JPS63307985A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規な色素を含む記録層を有する元情報記録媒
体に関し、特に、レーザービームを用いて記録及び再生
を行なう元情報記録媒体に関する。
体に関し、特に、レーザービームを用いて記録及び再生
を行なう元情報記録媒体に関する。
従来、回転している円盤状の情報記録媒体にレーザービ
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属筒たは低融点金属と誘電体を用いるものな
どが提案されている。
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属筒たは低融点金属と誘電体を用いるものな
どが提案されている。
しかしながら、これらは保存性が悪い、分離能が低い、
記録密度が低い、製造コストが高いなどの欠点がろつ九
。また、近年、比較的長波長の元で物性変化ル得る色素
薄膜を記録層に用いることが提案され、ま九実施されて
はいるが、一般に長波長に吸収帯を有する色素は熱およ
び光に対する安定性が低いなどの問題点かあシ、必ずし
も長期にわたって安定して溝足すべき記録特性t−有す
る記録層が開発されていないのが現状である。
記録密度が低い、製造コストが高いなどの欠点がろつ九
。また、近年、比較的長波長の元で物性変化ル得る色素
薄膜を記録層に用いることが提案され、ま九実施されて
はいるが、一般に長波長に吸収帯を有する色素は熱およ
び光に対する安定性が低いなどの問題点かあシ、必ずし
も長期にわたって安定して溝足すべき記録特性t−有す
る記録層が開発されていないのが現状である。
したがって、本発明の目的は、十分な記録特性を長期に
わたって維持し得るような安定性に優れた色素記録層を
有する光学的情報記録媒体を提供することである。
わたって維持し得るような安定性に優れた色素記録層を
有する光学的情報記録媒体を提供することである。
本発明は、基板の少なくとも片側に記録層を設は九光情
報記録媒体において、その記録層が下記一般式(I)で
表わされる化合物を少なくとも一種含有することを特徴
とする光情報記録媒体に関する。
報記録媒体において、その記録層が下記一般式(I)で
表わされる化合物を少なくとも一種含有することを特徴
とする光情報記録媒体に関する。
一般式(I)
%式%)
〔式中ΦおよびVは、それぞれ窒素原子を有するヘテロ
環残基を表わし、Lは置換されていてもよいメチン基、
またはこれが共役二重結合で連結されて生じる置換され
ていてもよいトリメチン、ペンタメチン、ヘプタメチン
、もしくはノナメチン基を表わす。次だし、LとΦまた
はVの少なくとも一方は連結して環を形成している。
環残基を表わし、Lは置換されていてもよいメチン基、
またはこれが共役二重結合で連結されて生じる置換され
ていてもよいトリメチン、ペンタメチン、ヘプタメチン
、もしくはノナメチン基を表わす。次だし、LとΦまた
はVの少なくとも一方は連結して環を形成している。
X′。は1価の隘イオンを表わし、lは/、コ、または
3を表わす。ただしXleは。%L% ま□はV上に置
換基として結合していてもよい。〕一般式(I)におい
てΦで表わされるペテロ環と1で表わされるペテロ環と
は同一でも異なっていてもよいが、同一のほうが甘酸が
容易で好フしい。。
3を表わす。ただしXleは。%L% ま□はV上に置
換基として結合していてもよい。〕一般式(I)におい
てΦで表わされるペテロ環と1で表わされるペテロ環と
は同一でも異なっていてもよいが、同一のほうが甘酸が
容易で好フしい。。
一般式CI)においてΦ中の窒素原子の少なくとも/ケ
はF中の窒素原子の少なくとも/ケとはLt−介して共
役し得る位置にあるため、一般式(I)は一般式(la
)で表わすこともできるが本明細書では便宜上一般式(
I)でこの共鳴混成体の構造を衣わすことにする。
はF中の窒素原子の少なくとも/ケとはLt−介して共
役し得る位置にあるため、一般式(I)は一般式(la
)で表わすこともできるが本明細書では便宜上一般式(
I)でこの共鳴混成体の構造を衣わすことにする。
一般式(Ia)
Φ−L−Fe(XI−)。
〔式中Φ、1% L、 X、およびEの定義は一般式C
I)における定義と同じ。〕 一般式(りのΦもしくはVで表わされる含窒素へテロ環
のうち好ましいものは、JH−インドール環、チアゾー
ル環、オキサゾール環、セレナゾール環、テルラゾール
環、イミダゾール環、ピリジン環、キノリン塩、または
イソ中ノリン環であり、これらの環はさらにベンゼン環
、ナフタレン環、フェナントレン環または!ないし7員
のへテロ環と縮合環を形成していてもよく、あるいは置
換基t−有していてもよい。
I)における定義と同じ。〕 一般式(りのΦもしくはVで表わされる含窒素へテロ環
のうち好ましいものは、JH−インドール環、チアゾー
ル環、オキサゾール環、セレナゾール環、テルラゾール
環、イミダゾール環、ピリジン環、キノリン塩、または
イソ中ノリン環であり、これらの環はさらにベンゼン環
、ナフタレン環、フェナントレン環または!ないし7員
のへテロ環と縮合環を形成していてもよく、あるいは置
換基t−有していてもよい。
ΦもしくはVで表わされるペテロ環のうち特に好ましい
ものは下記一般式Φ1ないしΦX■で表わされるもので
ある。几だしいずれも陽電荷を有する構造で代表させて
記し念。
ものは下記一般式Φ1ないしΦX■で表わされるもので
ある。几だしいずれも陽電荷を有する構造で代表させて
記し念。
Φ■
Φ■
(R)。
Φ■
Φ■
Φ■
ΦxII 炉
ΦXIn 、R211
,1 ΦX■ ΦX■ ΦX■ 一般式Φ■〜ΦX■で表わされるペテロ環におけるR1
又はR5で表わされる基は置換もしくは非置換のアルキ
ル基、アリール基、アルケニル基であり、特にアルキル
基が好ましい。±だし几1又はR5がLと連結して環七
形戊する場合には後述のZで表わされる2価の連結基を
表わす。R1又はR5で表わされる基の炭素原子数は好
ましくは/ないL;30、待に好ましくは/ないし20
でめる。
,1 ΦX■ ΦX■ ΦX■ 一般式Φ■〜ΦX■で表わされるペテロ環におけるR1
又はR5で表わされる基は置換もしくは非置換のアルキ
ル基、アリール基、アルケニル基であり、特にアルキル
基が好ましい。±だし几1又はR5がLと連結して環七
形戊する場合には後述のZで表わされる2価の連結基を
表わす。R1又はR5で表わされる基の炭素原子数は好
ましくは/ないL;30、待に好ましくは/ないし20
でめる。
1念これらの基がさらに置換基を有する場合、置換基と
しては、スルホン酸基、アルキルカルメニルオキシ基、
アルキルアミド基、アルキルスルホンアミド基、アルコ
キシカルメニル基、アルキルアミノ基、アルキルカルバ
モイル基、アルキルスルファモイル基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールチオ基、
アルキル基、アリール基、カルボキシル基、ノ10ゲン
原子、シアノ基などが挙げられる。これらの置換基のう
ち特に好ましめものとしては、ノ・ロゲン原子(F、α
など)、シアノ基、炭素原子数/ないし−〇のアルコキ
シ基(例えばメトキシ基、エトキシ基、ドデシルオキシ
基、メトキシエトキシ基など)、炭素原子数乙ないしょ
0の1置換もしくは非置換のフェノキシ基(例えばフェ
ノキシ基、3゜!−ジークロロフェノキシ7h、’−≠
−ジー【−ペンチルフェノ中7基などへ置換もしくは無
置換の炭素原子数/ないし2oのアルキル基(例えハメ
チル基、エチル基、イソグチル基、t−ペンチル基、オ
クタデシル基、7クロヘキシル基ナト)、または炭素原
子数乙ないしコ0の置換もしくは非置換のフェニル基(
例えばフェニル基、μmメチルフェニル基、μ−トリフ
ルオロメチルフェニル基、3.!−ジクロロフェニル基
など)が挙げられる。
しては、スルホン酸基、アルキルカルメニルオキシ基、
