JPH0798421B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH0798421B2 JPH0798421B2 JP62143468A JP14346887A JPH0798421B2 JP H0798421 B2 JPH0798421 B2 JP H0798421B2 JP 62143468 A JP62143468 A JP 62143468A JP 14346887 A JP14346887 A JP 14346887A JP H0798421 B2 JPH0798421 B2 JP H0798421B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
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- Y10S430/146—Laser beam
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- Organic Chemistry (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な色素を含む記録層を有する光情報記録媒
体に関し、特に、レーザービームを用いて記録及び再生
を行なう光情報記録媒体に関する。
体に関し、特に、レーザービームを用いて記録及び再生
を行なう光情報記録媒体に関する。
従来、回転している円盤状の情報記録媒体にレーザービ
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属または低融点金属と誘電体を用いるものな
どが提案されている。しかしながら、これらは保存性が
悪い、分離能が低い、記録密度が低い、製造コストが高
いなどの欠点があつた。また、近年、比較的長波長の光
で物性変化し得る色素薄膜を記録層に用いることが提案
され、また実施されてはいるが、一般に長波長に吸収帯
を有する色素は熱および光に対する安定性が低いなどの
問題点があり、必ずしも長期にわたつて安定して満足す
べき記録特性を有する記録層が開発されていないのが現
状である。
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属または低融点金属と誘電体を用いるものな
どが提案されている。しかしながら、これらは保存性が
悪い、分離能が低い、記録密度が低い、製造コストが高
いなどの欠点があつた。また、近年、比較的長波長の光
で物性変化し得る色素薄膜を記録層に用いることが提案
され、また実施されてはいるが、一般に長波長に吸収帯
を有する色素は熱および光に対する安定性が低いなどの
問題点があり、必ずしも長期にわたつて安定して満足す
べき記録特性を有する記録層が開発されていないのが現
状である。
したがつて、本発明の目的は、十分な記録特性を長期に
わたつて維持し得るような安定性に優れた色素記録層を
有する光学的情報記録媒体を提供することである。
わたつて維持し得るような安定性に優れた色素記録層を
有する光学的情報記録媒体を提供することである。
本発明の上記課題は、基板上に、レーザーによる情報の
書き込みまたは読み取りが可能な記録層が設けられてな
る情報記録媒体において、前記記録層が下記一般式
（Ｉ）で表される化合物を少なくとも一種含有すること
を特徴とする光情報記録媒体によって解決された。
書き込みまたは読み取りが可能な記録層が設けられてな
る情報記録媒体において、前記記録層が下記一般式
（Ｉ）で表される化合物を少なくとも一種含有すること
を特徴とする光情報記録媒体によって解決された。
一般式（Ｉ） Φ＋−Ｌ＝Ψ（Kk-）1/k 〔式中、Φ及びΨは、それぞれベンゼン環と縮合しても
よい、又Cl原子で置換されていてもよい3H−インドール
環残基を表し、Xk-はｋ価の陰イオンを表し、ｋは１、
２又は３を表し、Ｌは下記一般式〔LII〕又は〔LVII〕
で示される基を表し、Ｚは水素原子又は、Φ若しくはΨ
と連結して環を形成するためのエチレン基、プロピレン
基、又はブチレン基を表す。ただし、２つのＺの少なく
とも一方は、Φ若しくはΨと連結して環を形成するため
のエチレン基、プロピレン基、又はブチレン基を表
す。〕 一般式（Ｉ）においてΦで表わされるヘテロ環とΨで表
わされるヘテロ環とは同一でも異なつていてもよいが、
同一のほうが合成が容易で好ましい。
よい、又Cl原子で置換されていてもよい3H−インドール
環残基を表し、Xk-はｋ価の陰イオンを表し、ｋは１、
２又は３を表し、Ｌは下記一般式〔LII〕又は〔LVII〕
で示される基を表し、Ｚは水素原子又は、Φ若しくはΨ
と連結して環を形成するためのエチレン基、プロピレン
基、又はブチレン基を表す。ただし、２つのＺの少なく
とも一方は、Φ若しくはΨと連結して環を形成するため
のエチレン基、プロピレン基、又はブチレン基を表
す。〕 一般式（Ｉ）においてΦで表わされるヘテロ環とΨで表
わされるヘテロ環とは同一でも異なつていてもよいが、
同一のほうが合成が容易で好ましい。
一般式（Ｉ）においてΦ中の窒素原子の少なくとも１ケ
はΨ中の窒素原子の少なくとも１ケとはＬを介して共役
し得る位置にあるため、一般式（Ｉ）は一般式（Ia）で
表わすこともできるが本明細書では便宜上一般式（Ｉ）
でこの共鳴混成体の構造を表わすことにする。
はΨ中の窒素原子の少なくとも１ケとはＬを介して共役
し得る位置にあるため、一般式（Ｉ）は一般式（Ia）で
表わすこともできるが本明細書では便宜上一般式（Ｉ）
でこの共鳴混成体の構造を表わすことにする。
一般式（Ia） Φ−Ｌ＝Ψ＋ （Xk-）1/k 〔式中、Φ，Ψ、Ｌ及びｋの定義は一般式（Ｉ）におけ
る定義と同じ。〕 ΦもしくはΨで表わされる3Hインドール環のうち特に好
ましいものは下記一般式ΦXIIIないしΦXVIで表わされ
るものである。ただしいずれも陽電荷を有する構造で代
表させて記した。
る定義と同じ。〕 ΦもしくはΨで表わされる3Hインドール環のうち特に好
ましいものは下記一般式ΦXIIIないしΦXVIで表わされ
るものである。ただしいずれも陽電荷を有する構造で代
表させて記した。
一般式ΦXIIIないしΦXVIで表わされるヘテロ環におけ
るR1で表わされる基は置換もしくは非置換のアルキル
基、アリール基、アルケニル基であり、特にアルキル基
が好ましい。ただしR1がＬと連結して環を形成する場合
には後述のＺで表わされる２価の連結基を表わす。R1で
表わされる基の炭素原子数は好ましくは１ないし30、特
に好ましくは１ないし20である。
るR1で表わされる基は置換もしくは非置換のアルキル
基、アリール基、アルケニル基であり、特にアルキル基
が好ましい。ただしR1がＬと連結して環を形成する場合
には後述のＺで表わされる２価の連結基を表わす。R1で
表わされる基の炭素原子数は好ましくは１ないし30、特
に好ましくは１ないし20である。
またこれらの基がさらに置換基を有する場合、置換基と
しては、スルホン酸基、アルキルカルボニルオキシ基、
アルキルアミド基、アルキルスルホンアミド基、アルコ
キシカルボニル基、アルキルアミノ基、アルキルカルバ
