JP4574208B2 - アゾ置換インダゾール化合物、キレート化合物及び光記録媒体 - Google Patents
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Description
本発明の光記録媒体は、例えば、通常の追記型光ディスクである図3の構造(図3を2枚貼合わせた、いわゆるエアーサンドイッチ又は密着貼合わせ構造でもよい)としてもよく、図4からなるCD−R用メディアの構造としてもよい。
本発明の記録媒体の構成としては、第1基板と第2基板とを記録層を介して接着剤で張り合わせた構造を基本構造とする。記録層は有機色素層単層でもよく、反射率を高めるため有機色素層と金属反射層との積層でもよい。記録層と基板間は下引き層あるいは保護層を介して層成してもよく、機能向上のためそれらを積層化した構成でもよい。最も通常に用いられるのは、第1基板/有機色素層/金属反射層/保護層/接着層/第2基板構造である。
基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合のみ使用レーザー光に対して透明でなければならず、記録層側から記録、再生を行う場合基板は透明である必要はない。従って、本発明では、基板を1層しか用いない場合は、請求項に記載の第2の基板のみが透明であれば、第1の透明、不透明は問わない。
下引き層等を含め基板、記録層、反射層、保護層以外に設けられた層をここでは中間層と呼ぶことにする。この中間層は(a)接着性の向上、(b)水、又はガス等のバリアー、(c)記録層の保存安定性の向上、(d)反射率の向上、(e)溶剤からの基板や記録層の保護、(f)案内溝・案内ピット・プレフォーマット等の形成等を目的として使用される。(a)の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々の高分子物質、およびシランカップリング剤等を用いることができ、(b)及び(c)の目的に対しては、前記高分子材料以外に無機化合物、例えばSiO2、MgF2、SiO、TiO2、ZnO、TiN、SiN等金属、又は半金属、例えばZn、Cu、Ni、Cr、Ge、Se、Au、Ag、Al等を用いることができる。また(d)の目的に対しては金属、例えばAl、Ag等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キサンテン系染料等を用いることができ、(e)及び(f)の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。下引き層の膜厚は0.01〜30μm、好ましくは0.05〜10μmが適当である。
記録層はレーザー光の照射により何らかの光学的変化を生じさせ、その変化により情報を記録できるものであって、この記録層中には本発明の色素が含有されていることが必要で、記録層の形成にあたって本発明の色素を1種、又は2種以上の組合せで用いてもよい。さらに、本発明の前記色素は光学特性、記録感度、信号特性等の向上の目的で他の有機色素及び金属、金属化合物と混合又は積層化してもよい。有機色素の例としては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントレキノン(インダンスレン)系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトレヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系染料、及び金属キレート化合物等が挙げられ、前記の染料を単独で用いてもよいし、2種以上の組合せにしてもよい。
反射層は単体で高反射率の得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、材料例としては、Au、Ag、Cr、Ni、Al、Fe、Sn等が挙げられるが、反射率、生産性の点からAu、Ag、Alが最も好ましく、これらの金属、半金属は単独で使用しても良く、2種の合金としてもよい。
保護層、又は基板面ハードコート層は(a)記録層(反射吸収層)を傷、ホコリ、汚れ等から保護する、(b)記録層(反射吸収層)の保存安定性の向上、(c)反射率の向上等を目的として使用される。これらの目的に対しては、前記中間層に示した材料を用いることができる。又、無機材料として、SiO、SiO2等も用いることができ、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、芳香属炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。
炭酸カリウム存在下DMF中、2−メチル−3−ニトロアニリンとヨウ化エチルを作用させ、N,N−ジエチル−2−メチル−3−ニトロアニリンを得た。これをパラジウム/炭素によりニトロ基を還元し、2−メチル−3−ジエチルアミノアニリンを得た。これを酢酸中、亜硝酸ナトリウムと作用させ4−ジエチルアミノインダゾールを得た。次に、1−メチル−2−アミノ−4,5−ジシアノイミダゾールを塩酸酸性水溶液中0℃で、亜硝酸ナトリウム水溶液を滴下し、ジアゾ化を行った。過剰の亜硝酸をアミド硫酸にて分解しジアゾ液を調整した。ついで、4−ジエチルアミノインダゾールをエタノール中に溶解し、先のジアゾ液を加え作用させた。析出した粗結晶を炉取し、エタノールから再結晶し、本発明である前記アゾ置換インダゾール化合物A−1を得た。
元素分析結果: C H N
