JP2521702B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JP2521702B2 JP2521702B2 JP60088773A JP8877385A JP2521702B2 JP 2521702 B2 JP2521702 B2 JP 2521702B2 JP 60088773 A JP60088773 A JP 60088773A JP 8877385 A JP8877385 A JP 8877385A JP 2521702 B2 JP2521702 B2 JP 2521702B2
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はレーザ特に半導体レーザによる書込み記録に
適した光情報記録媒体に関する。
適した光情報記録媒体に関する。
従来、回転しているデイスク状の情報記録媒体にレー
ザ光を照射して情報の記録再生を行なう情報記録再生装
置が知られている。そして、この種の情報記録装置に用
いられる情報記録媒体としては基板上に金属系記録材料
からなる記録層を設けたものなどが提案されている。し
かし、これらは保存性が悪い、分解能が低い、記録密度
が低い、コスト高になるなどの欠点を有する。
ザ光を照射して情報の記録再生を行なう情報記録再生装
置が知られている。そして、この種の情報記録装置に用
いられる情報記録媒体としては基板上に金属系記録材料
からなる記録層を設けたものなどが提案されている。し
かし、これらは保存性が悪い、分解能が低い、記録密度
が低い、コスト高になるなどの欠点を有する。
そこで、本発明者等は種々検討の結果基板上に色素薄
膜を設けた場合に書き込み感度および反射率が向上し読
み出しのS/N比が高い記録媒体が得られることを見出し
既にそれを提案している。しかしながら、かかる記録媒
体は光および熱に対する安定性、記録後の再生光に対す
る保存性などがまだ充分でないのが現状である。
膜を設けた場合に書き込み感度および反射率が向上し読
み出しのS/N比が高い記録媒体が得られることを見出し
既にそれを提案している。しかしながら、かかる記録媒
体は光および熱に対する安定性、記録後の再生光に対す
る保存性などがまだ充分でないのが現状である。
本発明は上記現状に鑑みてなされたものであつて、そ
の目的はC/Nが高くしかも保存性特に光および熱に対す
る安定性の高い光情報記録媒体を提供することにある。
の目的はC/Nが高くしかも保存性特に光および熱に対す
る安定性の高い光情報記録媒体を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明者は多くの色素化
合物について種々検討した結果、インドール系シアニン
色素のメチン鎖中に環状構造を導入すると共にベンゼン
環上にハロゲンを含有させたことにより該シアニン色素
の光および熱に対する安定性をさらに向上できることを
見出し本発明をなすに至つた。
合物について種々検討した結果、インドール系シアニン
色素のメチン鎖中に環状構造を導入すると共にベンゼン
環上にハロゲンを含有させたことにより該シアニン色素
の光および熱に対する安定性をさらに向上できることを
見出し本発明をなすに至つた。
すなわち、本発明は以下の一般式で表わされる化合物
を光情報記録媒体の記録層に使用することにある。
を光情報記録媒体の記録層に使用することにある。
一般式 ただし、Ｙはハロゲン原子を表わし、ａは１〜４の整数
であり、R1およびR2は同じかまたは異なつていてもよく
それぞれはC1〜C5のアルキル基を表わし、R3はスルホニ
ル基もしくはカルボキシル基で置換されていてもよいC1
〜C10のアルキル基を表わしそしてＸ は過ハロゲン酸
イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオンまたはアルキル
硫酸イオンを表わしただしR3上の電荷により分子内塩を
形成する場合にはＸ は存在しない。Ａは式 で表わされ、R4は水素、ハロゲン原子、アミノ基または
アルカノイルオキシ基を表わし、Ｚは４〜８員環を形成
するのに必要な原子団を表わしそしてｍおよびｎはそれ
ぞれ０または１〜３の整数であるが０＜ｍ＋ｎ≦３の関
係をみたすことを条件とする。
であり、R1およびR2は同じかまたは異なつていてもよく
それぞれはC1〜C5のアルキル基を表わし、R3はスルホニ
ル基もしくはカルボキシル基で置換されていてもよいC1
〜C10のアルキル基を表わしそしてＸ は過ハロゲン酸
イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオンまたはアルキル
硫酸イオンを表わしただしR3上の電荷により分子内塩を
形成する場合にはＸ は存在しない。Ａは式 で表わされ、R4は水素、ハロゲン原子、アミノ基または
アルカノイルオキシ基を表わし、Ｚは４〜８員環を形成
するのに必要な原子団を表わしそしてｍおよびｎはそれ
ぞれ０または１〜３の整数であるが０＜ｍ＋ｎ≦３の関
係をみたすことを条件とする。
本発明の光情報記録媒体は基本的には基板上に上記一
般式の化合物を含む記録層だけを設けたものであるが、
目的に応じて基板と記録層との間に下引き層をまた記録
層の上に保護層を設けてもよい。また、基板または、下
引き層には案内溝が形成されていることが好ましい。さ