モイル基、アルキルスルフアモイル基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、
アルキル基、アリール基、カルボキシル基、ハロゲン原
子、シアノ基などが挙げられる。これらの置換基のうち
特に好ましいものとしては、ハロゲン原子（Ｆ、Clな
ど）、シアノ基、炭素原子数１ないし20のアルコキシ基
（例えばメトキシ基、エトキシ基、ドデシルオキシ基、
メトキシエトキシ基など）、炭素原子数６ないし20の置
換もしくは非置換のフエノキシ基（例えばフエノキシ
基、3,5−ジ−クロロフエノキシ基、2,4−ジ−ｔ−ペン
チルフエノキシ基など）、置換もしくは無置換の炭素原
子数１ないし20のアルキル基（例えばメチル基、エチル
基、イソブチル基、ｔ−ペンチル基、オクタデシル基、
シクロヘキシル基など）、または炭素原子数６ないし20
の置換もしくは非置換のフエニル基（例えばフエニル
基、４−メチルフエニル基、４−トリフルオロメチルフ
エニル基、3,5−ジクロロフエニル基など）が挙げられ
る。
しては、スルホン酸基、アルキルカルボニルオキシ基、
アルキルアミド基、アルキルスルホンアミド基、アルコ
キシカルボニル基、アルキルアミノ基、アルキルカルバ
モイル基、アルキルスルフアモイル基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、
アルキル基、アリール基、カルボキシル基、ハロゲン原
子、シアノ基などが挙げられる。これらの置換基のうち
特に好ましいものとしては、ハロゲン原子（Ｆ、Clな
ど）、シアノ基、炭素原子数１ないし20のアルコキシ基
（例えばメトキシ基、エトキシ基、ドデシルオキシ基、
メトキシエトキシ基など）、炭素原子数６ないし20の置
換もしくは非置換のフエノキシ基（例えばフエノキシ
基、3,5−ジ−クロロフエノキシ基、2,4−ジ−ｔ−ペン
チルフエノキシ基など）、置換もしくは無置換の炭素原
子数１ないし20のアルキル基（例えばメチル基、エチル
基、イソブチル基、ｔ−ペンチル基、オクタデシル基、
シクロヘキシル基など）、または炭素原子数６ないし20
の置換もしくは非置換のフエニル基（例えばフエニル
基、４−メチルフエニル基、４−トリフルオロメチルフ
エニル基、3,5−ジクロロフエニル基など）が挙げられ
る。
R1として特に好ましいものは、これらがＬと連結してい
ない場合には炭素原子数１ないし８の非置換アルキル基
であり、これらがＬと連結している場合には後述のＺで
表わされる基である。
ない場合には炭素原子数１ないし８の非置換アルキル基
であり、これらがＬと連結している場合には後述のＺで
表わされる基である。
R2、R3で表わされる置換基は置換もしくは非置換のアル
キル基（好ましくは炭素原子数１ないし20のもの）また
は置換もしくは非置換のアリール基（好ましくは炭素原
子数６ないし20の置換または非置換のフエニル基であ
る）。
キル基（好ましくは炭素原子数１ないし20のもの）また
は置換もしくは非置換のアリール基（好ましくは炭素原
子数６ないし20の置換または非置換のフエニル基であ
る）。
R2、R3で表わされる基のうち特に好ましいものはメチル
基である。
基である。
一方、ΦおよびΨで表わされる環中の所定の位置には、
さらに他の置換基R4が結合していてもよい。このような
置換基としては、アルキル基、アリール基、複素環残
基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルカルボニル
基、アリールカルボニル基、アルキルオキシカルボニル
基、アリーロキシカルボニル基、アルキルカルボニルオ
キシ基、アリールカルボニルオキシ、アルキルアミド
基、アリールアミド基、アルキルカルバモイル基、アリ
ールカルバモイル基、アルキルアミノ基、アリールアミ
ノ基、カルボン酸基、アルキルスルホニル基、アリール
スルホニル基、アルキルスルホンアミド基、アリールス
ルホンアミド基、アルキルスルフアモイル基、アリール
スルフアモイル基、シアノ基、ニトロ基等、種々の置換
基であつてもよい。
さらに他の置換基R4が結合していてもよい。このような
置換基としては、アルキル基、アリール基、複素環残
基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルカルボニル
基、アリールカルボニル基、アルキルオキシカルボニル
基、アリーロキシカルボニル基、アルキルカルボニルオ
キシ基、アリールカルボニルオキシ、アルキルアミド
基、アリールアミド基、アルキルカルバモイル基、アリ
ールカルバモイル基、アルキルアミノ基、アリールアミ
ノ基、カルボン酸基、アルキルスルホニル基、アリール
スルホニル基、アルキルスルホンアミド基、アリールス
ルホンアミド基、アルキルスルフアモイル基、アリール
スルフアモイル基、シアノ基、ニトロ基等、種々の置換
基であつてもよい。
そして、これらの置換基の数（ｐ）は、通常、０または
１〜４程度とされる。なお、ｐが２以上であるとき、複
数のR4は互いに異なるものであつてよい。
１〜４程度とされる。なお、ｐが２以上であるとき、複
数のR4は互いに異なるものであつてよい。
R4で表わされる置換基のうち好ましいものとしてはハロ
ゲン原子（F,Clなど）、シアノ基、炭素原子数１ないし
20のアルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、ド
デシルオキシ基、メトキシエトキシ基など）、炭素原子
数６ないし20の置換もしくは非置換のフエノキシ基（例
えばフエノキシ基、3,5−ジクロロフエノキシ基、2,4−
ジ−ｔ−ペンチルフエノキシ基など）、置換もしくは非
置換の炭素原子数１ないし20のアルキル基（例えばメチ
ル基、エチル基、イソブチル基、ｔ−ペンチル基、オク
タデシル基、シクロヘキシル基、トリフルオロメチル基
など）、炭素原子数６ないし20の置換もしくは非置換の
フエニル基（例えばフエニル基、４−メチルフエニル
基、４−トリフルオロメチルフエニル基、3,5−ジクロ
ロフエニル基など）が挙げられる。R4で表わされる基の
うち特に好ましいものはハロゲン原子（Ｆ、Clなど）、
シアノ基、炭素原子数１ないし４のアルキル基、フエニ
ル基、ハメツトのσｍ（シグマ・メタ）定数が正である
置換基で置換されたアルキルもしくはフエニル基（例え
ば２−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、２−メ
トキシエチル基、４−クロロフエニル基、２−フエニル
スルホニルエチル基など）である。
ゲン原子（F,Clなど）、シアノ基、炭素原子数１ないし
20のアルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、ド
デシルオキシ基、メトキシエトキシ基など）、炭素原子
数６ないし20の置換もしくは非置換のフエノキシ基（例
えばフエノキシ基、3,5−ジクロロフエノキシ基、2,4−
ジ−ｔ−ペンチルフエノキシ基など）、置換もしくは非
置換の炭素原子数１ないし20のアルキル基（例えばメチ
