JPS6172586A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS6172586A JPS6172586A JP59192615A JP19261584A JPS6172586A JP S6172586 A JPS6172586 A JP S6172586A JP 59192615 A JP59192615 A JP 59192615A JP 19261584 A JP19261584 A JP 19261584A JP S6172586 A JPS6172586 A JP S6172586A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- group
- formula
- recording medium
- transition metal
- Prior art date
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- Granted
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はシアニン色素と遷移金属錯体とが結合した化合
物を含む記録層を有する光情報記録媒体に関する。
物を含む記録層を有する光情報記録媒体に関する。
従来、回転しているディスク状の情報記録媒体にレーデ
光を照射して情報の記録再生を行なり情報記録再生装置
が知られている。そしてこの種の情報記録装置に用いら
れる情報記録媒体の記録層としては低融照会ＰＡまｔは
低融点金属と誘電体を用いるものなどが提案されている
。
光を照射して情報の記録再生を行なり情報記録再生装置
が知られている。そしてこの種の情報記録装置に用いら
れる情報記録媒体の記録層としては低融照会ＰＡまｔは
低融点金属と誘電体を用いるものなどが提案されている
。
しかし、これらは保存性が悪い、分解能が低い、記録密
度が低い、コスト高になるなどの欠点を有する。
度が低い、コスト高になるなどの欠点を有する。
そこで、本発明者等は種々検討の結果記録層にシアニン
色素を用いた場合に書き込み感度および反射率が高いた
め読み出しのＳハ比が高い記録媒体が得られることを見
出し既にそれを提案している。しかしながら、上記色素
を用いる場合には光に対する記録媒体の生保存性と記録
後の記録保存性および記録後の読み出し光の繰返し照射
すなわち再生光に対する保存性が十分でないという問題
があった。
色素を用いた場合に書き込み感度および反射率が高いた
め読み出しのＳハ比が高い記録媒体が得られることを見
出し既にそれを提案している。しかしながら、上記色素
を用いる場合には光に対する記録媒体の生保存性と記録
後の記録保存性および記録後の読み出し光の繰返し照射
すなわち再生光に対する保存性が十分でないという問題
があった。
〔目的］
木兄ＥＪｉ４は上記問題に鑑みてなされたものであって
、その王な目的は再生光に対する劣化防止および光に対
する保存性が改良されたシアニン色素を含む記録層を有
する光情報記録媒体を提供することにある。
、その王な目的は再生光に対する劣化防止および光に対
する保存性が改良されたシアニン色素を含む記録層を有
する光情報記録媒体を提供することにある。
本発明者は上記目的を達成するため種々研究を行った結
果、光情報記録媒体の記録層にシアニン色素と遷移金属
錯体と全メチレン基で結合してなる下記式ＣＩ）で示さ
れる化合物を含有させることによシ再生光に対する保存
性と光に対する生保存性とが格段に向上できることを見
出し本発明の完成に至った。
果、光情報記録媒体の記録層にシアニン色素と遷移金属
錯体と全メチレン基で結合してなる下記式ＣＩ）で示さ
れる化合物を含有させることによシ再生光に対する保存
性と光に対する生保存性とが格段に向上できることを見
出し本発明の完成に至った。
式ＣＩ）
φ−Ｌ＝Ｆ（Ｘ″″）工
（ＣＨ２）ｎ
ただし、上記式〔Ｉ〕においてφおよびＦは同じかまた
は異なっていてもよくそれぞれインドール環残基または
ベンゾインドール環残基全表わし、Ｌはモノカルボシア
ニン、ノカル？シアニン、トリカルざシアニンま九はテ
トラカルダシアニンを形成するための連結基を表わし、
Ｘ−は陰イオンを表わし、ｍは０まｔは１の整数であシ
、Ｔは遷移金属錯体を表わし、ＬとＴとが各水素原子が
置換される形でメチレン基に連結されておシそしてｎは
１〜１２の整数である。
は異なっていてもよくそれぞれインドール環残基または
ベンゾインドール環残基全表わし、Ｌはモノカルボシア
ニン、ノカル？シアニン、トリカルざシアニンま九はテ
トラカルダシアニンを形成するための連結基を表わし、
Ｘ−は陰イオンを表わし、ｍは０まｔは１の整数であシ
、Ｔは遷移金属錯体を表わし、ＬとＴとが各水素原子が
置換される形でメチレン基に連結されておシそしてｎは
１〜１２の整数である。
すなわち、本発明の光情報記録媒体は基板上にシアニン
色素と遷移金属錯体とをメチレン基で結合してなる上記
式ＣＤで示される化合物を含む記録層を有するものであ
る。
色素と遷移金属錯体とをメチレン基で結合してなる上記
式ＣＤで示される化合物を含む記録層を有するものであ
る。
矢に、上記式ＣＩ）におけるφ、Ｉ／、 ＬおよびＴの
それぞれについて詳しく説明する。
それぞれについて詳しく説明する。
φおよびＶはインドール環ま几はベンゾインドール環残
基を示すがさらにこの環には種々の置換基が結合してい
てもよい。φはインドール核のＮ原子に十電荷を有しそ
してＶは中性Ｎ原子を有するものである。
基を示すがさらにこの環には種々の置換基が結合してい
てもよい。φはインドール核のＮ原子に十電荷を有しそ
してＶは中性Ｎ原子を有するものである。
また、φおよび１は同一であることが好ましく、特に、
下記式（Ｉｆ）〜〔ｖ〕で示されるものであることが好
ましい。
下記式（Ｉｆ）〜〔ｖ〕で示されるものであることが好
ましい。
この場合、インドール環の２位に付した電荷ことを表わ
す。
す。
式〔■〕
ただし、上記式〔■〕〜〔ｖ〕において、Ｒ１は、置換
または非置換のアルキル基を表わす。アルキル基の炭素
原子数は１〜５であることが好ましく、また、好ましい
置換基としては、スルホン酸基、アルキルカルブキシオ
キシ基などをあげることかできる。その他の置換基とし
ては、アルキルアミド基、アルキルオキシ基、カルざン
酸基、水酸基などであってもよい。なお、Ｒ１は置換ま