アルキルアミド基、アルキルスルホンアミド基、アルコ
キシカルメニル基、アルキルアミノ基、アルキルカルバ
モイル基、アルキルスルファモイル基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールチオ基、
アルキル基、アリール基、カルボキシル基、ノ10ゲン
原子、シアノ基などが挙げられる。これらの置換基のう
ち特に好ましめものとしては、ノ・ロゲン原子(F、α
など)、シアノ基、炭素原子数/ないし−〇のアルコキ
シ基(例えばメトキシ基、エトキシ基、ドデシルオキシ
基、メトキシエトキシ基など)、炭素原子数乙ないしょ
0の1置換もしくは非置換のフェノキシ基(例えばフェ
ノキシ基、3゜!−ジークロロフェノキシ7h、’−≠
−ジー【−ペンチルフェノ中7基などへ置換もしくは無
置換の炭素原子数/ないし2oのアルキル基(例えハメ
チル基、エチル基、イソグチル基、t−ペンチル基、オ
クタデシル基、7クロヘキシル基ナト)、または炭素原
子数乙ないしコ0の置換もしくは非置換のフェニル基(
例えばフェニル基、μmメチルフェニル基、μ−トリフ
ルオロメチルフェニル基、3.!−ジクロロフェニル基
など)が挙げられる。
R1もしくはRとして特に好ましいものは、これらがL
と連結していない場合には炭素原子数ノないしtの非置
換アルキル基であり、これらがLと連結している場合に
は後述のZで表わされる基である。
と連結していない場合には炭素原子数ノないしtの非置
換アルキル基であり、これらがLと連結している場合に
は後述のZで表わされる基である。
さらに、Φ(F)の環が、縮合ないし非縮合のインドレ
コン環(式Φx■〜ΦXM )である場合には、R、R
で表わされる置換基は置換もしくは非置換のアルキル基
(好ましくは炭素原子数)ないし−〇のもの)ま念は置
換もしくは非置換のアリール本(好ましくは炭素原子数
tないしコ0の置換ま念は非置換のフェニル基でらる9
゜几2、Hで表わされる基のうち特に好ましいものはメ
チル基である。
コン環(式Φx■〜ΦXM )である場合には、R、R
で表わされる置換基は置換もしくは非置換のアルキル基
(好ましくは炭素原子数)ないし−〇のもの)ま念は置
換もしくは非置換のアリール本(好ましくは炭素原子数
tないしコ0の置換ま念は非置換のフェニル基でらる9
゜几2、Hで表わされる基のうち特に好ましいものはメ
チル基である。
一方、ΦおよびVで表わされる環中の所定の位置に“は
、さらに他の置換基几4が結分していてもよい。このよ
うな置換基としては、アルキル基、アリール基、複素環
残基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、アル中ルカルボニル
基、アリールスルホニル基、アルキルオキシカルボニル
基、アリーa中ジカルボニル基、アルキルカルボニルオ
キシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールアミド
基、アリールアミド基、アルキルカルバモイル基、アリ
ールカルバモイル基、アルキルアミノ基、アリールアミ
ノ基、カルメン酸基、アルキルスルホニル基、アリール
スルホニル基、アsy−+hスルホンアミド基、アリー
ルスルホンアミド基、アルキルスルファモイル基、アリ
ールスルファモイル基、シアノ基、ニトロ基等、檀々の
置換基であってもよい。
、さらに他の置換基几4が結分していてもよい。このよ
うな置換基としては、アルキル基、アリール基、複素環
残基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、アル中ルカルボニル
基、アリールスルホニル基、アルキルオキシカルボニル
基、アリーa中ジカルボニル基、アルキルカルボニルオ
キシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールアミド
基、アリールアミド基、アルキルカルバモイル基、アリ
ールカルバモイル基、アルキルアミノ基、アリールアミ
ノ基、カルメン酸基、アルキルスルホニル基、アリール
スルホニル基、アsy−+hスルホンアミド基、アリー
ルスルホンアミド基、アルキルスルファモイル基、アリ
ールスルファモイル基、シアノ基、ニトロ基等、檀々の
置換基であってもよい。
そして、これらの置換基の数(p)は1通常−Oま念は
/〜μ程度とされる。なお、pが2以上であるとき、複
数のR4は互いに異なるものであってよい。
/〜μ程度とされる。なお、pが2以上であるとき、複
数のR4は互いに異なるものであってよい。
kL、4で表わされる置換基のうち好ましいものとして
はハロゲン原子(F、αなど)、シアノ基、炭素原子数
/ないし20のアルコキシ基(例工ばメトキシ基、エト
キシ基、ドデシルオキシ基、メトキシエトキシ基など)
、炭素原子atないし一〇の置換もしくは非置換のフェ
ノキシ基(例えばフェノキシ基、3.!−ジクロロフェ
ノキシ基、−、クージ−t−ペンチルフェノキシ基なト
〕、置換もしくは非置換の炭素原子a/ないし20のア
ルキル基(例えばメチル基、エチル基、インブチル基、
t−ペンチル基、オクタデシル基、7クロへ中タル基、
トリフルオロメチル基など)、炭素原子数tないし20
の置換もしくは非置換のフェニル基11.tばフェニル
基、弘−メチルフェニル基、μ−トリフルオロメチルフ
ェニ/’基%−?t!−ジクaロフェニル基など)が挙
げらnる。R4で表わされる基のうち特に好ましいもの
はハロゲン原子(F、αなど〕、シアノ基、炭素原子数
/ないしグのアルキル基、フェニル基、ハメットのσm
(シグマ・メタ)定数が正である置換基で置換さ゛れ九
アルキルもしくはフェニル基(例えばコークロロエチル
基、トリフルオロメチル基、’ −メトキシエチル基、
弘−クロロフェニル基、−一フェニルスルホニルエチル
iなど)で、sる。
はハロゲン原子(F、αなど)、シアノ基、炭素原子数
/ないし20のアルコキシ基(例工ばメトキシ基、エト
キシ基、ドデシルオキシ基、メトキシエトキシ基など)
、炭素原子atないし一〇の置換もしくは非置換のフェ
ノキシ基(例えばフェノキシ基、3.!−ジクロロフェ
ノキシ基、−、クージ−t−ペンチルフェノキシ基なト
〕、置換もしくは非置換の炭素原子a/ないし20のア
ルキル基(例えばメチル基、エチル基、インブチル基、
t−ペンチル基、オクタデシル基、7クロへ中タル基、
トリフルオロメチル基など)、炭素原子数tないし20
の置換もしくは非置換のフェニル基11.tばフェニル
基、弘−メチルフェニル基、μ−トリフルオロメチルフ
ェニ/’基%−?t!−ジクaロフェニル基など)が挙
げらnる。R4で表わされる基のうち特に好ましいもの
はハロゲン原子(F、αなど〕、シアノ基、炭素原子数
/ないしグのアルキル基、フェニル基、ハメットのσm
(シグマ・メタ)定数が正である置換基で置換さ゛れ九
アルキルもしくはフェニル基(例えばコークロロエチル
基、トリフルオロメチル基、’ −メトキシエチル基、
弘−クロロフェニル基、−一フェニルスルホニルエチル
iなど)で、sる。
ΦX■ないしΦX■で表わされるペテロ環のりち特に好
ましいものはΦXIIIにおいて几2/、kL3/がメ
チル基でR4′ がαであり、Rを介してLと連結し得
るものである(ΦX■〕。
ましいものはΦXIIIにおいて几2/、kL3/がメ
チル基でR4′ がαであり、Rを介してLと連結し得
るものである(ΦX■〕。
一般式においてLで表わされる基は、置換さnていても
よい。メチ/基ま念はこれが共役二重結合で連結されて
生じるトリメチン基、インタメチ/基、ヘプタメチン基
、またはノナメチン基1Ft宍わすが、一般式(Ll)
ないしくLD()で表わされる基が好ましい。
よい。メチ/基ま念はこれが共役二重結合で連結されて
生じるトリメチン基、インタメチ/基、ヘプタメチン基
、またはノナメチン基1Ft宍わすが、一般式(Ll)
ないしくLD()で表わされる基が好ましい。
(LV)