ル基、エチル基、イソブチル基、ｔ−ペンチル基、オク
タデシル基、シクロヘキシル基、トリフルオロメチル基
など）、炭素原子数６ないし20の置換もしくは非置換の
フエニル基（例えばフエニル基、４−メチルフエニル
基、４−トリフルオロメチルフエニル基、3,5−ジクロ
ロフエニル基など）が挙げられる。R4で表わされる基の
うち特に好ましいものはハロゲン原子（Ｆ、Clなど）、
シアノ基、炭素原子数１ないし４のアルキル基、フエニ
ル基、ハメツトのσｍ（シグマ・メタ）定数が正である
置換基で置換されたアルキルもしくはフエニル基（例え
ば２−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、２−メ
トキシエチル基、４−クロロフエニル基、２−フエニル
スルホニルエチル基など）である。
ΦXIIIないしΦXVIで表わされるヘテロ環のうち特に好
ましいものはΦXIIIにおいてR2,R3がメチル基でR4、が
水素原子又はClであり、R1を介してＬと連結し得るもの
である（ΦXVII）。
ましいものはΦXIIIにおいてR2,R3がメチル基でR4、が
水素原子又はClであり、R1を介してＬと連結し得るもの
である（ΦXVII）。
一般式（Ｉ）においてXl-で表わされる陰イオンとして
好ましいものとしてはI-、Br-、Cl-などのハライドイオ
ン、過ハロゲン酸イオン（ClO4 -、BrO4 -など）、BF4 -、
PF6 -、スルホン酸イオン（CH3SO3 -、 など）、HSO3 -、SO4 2-、PO4 3-、H2PO4 -、ヘテロポリ酸
イオン（〔PO4・12MoO3〕3-など）、 カルボン酸イオン（HCO3 、CO3 2 、 など）が挙げられる。
好ましいものとしてはI-、Br-、Cl-などのハライドイオ
ン、過ハロゲン酸イオン（ClO4 -、BrO4 -など）、BF4 -、
PF6 -、スルホン酸イオン（CH3SO3 -、 など）、HSO3 -、SO4 2-、PO4 3-、H2PO4 -、ヘテロポリ酸
イオン（〔PO4・12MoO3〕3-など）、 カルボン酸イオン（HCO3 、CO3 2 、 など）が挙げられる。
なおXl-がΦもしくはΨに置換基として結合していても
よい（例えば、−SO3 としてあるいはCH2 4SO3 な
どとして）。
よい（例えば、−SO3 としてあるいはCH2 4SO3 な
どとして）。
以下に本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物の具体
例を示すが本発明の範囲はこれらだけに限定されるもの
ではない。
例を示すが本発明の範囲はこれらだけに限定されるもの
ではない。
本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物は通常カルボ
シアニン色素を合成するのと同様にして合成できる。す
なわち、下記一般式（Ａ）で表わされるヘテロ環エナミ
ンを 一般式（Ａ） 〔式中Ｔ、Ｚは環を形成するに必要な原子団を表わし、
ＴはΦの一部を構成する。〕 CH3O−CH＝CH−CH＝CH−CH（OCH3）２、 （CH3O）2CH＝CH−CH＝CH−CH（OCH3）２、 （CH3O）2CHCH2CH（OCH3）２などのアセタール類あるい
はオルトギ酸エチルやオルト酢酸エチルなどのオルトエ
ステル類、あるいは PhN＝CHCH＝CHjNHPh （ｊ＝０、１、２） などの化合物と反応させることによつて合成することが
できる。
シアニン色素を合成するのと同様にして合成できる。す
なわち、下記一般式（Ａ）で表わされるヘテロ環エナミ
ンを 一般式（Ａ） 〔式中Ｔ、Ｚは環を形成するに必要な原子団を表わし、
ＴはΦの一部を構成する。〕 CH3O−CH＝CH−CH＝CH−CH（OCH3）２、 （CH3O）2CH＝CH−CH＝CH−CH（OCH3）２、 （CH3O）2CHCH2CH（OCH3）２などのアセタール類あるい
はオルトギ酸エチルやオルト酢酸エチルなどのオルトエ
ステル類、あるいは PhN＝CHCH＝CHjNHPh （ｊ＝０、１、２） などの化合物と反応させることによつて合成することが
できる。
次に本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物の合成例
を挙げる。
を挙げる。
合成例１ 化合物２の合成 1,3−ジブロモプロパン100mlをスチームバス上で加熱撹
拌しつつ、これに2,3,3−トリメチルインドレニン15.9g
を15分間にわたつて滴下し、ひきつづき４時間20分間加
熱撹拌した。反応液を氷冷し析出した結晶を取し、ア
セトンをかけて洗浄し乾燥することにより11.6gの無色
板状晶として、１−（３−ブロモプロピル）−2,3,3−
トリメチルインドレニウムブロマイドを得た。
拌しつつ、これに2,3,3−トリメチルインドレニン15.9g
を15分間にわたつて滴下し、ひきつづき４時間20分間加
熱撹拌した。反応液を氷冷し析出した結晶を取し、ア
セトンをかけて洗浄し乾燥することにより11.6gの無色
板状晶として、１−（３−ブロモプロピル）−2,3,3−
トリメチルインドレニウムブロマイドを得た。
この結晶3.6gにエタノール50ml、トリエチルアミン4.2m
lを加え２時間40分加熱還流した。反応混合物に、1,7−
ジフエニル−1,7−ジアザ−1,3,5−ヘプタトリエン1.4g
と無水酢酸1.25mlを添加し、ときどき加熱しつつ2.5時
間撹拌した。反応液に酢酸エチル20mlを加えた後１の
水に注入し、生じた結晶を取した。この結晶を酢酸エ
チルで洗い1.5gの黄緑色結晶を得た。この結晶をイソプ
ロピルアルコール150mlに溶かし、過した後ヘキサン
で希釈し晶析した。
lを加え２時間40分加熱還流した。反応混合物に、1,7−
ジフエニル−1,7−ジアザ−1,3,5−ヘプタトリエン1.4g
と無水酢酸1.25mlを添加し、ときどき加熱しつつ2.5時
間撹拌した。反応液に酢酸エチル20mlを加えた後１の
水に注入し、生じた結晶を取した。この結晶を酢酸エ
チルで洗い1.5gの黄緑色結晶を得た。この結晶をイソプ
ロピルアルコール150mlに溶かし、過した後ヘキサン
で希釈し晶析した。
結晶を取しイソプロピルアルコールとヘキサンの1:1
混合液で洗浄し、0.9gの金属光沢のある結晶を得た。こ
の結晶0.8gをメタノールに溶解した後、60％過塩素酸水
溶液1mlを加えた。析出した結晶を取しメタノールで
洗浄し乾燥して0.9gの化合物２を得た。
混合液で洗浄し、0.9gの金属光沢のある結晶を得た。こ
の結晶0.8gをメタノールに溶解した後、60％過塩素酸水
溶液1mlを加えた。析出した結晶を取しメタノールで
洗浄し乾燥して0.9gの化合物２を得た。
融点288.5−291℃（金属光沢黄緑色結晶） 合成例２ 化合物12の合成 合成例１において0.8gの粗結晶をメタノールに溶解した
後60％過塩素酸水溶液を添加して造塩するかわりに、粗
結晶0.8gを酢酸25mlに溶かし、これにリンモリブデン酸
ナトリウム（Na3PO4・12MoO3）1gを酢酸50mlに溶かして
加え撹拌した。生じた沈澱を取し、酢酸、次いでメタ
ノール、次いで酢酸エチルで洗浄した後真空乾燥して0.