念は非置換のアリール基であってもよい。
または非置換のアルキル基を表わす。アルキル基の炭素
原子数は１〜５であることが好ましく、また、好ましい
置換基としては、スルホン酸基、アルキルカルブキシオ
キシ基などをあげることかできる。その他の置換基とし
ては、アルキルアミド基、アルキルオキシ基、カルざン
酸基、水酸基などであってもよい。なお、Ｒ１は置換ま
念は非置換のアリール基であってもよい。
このような場合、後述のｍが０であるときには、φのＲ
１は一電荷をもつ。
１は一電荷をもつ。
また、Ｂ およびＲ３はそれぞれアルキル基ま友はフェ
ニル基などのアリール基好ましくはアルキル基を表わす
。この場合アルキル基は非置換のものでわシ、特に炭素
原子数１ま九は２特に１であることが好ましい。
ニル基などのアリール基好ましくはアルキル基を表わす
。この場合アルキル基は非置換のものでわシ、特に炭素
原子数１ま九は２特に１であることが好ましい。
さらに、Ｒ４としては、アルキル基、アリール基、複素
環残基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基
、アルキルヒドロキシカルゲニル基、カルビン酸基など
をあげることができる。
環残基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基
、アルキルヒドロキシカルゲニル基、カルビン酸基など
をあげることができる。
そして、ｐは通常０〜４の整数であり、ｐが２以上のと
き複数のＲ４は互いに異なってもよい。
き複数のＲ４は互いに異なってもよい。
ただ、特に必要がない場合は、ｐは０であればよい。
他方、Ｌは、モノ、・ゾ、トリまたはテトラカルボシア
ニンを形成するための連結基を表わすが、特に下記式〔
■〕〜〔■〕のいずれかであることが好ましい。
ニンを形成するための連結基を表わすが、特に下記式〔
■〕〜〔■〕のいずれかであることが好ましい。
式（Ｍ） ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝￥−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ
式〔■〕 弐〔■〕 式［：ｙ］ ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ±ＣＨ−Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ
＝ＣＨ−ＣＨ式Ｄａ） ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ式
〔店、ＩＩ ＣＨ＝Ｃ−ＣＨ ただし、上記式においてＹは、水素原子ま九は１価の基
を表わす。この場合、１価の基としてはメチル基などの
低級アルキル基、メトキシ基などの低級アルコキシ基、
ツメチルアミノ基、ノフェニルアミノ基、メチルフェニ
ルアミノ基、モルホリノ基、イミダゾリノン基、エトキ
シ力ルポニルピベラノン基などのジ置換アミノ基、アセ
トキシ基などのアルキルカルブニルオキシ基、メチルチ
オ基などのアルキルチオ基、Ｂｒ。
式〔■〕 弐〔■〕 式［：ｙ］ ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ±ＣＨ−Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ
＝ＣＨ−ＣＨ式Ｄａ） ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ式
〔店、ＩＩ ＣＨ＝Ｃ−ＣＨ ただし、上記式においてＹは、水素原子ま九は１価の基
を表わす。この場合、１価の基としてはメチル基などの
低級アルキル基、メトキシ基などの低級アルコキシ基、
ツメチルアミノ基、ノフェニルアミノ基、メチルフェニ
ルアミノ基、モルホリノ基、イミダゾリノン基、エトキ
シ力ルポニルピベラノン基などのジ置換アミノ基、アセ
トキシ基などのアルキルカルブニルオキシ基、メチルチ
オ基などのアルキルチオ基、Ｂｒ。
Ｃｔなどのハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基などであ
ることが好ましい。
ることが好ましい。
なお、これらの式［ＶＩ’ｌ〜〔刈〕の中では、トリま
たはテトラカルボシアニンの式〔■〕〜〔Ｘ） ％に式
〔■〕および〔■〕が好ましい。
たはテトラカルボシアニンの式〔■〕〜〔Ｘ） ％に式
〔■〕および〔■〕が好ましい。
さらに、Ｘ−は陰イオンであυ、その好ましい（トｏ３
− 例としては、■−１Ｂｒ−１Ｃｔｏ−１ＢＦ−１ＣＨ３
アルキル硫酸塩イオンなどを挙げることができる。
− 例としては、■−１Ｂｒ−１Ｃｔｏ−１ＢＦ−１ＣＨ３
アルキル硫酸塩イオンなどを挙げることができる。
なお、ｍは０または１であるが、ｍが０であるときには
、通常φのＲ１が一寛荷をもち分子内塩となる。
、通常φのＲ１が一寛荷をもち分子内塩となる。
次にＴは、遷移金属キレート化合物を表わし、それは上
記りと各水素原子が置換される形でメチレン基（ＣＨ２
）ｎ（ｎは１〜１２の整数である）で連結されている。
記りと各水素原子が置換される形でメチレン基（ＣＨ２
）ｎ（ｎは１〜１２の整数である）で連結されている。
式Ｃ１）において、φ−Ｌ、＝Ｆなるシアニン色素の部
分が主として光吸収色素としての役割りを分担するのに
対し、このＴなる遷移キレート化合物の部分は、主とし
て再生光に対する劣化の防止および耐光性の向上に役割
りを果していると考えられる。かかる点から式〔Ｉ〕の
化合物は光吸収色素としての役割りと光および再生光に
対する安定性としての役割夛とを同時に具備した単一な
化合物である。この遷移金属キレート【 化合物の場合、中心金属としては、Ｎｉ、 Ｃｏ。
分が主として光吸収色素としての役割りを分担するのに
対し、このＴなる遷移キレート化合物の部分は、主とし
て再生光に対する劣化の防止および耐光性の向上に役割
りを果していると考えられる。かかる点から式〔Ｉ〕の
化合物は光吸収色素としての役割りと光および再生光に
対する安定性としての役割夛とを同時に具備した単一な
化合物である。この遷移金属キレート【 化合物の場合、中心金属としては、Ｎｉ、 Ｃｏ。
Ｃｕ、 Ｍｎ、Ｐｄ、 Ｒｔなどが好ましく、特に下記
の化合物が好適である。
の化合物が好適である。
なお、遷移金属キレート化合物としては、７００〜１５
