置換又は未置換のアリールオキシカルボニル
   基、置換又は未置換のアルケニル基、置換又は未置換の
   アミノ基を表し、Ｒ₁₁とＲ₁₂、Ｒ₁₂とＲ₉もしくは
   Ｒ₁₀、Ｒ₁₃とＲ₉もしくはＲ₁₀は連結して環を形成して
   も良い。Ｘはヒドロキシ基及びその誘導体、カルボキシ
   基及びその誘導体、アミド基及びその誘導体、スルホ基
   及びその誘導体、スルホンアミド基及びその誘導体を表
   す。）
2. 【請求項２】 請求項１において、一般式ＩもしくはII
   の金属キレート化物のうち少なくともいずれかは熱重量
   分析で熱分解温度が３５０℃以下でかつ主原料過程での
   総減量が３０％以上の熱物性である化合物であることを
   特徴とする光記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項１又は２において、記録層が該記
   録材料と該記録材料よりも長波長域に吸収能を有し、記
   録再生波長域に吸収能を有さない金属錯体との混合層か
   らなることを特徴とする光記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかにおいて、記録
   層が該記録材料と該記録材料よりも長波長域に吸収能を
   有し、記録再生波長域に吸収能を有さないアルミニウム
   色素またはイモニウム色素またはジイモニウム色素との
   混合層からなることを特徴とする光記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の光記録
   媒体において、Ｉ，IIの金属キレート化物以外に６８０
   〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する色素との混合層か
   らなることを特徴とする光記録媒体。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の記録媒体において、６
   ８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する色素がペンタ
   メチンのシアニン色素、フタロシアニン色素もしくは、
   アゾ金属キレート化合物からなることを特徴とする光記
   録媒体。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の光記録
   媒体を用い記録波長が７２０〜６００ｎｍで記録するこ
   とを特徴とする記録方法。