5gの化合物12を得た。
後60％過塩素酸水溶液を添加して造塩するかわりに、粗
結晶0.8gを酢酸25mlに溶かし、これにリンモリブデン酸
ナトリウム（Na3PO4・12MoO3）1gを酢酸50mlに溶かして
加え撹拌した。生じた沈澱を取し、酢酸、次いでメタ
ノール、次いで酢酸エチルで洗浄した後真空乾燥して0.
5gの化合物12を得た。
融点300℃以上 本発明の光記録媒体において用いられる一般式（Ｉ）の
色素は単独で用いても、２種以上併用してもよく、ある
いは本発明の一般式（Ｉ）の色素以外の色素と併用して
用いてもよい。また、読取り耐久性向上のため種々の酸
化防止剤や一重項酸素クエンチヤーを併用することも有
効である。また、種々の樹脂を併用してもよい。
色素は単独で用いても、２種以上併用してもよく、ある
いは本発明の一般式（Ｉ）の色素以外の色素と併用して
用いてもよい。また、読取り耐久性向上のため種々の酸
化防止剤や一重項酸素クエンチヤーを併用することも有
効である。また、種々の樹脂を併用してもよい。
あるいは還移金属イオンを添加してキレートを形成させ
て用いることにより耐久性を増すこともできる。
て用いることにより耐久性を増すこともできる。
本発明の光記録媒体に使用されるクエンチヤーとして
は、種々のものを用いることができる。このようなクエ
ンチヤーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶
性が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金
属として好ましいものは、Ni、Co、Cu、Pd、Ptなどであ
る。
は、種々のものを用いることができる。このようなクエ
ンチヤーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶
性が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金
属として好ましいものは、Ni、Co、Cu、Pd、Ptなどであ
る。
好ましいクエンチヤーの例としては次の一般式（II）ま
たは（III）で示されるものがあげられる。
たは（III）で示されるものがあげられる。
（式中、〔Cat1〕および〔Cat2〕は錯体を中性ならしめ
るために必要な陽イオンを示し、M1およびM2はニツケ
ル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を示す。ｎは
１または２を示す。） 前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物に
おいて、〔Cat1〕または〔Cat2〕で表わされる陽イオン
のうち無機陽イオンとしては、アルカリ金属（たとえ
ば、Li、Na、Ｋなど）、アルカリ土類金属（Mg、Ca、Ba
など）もしくはNH4をあげることができる。
るために必要な陽イオンを示し、M1およびM2はニツケ
ル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を示す。ｎは
１または２を示す。） 前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物に
おいて、〔Cat1〕または〔Cat2〕で表わされる陽イオン
のうち無機陽イオンとしては、アルカリ金属（たとえ
ば、Li、Na、Ｋなど）、アルカリ土類金属（Mg、Ca、Ba
など）もしくはNH4をあげることができる。
有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオンまた
は第四級ホスホニウムイオンをあげることができる。
は第四級ホスホニウムイオンをあげることができる。
上記の陽イオン〔Cat1〕および〔Cat2〕の中で好ましい
のは下記一般式（IV−ａ）、（IV−ｂ）、（IV−ｃ）、
（IV−ｄ）もしくは（IV−ｅ）で表わされるものであ
る。
のは下記一般式（IV−ａ）、（IV−ｂ）、（IV−ｃ）、
（IV−ｄ）もしくは（IV−ｅ）で表わされるものであ
る。
式中、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、
R19、R20、R21およびR22はそれぞれ炭素数１ないし20の
置換もしくは無置換のアルキル基、または炭素数６ない
し14の置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Z1お
よびZ2は各式中の窒素またはリン原子と結合して５員ま
たは６員環を形成する非金属原子群を表わす。
R19、R20、R21およびR22はそれぞれ炭素数１ないし20の
置換もしくは無置換のアルキル基、または炭素数６ない
し14の置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Z1お
よびZ2は各式中の窒素またはリン原子と結合して５員ま
たは６員環を形成する非金属原子群を表わす。
この炭素数１ないし20の置換もしくは無置換のアルキル
基として、例えばメチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、
iso−アミル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル基
などをあげることができる。炭素数６ないし14のアリー
ル基としては、例えばフエニル基、トリル基、α−ナフ
チル基などをあげることができる。
基として、例えばメチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、
iso−アミル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル基
などをあげることができる。炭素数６ないし14のアリー
ル基としては、例えばフエニル基、トリル基、α−ナフ
チル基などをあげることができる。
これらのアルキル基またはアリール基はシアノ基、水酸
基、炭素数１ないし20のアルキル基（例えばメチル基、
エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基など）、炭素
数６ないし14のアリール基（例えば、フエニル基、トリ
ル基、α−ナフチル基など）、炭素数２ないし20のアシ
ルオキシ基（例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基
またはｐ−メトキシベンゾイルオキシ基など）、炭素数
１ないし６のアルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基など）、アリーロキシ
基（例えば、フエノキシ基、トリロキシ基など）、アラ
ルキル基（例えば、ベンジル基、フエネチル基またはア
ニシル基など）、アルコキシカルボニル基（例えば、メ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブト
キシカルボニル基など）、アリーロキシカルボニル基
（例えば、フエノキシカルボニル基、トリロキシカルボ
ニル基など）、アシル基（例えば、アセチル基、ベンゾ
イル基など）、アシルアミノ基（例えば、アセチルアミ
ノ基、ベンゾイルアミノ基など）、カルバモイル基（例
えば、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ−フエニルカルバ
モイル基など）、アルキルスルホニルアミノ基（例え
ば、メチルスルホニルアミノ基、フエニルスルホニルア
ミノ基など）、スルフアモイル基（例えば、Ｎ−エチル
スルフアモイル基、Ｎ−フエニルスルフアモイル基な
ど）、スルホニル基（例えば、メシル基、トシル基な
ど）などで置換されていてもよい。
基、炭素数１ないし20のアルキル基（例えばメチル基、
エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基など）、炭素
数６ないし14のアリール基（例えば、フエニル基、トリ
ル基、α−ナフチル基など）、炭素数２ないし20のアシ
ルオキシ基（例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基
またはｐ−メトキシベンゾイルオキシ基など）、炭素数