CLIX)
これらのうち特に好ましいものは(Lll)、(LII
[)、CL■)、(LV)及び(LV)f表わされるト
リ力ルボクアニノを形成する連結基である。
[)、CL■)、(LV)及び(LV)f表わされるト
リ力ルボクアニノを形成する連結基である。
一般式(Ll)ないし〔L■〕において、iはO又はノ
′!I−表わし、Zは、水素原子または、Φもしくはダ
と連結して環を形成するための2価の基を表わし、Yは
水素原子′!九は1価の基を表わす。
′!I−表わし、Zは、水素原子または、Φもしくはダ
と連結して環を形成するための2価の基を表わし、Yは
水素原子′!九は1価の基を表わす。
Zで表わされる2価の基で形成される環として好ましい
ものはjl 6、もしくは7員の炭素環もしくはヘテロ
環であり、とぐにZがΦもしくはVの窒素原子と結合し
て形成された環が好ましい。
ものはjl 6、もしくは7員の炭素環もしくはヘテロ
環であり、とぐにZがΦもしくはVの窒素原子と結合し
て形成された環が好ましい。
したがって、2で表わされるコ価の基として好ましいも
のは、エチレン基、プロピレン基、もしくはブチレン基
、あるいはこれらの基金形成する置換されていても:い
ブチレン基のうちLもしくはZと直接結合していないエ
チレン基を一〇−もしくは−S−で置きかえて生じる基
でめシ、これらの基は置換基金石していてもよい。2で
あられされる2価の基として%に好ましいものはエチレ
ン基、プロピレン基、ブチレン基、−CH200H2−
2−C)i (JC)i CH−1−CH8CH2
−1−e)i、5CH2C)12−であり、これらの基
は置換基を有していてもよい、これらの基の置換しても
よい置換基としては%F% αなどのハロゲン原子、ニ
トロ基、シアン基、置換されていてもよい炭素原子数−
〇以下のアルキル基(例えばメチル基、エチル基、トリ
フルオロメチル基、コーメトキシエチル基、シクロヘキ
シル基、ベンジル基すど)zフェニル基、炭素原子数ル
ないし20の置換フェニル基(例えばp−メトキシフェ
ニル基、m−クロロフェニルli、p−1−ル(ルi、
p−フルオロフェニル基など〕、炭素原子数lないしコ
Oの置換されていてもよいアルコキシ基(メトキシ基、
コーメトキシエト牟シ基、コ、2.!、!−テトラフル
オロプロピルオキシ基など)、フェノキシ基、炭素原子
数6ないし一〇の置換フェノキ7基(例えばp−メト中
ジフェノキシ基、3゜3−ジクロロフェノキシ基、p−
ブチルフェノキシ基など)、炭素原子数/なめしコ0の
アルキルチオ基(メチルチオ基、ブチルチオ基、ドデシ
ルチオ基など〕、炭素原子数ぶないしコOのアリールチ
オ基(フェニルチオ基など)、炭素原子数/ないしコO
のアル中ルスルホニル基(例えばメタンスルホニル基、
メタンスルホニル基、トチカンスルホニル基など〕、炭
素原子数乙ないしコ0のアリールスルホニル基(例、t
ばフェニルスルホニル基、p−トルエンスルホニル基、
m−クロロベンゼンスルホニル基など)などが挙げられ
る。
のは、エチレン基、プロピレン基、もしくはブチレン基
、あるいはこれらの基金形成する置換されていても:い
ブチレン基のうちLもしくはZと直接結合していないエ
チレン基を一〇−もしくは−S−で置きかえて生じる基
でめシ、これらの基は置換基金石していてもよい。2で
あられされる2価の基として%に好ましいものはエチレ
ン基、プロピレン基、ブチレン基、−CH200H2−
2−C)i (JC)i CH−1−CH8CH2
−1−e)i、5CH2C)12−であり、これらの基
は置換基を有していてもよい、これらの基の置換しても
よい置換基としては%F% αなどのハロゲン原子、ニ
トロ基、シアン基、置換されていてもよい炭素原子数−
〇以下のアルキル基(例えばメチル基、エチル基、トリ
フルオロメチル基、コーメトキシエチル基、シクロヘキ
シル基、ベンジル基すど)zフェニル基、炭素原子数ル
ないし20の置換フェニル基(例えばp−メトキシフェ
ニル基、m−クロロフェニルli、p−1−ル(ルi、
p−フルオロフェニル基など〕、炭素原子数lないしコ
Oの置換されていてもよいアルコキシ基(メトキシ基、
コーメトキシエト牟シ基、コ、2.!、!−テトラフル
オロプロピルオキシ基など)、フェノキシ基、炭素原子
数6ないし一〇の置換フェノキ7基(例えばp−メト中
ジフェノキシ基、3゜3−ジクロロフェノキシ基、p−
ブチルフェノキシ基など)、炭素原子数/なめしコ0の
アルキルチオ基(メチルチオ基、ブチルチオ基、ドデシ
ルチオ基など〕、炭素原子数ぶないしコOのアリールチ
オ基(フェニルチオ基など)、炭素原子数/ないしコO
のアル中ルスルホニル基(例えばメタンスルホニル基、
メタンスルホニル基、トチカンスルホニル基など〕、炭
素原子数乙ないしコ0のアリールスルホニル基(例、t
ばフェニルスルホニル基、p−トルエンスルホニル基、
m−クロロベンゼンスルホニル基など)などが挙げられ
る。
Zで表わされるコ価の基のうち!に好ましいものは、エ
チレン基、プロピレン基、ブチレン基、およびこれらの
基の水素原子がF、α、または炭素原子数ノないし参の
アル中ル基で1つ以上置換されて形成される基である。
チレン基、プロピレン基、ブチレン基、およびこれらの
基の水素原子がF、α、または炭素原子数ノないし参の
アル中ル基で1つ以上置換されて形成される基である。
Yで表わさnる1価の基としては、メチル基などの低級
アルキル基、メトキシ基等の低級アルコ中シ基、ジメチ
ルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メチルフェニルアミ
ノ基、モルホリノ基、イミダゾリジン基、エトキシカル
ボニルビイラジン基などの置換アミノ基、アセトキシ基
等のアルキルカルボニルオキシ基、メチルチオ基等のア
ルキルチオ基、シアン基、ニトロ基、Br%α、Fなど
のハロゲン原子などであることが好ましい。Yで表わさ
れる基のうち特に好ましいものは水素原子、である。
アルキル基、メトキシ基等の低級アルコ中シ基、ジメチ
ルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メチルフェニルアミ
ノ基、モルホリノ基、イミダゾリジン基、エトキシカル
ボニルビイラジン基などの置換アミノ基、アセトキシ基
等のアルキルカルボニルオキシ基、メチルチオ基等のア
ルキルチオ基、シアン基、ニトロ基、Br%α、Fなど
のハロゲン原子などであることが好ましい。Yで表わさ
れる基のうち特に好ましいものは水素原子、である。
またR8、几、はそれぞれ水素原子またはメチル基等の
低級アルキル基を表わす。
低級アルキル基を表わす。
一般式CI)においてXI−で表わされる陰イオンとし
て好ましいものとしてはl−1Br−1α−゛などのハ
ライドイオン、過ハロゲン酸イオン(αu4−1B r
(J 4−など)、BF、 −1PF、−、スルホン
酸イオン(CH3SO3−1など)、)IS03−1S
(J、2−1P(J 3−一 )1 PO4−、ヘテC!ポリ散イオン((PO,−
72M o 03 ) など)、など〕が挙げられ
る。
て好ましいものとしてはl−1Br−1α−゛などのハ
ライドイオン、過ハロゲン酸イオン(αu4−1B r
(J 4−など)、BF、 −1PF、−、スルホン
酸イオン(CH3SO3−1など)、)IS03−1S
(J、2−1P(J 3−一 )1 PO4−、ヘテC!ポリ散イオン((PO,−
72M o 03 ) など)、など〕が挙げられ
る。
なおX′−がΦもしくはγに置換基として結合していて
もよい(例えば、−8039としであるいh(OH2−
)、5u3eなどとして〕。
もよい(例えば、−8039としであるいh(OH2−
)、5u3eなどとして〕。
以下に本発明の一般式(I)で表わされる化合物の具体
例を示すが本発明の範囲はこれらだけに限定されるもの
ではない。
例を示すが本発明の範囲はこれらだけに限定されるもの
ではない。
C1,Oe
10゜
Z
八
15!