００ｎｍに吸収をもつもの、特にそのうち、７００〜１
２００ ｎｍに極大吸収波長をもつものであることが好
ましい。
００ｎｍに吸収をもつもの、特にそのうち、７００〜１
２００ ｎｍに極大吸収波長をもつものであることが好
ましい。
１）ビスジチオ−α−ジケトン系
ただし 、（ｉ）〜Ｒ（４）は置換または非置換のアル
キル基またはアリール基を表わしそしてＭはＮ１、Ｃｏ
、 Ｃｕ、 Ｐｄ、 Ｐｔなどの遷移金属原子を表わす
。この場合、Ｍは一電荷をもち、４級アンモニクムイオ
ンなどのカチオンと塩を形成してもよい。この化合物の
具体例を下記に示す。
キル基またはアリール基を表わしそしてＭはＮ１、Ｃｏ
、 Ｃｕ、 Ｐｄ、 Ｐｔなどの遷移金属原子を表わす
。この場合、Ｍは一電荷をもち、４級アンモニクムイオ
ンなどのカチオンと塩を形成してもよい。この化合物の
具体例を下記に示す。
Ｔ１Ｎ１（ＩＤ −）チオベンジル
Ｔ２Ｎｉ（損ノチオビアセチル
Ｎ（Ｃ４Ｈ７）４
２） ビスフェニルジチオール系
ただし、Ｒ（５）およびＲ（６′はメチル基などのアル
キル基、あるいはＣｔなどの）・ロゲン原子、また、Ｎ
（ＣＨ３）２、ＮＨ２などのアミン基などを表わし、Ｍ
は、Ｎ１、Ｃｏ、 ＣｕＸＰｄ、 Ｐｔなどの遷移金属
原子を表わす。さらに、ａおよびｂはそれぞ孔０または
４以下の整数である。また、上記構造のＭは一電荷をも
って、カチオンと塩を形成してもよく、さらにＭの上下
にはさらに他の配位子が結合していてもよい。この化合
物の具体例を下記に示す。
キル基、あるいはＣｔなどの）・ロゲン原子、また、Ｎ
（ＣＨ３）２、ＮＨ２などのアミン基などを表わし、Ｍ
は、Ｎ１、Ｃｏ、 ＣｕＸＰｄ、 Ｐｔなどの遷移金属
原子を表わす。さらに、ａおよびｂはそれぞ孔０または
４以下の整数である。また、上記構造のＭは一電荷をも
って、カチオンと塩を形成してもよく、さらにＭの上下
にはさらに他の配位子が結合していてもよい。この化合
物の具体例を下記に示す。
Ｔ６ＰＡ−１００１（商品名 三井東圧ファイン株式会
社製） Ｔ、 ＦＡ−１００２（同 上 Ｎ１−ビス（トルエ
ンノチオール）テトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム〕 Ｔ８ＰＡ−１００３（同 上） Ｔ、 ＰＡ−１００５（同 上 阻−ビス（ジクロロ
ベンゼン）テトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム〕 ＴｌｏＰＡ−１００６（：同 上 Ｎ１−ビス（トリク
ロロベンゼンジチオール）テトラ（ｔ−プチル）アンモ
ニウム〕 Ｔ１１ＣＯ−ビス（ベンゼン−１，２−ジチオール）テ
トラブチルアンモニウム Ｔ１□ＣＯ−ビス（ｏ−キシレン−４，５−ジチオール
）テ）う（ｔ−ブチル）アンモニウムＴ、５Ｎｉ−ビス
（ベンゼン−１，２−ジチオール）テトラブチルアンモ
ニウム Ｔ１４ Ｎｌ−ビス（０−キシレン−４，５−ジチオー
ル）テトラブチルアンモニウム Ｔ１５Ｎ１−ビス（５−クロロベンゼン−１，２−ジチ
オール）テトラブチルアンモニウムＴ、６Ｎｉ−ビス（
５，４，５，６−テトラメチルベンゼン−１，２−ノチ
オール）テトラブチルアンモニウム ’ Ｔ４． Ｎｉ−ビス（３，４，５，６−
チトラクロロペ／ゼンー１．２−ジチオール）テトラブ
チルアンモニウム ３）サリチルアルデヒドオキシム系 ただし、Ｒ（７）およびＲ（６）はアルキル基を表わし
、ＭはＮ１、Ｃｏ、 ＣｕＸＰｄ、 Ｐｔなどの遷移金
属原子を表わす。この化合物の具体例を下記に示す。
社製） Ｔ、 ＦＡ−１００２（同 上 Ｎ１−ビス（トルエ
ンノチオール）テトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム〕 Ｔ８ＰＡ−１００３（同 上） Ｔ、 ＰＡ−１００５（同 上 阻−ビス（ジクロロ
ベンゼン）テトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム〕 ＴｌｏＰＡ−１００６（：同 上 Ｎ１−ビス（トリク
ロロベンゼンジチオール）テトラ（ｔ−プチル）アンモ
ニウム〕 Ｔ１１ＣＯ−ビス（ベンゼン−１，２−ジチオール）テ
トラブチルアンモニウム Ｔ１□ＣＯ−ビス（ｏ−キシレン−４，５−ジチオール
）テ）う（ｔ−ブチル）アンモニウムＴ、５Ｎｉ−ビス
（ベンゼン−１，２−ジチオール）テトラブチルアンモ
ニウム Ｔ１４ Ｎｌ−ビス（０−キシレン−４，５−ジチオー
ル）テトラブチルアンモニウム Ｔ１５Ｎ１−ビス（５−クロロベンゼン−１，２−ジチ
オール）テトラブチルアンモニウムＴ、６Ｎｉ−ビス（
５，４，５，６−テトラメチルベンゼン−１，２−ノチ
オール）テトラブチルアンモニウム ’ Ｔ４． Ｎｉ−ビス（３，４，５，６−
チトラクロロペ／ゼンー１．２−ジチオール）テトラブ
チルアンモニウム ３）サリチルアルデヒドオキシム系 ただし、Ｒ（７）およびＲ（６）はアルキル基を表わし
、ＭはＮ１、Ｃｏ、 ＣｕＸＰｄ、 Ｐｔなどの遷移金
属原子を表わす。この化合物の具体例を下記に示す。
Ｔ１． Ｎ１（１） Ｏ−（Ｎ−イソグロビルホルム
イミドイル）フェノール Ｔ２ｏＮｉ（ＩＩ） Ｏ−（Ｎ−ドブミルホルムイミド
イル）フェノール Ｔ２１ Ｃｏ（ＩＤ Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミ
ドイル）フェノール Ｔ２□ Ｃｕ（、［） Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミ
ドイル）フェノール Ｔ２３ＮｉＱ［）２１２’−（エチレンビスにトリロメ
チリジン）〕−ジフェノール Ｔ２４ ＣｏＧＩ）２．２’−（エチレンビスにトリ
ロメチリジン）〕−ジフェノール Ｔ２５Ｎｔ（Ｉ［）２．２’−［１，８−ナフチレンビ
スにトリロメチリジン）］−ジジフェノ− ルア２６ＮｉＱＩ −（Ｎ −７：ｔ−二にホにム（ミ
）’イＡ／）フェノール Ｔ２７ Ｃｏ（ＩＯ−［： Ｎ−フェニルホルムイミ
ドイル］フェノール Ｔ２８ Ｃｕ（Ｉ［）−（Ｎ−フェニルホルムイミドイ
ル〕フェノール Ｔ２９ Ｎ１（ｎ）サリチルアルデヒドフェニルヒドラ
ゾン Ｔ５０ ＮＫｆｆ）サリチルアルデヒドオキシム４）オ
キシム系 ただし、Ｒ（９）およびＲ（１０）はメチル基などのア
ルキル基などを表わし、ＭはＮｉ 、 Ｐｄなどの２価
の遷移金属原子を表わす。
イミドイル）フェノール Ｔ２ｏＮｉ（ＩＩ） Ｏ−（Ｎ−ドブミルホルムイミド