測定値 58.71% 5.14% 36.15%
計算値 58.78% 4.93% 36.29%
ベンゾチアゾール塩酸塩を塩酸酸性水溶液中−15℃で、亜硝酸ナトリウム水溶液を滴下し、ジアゾ化を行った。過剰の亜硝酸をアミド硫酸にて分解しジアゾ液を調整した。次ぎに、4−ジエチルアミノインダゾールをイソプロパノール中に溶解し、先のジアゾ液を加え作用させた。析出した粗結晶を炉取し、イソプロパノールから再結晶し、本発明である前記アゾ置換インダゾール化合物A−4を得た。
元素分析結果: C H N
測定値 61.54% 5.21% 23.81%
計算値 61.69% 5.18% 23.98%
2−アミノ−5−メチル−1,3,4−チアジアゾールを塩酸酸性水溶液中−15℃で、亜硝酸ナトリウム水溶液を滴下し、ジアゾ化を行った。過剰の亜硝酸をアミド硫酸にて分解しジアゾ液を調整した。次ぎに、4−ジエチルアミノインダゾールをメタノール中に溶解し、先のジアゾ液を加え作用させた。析出した粗結晶を炉取し、メタノールから再結晶し、本発明である前記アゾ置換インダゾール化合物A−8を得た。
元素分析結果: C H N
測定値 51.53% 4.61% 28.03%
計算値 53.31% 5.43% 31.09%
2−アミノ−オキサゾールを酢酸水溶液0℃で、亜硝酸ナトリウム水溶液を滴下し、ジアゾ化を行った。過剰の亜硝酸をアミド硫酸にて分解しジアゾ液を調整した。次ぎに、4−ジブチルアミノインダゾールをエタノール中に溶解し、先のジアゾ液を加え作用させた。析出した粗結晶を炉取し、エタノールから再結晶し、本発明である前記アゾ置換インダゾール化合物A−10を得た。
元素分析結果: C H N
測定値 63.70% 7.06% 24.78%
計算値 63.51% 7.11% 24.69%
前記アゾ置換インダゾール化合物A−1をエタノールに溶解し、希水酸化ナトリウム水溶液を加え反応系を弱塩基性にした。この溶液に酢酸ニッケル(II)四水和物のエタノール溶液を加えた。60℃に昇温し、2時間攪拌した。反応液を濃縮乾燥後、水洗し、MEKから再結晶し、本発明であるキレート化合物C−1を得た。
元素分析結果: C H N
測定値 54.30% 4.42% 33.74%
計算値 54.35% 4.29% 33.55%
前記アゾ置換インダゾール化合物A−2及び酢酸銅(II)一水和物をDMFに懸濁した。これを100℃に昇温し、1時間攪拌した。反応溶液を水に排出し、析出した粗製物をMEKから再結晶し、本発明であるキレート化合物C−7を得た。
元素分析結果: C H N
測定値 53.41% 3.21% 25.45%
計算値 53.47% 3.06% 25.51%
厚さ0.6mmの射出成形ポリカーボネート基板上に、フォトポリマーにて深さ1650Å、半値幅0.25μm、トラックピッチ0.74μmの案内溝を形成し、本発明であるキレート化合物C−1の1,1,2,2−テトラフルオロプロパノール溶液をスピンナー塗布し、厚さ800Åの記録層を形成し、ついでスパッタ法により銀1000Åの反射層を設け、さらにその上にアクリル系フォトポリマーにて7μmの保護層を設けた後、厚さ0.6mmの射出成形ポリカーボネート平面基板をアクリル系フォトポリマーにて接着し、本発明である光記録媒体を得た。
実施例1で、本発明である前記キレート化合物C−1化合物の代わりに本発明であるキレート化合物C−2〜20を用い、実施例1と全く同様の操作を繰り返し、本発明である光記録媒体を形成した。
この記録体にレーザー発振波長658nm、ビーム径1.0μmの半導体レーザー光を用い、トラッキングしながら、EFM信号(線速毎秒14m)を記録し、発振波長670nmの半導体レーザーの連続光(再生パワー0.7mW)で再生し、再生波形を観察した。
耐光テスト :5万Lux、Xe光、20時間連続照射
保存テスト :60℃ 90% 600時間放置
以上の条件でテストを行い、表1に示す結果を得た。
2 記録層
3 下引き層
4 保護層
5 ハードコート層
6 金属反射層
7 保護基板
8 接着層
Claims (10)
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のアゾ置換インダゾール化合物と、2価の金属塩とを含有してなることを特徴とするキレート化合物。
- 基板上に記録層を設けてなる光記録媒体であって、記録媒体中に請求項4に記載のキレート化合物を少なくとも一種類含有することを特徴とする光記録媒体。
- 前記キレート化合物における金属原子がニッケル又は銅であることを特徴とする請求項5に記載の光記録媒体。
- 請求項5又は6に記載の光記録媒体において、記録再生波長±10nmの波長領域の光に対する記録層単層の屈折率nが1.5≦n≦3.0であり、消衰係数kが0.02≦k≦0.2であることを特徴とする光記録媒体。
- 請求項5〜7のいずれか1項に記載の光記録媒体において、有機色素の熱重量分析で、主減量過程での温度に対する減量の傾きが1℃当たり2%以上であることを特徴とする光記録媒体。
- 請求項5〜8のいずれか1項に記載の光記録媒体において、熱重量分析における主減量過程の総減量が30%以上であり、かつ減量開始温度が350℃以下であることを特徴とする光記録媒体。
- 請求項5〜9のいずれか1項に記載の光記録媒体において、基板上のトラックピッチが0.7〜0.8μmであり、溝幅が半値幅で0.18〜0.36μmであることを特徴とする光記録媒体。
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