コ0゜
コt
αOe
本発明の一般式(I)で表わされる化合物は通常カルボ
シアニン色素を合成するのと同様にして合成できる。す
なわち、下記一般式(A)で表わされるヘテロ環エナミ
ンを 一般式(A) する。〕 C)l孟U−C)tWc)t−CHsCH−cH(ue
H3) 2、(CI−13(J)、CHりC)1−C)
i−CI−1−OH((JC)13) 2、(C)13
(J)2C)IC)12C)1((JC)i3) 2
などのアセタール類あるいはオルトギ酸エチルやオル
ト酢酸エチルなどのオルトエステル類、するいはP h
N−C)l(C)i−CH+、 N)iPh(jり0
,7、コ) などの化合物と反応させることによって合成することが
できる。
シアニン色素を合成するのと同様にして合成できる。す
なわち、下記一般式(A)で表わされるヘテロ環エナミ
ンを 一般式(A) する。〕 C)l孟U−C)tWc)t−CHsCH−cH(ue
H3) 2、(CI−13(J)、CHりC)1−C)
i−CI−1−OH((JC)13) 2、(C)13
(J)2C)IC)12C)1((JC)i3) 2
などのアセタール類あるいはオルトギ酸エチルやオル
ト酢酸エチルなどのオルトエステル類、するいはP h
N−C)l(C)i−CH+、 N)iPh(jり0
,7、コ) などの化合物と反応させることによって合成することが
できる。
次に本発明の一般式(I)で表わされる化合物の合成例
を挙げる。
を挙げる。
合成例1 化合物λの合成
/、J−ジブロモプロパン100ydをスチームパス上
で加熱攪拌しつつ、これに−、j、j−トリメチルイン
ドレニン/j、りy−@ij分間にわたって滴下し、ひ
きつづき1時間20分加熱攪拌し九。反応液を氷冷し析
出した結晶をP取し−アセトンをかけて洗浄し乾燥する
ことにより/l。
で加熱攪拌しつつ、これに−、j、j−トリメチルイン
ドレニン/j、りy−@ij分間にわたって滴下し、ひ
きつづき1時間20分加熱攪拌し九。反応液を氷冷し析
出した結晶をP取し−アセトンをかけて洗浄し乾燥する
ことにより/l。
6vの無色板状晶として、/−(J−ブロモプロピル)
−2,!、!−トリメチルインドレニウムブロマイドを
得た。
−2,!、!−トリメチルインドレニウムブロマイドを
得た。
この結晶3.t?にエタノールj Otd、トIJエチ
ルアミン弘、コdを加え2時間μO分力撚還流した。反
応混合物に、l、7−ジフェニル−7゜7−ジアザ−/
、J、!−へブタトリエン/、μtと無水酢酸/、−j
−を添加し、ときどき加熱しつつコ、j時間攪拌した0
反応液に酢酸エチルコOgdt加えた後/lの水に注入
し、生じた結晶tF取した。この結晶を酢酸エチルで洗
い/、!tの黄緑色結晶を得た。この結晶をイソプロピ
ルアルコール/!Otdに溶かし、濾過した後へキサン
で希釈し晶析した。
ルアミン弘、コdを加え2時間μO分力撚還流した。反
応混合物に、l、7−ジフェニル−7゜7−ジアザ−/
、J、!−へブタトリエン/、μtと無水酢酸/、−j
−を添加し、ときどき加熱しつつコ、j時間攪拌した0
反応液に酢酸エチルコOgdt加えた後/lの水に注入
し、生じた結晶tF取した。この結晶を酢酸エチルで洗
い/、!tの黄緑色結晶を得た。この結晶をイソプロピ
ルアルコール/!Otdに溶かし、濾過した後へキサン
で希釈し晶析した。
結晶1kF取しイソプロピルアルコールとヘキサンの/
:/混合液で洗浄し、Olり?の金属光沢のある結晶を
得た。この結晶o、ryをメタノールに溶解した後、t
ro襲過塩素酸水溶液/ atを加えた。析出した結晶
t?F取しメタノールで洗浄し乾燥してOoり?の化せ
物コを得た。
:/混合液で洗浄し、Olり?の金属光沢のある結晶を
得た。この結晶o、ryをメタノールに溶解した後、t
ro襲過塩素酸水溶液/ atを加えた。析出した結晶
t?F取しメタノールで洗浄し乾燥してOoり?の化せ
物コを得た。
融点−rr、z−aデ/ @C(金属光沢黄緑色結晶
〕 合成例2 化合物l−の合成 合成例/においてo、rtの粗結晶をメタノールに溶解
した後≦04過塩素酸水溶液を添加して造塩するかわり
に、粗結晶o、rtを酢酸、2J、1に溶かし、これに
リンモリブデン酸ナトリウム(Na3P(J4− /−
2MoOa )lrを酢gH。
〕 合成例2 化合物l−の合成 合成例/においてo、rtの粗結晶をメタノールに溶解
した後≦04過塩素酸水溶液を添加して造塩するかわり
に、粗結晶o、rtを酢酸、2J、1に溶かし、これに
リンモリブデン酸ナトリウム(Na3P(J4− /−
2MoOa )lrを酢gH。
ゴに溶かして加え攪拌し九、生じ九沈澱を戸取し、酢酸
、次いでメタノール、次いで酢酸エチルで洗浄し念後真
空乾燥して0.!tの化会物/コを得た。
、次いでメタノール、次いで酢酸エチルで洗浄し念後真
空乾燥して0.!tの化会物/コを得た。
融点3oo”c以上
本発明の光記録媒体において用いられる一般式(I)の
色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、ある
いは本発明の一般式(I)の色素以外の色素と併用して
用いてもよい。また、読取り耐久性向上のため種々の酸
化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用することも有
効である。1九、種々の樹脂を併用してもよい。
色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、ある
いは本発明の一般式(I)の色素以外の色素と併用して
用いてもよい。また、読取り耐久性向上のため種々の酸
化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用することも有
効である。1九、種々の樹脂を併用してもよい。
あるいは還移金属イオンを添加してヤレートを形成させ
て用いることにより耐久性を増すこともできる。
て用いることにより耐久性を増すこともできる。
本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャ−としては
、穐々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金X!A錯体が好ましい。この場合、中心
金属として好ましいものは、Ni%Co% Cu%Pd
、Ptなどである。
、穐々のものを用いることができる。このようなりエン
チャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶性
が良好な遷移金X!A錯体が好ましい。この場合、中心
金属として好ましいものは、Ni%Co% Cu%Pd
、Ptなどである。
好ましいクエンチャ−の例としては次の一般式(II)
または(II[)で示されるものがあげられる。
または(II[)で示されるものがあげられる。
・・・・・・・・・(n)
S S
・・・・・・・・・(In)
(式中、(Ca t 1:)および(Ca t 2 )
は錯体を中性ならしめるために必要な陽イオンを示し、
M□およびM2はニッケル、銅、コバルト、パラジウム
または白金を示す、nは/または−を示す。)前記一般
式(II)を几は(III)で表わされる化合物におい
て、(Ca t s ) ”!たけ(C’a t 2
)で表わされる陽イオンのうち無機陽イオンとしては、
アルカリ金属(たとえば、Li%Na%になど)、アル
カリ土類金属(Mgx ca、Baなど)もしくはNH
,をあげることができる。
は錯体を中性ならしめるために必要な陽イオンを示し、
M□およびM2はニッケル、銅、コバルト、パラジウム
または白金を示す、nは/または−を示す。)前記一般
式(II)を几は(III)で表わされる化合物におい
て、(Ca t s ) ”!たけ(C’a t 2
)で表わされる陽イオンのうち無機陽イオンとしては、
アルカリ金属(たとえば、Li%Na%になど)、アル
カリ土類金属(Mgx ca、Baなど)もしくはNH
,をあげることができる。
有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオンまた
は第四級ホスホニクムイオンをあげることができる。
は第四級ホスホニクムイオンをあげることができる。
上記の陽イオン(Cat )および(Cat2)の中
で好ましいのは下記一般式(fV−a )、(W−b)
、(F/−C)、(IV−d)もしくは(IV−! )
で表わされるものである。