１ないし６のアルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基など）、アリーロキシ
基（例えば、フエノキシ基、トリロキシ基など）、アラ
ルキル基（例えば、ベンジル基、フエネチル基またはア
ニシル基など）、アルコキシカルボニル基（例えば、メ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブト
キシカルボニル基など）、アリーロキシカルボニル基
（例えば、フエノキシカルボニル基、トリロキシカルボ
ニル基など）、アシル基（例えば、アセチル基、ベンゾ
イル基など）、アシルアミノ基（例えば、アセチルアミ
ノ基、ベンゾイルアミノ基など）、カルバモイル基（例
えば、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ−フエニルカルバ
モイル基など）、アルキルスルホニルアミノ基（例え
ば、メチルスルホニルアミノ基、フエニルスルホニルア
ミノ基など）、スルフアモイル基（例えば、Ｎ−エチル
スルフアモイル基、Ｎ−フエニルスルフアモイル基な
ど）、スルホニル基（例えば、メシル基、トシル基な
ど）などで置換されていてもよい。
またZ1およびZ2は前記のように５員環または６員環を形
成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの５員
環もしくは６員環としては、ピリジン環、イミダゾール
環、ピロール環、２−ピロリン環、ピロリジン環、ピペ
リジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダゾリン
環などをあげることができる。一般式（IV−ｂ）で表わ
されるカチオンとしては、例えばドデシルピリジニウム
基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイミダゾリ
ウム基などをあげることができる。一般式（IV−ｃ）で
表わされるカチオンとしては、例えば、Ｎ−エチル−Ｎ
−ヘキサデシルピペリジニウム基、Ｎ−エチル−Ｎ−ド
デシルピラゾリジニウム基などをあげることができる。
成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの５員
環もしくは６員環としては、ピリジン環、イミダゾール
環、ピロール環、２−ピロリン環、ピロリジン環、ピペ
リジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダゾリン
環などをあげることができる。一般式（IV−ｂ）で表わ
されるカチオンとしては、例えばドデシルピリジニウム
基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイミダゾリ
ウム基などをあげることができる。一般式（IV−ｃ）で
表わされるカチオンとしては、例えば、Ｎ−エチル−Ｎ
−ヘキサデシルピペリジニウム基、Ｎ−エチル−Ｎ−ド
デシルピラゾリジニウム基などをあげることができる。
上記の一般式（IV−ａ）、（IV−ｂ）、（IV−ｃ）、
（IV−ｄ）および（IV−ｅ）で表わされる陽イオンの中
で、本発明に特に好ましく用いられるものは、製造原料
の入手し易さ、製造コストの点で、（IV−ａ）、（IV−
ｂ）、（IV−ｄ）および（IV−ｅ）である。
（IV−ｄ）および（IV−ｅ）で表わされる陽イオンの中
で、本発明に特に好ましく用いられるものは、製造原料
の入手し易さ、製造コストの点で、（IV−ａ）、（IV−
ｂ）、（IV−ｄ）および（IV−ｅ）である。
この陽イオン〔Cat1〕および〔Cat2〕の種類は、前記一
般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物の有機溶
媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物の有機溶
媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
一般に、第四級ヘテロ原子に結合する置換基がアルキル
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、また、ホス
ホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が４以上のカチ
オンが高い溶解性を与える。
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、また、ホス
ホニウムカチオンの場合は炭素数の合計が４以上のカチ
オンが高い溶解性を与える。
前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物に
おいてM1またはM2を好ましい順に挙げるとニツケル、コ
バルト、銅、パラジウム、白金の順である。
おいてM1またはM2を好ましい順に挙げるとニツケル、コ
バルト、銅、パラジウム、白金の順である。
一般式〔II〕または〔III〕の金属錯体は平面四配位の
立体構造を有する。なお一般式〔III〕の化合物ではチ
オケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるか
は一義的に決らないが、この明細書では便宜的に一般式
〔III〕のように表わす。
立体構造を有する。なお一般式〔III〕の化合物ではチ
オケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるか
は一義的に決らないが、この明細書では便宜的に一般式
〔III〕のように表わす。
前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物は
次のようにして合成することができる。
次のようにして合成することができる。
一般式〔II〕（ｎ＝２）の化合物は二硫化炭素とナトリ
ウムを反応させて得られるジソデイウム−1,3−ジチオ
ール−２−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、悪鉛錯
体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベンゾ
イルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、金属
塩を反応させて得られる。
ウムを反応させて得られるジソデイウム−1,3−ジチオ
ール−２−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、悪鉛錯
体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベンゾ
イルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、金属
塩を反応させて得られる。
又、一般式〔II〕（ｎ＝１）の化合物は、上で得られた
錯体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して得られる。
錯体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式〔III〕（ｎ＝２）の化合物は、先ず、二硫化炭
素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム−1,
3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオレートを、約
130℃に加熱してジソデイウム−1,2−ジチオール−３−
チオン−4,5−ジチオレートに異性化させる。これを亜
鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベ
ンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、
金属塩を反応させて得られる。
素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム−1,
3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオレートを、約
130℃に加熱してジソデイウム−1,2−ジチオール−３−