イル）フェノール Ｔ２１ Ｃｏ（ＩＤ Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミ
ドイル）フェノール Ｔ２□ Ｃｕ（、［） Ｏ−（Ｎ−ドデシルホルムイミ
ドイル）フェノール Ｔ２３ＮｉＱ［）２１２’−（エチレンビスにトリロメ
チリジン）〕−ジフェノール Ｔ２４ ＣｏＧＩ）２．２’−（エチレンビスにトリ
ロメチリジン）〕−ジフェノール Ｔ２５Ｎｔ（Ｉ［）２．２’−［１，８−ナフチレンビ
スにトリロメチリジン）］−ジジフェノ− ルア２６ＮｉＱＩ −（Ｎ −７：ｔ−二にホにム（ミ
）’イＡ／）フェノール Ｔ２７ Ｃｏ（ＩＯ−［： Ｎ−フェニルホルムイミ
ドイル］フェノール Ｔ２８ Ｃｕ（Ｉ［）−（Ｎ−フェニルホルムイミドイ
ル〕フェノール Ｔ２９ Ｎ１（ｎ）サリチルアルデヒドフェニルヒドラ
ゾン Ｔ５０ ＮＫｆｆ）サリチルアルデヒドオキシム４）オ
キシム系 ただし、Ｒ（９）およびＲ（１０）はメチル基などのア
ルキル基などを表わし、ＭはＮｉ 、 Ｐｄなどの２価
の遷移金属原子を表わす。
また、上記構造のＭの上下にはさらに配位がされていて
もよい。この化合物の具体例を下記の表に示す。
もよい。この化合物の具体例を下記の表に示す。
Ｔ３１ Ｎｅｇｏｐｅｘ Ａ ＣＨ３ＣＨ５オキシ
ム基に対してノリ位Ｎ１（Ｉｔ）ｒ、 Ｎｅｇｏｐｅｘ
Ｂ Ｃ，１Ｈ，ＣＨ，／／ Ｎｉ（ＩＤｒ３
３Ｐｄｃｏｍｐｌｅｘ Ｃ，、Ｈ，ｔＣ４Ｈ，ヒド
ロキク基に対してパラ位Ｐｄ（ＩＩ）５）チオビスフェ
ノレートキレート系 ただし、Ｍは前記と同じであり、Ｒ（１１）およびＲは
アルキル基を表わす。またＭは一電荷をもち、カチオン
と塩とを形成していてもよい。この化合物の具体例を下
記に示す。
ム基に対してノリ位Ｎ１（Ｉｔ）ｒ、 Ｎｅｇｏｐｅｘ
Ｂ Ｃ，１Ｈ，ＣＨ，／／ Ｎｉ（ＩＤｒ３
３Ｐｄｃｏｍｐｌｅｘ Ｃ，、Ｈ，ｔＣ４Ｈ，ヒド
ロキク基に対してパラ位Ｐｄ（ＩＩ）５）チオビスフェ
ノレートキレート系 ただし、Ｍは前記と同じであり、Ｒ（１１）およびＲは
アルキル基を表わす。またＭは一電荷をもち、カチオン
と塩とを形成していてもよい。この化合物の具体例を下
記に示す。
Ｔ３４Ｎｉ（１）ｎ−ブチルアミノ［２，２’−チオビ
ス（４−ｔｅｒｔ−オクチル）−７エル−ト〕［Ｃｙａ
ｓｏｒｂ−ＵＶ −１０８４（アメリカン シアナ ミ
ド ｃｏ、、 Ｌｔｄ・ ） 〕Ｔ３５ＣＯ
（■）ｎ−ブチルアミノ〔２，２１−チオヒス（４−ｔ
ｅｒｔ−オクチル）−７エル−ト〕翫 Ｔｓ６ＮｉａＩ）−２，２’−チオビス（４−ｔｅｒｔ
、−オクチル）−フェノレート 次に、本発明の式〔Ｉ〕の化合物について、それを構成
する主要素の具体例を以下の表１に示すが、本発明はこ
れのみに限定されるものではない。
ス（４−ｔｅｒｔ−オクチル）−７エル−ト〕［Ｃｙａ
ｓｏｒｂ−ＵＶ −１０８４（アメリカン シアナ ミ
ド ｃｏ、、 Ｌｔｄ・ ） 〕Ｔ３５ＣＯ
（■）ｎ−ブチルアミノ〔２，２１−チオヒス（４−ｔ
ｅｒｔ−オクチル）−７エル−ト〕翫 Ｔｓ６ＮｉａＩ）−２，２’−チオビス（４−ｔｅｒｔ
、−オクチル）−フェノレート 次に、本発明の式〔Ｉ〕の化合物について、それを構成
する主要素の具体例を以下の表１に示すが、本発明はこ
れのみに限定されるものではない。
表 １
式Ｉの化合物を構成する王９素
式ＩＩ 式■ 式Ｗ −（ＣＨ２）、−Ｔ、３ｎ
ＩＩ Ｍ −（ＣＨ２）６− Ｔ、
。
ＩＩ Ｍ −（ＣＨ２）６− Ｔ、
。
ＩＩ ｎ ＶＴ −（ＣＨ２） ４−
Ｔ、ａＩｔ Ｉｆ ■−（ＣＨ２）６− Ｔ
ｌａＩｆ ＩＩ Ｍ −（ＣＨ２）じ Ｔ
０ｎ ＩＩ Ｖ（−（ＣＨ２）６− Ｔ
５Ｉｆ ＩＩ Ｖｌ −（ＣＨ２）６
− Ｔ４ＩＩ Ｉｔ Ｖ［−（ＣＨ２
）４− Ｔ５Ｉｔ ＩＩ Ｖｌ
−（ＣＨ２）ａ−Ｔｓｌｍ ｍ Ｖｌ
−（ＣＨ２）４− Ｔ１゜１’／ ＩＶ
Ｍ −（ＣＨ２）４− Ｔ、。
Ｔ、ａＩｔ Ｉｆ ■−（ＣＨ２）６− Ｔ
ｌａＩｆ ＩＩ Ｍ −（ＣＨ２）じ Ｔ
０ｎ ＩＩ Ｖ（−（ＣＨ２）６− Ｔ
５Ｉｆ ＩＩ Ｖｌ −（ＣＨ２）６
− Ｔ４ＩＩ Ｉｔ Ｖ［−（ＣＨ２
）４− Ｔ５Ｉｔ ＩＩ Ｖｌ
−（ＣＨ２）ａ−Ｔｓｌｍ ｍ Ｖｌ
−（ＣＨ２）４− Ｔ１゜１’／ ＩＶ
Ｍ −（ＣＨ２）４− Ｔ、。
ｙ ｖ ■−（ＣＨ２）４− Ｔ１０ａ
ｎ ■ −（ＣＨ２）４− Ｔ１０ｎｕ
■ −（ＣＨ２）４− Ｔ、ａ■ ＩＩ
Ｘ −（ＣＨ２）４− Ｔ１゜Ｉｆ
１１ Ｖｌ −（ＣＨ２）８−
Ｔ、。
ｎ ■ −（ＣＨ２）４− Ｔ１０ｎｕ
■ −（ＣＨ２）４− Ｔ、ａ■ ＩＩ
Ｘ −（ＣＨ２）４− Ｔ１゜Ｉｆ
１１ Ｖｌ −（ＣＨ２）８−
Ｔ、。
ｎ ■■−（ＣＨ２）４− ’Ｉ’、。
ＩＩ ■Ｖｌ −（ＣＨ２）４− Ｔ１
８ｎ ｎ ■−（ＣＨ２）、−Ｔ。
８ｎ ｎ ■−（ＣＨ２）、−Ｔ。
ＩＩ ＩＩ Ｖｉ −（ＣＨ２）６：
Ｔ。
Ｔ。
次に、表１に示した式〔Ｉ〕の化合物を構成する主要素
をもとに以下に、本発明の式ＣＩ）の化合物すなわち、
シアニン色素と遷移金属キレート化合物とを各々の水素
原子が置換された形でメチレン基−（ＣＨ２）ｎ−（ｎ
は整数）で連結された式〔Ｉ〕の化合物の具体例をあげ
るが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
をもとに以下に、本発明の式ＣＩ）の化合物すなわち、
シアニン色素と遷移金属キレート化合物とを各々の水素
原子が置換された形でメチレン基−（ＣＨ２）ｎ−（ｎ
は整数）で連結された式〔Ｉ〕の化合物の具体例をあげ
るが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
ここで、式（１）の化合物の記号をシアニン色素Ｄｙｅ
の頭文字「Ｄ」と遷移金属キレート化合物のＴｒａｎｓ
１ｔｉｏｎの頭文字「Ｔ」とをとってｒ ＤＴ ｊと
略記する。
の頭文字「Ｄ」と遷移金属キレート化合物のＴｒａｎｓ
１ｔｉｏｎの頭文字「Ｔ」とをとってｒ ＤＴ ｊと
略記する。
ＣＬ ＣＬ
ＤＴ５
ＤＴ。
ＤＴ８
Ｔ１１
Ｔ１５
ＤＴ、６
ＤＴ２０
Ｔ２２
Ｔ２４
Ｔ２５
本発明における記録層は上記式（Ｉ）の化合物を主成分
とするものであるが、さらに必要に応じて他の第３成分
例えばバインダー、安定剤、各種可塑剤、界面活性剤、
帯電防止剤、分散剤などを含有していてもよい。
とするものであるが、さらに必要に応じて他の第３成分