で好ましいのは下記一般式(fV−a )、(W−b)
、(F/−C)、(IV−d)もしくは(IV−! )
で表わされるものである。
式中、R11、R12、几 、几14、H,15、B
16、B 1 ?、几 、几 H,20、R2
1および几 はそれぞれ炭素数/ないし一〇の置換も
しくは無置換のアルキル基、または炭素数tないし/4
Cの置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Z お
よびZ は各式中の窒素またはリン原子と結合してj員
ま九はぶ員環を形成する非金属原子群を表わす。
16、B 1 ?、几 、几 H,20、R2
1および几 はそれぞれ炭素数/ないし一〇の置換も
しくは無置換のアルキル基、または炭素数tないし/4
Cの置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Z お
よびZ は各式中の窒素またはリン原子と結合してj員
ま九はぶ員環を形成する非金属原子群を表わす。
この炭素数ノないしコOの置換もしくは無置換のアルキ
ル基として、例えばメチル基、エチル基、n−ブチル基
、jso−アミル基、n−ドデシル基、n−オクタデシ
ル基などをあげることができる。
ル基として、例えばメチル基、エチル基、n−ブチル基
、jso−アミル基、n−ドデシル基、n−オクタデシ
ル基などをあげることができる。
炭素数6ないし7参のアリール基としては、例えばフェ
ニル基、トリル基、α−ナフチル基などをあげることが
できる。
ニル基、トリル基、α−ナフチル基などをあげることが
できる。
これらのアルキル基またはアリール基はシアノ基、水I
l!!基、炭素数7ないレコOのアルキル基(例えはメ
チル基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など
)、炭素数6ないし/lのアリール基(例えば、フェニ
ル基、トリル基、α−ナフチル基など)、炭素数2ない
しJOのアシルオキシ基(例えばアセト午シ基、ベンゾ
イルオキシ基ま九はp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)、炭素数7ないし乙のアルコキシ基(例えばメトキ
シ基、エトキシ基、クロボキシ基、ブトキシ基など)、
アリーロキシ基(例えば、フェノキシ基、トリロキシ基
など)、アラルギル基(例えば、ベンジル基、フェネチ
ル基またはアニシル基など)、アルコキクカルボニル基
(例えば、メト牟ジカルボニル基、エトキシ力ルゼニル
基、n−メト牟ジカルボニル基など)、アリーロキシカ
ルボニル基(例えば、フェノキシカルボニルi、ト+J
o−+シカルボニル基々ど)、アシル基(例えば、アセ
チル基−ベンゾイル基など)、アクルアミノ基(例えば
、アセチルアミ7基、ベンゾイルアミノ基など)、カル
バモイル基(例えば、N−エチルカルバモイルM、N−
フェニルカルバモイル基など)、アルキルスルホニルア
ミノ7&(例えば、メチルスルホニルアミノ基、フェニ
ルスルホニルアミン基なト)、スルファモイル基(例え
ハ、ヘーエチルスルファモイル基、ヘーフェニルスルフ
ァモイル基逐ど〕、スルホニル基(例えば、メシル基、
トシル基など)などで置換されていてもよい。
l!!基、炭素数7ないレコOのアルキル基(例えはメ
チル基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など
)、炭素数6ないし/lのアリール基(例えば、フェニ
ル基、トリル基、α−ナフチル基など)、炭素数2ない
しJOのアシルオキシ基(例えばアセト午シ基、ベンゾ
イルオキシ基ま九はp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)、炭素数7ないし乙のアルコキシ基(例えばメトキ
シ基、エトキシ基、クロボキシ基、ブトキシ基など)、
アリーロキシ基(例えば、フェノキシ基、トリロキシ基
など)、アラルギル基(例えば、ベンジル基、フェネチ
ル基またはアニシル基など)、アルコキクカルボニル基
(例えば、メト牟ジカルボニル基、エトキシ力ルゼニル
基、n−メト牟ジカルボニル基など)、アリーロキシカ
ルボニル基(例えば、フェノキシカルボニルi、ト+J
o−+シカルボニル基々ど)、アシル基(例えば、アセ
チル基−ベンゾイル基など)、アクルアミノ基(例えば
、アセチルアミ7基、ベンゾイルアミノ基など)、カル
バモイル基(例えば、N−エチルカルバモイルM、N−
フェニルカルバモイル基など)、アルキルスルホニルア
ミノ7&(例えば、メチルスルホニルアミノ基、フェニ
ルスルホニルアミン基なト)、スルファモイル基(例え
ハ、ヘーエチルスルファモイル基、ヘーフェニルスルフ
ァモイル基逐ど〕、スルホニル基(例えば、メシル基、
トシル基など)などで置換されていてもよい。
またZlおよびZ2は前記のようにj員環またFiJ員
環を形成するのに必要な非金属原子群t?表わす。これ
らのj員環もしくはt員環としては、ピリジン環、イミ
ダゾール環、 ピロール環、λ−ピロリン環、ピロリジ
ン環、ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イ
ミダシリン環などをあげることができる。一般式(IV
−b)で表わされるカチオンとしては、例えばドデシル
ピリジニクム基、ヘキサデシルピリジニクム基、ドデシ
ルイミダゾリウム基などをあげることができる・一般式
(IV−C)で表わされるカチオンとしては、例えば、
N−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウム基、ヘー
エチルーヘードデシルビラゾリジニウム基などt−あげ
ることができる。
環を形成するのに必要な非金属原子群t?表わす。これ
らのj員環もしくはt員環としては、ピリジン環、イミ
ダゾール環、 ピロール環、λ−ピロリン環、ピロリジ
ン環、ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イ
ミダシリン環などをあげることができる。一般式(IV
−b)で表わされるカチオンとしては、例えばドデシル
ピリジニクム基、ヘキサデシルピリジニクム基、ドデシ
ルイミダゾリウム基などをあげることができる・一般式
(IV−C)で表わされるカチオンとしては、例えば、
N−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウム基、ヘー
エチルーヘードデシルビラゾリジニウム基などt−あげ
ることができる。
上記の一般式(■−a)、(IV−b)、(IV−C)
、(fV−d)および(M−e)で表わされる陽イオン
の中で、本発明に特に好ましく用いられるものは、製造
原料の入手し易さ、製造コストの点で、(fV−8)、
(IV−b)、(fV−d)およびC■−e)、である
。
、(fV−d)および(M−e)で表わされる陽イオン
の中で、本発明に特に好ましく用いられるものは、製造
原料の入手し易さ、製造コストの点で、(fV−8)、
(IV−b)、(fV−d)およびC■−e)、である
。
この陽イオン(Ca t 1 :lおよび(Ca t
2 )のPIi類は、前記一般式(II)または(Il
l)で表わされる化合物の有機溶媒に対する溶解性に影
響を及ぼす。
2 )のPIi類は、前記一般式(II)または(Il
l)で表わされる化合物の有機溶媒に対する溶解性に影
響を及ぼす。
一般に、第四級へテロ原子に結合する置換基がアル中ル
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場せこの傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が77以上のカチオンが、また、ホ
スホニクムカチオンの場合は炭素数の合計かび以上のカ
チオンが高い溶解性を与える。
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場せこの傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が77以上のカチオンが、また、ホ
スホニクムカチオンの場合は炭素数の合計かび以上のカ
チオンが高い溶解性を与える。
前記一般式(If)または(In)で表わされる化合物
においてM工またはM2を好ましい順に挙げるとニッケ
ル、コバルト、鋼、ノ彎ラジウム、白金の順である。
においてM工またはM2を好ましい順に挙げるとニッケ
ル、コバルト、鋼、ノ彎ラジウム、白金の順である。