チオン−4,5−ジチオレートに異性化させる。これを亜
鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベ
ンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、
金属塩を反応させて得られる。
又、一般式〔III〕（ｎ＝１）は上で得られた錯体（ｎ
＝２）を適当な酸化剤で酸化して得られる。
＝２）を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式〔II〕または〔III〕の化合物を得るための中間
体である1,3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオレ
ートアニオンは、上記の如くNaによる還元法の他に電気
化学的な還元によつても得られる。
体である1,3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオレ
ートアニオンは、上記の如くNaによる還元法の他に電気
化学的な還元によつても得られる。
前記一般式〔II〕で表わされる化合物のうち好ましいも
のを例示すれば次の通りである。
のを例示すれば次の通りである。
一般式（II）で表わされる化合物の合成例を以下に示
す。
す。
合成例１ ＜例示化合物（II−４）の合成＞ （１−１）ビス（テトラエチルアンモニウム）−ビス
（1,3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオラト）亜
鉛錯体の合成。
（1,3−ジチオール−２−チオン−4,5−ジチオラト）亜
鉛錯体の合成。
反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行つた。ナトリウ
ム23gを小片に切り、二硫化炭素180mlに分散した後、こ
れに撹拌しつつジメチルホルムアミド200mlをゆつくり
滴下した。この時激しく発熱しないように注意する。ジ
メチルホルムアミドを滴下終了後、注意しながら、おだ
やかに加熱して24時間還流した。反応終了後未反応のナ
トリウムをろ別した。次いでろ液にエタノール50mlを加
え、室温で２時間撹拌した。この溶液から二硫化炭素を
室温で減圧留去する。次いで水300mlをゆつくり滴下し
て加えた後得られた溶液をろ過した。
ム23gを小片に切り、二硫化炭素180mlに分散した後、こ
れに撹拌しつつジメチルホルムアミド200mlをゆつくり
滴下した。この時激しく発熱しないように注意する。ジ
メチルホルムアミドを滴下終了後、注意しながら、おだ
やかに加熱して24時間還流した。反応終了後未反応のナ
トリウムをろ別した。次いでろ液にエタノール50mlを加
え、室温で２時間撹拌した。この溶液から二硫化炭素を
室温で減圧留去する。次いで水300mlをゆつくり滴下し
て加えた後得られた溶液をろ過した。
次いで、あらかじめ塩化亜鉛20gをメタノール500mlに溶
かし、これに濃アンモニウム水500mlを加えた溶液を調
製しておき、これを上記の反応溶液に加え（室温）５分
間撹拌した後、テトラエチルアンモニウムブロミド53g
を水250mlに溶かした水溶液を加えると、直ちに赤色の
沈澱が析出してくる。これをろ過し、風乾して亜鉛錯体
を得た。
かし、これに濃アンモニウム水500mlを加えた溶液を調
製しておき、これを上記の反応溶液に加え（室温）５分
間撹拌した後、テトラエチルアンモニウムブロミド53g
を水250mlに溶かした水溶液を加えると、直ちに赤色の
沈澱が析出してくる。これをろ過し、風乾して亜鉛錯体
を得た。
（１−２）4,5−ビス（ベンゾイルチオ）−1,3−ジチオ
ール−２−チオンの合成。
ール−２−チオンの合成。
（１−１）で得た亜鉛錯体22gをアセトン500mlに溶かし
ろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに塩化ベンゾイル15
0mlを加える。直ちに黄色の沈澱が析出する。ろ過、水
洗後風乾して標記化合物16gを得た。
ろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに塩化ベンゾイル15
0mlを加える。直ちに黄色の沈澱が析出する。ろ過、水
洗後風乾して標記化合物16gを得た。
（１−３）例示化合物（II−４）の合成 （１−２）で得たビス（ベンゾイルチオ）体9.2gをメタ
ノール50mlに溶かす。これにナトリウムメトキサイドの
28％メタノール溶液6.3gを加えて、10分間撹拌する。こ
の溶液に塩化ニツケル（六水和物）2.4gをメタノール50
mlに溶かした溶液を加え、室温で30分間撹拌する。この
溶液にテトラブチルホスホニウムプロミド8.5gをメタノ
ール100mlに溶かした溶液を加えると、直ちに黒色の沈
澱が析出する。さらに20分間撹拌してろ過し、アセトン
で洗つて風乾し、アセトン−イソプロピルアルコールか
ら再結晶させて標記化合物を得た。収量3.8g 合成例２ ＜例示化合物（II−２）の合成＞ （１−３）で得られたニツケル錯体1gをアセトン60mlに
溶かし、これに酢酸30mlを加え、３時間撹拌し溶媒を留
去したところ黒色の結晶が析出した。これをアセトン−
メタノールから再結晶させて、目的の例示化合物（II−
２）を得た。
ノール50mlに溶かす。これにナトリウムメトキサイドの
28％メタノール溶液6.3gを加えて、10分間撹拌する。こ
の溶液に塩化ニツケル（六水和物）2.4gをメタノール50
mlに溶かした溶液を加え、室温で30分間撹拌する。この
溶液にテトラブチルホスホニウムプロミド8.5gをメタノ
ール100mlに溶かした溶液を加えると、直ちに黒色の沈
澱が析出する。さらに20分間撹拌してろ過し、アセトン
で洗つて風乾し、アセトン−イソプロピルアルコールか
ら再結晶させて標記化合物を得た。収量3.8g 合成例２ ＜例示化合物（II−２）の合成＞ （１−３）で得られたニツケル錯体1gをアセトン60mlに
溶かし、これに酢酸30mlを加え、３時間撹拌し溶媒を留
去したところ黒色の結晶が析出した。これをアセトン−
メタノールから再結晶させて、目的の例示化合物（II−
２）を得た。
収量0.4g、m.p.185℃ λmax;1125nm、δmax;2.51×104（CH2Cl2中） また既知のクエンチヤーとしては、特開昭59−178295号
に記載されている。次の化合物が挙げられる。
に記載されている。次の化合物が挙げられる。
（ｉ）ビスジチオ−α−ジケトン系 R1〜R4はアルキル基またはアリール基を表わし、Ｍは２
価の遷移金属原子を表わす。
価の遷移金属原子を表わす。
（ii）ビスフエニルジチオール系 R5、R6はアルキル基またはハロゲン原子を表わし、Ｍは
２価の遷移金属原子を表わす。
２価の遷移金属原子を表わす。
（iii）アセチルアセトナートキレート系 （iv）ジチオカルバミン酸キレート系 （ｖ）ビスフエニルチオール系 （vi）チオカテコールキレート系 （vii）サリチルアルデヒドオキシム系 （viii）チオビスフエノレートキレート系 （ix）亜ホスホン酸キレート系 （ｘ）ベンゾエート系 （xi）ヒンダードアミン系 （xii）遷移金属塩 この他次式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRG−002、IRG−003、IRG−022、IRG−033が挙げ
られる。
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRG−002、IRG−003、IRG−022、IRG−033が挙げ
られる。
（式中、Ｒはアルキル基又はアリール基を表わす。） 本発明において、前記色素のカチオンと、クエンチヤー
のアニオンとの結合体を使用することもできる。
のアニオンとの結合体を使用することもできる。
クエンチヤーは前記色素１モルあたり、一般に0.05〜12
モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される。
モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される。
クエンチヤーは色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