例えばバインダー、安定剤、各種可塑剤、界面活性剤、
帯電防止剤、分散剤などを含有していてもよい。
記録層の膜厚は１００Ｘ〜１０卿好ましくは２００Ｘ〜
２μｍである。そして膜形成方法としては溶液塗布法、
たとえば浸漬コーティング、スプレーコーティング、ス
ピンナーコーティング、ブレードコーティング、ローラ
ーコーティング、カーテンコーティングなどをあるいは
他の方法として蒸着、ＣｖＤｌ ス・ぐツタ−法などを
用いることもできる。なお、塗布に用いる溶媒としては
例えばメチルエチルケトンなどのケトン系、酢酸エチル
などのエステル系、メチルセロンルプなどのエーテル系
、ソクロロエタン、クロロホルムナトのハロゲン化アル
キル系、トルエン、キシレンなどの芳香族系などをあげ
ることかできる。
２μｍである。そして膜形成方法としては溶液塗布法、
たとえば浸漬コーティング、スプレーコーティング、ス
ピンナーコーティング、ブレードコーティング、ローラ
ーコーティング、カーテンコーティングなどをあるいは
他の方法として蒸着、ＣｖＤｌ ス・ぐツタ−法などを
用いることもできる。なお、塗布に用いる溶媒としては
例えばメチルエチルケトンなどのケトン系、酢酸エチル
などのエステル系、メチルセロンルプなどのエーテル系
、ソクロロエタン、クロロホルムナトのハロゲン化アル
キル系、トルエン、キシレンなどの芳香族系などをあげ
ることかできる。
また、記録層を設ける基板の材質にはなんら制限される
ことはなくこの分野で知られたもの例えば各種プラスチ
ック、ガラス、セラミックス、金属などを用いることが
できる。
ことはなくこの分野で知られたもの例えば各種プラスチ
ック、ガラス、セラミックス、金属などを用いることが
できる。
また基板の形状は使用用途に応じてテープ、ディスク、
ドラム、ベルトなどいずれであってもよい。なお基板は
、必要に応じて反射層などの下地層や蓄熱層などを有す
るものであってもよい・ また、記録層上には必要に応じて透明基板を用いるとき
に裏面として機能する反射層や各種最上層保護層、ハー
フミラ一層などを設けることもできる。ただ本発明の式
〔Ｉ〕の化合物はそれ自体きわめて反射率が島いのでこ
のような下地ないしは上層反射層は通常用いる必要がな
い。
ドラム、ベルトなどいずれであってもよい。なお基板は
、必要に応じて反射層などの下地層や蓄熱層などを有す
るものであってもよい・ また、記録層上には必要に応じて透明基板を用いるとき
に裏面として機能する反射層や各種最上層保護層、ハー
フミラ一層などを設けることもできる。ただ本発明の式
〔Ｉ〕の化合物はそれ自体きわめて反射率が島いのでこ
のような下地ないしは上層反射層は通常用いる必要がな
い。
本発明の記録媒体は基本的には基板上に記録層を設けた
ものであるが、さらに目的に応じて他の層例えば下引層
、中間層または保護層などを設けてもよい。また、記録
層は基板上の片面ま次は両面に設けてもよいし、さらに
この記録媒体を一対とし記録層が対向するように配置し
ｔいわゆるサンドイッチ構造にしてホコリやキズがつか
ないようにすることもできる＠下引層は（ａ）接着性の
向上、（ｂ）水またはガスなどのバリヤー、（Ｃ）記録
層の保存安定性の向上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶
剤からの基板の保護および（カブレグループの形成など
金目的として使用される。（ａ）の目的に対しては例え
ばアイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂
、天然高分子、シリコーン、液状デムなどの高分子材料
およびシランカップリング剤などの種々の物質を用いる
ことができ、（ｂ）、（Ｃ）の目的に対しては上記高分
子材料以外に無機化合物例えば５１０２、ＭｇＦ２．８
１０、ＴｉＯ□、ＺｎＯ１ＴｉＮ、 ８ｉＮなど、金
属または半金属例えばＺｎ、 Ｃｕ、 Ｓ、 Ｎｉ、Ｃ
ｒ。
ものであるが、さらに目的に応じて他の層例えば下引層
、中間層または保護層などを設けてもよい。また、記録
層は基板上の片面ま次は両面に設けてもよいし、さらに
この記録媒体を一対とし記録層が対向するように配置し
ｔいわゆるサンドイッチ構造にしてホコリやキズがつか
ないようにすることもできる＠下引層は（ａ）接着性の
向上、（ｂ）水またはガスなどのバリヤー、（Ｃ）記録
層の保存安定性の向上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶
剤からの基板の保護および（カブレグループの形成など
金目的として使用される。（ａ）の目的に対しては例え
ばアイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂
、天然高分子、シリコーン、液状デムなどの高分子材料
およびシランカップリング剤などの種々の物質を用いる
ことができ、（ｂ）、（Ｃ）の目的に対しては上記高分
子材料以外に無機化合物例えば５１０２、ＭｇＦ２．８
１０、ＴｉＯ□、ＺｎＯ１ＴｉＮ、 ８ｉＮなど、金
属または半金属例えばＺｎ、 Ｃｕ、 Ｓ、 Ｎｉ、Ｃ
ｒ。
Ｃ）ｅＸＳｅ、 Ｃｄ、 Ａｇ、 ＡＬなどを用いるこ
とができる。（ｄ）の目的に対しては金属例えばＡＡ、
Ａｇなどまたは金属光沢を有する有機薄膜例えばメタ
ン染料、キサンチン系染料などを用いることができそし
て（ｅ）、（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
とができる。（ｄ）の目的に対しては金属例えばＡＡ、
Ａｇなどまたは金属光沢を有する有機薄膜例えばメタ
ン染料、キサンチン系染料などを用いることができそし
て（ｅ）、（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
下引層の膜厚はＩ］、１〜６０μｍ好ましくは０．２〜
１０μｍが適当である。ま九、保護層はキズ、ホコリ、
汚れなどからの保護および記録層の化学的安定性の向上
を目的として設けられ、その材料としては下引き層と同
じ材料を使用することができる。保護層の膜厚は０．１
μｍ以上好ましくは５０μｍ以上が適当である。
１０μｍが適当である。ま九、保護層はキズ、ホコリ、
汚れなどからの保護および記録層の化学的安定性の向上
を目的として設けられ、その材料としては下引き層と同
じ材料を使用することができる。保護層の膜厚は０．１
μｍ以上好ましくは５０μｍ以上が適当である。