一般式(If)または(In)の金属錯体は千面四配位
の立体構造を有する。なお一般式Cm〕の化合物ではチ
オケトン基が中心金属に関して対称又は非゛対称にある
かは一義的に決らないが、この明細書では便宜的に一般
式(III)のように表わす。
の立体構造を有する。なお一般式Cm〕の化合物ではチ
オケトン基が中心金属に関して対称又は非゛対称にある
かは一義的に決らないが、この明細書では便宜的に一般
式(III)のように表わす。
前記一般式(n)または(III)で表わされる化合物
は次のようにして合成することができる。
は次のようにして合成することができる。
一般式(II)(n−コ)の化合物は二硫化炭素とナト
リウムを反応させて得られるジンデイウムー/、3−ジ
チオール−コーチオン−μ、!−ジチオレートを先ず、
亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビス
ベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後
、金属塩を反応させて得られる。
リウムを反応させて得られるジンデイウムー/、3−ジ
チオール−コーチオン−μ、!−ジチオレートを先ず、
亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビス
ベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後
、金属塩を反応させて得られる。
又、一般式(II)(n−/)の化合物は、上で得られ
た錯体〔nニコ〕を適当な酸化剤で酸化して得られる。
た錯体〔nニコ〕を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式(III)(n=−2)の化合物は、先ず、二硫
化炭素とナトリウムを反応させて得られるジンデイウ五
−7,3−ジチオール−コーチオン−≠。
化炭素とナトリウムを反応させて得られるジンデイウ五
−7,3−ジチオール−コーチオン−≠。
!−ジチオレートヲ、約730@Cに加熱してジンデイ
クムー/、コージチオール−3−チオン−参、!−ジチ
オレートに異性化させる。これを亜鉛錯体とし、これに
塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベンゾイルチオ体とす
る。これをアルカリで分解した後、金属塩を反応させて
得られる。
クムー/、コージチオール−3−チオン−参、!−ジチ
オレートに異性化させる。これを亜鉛錯体とし、これに
塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベンゾイルチオ体とす
る。これをアルカリで分解した後、金属塩を反応させて
得られる。
又、一般式CIID(n−/)は上で得られ九錯体(n
=4)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
=4)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式(II)または(l[I)の化合物を得る丸めの
中間体である/、3−ジチオール−コーチオン−≠、!
−ジチオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元
法の他に電気化学的な還元によっても得られる。
中間体である/、3−ジチオール−コーチオン−≠、!
−ジチオレートアニオンは、上記の如くNaによる還元
法の他に電気化学的な還元によっても得られる。
前記一般E(II)で表わされる化合物のうち好ましい
ものを例示すれば次の通シである。
ものを例示すれば次の通シである。
n−(I)
If−(3)
一般式(n)で表わされる化合物の合成例を以下に示す
。
。
合成例1 く例示化合物(n−4’)の合成〉(/−/
)ビス(テトラエチルアンモニウム)−ビス(l、3−
ジチオール−コーチオ/−弘。
)ビス(テトラエチルアンモニウム)−ビス(l、3−
ジチオール−コーチオ/−弘。
!−ジチオラト)亜鉛錯体の合成。
灰石操作はすべてアルゴン雰囲気下で行った。
ナ) IJウムコJft−小片に切り、二硫化炭素/r
O−中に分散した後、これに攪拌しつつジメチルホルム
アミトコ00dt−ゆっくり滴下し九。この時激しく発
熱しないように注意する。ジメチルホルムアミドを滴下
終了後、注意しながら、おだやかに加熱して−2蓼時間
還流し次0反応終了後未反応のナトリウムをろ別した0
次いでろ液にエタノールjOIIjを加え、室温で2時
間攪拌した。この溶液から二硫化炭素を室温で減圧留去
する。次いで水JOOdをゆっくり滴下して加えた後得
られ九溶液をろ過した。
O−中に分散した後、これに攪拌しつつジメチルホルム
アミトコ00dt−ゆっくり滴下し九。この時激しく発
熱しないように注意する。ジメチルホルムアミドを滴下
終了後、注意しながら、おだやかに加熱して−2蓼時間
還流し次0反応終了後未反応のナトリウムをろ別した0
次いでろ液にエタノールjOIIjを加え、室温で2時
間攪拌した。この溶液から二硫化炭素を室温で減圧留去
する。次いで水JOOdをゆっくり滴下して加えた後得
られ九溶液をろ過した。
次いで、あらかじめ塩化亜鉛コOfをメタノール!OO
−に溶かし、これに濃アンモニウム水!00dを加えた
溶液f:調製しておき、これを上記の反応溶液に加え(
室m)1分間攪拌し九後、テトラエチルアンモニウムプ
ロミド!3fを水コ!Odに溶かした水溶液を加えると
、直ちに赤色の沈澱が析出してぐる。これをろ過し、風
乾して亜鉛錯体を得意。
−に溶かし、これに濃アンモニウム水!00dを加えた
溶液f:調製しておき、これを上記の反応溶液に加え(
室m)1分間攪拌し九後、テトラエチルアンモニウムプ
ロミド!3fを水コ!Odに溶かした水溶液を加えると
、直ちに赤色の沈澱が析出してぐる。これをろ過し、風
乾して亜鉛錯体を得意。
(/−一)弘、t−ビス(ベンゾイルチオ〕−/、3−
ジチオールーーーチオンの合成。
ジチオールーーーチオンの合成。
(/−/)で得た亜鉛錯体ココfvl−アセトン!00
’dに溶かしろ過する。ろ液全攪拌しつつ、これに塩化
ベンゾイル110wt1t−加える。直ちに黄色の沈澱
が析出する。ろ過、水洗後風乾して標記化合・マ勿/1
?を得々。
’dに溶かしろ過する。ろ液全攪拌しつつ、これに塩化
ベンゾイル110wt1t−加える。直ちに黄色の沈澱
が析出する。ろ過、水洗後風乾して標記化合・マ勿/1
?を得々。
(/−J)例示化合物(■−グ〕の合成(/−λ〕で得
たビス(ベンゾイルチオ)体?。
たビス(ベンゾイルチオ)体?。
コtをメタノール!Odに溶かす、これにナトリウムメ
トキサイドのコr≦メタノール容ri、t、Jtを加え
て、70分間攪拌する。この溶液に塩化ニッケル(六水
和物)2.41fをメタノール30dKgかした溶液を
加え、室温で3o分間攪拌する。この溶液にテトラプチ
ルホスホニウムプaミドr、jtをメタノール100d
KWIかした溶液を加えると、置ちに黒色の沈澱が析出
する。さらに20分間攪拌してろ過し、アセトンで洗っ
て風乾し、アセト/−イソプロピルアルコールかう再結
晶させて標記化合物を得意。収量3.r2合成例2 く
例示化合物(■−2)の合成〉(/−j)で得られたニ
ッケル錯体/lをアセトンtoW14に溶かし、これに
酢1130−を加え、3時間攪拌し溶媒を留去したとこ
ろ黒色の結晶が析出し念、これをアセトン−メタノール
から再結晶させて、目的の例示化合物(■−2)を得九
。
トキサイドのコr≦メタノール容ri、t、Jtを加え
て、70分間攪拌する。この溶液に塩化ニッケル(六水
和物)2.41fをメタノール30dKgかした溶液を
加え、室温で3o分間攪拌する。この溶液にテトラプチ
ルホスホニウムプaミドr、jtをメタノール100d
KWIかした溶液を加えると、置ちに黒色の沈澱が析出
する。さらに20分間攪拌してろ過し、アセトンで洗っ
て風乾し、アセト/−イソプロピルアルコールかう再結
晶させて標記化合物を得意。収量3.r2合成例2 く
例示化合物(■−2)の合成〉(/−j)で得られたニ
ッケル錯体/lをアセトンtoW14に溶かし、これに
酢1130−を加え、3時間攪拌し溶媒を留去したとこ
ろ黒色の結晶が析出し念、これをアセトン−メタノール
から再結晶させて、目的の例示化合物(■−2)を得九
。
収量0.係?、m、p、II! @C
λmaX://λjnm、 6m a X :コ、!