本発明の光記録媒体は基本的には基板と色素薄膜記録層
とからなる。必要に応じて、さらに下塗層、保護層など
を設けることもできる。
とからなる。必要に応じて、さらに下塗層、保護層など
を設けることもできる。
基板としては使用レーザに対して透明であれば既知のも
のを任意に使用することができる。その代表的な例には
ガラスまたはプラスチツクがあり、プラスチツクとして
はアクリル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリイ
ミド、ポリエステル、非晶質ポリオレフインなどが用い
られる。その形状はデイスク状、カード状、シート状、
ロールフイルム状など種々のものが可能である。
のを任意に使用することができる。その代表的な例には
ガラスまたはプラスチツクがあり、プラスチツクとして
はアクリル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリイ
ミド、ポリエステル、非晶質ポリオレフインなどが用い
られる。その形状はデイスク状、カード状、シート状、
ロールフイルム状など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチツク基板には記録時のトラツキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。ま
た、ガラスまたはプラスチツク基板にはプラスチツクバ
インダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層
を設けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が
好ましい。また、記録層同士を内側にして２枚の記録媒
体を対向させたいわゆるエアーサンドイツチ構造にする
ことも、あるいは前面貼合わせにすることも可能であ
る。
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。ま
た、ガラスまたはプラスチツク基板にはプラスチツクバ
インダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層
を設けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が
好ましい。また、記録層同士を内側にして２枚の記録媒
体を対向させたいわゆるエアーサンドイツチ構造にする
ことも、あるいは前面貼合わせにすることも可能であ
る。
本発明における色素薄膜の形成は、例えば、一般式
（Ｉ）で表わされる色素を有機溶剤（例えば、メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、ジクロロメ
タン、ジクロロエタン、アセトンなど）に溶解し、必要
に応じて適当なバインダー（例えば、PVA、PVP、ポリビ
ニルブチラール、ポリカーボネート、ニトロセルロー
ス、ポリビニルホルマール、メチルビニルエーテル、塩
素化パラフイン、無水マレイン酸共重合体、スチレン−
ブタジエン共重合体）を加え、この溶液を塗布（例えば
スピンコート）することによつて行なえるし、あるいは
一般式（Ｉ）で表わされる色素を真空蒸着することによ
つても行なえる。バインダーを使用する場合には、バイ
ンダーの重量は色素重量の２倍以下が好ましい。また、
一般式（Ｉ）の色素をいわゆるラングミユアープロジエ
ツト法により薄膜として用いることもできる。
（Ｉ）で表わされる色素を有機溶剤（例えば、メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、ジクロロメ
タン、ジクロロエタン、アセトンなど）に溶解し、必要
に応じて適当なバインダー（例えば、PVA、PVP、ポリビ
ニルブチラール、ポリカーボネート、ニトロセルロー
ス、ポリビニルホルマール、メチルビニルエーテル、塩
素化パラフイン、無水マレイン酸共重合体、スチレン−
ブタジエン共重合体）を加え、この溶液を塗布（例えば
スピンコート）することによつて行なえるし、あるいは
一般式（Ｉ）で表わされる色素を真空蒸着することによ
つても行なえる。バインダーを使用する場合には、バイ
ンダーの重量は色素重量の２倍以下が好ましい。また、
一般式（Ｉ）の色素をいわゆるラングミユアープロジエ
ツト法により薄膜として用いることもできる。
本発明における記録層は１層又は２層以上設ける。
記録層の膜厚は、通常0.01μｍ〜１μｍ、好ましくは0.
03〜0.8μｍの範囲である。反射読出の場合は特に好ま
しくは読出しに使用するレーザ波長の1/4の奇数倍であ
る。
03〜0.8μｍの範囲である。反射読出の場合は特に好ま
しくは読出しに使用するレーザ波長の1/4の奇数倍であ
る。
半導体レーザまたはHe−Ne−レーザなどの反射層を設け
る場合は、基板に反射層を設け、次にこの反射層の上に
前述したような方式によつて記録層を設けることによる
か、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反射
層を設けるかのいずれかの方法がある。反射層は蒸着
法、スパツタリング法、イオンプレーテイング法などに
よつて設けることができる。
る場合は、基板に反射層を設け、次にこの反射層の上に
前述したような方式によつて記録層を設けることによる
か、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反射
層を設けるかのいずれかの方法がある。反射層は蒸着
法、スパツタリング法、イオンプレーテイング法などに
よつて設けることができる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ（例
えば半導体レーザ、He−Neレーザなど）などのスポツト
状の高エネルギービームを基板を通してあるいは基板と
反対側より記録層に照射することにより行われ、記録層
に吸収された光が熱に変換され、記録層にピツト（穴）
が形成される。
えば半導体レーザ、He−Neレーザなど）などのスポツト
状の高エネルギービームを基板を通してあるいは基板と
反対側より記録層に照射することにより行われ、記録層
に吸収された光が熱に変換され、記録層にピツト（穴）
が形成される。
また、情報の読み出しはレーザビームを記録の閥値エネ
ルギー以下の低出力で照射し、ピツト部とピツトが形成
されていない部分の反射光量の変化により検出する。
ルギー以下の低出力で照射し、ピツト部とピツトが形成
されていない部分の反射光量の変化により検出する。
読み出しレーザと記録レーザの強度比は一般に1/10以下
である。
である。
以下、実施例を挙げて本発明の効果を説明するが、本発
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
実施例１ 表１に示す色素、クエンチヤー、及び或る場合にはバイ
ンダーをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロエ
タン−2,2,3,3−テトラフルオロプロパノールからなる
適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化した溝付（1.
6μピツチ、深さ750Å）ポリカーボネート基板に厚さ0.
1μｍとなるようにスピンナーで塗布し、乾燥した。な
お、色素とクエンチヤーとの重量比は3:1、バインダを
用いる場合には、バインダの重量は色素の1/5とした。
ンダーをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロエ
タン−2,2,3,3−テトラフルオロプロパノールからなる
適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化した溝付（1.
6μピツチ、深さ750Å）ポリカーボネート基板に厚さ0.
1μｍとなるようにスピンナーで塗布し、乾燥した。な
お、色素とクエンチヤーとの重量比は3:1、バインダを
用いる場合には、バインダの重量は色素の1/5とした。
こうして得られた記録媒体に半導体レーザを用い、照射
面で6mW、ビーム径1.6μｍ、の条件で、0.4MHzの信号を
記録したところ、0.3μ秒の照射（1.8nJ/pit）で直径1.