次に、図面について本発明による光情報記録媒体の構成
を説明する。
を説明する。
第１図に示すように、本発明の光情報記録媒体は基本的
には基板１上に本発明の上記式〔Ｉ〕の化合物を含む記
録層２を設けたものである・また、記録層は光反射層と
光吸収層とを任意の順序で組合せた２層構成とすること
もできる。
には基板１上に本発明の上記式〔Ｉ〕の化合物を含む記
録層２を設けたものである・また、記録層は光反射層と
光吸収層とを任意の順序で組合せた２層構成とすること
もできる。
また、第２図ないし第４図に示すように第１図の構成の
ものにさらに下引層５および／または保護層４を設けた
構成とすることもできる。
ものにさらに下引層５および／または保護層４を設けた
構成とすることもできる。
また、下引層または保護層には安定前」、分散剤、難燃
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤なども含有
されていてもよい。
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤なども含有
されていてもよい。
さらに、本発明による光情報記録媒体の別の構成として
は、第１図ないし第４図に示した同一構成の２枚の記録
媒体（場合によシその１枚を基板のみとして）を用い記
録層２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にしてもよいし、保護層４ｔ−介して接着し
たいわゆる密着サンドイッチ構造（貼９合せ構造）にし
てもよい。
は、第１図ないし第４図に示した同一構成の２枚の記録
媒体（場合によシその１枚を基板のみとして）を用い記
録層２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にしてもよいし、保護層４ｔ−介して接着し
たいわゆる密着サンドイッチ構造（貼９合せ構造）にし
てもよい。
また、本発明による式ＣＤの化合物の合成例七以下に説
明するがこれは単に例示の目的のために掲げるものであ
ってこの合成例だけに限定されるものではない。
明するがこれは単に例示の目的のために掲げるものであ
ってこの合成例だけに限定されるものではない。
前記化合物例ＤＴ、の合成例を以下の反応式にしたがっ
て説明する。
て説明する。
合成例 １
２−（ブロモメチル）−１，３−ノオキソランとトリフ
ェニルホスフィンとから得たホスホラン２とアルデヒド
類とｆ Ｗｉｔｔｉｇ反応させるとＶｉｎｌｏｇｏｕｓ
なα、β−不飽和アルデヒドを得ることができる。この
反応を活用してジブロモベンズアルデヒドを２段階で化
合物６に転換する。
ェニルホスフィンとから得たホスホラン２とアルデヒド
類とｆ Ｗｉｔｔｉｇ反応させるとＶｉｎｌｏｇｏｕｓ
なα、β−不飽和アルデヒドを得ることができる。この
反応を活用してジブロモベンズアルデヒドを２段階で化
合物６に転換する。
１段階での収率約５５％。
次に、化合物３ｔ−Ｎｉ触媒の存在下水素を添加し化合
物４ｔ−得た。
物４ｔ−得た。
更に、化合物４にグリニヤール試薬ＣＨ，ＭＩＸ ｆ作
用させ、その生成物を加水分解して第２級アルコール５
ｔ−得、この化合物５を酸化して目的の化合物１を得た
。
用させ、その生成物を加水分解して第２級アルコール５
ｔ−得、この化合物５を酸化して目的の化合物１を得た
。
前記〔Ｉ〕で得られた化合物１と銅チオブチレート２倍
当量とをキノリン中２００℃で７時間反応させた。生成
物をさらに液体アンモニア中です） ＩＪウムと反応さ
せて化合物７ｔ−得た。
当量とをキノリン中２００℃で７時間反応させた。生成
物をさらに液体アンモニア中です） ＩＪウムと反応さ
せて化合物７ｔ−得た。
同様の方法でベンゼン１，２−ジチオレート見を得た。
無水エタノール中に金属カリウムを加え、カリウムエト
キシドを生成し等モルの化合物７および８を加えた。さ
らに、塩化ニッケルのエタノール溶液全７および８に等
モル加えた。
キシドを生成し等モルの化合物７および８を加えた。さ
らに、塩化ニッケルのエタノール溶液全７および８に等
モル加えた。
さらに、テトラブチルアンモニウムクロリドを加えた後
反応液を冷却し沈殿物をろ過した。得られた生成物をカ
ラムクロマトグラフィーにより分離して目的物見を得た
。
反応液を冷却し沈殿物をろ過した。得られた生成物をカ
ラムクロマトグラフィーにより分離して目的物見を得た
。
［１１１）
トリフェニルホスホラン１０ ｆｔ相当スるホスホニウ
ム塩とブチルリチウムをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ
）中で反応させて得た後、上記化合物見のＴＨＦ溶液を
滴下して室温で６時間攪拌した。
ム塩とブチルリチウムをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ
）中で反応させて得た後、上記化合物見のＴＨＦ溶液を
滴下して室温で６時間攪拌した。
このＷｉｔｔｉｇ反応で得た生成物を抽出し、クロロホ
ルム−メタノールよｐ再結晶し化合物９′５ｃ得た。収
率８５チ。
ルム−メタノールよｐ再結晶し化合物９′５ｃ得た。収
率８５チ。
閣
（化合物ＤＴ１）の合成
化合物ＤＴ。
化合物？（１モル）、１−エチル−２−（β−アセタニ
リドビニル） −５，５−ジメチルインドリウムパーク
ロレイトすなわち化合物１１（１，１モル）とトリエチ
ルアミン（２モル、Ｑ、５ｒｎｔ）をエタノール１０ｍ
に溶かして、１５分間還流した。反応混合物を一夜放置
後ろ過し、その抜水とエタノールで洗浄し乾燥して目的
の化合物ＤＴ１ｔｌ−得た。再結晶はメタノールで２回
行なった。収率６０％。
リドビニル） −５，５−ジメチルインドリウムパーク
ロレイトすなわち化合物１１（１，１モル）とトリエチ
ルアミン（２モル、Ｑ、５ｒｎｔ）をエタノール１０ｍ
に溶かして、１５分間還流した。反応混合物を一夜放置
後ろ過し、その抜水とエタノールで洗浄し乾燥して目的
の化合物ＤＴ１ｔｌ−得た。再結晶はメタノールで２回
行なった。収率６０％。
合成例 ２
上記合成例１において工程（Ｉ）および工程〔■〕の手
順を入れ換えて化合物ＤＴ１を合成した。この場合の反
応経路だけを示すと次の通りでちる。
順を入れ換えて化合物ＤＴ１を合成した。この場合の反
応経路だけを示すと次の通りでちる。
なお、本発明による式（１）の他の化合物も上記合成例
１および２に述べたと同様にして合成することができる