/×lo’(CH2α2中) また既知のクエンチャ−としては、特開昭!ター/ 7
1コタJ号に記載されている。次の化合物が挙げられる
。
/×lo’(CH2α2中) また既知のクエンチャ−としては、特開昭!ター/ 7
1コタJ号に記載されている。次の化合物が挙げられる
。
(I)ビスジチオ−α−ジケトン系
几五〜几4はアルキル基またはアリール基を光わし、M
は4価の遷移金属原子を表わす。
は4価の遷移金属原子を表わす。
(l+ )ビスフェニルジチオール系
BS、几6はアルキル基またはハロゲン原子を表わし、
Mはコ価の遷移金属原子t−表わす。
Mはコ価の遷移金属原子t−表わす。
(+ii )アセチルアセトナートキレート系(I■)
ジチオカルバミン酸キレート系(Vlビスフェニルチオ
ール系 (vl)チオカテコール中レート系 (v+i〕サリチルアルデヒドオキシム系(Vlll
) fオビスフエル−ト中レート系(IX)亜ホスホン
酸キレート系 (X)ベンゾエート系 (×1)ヒンダードアζン系 (xtl)遷移金属塩 この他次式で表わされるアミニウム基本しく゛はジイモ
ニ9ム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株
式会社製工几G−002、IRQ−oos、IRG−o
ココ、エルG−o33が挙げられる。
ジチオカルバミン酸キレート系(Vlビスフェニルチオ
ール系 (vl)チオカテコール中レート系 (v+i〕サリチルアルデヒドオキシム系(Vlll
) fオビスフエル−ト中レート系(IX)亜ホスホン
酸キレート系 (X)ベンゾエート系 (×1)ヒンダードアζン系 (xtl)遷移金属塩 この他次式で表わされるアミニウム基本しく゛はジイモ
ニ9ム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株
式会社製工几G−002、IRQ−oos、IRG−o
ココ、エルG−o33が挙げられる。
由
(式中、Rはアルキル基又はアリール基を表わす、)
本発明において、前記色素のカチオンと、りエンチャー
のアニオンとの結合体を使用することもできる。
のアニオンとの結合体を使用することもできる。
クエンチャ−は前記色素1モルあたシ、一般に0、Oj
N/コモル、好ましくはo、i〜ノ、−モル使用される
。
N/コモル、好ましくはo、i〜ノ、−モル使用される
。
クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることが好壇
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要によジ、さらに基板上に下引き
層を、ま九記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要によジ、さらに基板上に下引き
層を、ま九記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
本発明の光記録媒体は基本的には基板と色素薄膜記録層
とからなる。必要に応じて、さらKTf!i層、保護層
などを設けることもできる。
とからなる。必要に応じて、さらKTf!i層、保護層
などを設けることもできる。
基板としては使用レーザに対して透明であれば既知のも
のを任意に使用することができる。その代表的な例には
ガラスまたはプラスチックがちり、プラスチックとして
はアクリル、ポリカーゼネート、ポリスルホン、ポリイ
ミド、ポリエステルなどが用いられる。その形状はディ
スク状、カード状、シート状、ロールフィルム状など檀
々のものが可能である。
のを任意に使用することができる。その代表的な例には
ガラスまたはプラスチックがちり、プラスチックとして
はアクリル、ポリカーゼネート、ポリスルホン、ポリイ
ミド、ポリエステルなどが用いられる。その形状はディ
スク状、カード状、シート状、ロールフィルム状など檀
々のものが可能である。
ガラスま九はプラスチック晶板には記録時のトクッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい、また
、ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイ
ンダーま友は無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を
設けてもよい、基板よシも熱伝導率の低い下引き層が好
ましい、また、記録層同士上内側にして2枚の記録媒体
を対向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にするこ
とも可能である。
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい、また
、ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイ
ンダーま友は無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を
設けてもよい、基板よシも熱伝導率の低い下引き層が好
ましい、また、記録層同士上内側にして2枚の記録媒体
を対向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にするこ
とも可能である。
本発明における色素薄膜の形成は、例えば、一般式(I
)で表わされる色素を有機溶剤(例えば、メタノール、
エタノール、イソプロピルアルコール、ジクロロメタン
、ジクロロエタン、アセトンなど)KM解し、必要に応
じて適当なバインダー(例えば、l’lA% PVP、
ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ニトロセル
ロース、ポリビニルホルマール、メチルビニルエーテル
、tH化パラフィン、無水マレイン酸共重合体、スチレ
ン−シタジエン共重合体)を加え、この溶液を塗布(例
えばスピンコード)することによって行なえるし、ある
いは一般式(I)で表わされる色素全真空蒸着すること
によっても行なえる。バインダーを使用する場合には、
バインダーの重量は色素重量の一倍以下が好ましい、ま
た、一般式(I)の色素をいわゆるラングミュア−ブロ
ジェット法により薄膜として用いることもできる。
)で表わされる色素を有機溶剤(例えば、メタノール、
エタノール、イソプロピルアルコール、ジクロロメタン
、ジクロロエタン、アセトンなど)KM解し、必要に応
じて適当なバインダー(例えば、l’lA% PVP、
ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ニトロセル
ロース、ポリビニルホルマール、メチルビニルエーテル
、tH化パラフィン、無水マレイン酸共重合体、スチレ
ン−シタジエン共重合体)を加え、この溶液を塗布(例
えばスピンコード)することによって行なえるし、ある
いは一般式(I)で表わされる色素全真空蒸着すること
によっても行なえる。バインダーを使用する場合には、
バインダーの重量は色素重量の一倍以下が好ましい、ま
た、一般式(I)の色素をいわゆるラングミュア−ブロ
ジェット法により薄膜として用いることもできる。
本発明における記録層は7層又ij1層以上設ける。
記録層の膜厚は、通常0.0/μm〜/μm。
好ましくはo、or’−o、rpmの範囲である。
反射読出の場合は将に好ましくは続出し【使用するレー
ザ波長の//4Aの奇数倍である。
ザ波長の//4Aの奇数倍である。
半導体レーザまたはHe−Neレーザなどの反射層を設
ける場合は、基板に反射層を設け、次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。反射層は蒸着
法、スパッタリング法、イオンシレーティング法などに
よって設けることができる。
ける場合は、基板に反射層を設け、次にこの反射層の上
に前述したような方式によって記録層を設けることによ
るか、あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反
射層を設けるかのいずれかの方法がある。反射層は蒸着
法、スパッタリング法、イオンシレーティング法などに
よって設けることができる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はし一ザ(例
えば半導体レーザ、)is−Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対儒よシ記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収さn九光が熱に変換され、記録層にピット
(穴)が形成される。
えば半導体レーザ、)is−Neレーザなど)などのス
ポット状の高エネルギービームを基板を通しであるいは
基板と反対儒よシ記録層に照射することにより行われ、
記録層に吸収さn九光が熱に変換され、記録層にピット
(穴)が形成される。
また、情報の読み出しはレーザビームを記録の閾値エネ
ルギー以下の低出力で照射し、はット部とピットが形成
されていない部分の反射光量の変化により検出する。
