JP4855716B2 - トリメチン二量体化合物及びこれを用いた光記録媒体 - Google Patents
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Description
〔1〕下記一般式(I)で示される請求項1記載のトリメチン二量体化合物。
〔2〕下記一般式(V)で示されるトリメチン二量体化合物。
〔3〕下記一般式(VI)で示されるトリメチン二量体化合物。
〔4〕基板上に少なくとも、有機色素を含有する記録層および反射層を有する光記録媒体であって、有機色素として前記〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のトリメチン二量体化合物を少なくとも1種用いることを特徴とする光記録媒体。
に関する。
以下、本発明におけるトリメチン二量体化合物として下記一般式(I)で表されるトリメチン二量体化合物についてより具体的に説明する。
メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ペンタフルオロエチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、1,2,2−トリメチルブチル基、1,1,2−トリメチルブチル基、1−エチル−2−メチルプロピル基、cyclo−ヘキシル基、n−ヘプチル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、5−メチルヘキシル基、2,4−ジメチルペンチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、2,5−ジメチルヘキシル基、2,5,5−トリエチルペンチル基、2,4−ジメチルヘキシル基、2,2,4−トリメチルペンチル基等の炭素数1〜8のアルキル基;
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、iso−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n-オクチルオキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、3−(iso−プロピルオキシ)プロピルオキシ基等の炭素数1〜8のアルコキシ基;
アセチル基、プロピオル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数2〜7のアシル基;
ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数2〜6のアルケニル基;
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基;
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基;
メチルアミノ基、エチルアミノ基、n−プロピルアミノ基、n−ブチルアミノ基等の炭素数1〜6のアルキルアミノ基;
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−n−プロピルアミノ基、ジ−n−ブチルアミノ基等の炭素数2〜8のジアルキルアミノ基;
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数3〜7のアルコキシカルボニルアルキル基;
メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、tert−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、n−ヘキシルチオ基等の炭素数1〜6のアルキルチオ基;
メチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、n−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、n−ブチルスルホニル基、tert−ブチルスルホニル基、sec−ブチルスルホニル基、n−ペンチルスルホニル基、n−ヘキシルスルホニル基等の炭素数1〜6のアルキルスルホニル基;
メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、n−プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、n−ブチルカルボニルアミノ基、tert−ブチルカルボニルアミノ基、sec−ブチルカルボニルアミノ基、n−ペンチルカルボニルアミノ基等の炭素数2〜6のアルキルカルボニルアミノ基;
フェニル基、4−メチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、ビフェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−クロロフェニル基、4−フロロフェニル基、ナフタレン−1−イル基、ナフタレン−2−イル基等のアリール基;
フェロセニル基、チタノセニル基、クロノセニル基、ルテノセニル基等のメタロセニル基が挙げられる。
但し、環A、B、C、Dの内、必ず1つはニトロ基を含有する。
クロロメチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロ−n−プロピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、ノナフルオロ−n−ブチル基、ノナフルオロ−tert−ブチル基、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロブチル基、2,2,3,4,4,4−ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロイソペンチル基、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチル基、ヘプタフルオロ−sec−ペンチル基、パーフルロヘキシル基、パーフルオロイソヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、4−トリフルオロメチルシクロヘキシル基等のハロゲノアルキル基;
メトキシエチル基、エトキシエチル基、iso−プロピルオキシエチル基、3−メトキシプロピル基、2−メトキシブチル基等のアルコキシアルキル基;