0μｍのピツトが形成された。この記録部に微弱なレー
ザ光をあて、信号を再生したところ表１に示すC/N比が
得られた。
面で6mW、ビーム径1.6μｍ、の条件で、0.4MHzの信号を
記録したところ、0.3μ秒の照射（1.8nJ/pit）で直径1.
0μｍのピツトが形成された。この記録部に微弱なレー
ザ光をあて、信号を再生したところ表１に示すC/N比が
得られた。
評価条件は下記のとおりであつた。
（記録及び再生） レーザ ：半導体レーザ（GaAlAs） レーザの波長 :780nm レーザのビーム径:1.6μｍ 線速 :5m/s 記録パワー :8mW 記録周波数 :2.5MHz 記録デユーテイー:50％ 再生パワー :0.4mW （再生劣化の評価） 再生パワー :1.0mW 再生回数 :105 （保存時劣化の評価） 保存温湿度 :60℃ 90％RH 保存時間 :30日間 比較化合物Ａ 表１の結果から本発明の情報記録媒体は比較例に比べて
強制劣化試験における安定性が優れていることがわか
る。
強制劣化試験における安定性が優れていることがわか
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−108589（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−72586（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−230891（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−226036（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−202892（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−124045（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−85791（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−84356（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−71895（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−67092（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−55794（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−103190（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−99192（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−11682（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、レーザーによる情報の書き込み
または読み取りが可能な記録層が設けられてなる情報記
録媒体において、前記記録層が下記一般式（Ｉ）で表さ
れる化合物を少なくとも一種含有することを特徴とする
光情報記録媒体。 一般式（Ｉ） Φ＋−Ｌ＝Ψ（Xk-）1/k 〔式中、Φ及びΨは、それぞれベンゼン環と縮合しても
よい、又Cl原子で置換されていてもよい3H−インドール
環残基を表し、Xk-はｋ価の陰イオンを表し、ｋは１、
２又は３を表し、Ｌは下記一般式〔LII〕又は〔LVII〕
で示される基を表し、Ｚは水素原子又は、Φ若しくはΨ
と連結して環を形成するためのエチレン基、プロピレン
基、又はブチレン基を表す。ただし、２つのＺの少なく
とも一方は、Φ若しくはΨと連結して環を形成するため
のエチレン基、プロピレン基、又はブチレン基を表
す。〕
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143468A JPH0798421B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 光情報記録媒体 |
| US07/202,587 US4994343A (en) | 1987-06-09 | 1988-06-06 | Optical information recording medium |
| DE3819688A DE3819688A1 (de) | 1987-06-09 | 1988-06-09 | Optisches informationsaufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143468A JPH0798421B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307985A JPS63307985A (ja) | 1988-12-15 |
| JPH0798421B2 true JPH0798421B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=15339408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62143468A Expired - Fee Related JPH0798421B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 光情報記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4994343A (ja) |
| JP (1) | JPH0798421B2 (ja) |
| DE (1) | DE3819688A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE4122563C2 (de) * | 1991-07-08 | 1994-12-08 | Syntec Ges Fuer Chemie Und Tec | Neue thiazolsubstituierte Quadratsäurefarbstoffe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| EP0636493B1 (en) * | 1993-07-30 | 1997-03-26 | Eastman Kodak Company | Infrared-absorbing cyanine dyes for laser ablative imaging |
| US5426015A (en) * | 1993-10-18 | 1995-06-20 | Eastman Kodak Company | Metallized azo dianion with two cationic dye counter ions for optical information recording medium |
| JP2001328350A (ja) * | 1997-04-23 | 2001-11-27 | Sony Corp | 光記録媒体 |
| JP3703609B2 (ja) * | 1997-07-14 | 2005-10-05 | 富士写真フイルム株式会社 | 光情報記録媒体 |
| JP3286249B2 (ja) * | 1998-05-27 | 2002-05-27 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体の製造方法 |
| TW572969B (en) * | 2000-02-10 | 2004-01-21 | Hayashibara Biochem Lab | Trimethine cyanine dye, light absorbent, light-resistant improver and optical recording medium containing same, and process for producing same |
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| DE60135170D1 (de) * | 2000-04-06 | 2008-09-18 | Fujifilm Corp | Farbstoffkomplex und optisches Informationsaufzeichnungsmedium |
| WO2002080160A1 (de) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Bayer Aktiengesellschaft | Optischer datenträger enthaltend in der informationsschicht einen kationischen aminoheterocyclischen farbstoff als lichtabsorbierende verbindung |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5971895A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-23 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS5955794A (ja) * | 1982-09-25 | 1984-03-30 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS5967092A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-16 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS5984356A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-16 | Ricoh Co Ltd | 光デイスク原盤の作成方法 |
| JPH0613238B2 (ja) * | 1982-11-08 | 1994-02-23 | 株式会社リコー | 光学的情報記録媒体 |
| JPS59202892A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-16 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| US4538159A (en) * | 1984-04-16 | 1985-08-27 | Eastman Kodak Company | Ceramic overcoated optical recording element |
| JPH0632996B2 (ja) * | 1984-04-24 | 1994-05-02 | 三井東圧化学株式会社 | 光記録方法 |
| JPS60230891A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| DE3575628D1 (de) * | 1984-05-07 | 1990-03-01 | Tdk Corp | Optisches speichermedium. |
| US4767571A (en) * | 1984-06-27 | 1988-08-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Infrared absorbent |
| US4791023A (en) * | 1984-07-07 | 1988-12-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Infrared absorbent and optical material using the same |
| US4763966A (en) * | 1984-07-16 | 1988-08-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Infrared absorbent |
| JPH07121613B2 (ja) * | 1984-11-02 | 1995-12-25 | 株式会社リコー | 光情報記録媒体 |
| JPS6172586A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-14 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS6211682A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-20 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPS6239682A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 赤外線吸収性組成物 |
| JPS6299192A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Olympus Optical Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS62103190A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-13 | Olympus Optical Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS62174741A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機基体物質を光に対して安定化する方法 |
| US4851322A (en) * | 1986-08-06 | 1989-07-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical recording medium |
-
1987
- 1987-06-09 JP JP62143468A patent/JPH0798421B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-06-06 US US07/202,587 patent/US4994343A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-09 DE DE3819688A patent/DE3819688A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63307985A (ja) | 1988-12-15 |
| DE3819688A1 (de) | 1988-12-29 |
| US4994343A (en) | 1991-02-19 |
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