ルギー以下の低出力で照射し、はット部とピットが形成
されていない部分の反射光量の変化により検出する。
読み出しレーザと記録レーザの強度比は一般にl/lO
以下である。
以下である。
以下、実施例を挙げて本発明の詳細な説明するが、本発
明の範囲はこれらのみに限定されるものでは々い。
明の範囲はこれらのみに限定されるものでは々い。
実施例1
表/に示す色素、クエンチャ−1及び成る場合にはバイ
ンダーをメタノールーメチルエチルケトンーシクロロエ
タンーコ、コ、 3.3−テトyフルオロプロパツール
からなる適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化した
溝付(I,4μピツチ、深さ7zok)ポリカーボネー
ト基板に厚さ001μmとなるようにスピンナーで塗布
し、乾燥した。なお、色素とクエンデャーとの重量比は
3:/、バインダを用いる場合には、バインダのti&
は色素の//jとし念。
ンダーをメタノールーメチルエチルケトンーシクロロエ
タンーコ、コ、 3.3−テトyフルオロプロパツール
からなる適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化した
溝付(I,4μピツチ、深さ7zok)ポリカーボネー
ト基板に厚さ001μmとなるようにスピンナーで塗布
し、乾燥した。なお、色素とクエンデャーとの重量比は
3:/、バインダを用いる場合には、バインダのti&
は色素の//jとし念。
こうして得られた記録媒体に半導体V−ザ金用い、照射
面で4mW、 ビーム径/、4μm、の条件で、o、
uMHzの信号を記録したところ、O03μ秒の照射(
/、rnJ/plt)で直径/。
面で4mW、 ビーム径/、4μm、の条件で、o、
uMHzの信号を記録したところ、O03μ秒の照射(
/、rnJ/plt)で直径/。
0μmのピットが形成された。この記録部に微弱なレー
ザ元をあて、信号を再生し九ところ表1に示すC/N比
が得られた。
ザ元をあて、信号を再生し九ところ表1に示すC/N比
が得られた。
評価条件は下記のとおりであつ九。
(記録及び再生〕
レーザ :半導体レーザ(GaAIAs)レー
ザの波長 : 7rOnm レーザのビーム径:/、4μm 線速 :tm/s 記録パワー :rmW 記録周波数 :コ、jMHz 記録デエーテイー=JQ% 再生パワー :00μmW (再生劣化の評価) 再生パワー :/、OmW 再生回数 :lO回 〔保存時劣化の評価〕 保存温湿度 :ぶo@cyo%ILl−1保存時間
:30日間 比較化合物人 表1の結果から本発明の情報記録媒体は比較例に比べて
強制劣化試験における安定性が優れていることがわかる
。
ザの波長 : 7rOnm レーザのビーム径:/、4μm 線速 :tm/s 記録パワー :rmW 記録周波数 :コ、jMHz 記録デエーテイー=JQ% 再生パワー :00μmW (再生劣化の評価) 再生パワー :/、OmW 再生回数 :lO回 〔保存時劣化の評価〕 保存温湿度 :ぶo@cyo%ILl−1保存時間
:30日間 比較化合物人 表1の結果から本発明の情報記録媒体は比較例に比べて
強制劣化試験における安定性が優れていることがわかる
。
手続補正書
昭和6λ年を月梓日
T*H+nヤ、 昏
■・事件の表示 昭和JJ年待願第14t3“を
号2、発明の名称 光情報記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人柱 所 神奈
川県南足柄市中沼210番地本 補正の対象 明細書
の「発明の詳細な説明」の欄 5、 補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載全下記の通り
補正する。
号2、発明の名称 光情報記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人柱 所 神奈
川県南足柄市中沼210番地本 補正の対象 明細書
の「発明の詳細な説明」の欄 5、 補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載全下記の通り
補正する。
l)第27貞の化合物/の構造式中の
[
C3
」を
[
C)(3」
と補正する。
2)筆≠!頁下から!行目の
「ポリエステル」の後に
「、非晶質ポリオレフィン」
全挿入する。
3)第≠を負正からr行目の
「も」の後に
[、あるいは全面貼合せにすることもJを挿入する。
4)第177頁上からり行目の
「o、or−Vo、rJf
[0,0J〜o、rJ
と補正する。
5)第50頁上から6行目の
「701回」を
「705回」
と補正する。
6)第j/頁表1中の右から第2欄の
1’−7rILW
連結再生」を
「 /mW
連続再生」
と補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に、レーザーによる情報の書き込みおよび/また
は読み取りが可能な記録層が設けられてなる情報記録媒
体において、前記記録層が下記一般式( I )で表わさ
れる化合物を少なくとも一種含有することを特徴とする
光情報記録媒体。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、ΦおよびΨは、それぞれ窒素原子を有するヘテロ
環残基を表わし、Lは置換されていてもよいメチン基、
またはこれが共役二重結合で連結されて生じる置換され
ていてもよいトリメチン、ペンタメチン、ヘプタメチン
、もしくはノナメチン基を表わす。ただし、LとΦまた
はΨの少なくとも一方は連結して環を形成する。 X^l^■はl価の陰イオンを表わし、lは1、2、ま
たは3を表わす。ただしX^l^■はΦ、L、またはΨ
上に置換基として結合していてもよい。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62143468A JPH0798421B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 光情報記録媒体 |
US07/202,587 US4994343A (en) | 1987-06-09 | 1988-06-06 | Optical information recording medium |
DE3819688A DE3819688A1 (de) | 1987-06-09 | 1988-06-09 | Optisches informationsaufzeichnungsmedium |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62143468A JPH0798421B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
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---|---|
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JPH0798421B2 JPH0798421B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=15339408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62143468A Expired - Fee Related JPH0798421B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 光情報記録媒体 |
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---|---|
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JP (1) | JPH0798421B2 (ja) |
DE (1) | DE3819688A1 (ja) |
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-
1987
- 1987-06-09 JP JP62143468A patent/JPH0798421B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-06-06 US US07/202,587 patent/US4994343A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-09 DE DE3819688A patent/DE3819688A1/de not_active Withdrawn
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3819688A1 (de) | 1988-12-29 |
US4994343A (en) | 1991-02-19 |
JPH0798421B2 (ja) | 1995-10-25 |
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