。
１および２に述べたと同様にして合成することができる
。
以下に実施例ｔ−あげて本発明をさらに説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
実施例 １
δ
前記化合物例ＤＴ、の１．４重量％２，２′−ジクロル
エタン溶液ｔ−ｇ裏し、この溶液をガラス基板上に塗布
し乾燥させて厚さ６００Ｘの記録層を形成し記録媒体を
作製した。
エタン溶液ｔ−ｇ裏し、この溶液をガラス基板上に塗布
し乾燥させて厚さ６００Ｘの記録層を形成し記録媒体を
作製した。
この記録媒体に５００ワツトのタングステンランプを用
いて５４０００ルクスの光を照射した後色素の吸収ピー
ク減少速度を測定した。この結果ｆｔＤＴ１のφ−Ｉ、
＝（／’部すなわち下記構造式を有するシアニン色素（
日本感光色素ＮＫ１２５）のみの場合と比較すると、減
少速度は相対値で０．２であった。さらに、同じ記録媒
体について再生光に対する安定性を確認したところ、上
記シアニン色素ＮＫ１２５ のものよ、９１０倍以上改
善された。
いて５４０００ルクスの光を照射した後色素の吸収ピー
ク減少速度を測定した。この結果ｆｔＤＴ１のφ−Ｉ、
＝（／’部すなわち下記構造式を有するシアニン色素（
日本感光色素ＮＫ１２５）のみの場合と比較すると、減
少速度は相対値で０．２であった。さらに、同じ記録媒
体について再生光に対する安定性を確認したところ、上
記シアニン色素ＮＫ１２５ のものよ、９１０倍以上改
善された。
実施例 ２〜２５
実施例１における化合物の代シに以下の表２に示した式
ＣＤの化合物を用いた以外には実施例１と同様にして各
記録媒体を作製した。各記録媒体についての吸収ピーク
減少速度および再生光に対する安定性を測定した結果を
以下の表２に示す。吸収ピーク減少速度は実施例１で述
べ之シアニン色素（ＮＫ１２５）・を１としてその相対
値を示した。
ＣＤの化合物を用いた以外には実施例１と同様にして各
記録媒体を作製した。各記録媒体についての吸収ピーク
減少速度および再生光に対する安定性を測定した結果を
以下の表２に示す。吸収ピーク減少速度は実施例１で述
べ之シアニン色素（ＮＫ１２５）・を１としてその相対
値を示した。
実施例 ２６
前記化合物例ＤＴ、の１．４ｊｔｉ％およびバインダー
としてニトロセルロースの１．４重量％、２゜２′−ジ
クロルエタン溶液全調製し、この溶液をガラス基板上に
塗布し乾燥させて厚さ１［］ＯＱＸの記録層を形成し記
録媒体を作製した。
としてニトロセルロースの１．４重量％、２゜２′−ジ
クロルエタン溶液全調製し、この溶液をガラス基板上に
塗布し乾燥させて厚さ１［］ＯＱＸの記録層を形成し記
録媒体を作製した。
この記録媒体に５００ワツトのタングステンランプを用
いて５４（１００ルクスの光を照射した後色素の吸収ピ
ーク減少速度を測定した。この結果ｔ−ＤＴ、のφ−Ｌ
＝Ｆ部すなわちシアニン色素（日本感光色素ＮＫ１２５
）のみの場合と比較すると減少速度は相対値で０．３で
あった。さらに同じ記録媒体について再生元に対する安
定性を確認したところ、上記シアニン色素ＮＫ１２５の
ものよυ８倍以上改善された。
いて５４（１００ルクスの光を照射した後色素の吸収ピ
ーク減少速度を測定した。この結果ｔ−ＤＴ、のφ−Ｌ
＝Ｆ部すなわちシアニン色素（日本感光色素ＮＫ１２５
）のみの場合と比較すると減少速度は相対値で０．３で
あった。さらに同じ記録媒体について再生元に対する安
定性を確認したところ、上記シアニン色素ＮＫ１２５の
ものよυ８倍以上改善された。
本発明の光情報記録媒体によれば、記録後の読み出し回
数の向上す４わち再生光に対する劣化防止、光に対する
保存性改良および製造工程の簡略化ならびに低コスト化
が達成できる。
数の向上す４わち再生光に対する劣化防止、光に対する
保存性改良および製造工程の簡略化ならびに低コスト化
が達成できる。
第１１図ないし第４図は本発明の光情報記録媒体の構成
を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・記録層、６・・・下引き層、４
・・・保護層。 特許出願人 株式会社 リ コ −手続補正書 昭和５９年１２月７３日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１９２６１５ 号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 １ｔ 所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号名称
（６７４）株式会社リ コ − ４、復代理人 一一一−Ｉ Ｚ補正の内容 １）第３頁下から第３行の「保存性」を「生保存性」と
補正します。 ２）第８頁第９行の「Ｒ１」を「Ｒ４」と補正します。 ５）第１０頁下から第５行のｌ’−（ＪＯ″″、ＢＦ−
Ｊを’ ［ＣｌＯ４”−１ＢＦ４−Ｊと補正します。 ４）第１１員第１０行の「耐光性」を「光に対する生保
存性」と補正します。 ５）第２１頁下から第６行の「ｎは整数」を「ｎは１〜
１２の整数」と補正します。 ６）第２１頁下から第２行の「化合物の」を「化合物」
と補正します。 ７ン 第５３頁第３行の「例えば」を「例えばナクリル
系樹脂」と補正します。 ８ン 第３３頁第９行の「ＴｉＮ、Ｊを「ＴｉＮ、 ５
ｉｘＮ５、」と補正します。 ９）第６７頁第４行の「ｖｌｎｌｏｇｏｕＳ」を「Ｖｉ
ｎｙｌｏｇｏｕｓ Ｊと補正します。 １０）第４１頁第１行の［（ＣＨ３） ３Ｎ Ｊを「（
Ｃ２Ｈ５）３Ｎ Ｊと補正します。 １１） 第４８頁第２行の「保存性」を「生保存性」
と補正します。 以上
を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・記録層、６・・・下引き層、４
・・・保護層。 特許出願人 株式会社 リ コ −手続補正書 昭和５９年１２月７３日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１９２６１５ 号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 １ｔ 所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号名称
（６７４）株式会社リ コ − ４、復代理人 一一一−Ｉ Ｚ補正の内容 １）第３頁下から第３行の「保存性」を「生保存性」と