2−ジメチルアミノエチル基、3−ジメチルアミノプロピル基、4−ジメチルアミノブチル基、2−ジエチルアミノエチル基、3−ジエチルアミノプロピル基、4−ジエチルアミノブチル基、2−ジ−n−プロピルアミノエチル基、3−ジ−n−プロピルアミノプロピル基、4−ジ−n−プロピルアミノブチル基、2−ジ−n−ブチルアミノエチル基、3−ジ−n−ブチルアミノプロピル基、4−ジ−n−ブチルアミノブチル基等の炭素数4〜12のジアルキルアミノアルキル基;
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数3〜7のアルコキシカルボニルアルキル基等の置換基を有しても良いアルキル基が挙げられる。
sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、iso−ペンチル基、
sec−ペンチル基、tert−ペンチル基、neo−ペンチル基、n−ヘキシル基、iso−へキシル基、n−ヘプチル基、iso−ヘプチル基、n−オクチル基、iso−オクチル基等のアルキル基が挙げられる。
かかる脂肪酸塩は一般式(VII)で表される化合物1モル当たり通常0.1〜5モル程度、好ましくは0.5〜2モル程度使用する。
かかる脱水性有機酸は、一般式(VIII)で表される化合物1モル当たり通常10〜100モル程度、好ましくは20〜50モル程度使用する。
基板の材質としては、基本的には記録光および再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形される。基板表面には記録位置を表すプリグルーブやプリピット、一部再生専用情報等のためのプリピットを有していてもよい。これらのプリグルーブやプリピットは、射出成形法等により基板作製時にスタンパー原盤から転写付与する方法が通常とられる。また、レーザーカッティング法(プリライト)や2P(Photo Polymer)法により作製してもよい。
本発明においては、基板上に記録層を設けるが、本発明の記録層は、λmaxが450nm〜630nm付近に存在する一般式(I)で示されるトリメチン二量体化合物を含有する。中でも、520nm〜690nmより選択される記録および再生レーザー波長に対して適度な光学定数(光学定数は複素屈折率(n+ki)で表現される。式中のn、kは、実数部nと虚数部kとに相当する係数である。ここでは、nを屈折率、kを消衰係数とする。)を有する必要がある。
記録層の上に、好ましくは50nm〜300nmの厚さの反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、TaおよびPdの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもAu、Al、Agは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Biなどの金属および半金属を挙げることができる。また、Auを主成分とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分というのは含有率が50%以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
反射層の上の保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができる。また、無機物質としては、SiO2、Si3N4、MgF2、SnO2などが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、1層だけでなく多層膜にして用いても良い。
C H N
計算値(%)57.54 4.53 6.29
実測値(%)57.51 4.49 6.34
λmax:580.0nm
εg:1.28×105ml/g・cm
C H N
計算値(%)57.54 4.53 6.29
実測値(%)57.49 4.51 6.32
λmax:581.0nm
εg:1.03×105ml/g・cm
C H N
計算値(%)57.54 4.53 6.29
実測値(%)57.56 4.57 6.27
λmax:574.0nm
εg:1.19×105ml/g・cm
C H N
計算値(%)58.42 4.44 6.39
実測値(%)58.48 4.47 6.37
λmax:569.5nm
εg:1.00×105ml/g・cm
C H N
計算値(%)58.93 4.51 6.06
実測値(%)58.89 4.46 6.09
λmax:580.0nm
εg:0.83×105ml/g・cm
C H N
計算値(%)65.25 5.30 7.13
実測値(%)65.21 5.27 7.16
λmax:538.5nm
εg:1.22×105ml/g・cm
C H N
計算値(%)59.82 4.43 12.31
実測値(%)59.79 4.41 12.35
λmax:584.0nm
εg:1.15×105ml/g・cm
(数1) 式1
[(I14H+I14L)/2−(I3H+I3L)/2]/I14
(数2) 式2
(I3L上−I3L下)/I3 × 100 (%)
表2に記載したトリメチン二量体化合物を適宜使用する以外は、実施例8と同様にして光記録媒体を作製した。
下記トリメチン化合物(構造式(N))を用いて実施例8と同様にして光記録媒体を作製し、同様の評価を実施したが、記録感度が不足し、12倍速での記録ができなかった。
下記トリメチン化合物(構造式(O)、構造式(P))を用いて実施例8と同様にして光記録媒体を作製し、同様の評価を実施した。12倍速での記録は確認できたものの、記録感度に劣り、熱干渉も大きく、良好な信号波形が得られなかった。
表2
2 記録層
3 反射層
4 接着層
5 基板
Claims (4)
- 下記一般式(I)で示されるトリメチン二量体化合物。
R1、R2はそれぞれ独立に置換基としてアルコキシ基を有しても良いアルキル基を表す。
b(Za−)として、Z−はアニオンを表し、a、bは1〜2の整数を表す。但しa×b=2である。
Yは、分岐していてもよい炭素数1〜8のアルキレン基、下記一般式(III)、または(IV)を示す。
但し、A、B、C、Dの有する置換基の内、必ず一つはニトロ基である。)
- 下記一般式(V)で示される請求項1記載のトリメチン二量体化合物。
- 下記一般式(VI)で示される請求項1記載のトリメチン二量体化合物。
- 基板上に少なくとも、有機色素を含有する記録層および反射層を有する光記録媒体であって、有機色素として請求項1〜3のいずれかに記載のトリメチン二量体化合物を少なくとも1種用いることを特徴とする光記録媒体。
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