補正します。 ２）第８頁第９行の「Ｒ１」を「Ｒ４」と補正します。 ５）第１０頁下から第５行のｌ’−（ＪＯ″″、ＢＦ−
Ｊを’ ［ＣｌＯ４”−１ＢＦ４−Ｊと補正します。 ４）第１１員第１０行の「耐光性」を「光に対する生保
存性」と補正します。 ５）第２１頁下から第６行の「ｎは整数」を「ｎは１〜
１２の整数」と補正します。 ６）第２１頁下から第２行の「化合物の」を「化合物」
と補正します。 ７ン 第５３頁第３行の「例えば」を「例えばナクリル
系樹脂」と補正します。 ８ン 第３３頁第９行の「ＴｉＮ、Ｊを「ＴｉＮ、 ５
ｉｘＮ５、」と補正します。 ９）第６７頁第４行の「ｖｌｎｌｏｇｏｕＳ」を「Ｖｉ
ｎｙｌｏｇｏｕｓ Ｊと補正します。 １０）第４１頁第１行の［（ＣＨ３） ３Ｎ Ｊを「（
Ｃ２Ｈ５）３Ｎ Ｊと補正します。 １１） 第４８頁第２行の「保存性」を「生保存性」
と補正します。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に、シアニン色素と遷移金属錯体とをメチレン基
で結合してなる下記式〔 I 〕で示される化合物を含む
記録層を有することを特徴とする、光情報記録媒体。 式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし、φおよびΨは同じかまたは異なつていてもよ
くそれぞれインドール環残基またはベンゾインドール環
残基を表わし、Ｌはモノカルボシアニン、ジカルボシア
ニン、トリカルボシアニンまたはテトラカルボシアニン
を形成するための連結基を表わし、Ｘ＾−は陰イオンを
表わし、ｍは０または１の整数であり、Ｔは遷移金属錯
体を表わし、ＬとＴとが各水素原子が置換される形でメ
チレン基に連結されておりそしてｎは１〜１２の整数で
ある〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192615A JPS6172586A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192615A JPS6172586A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6172586A true JPS6172586A (ja) | 1986-04-14 |
| JPH0558914B2 JPH0558914B2 (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=16294203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59192615A Granted JPS6172586A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6172586A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307985A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS6440389A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-10 | Taiyo Yuden Kk | Optical data recording medium |
| JPH02147286A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-06-06 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JP5407869B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2014-02-05 | コニカミノルタ株式会社 | 撥水または防汚性物品、それを用いて構成された建築用窓ガラス、車両用窓ガラス、ディスプレイ部材、光学部品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59190895A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-29 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS59192595A (ja) * | 1983-04-16 | 1984-10-31 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
-
1984
- 1984-09-17 JP JP59192615A patent/JPS6172586A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59190895A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-29 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS59192595A (ja) * | 1983-04-16 | 1984-10-31 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6440389A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-10 | Taiyo Yuden Kk | Optical data recording medium |
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| JP5407869B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2014-02-05 | コニカミノルタ株式会社 | 撥水または防汚性物品、それを用いて構成された建築用窓ガラス、車両用窓ガラス、ディスプレイ部材、光学部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558914B2 (ja) | 1993-08-27 |
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