らに、このようにして構成された記録媒体をエアーサン
ドイツチ構造や貼り合せ構造にして使用することもでき
る。
般式の化合物を含む記録層だけを設けたものであるが、
目的に応じて基板と記録層との間に下引き層をまた記録
層の上に保護層を設けてもよい。また、基板または、下
引き層には案内溝が形成されていることが好ましい。さ
らに、このようにして構成された記録媒体をエアーサン
ドイツチ構造や貼り合せ構造にして使用することもでき
る。
本発明の記録層として用いられる一般式の化合物はイ
ンドール系シアニン色素のメチン鎖中に記号Ａで表わさ
れる環状構造を導入すると共にベンゼン環上にハロゲン
Ｙを含有させたことを特徴とするものである。前記環状
構造（Ａ）の代表的な例を以下にあげる。またハロゲン
（Ｙ）としてはCl、Br、Ｉ等があげられる。
ンドール系シアニン色素のメチン鎖中に記号Ａで表わさ
れる環状構造を導入すると共にベンゼン環上にハロゲン
Ｙを含有させたことを特徴とするものである。前記環状
構造（Ａ）の代表的な例を以下にあげる。またハロゲン
（Ｙ）としてはCl、Br、Ｉ等があげられる。
さらに、本発明の色素化合物の具体例の１例をあげる
が、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
が、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
本発明の上記一般式の化合物は単独で記録層を構成す
ることができるが、これ以外に他の色素、バインダー、
可塑剤、界面活性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定
剤、分散剤、酸化防止剤、架橋剤などを含有していても
よい。また、以下に示すような金属錯体を添加すること
により記録媒体の光に対する安定性をさらに向上させる
ことができる。金属錯体の中心金属としてはNi、Co、C
u、Mn等が好ましく、特に、下記の化合物が好適であ
る。
ることができるが、これ以外に他の色素、バインダー、
可塑剤、界面活性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定
剤、分散剤、酸化防止剤、架橋剤などを含有していても
よい。また、以下に示すような金属錯体を添加すること
により記録媒体の光に対する安定性をさらに向上させる
ことができる。金属錯体の中心金属としてはNi、Co、C
u、Mn等が好ましく、特に、下記の化合物が好適であ
る。
１）アセチルアセトナートキレート系 Q1-1 Ni（II）アセチルアセトナート Q1-2 Cu（II）アセチルアセトナート Q1-3 Mn（III）アセチルアセトナート Q1-4 Co（II）アセチルアセトナート ２）下記式で示されるビスジチオ−α−ジケトン系 ここに、R(1)〜R(4)は、置換ないし非置換のアルキル
基またはアリール基を表わし、Ｍは、Ni、Co、Cu、Pd、
Pt等の遷移金属原子を表わす。
基またはアリール基を表わし、Ｍは、Ni、Co、Cu、Pd、
Pt等の遷移金属原子を表わす。
この場合、Ｍは一電荷をもち、４級アンモニウムイオ
ン等のカチオン（Cat）と塩を形成してもよい。
ン等のカチオン（Cat）と塩を形成してもよい。
なお、以下の記載において、Phはフエニル基、φは1,
4−フエニレン基、φ′は1,2−フエニレン基、benzは環
上にてとなりあう基が互いに結合して縮合ベンゼン環を
形成することを表わすものである。
4−フエニレン基、φ′は1,2−フエニレン基、benzは環
上にてとなりあう基が互いに結合して縮合ベンゼン環を
形成することを表わすものである。
３）下記式で示されるビスフエニルジチオール系 ここに、R(5)およびR(6)は、水素またはメチル基など
のアルキル基、あるいはClなどのハロゲン原子等を表わ
し、 Ｍは、Ni、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金属原子を表わ
す。
のアルキル基、あるいはClなどのハロゲン原子等を表わ
し、 Ｍは、Ni、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金属原子を表わ
す。
また、上記構造のＭは一電荷をもつて、カチオン（Ca
t）と塩を形成してもよく、さらにはＭの上下には、さ
らに他の配位子が結合していてもよい。
t）と塩を形成してもよく、さらにはＭの上下には、さ
らに他の配位子が結合していてもよい。
このようなものとしては、下記のものがある。
４）下記式で示されるジチオカルバミン酸キレート系 ここに、R(9)およびR(10)はアルキル基を表わす。ま
た、ＭはNi、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金属原子を表わ
す。
た、ＭはNi、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金属原子を表わ
す。
５）下記式で示される化合物 ここに、Ｍは、遷移金属原子を表わし、Q1は、 を表わし、Catは、カチオンを表わす。
６）下記式で示される化合物 ここに、 Ｍは、遷移金属原子を表わし、 Ａは、Ｓ、 を表わし、 R(11)およびR(12)は、それぞれ、CN、COR(13)、COOR
(14)、CONR(15)、R(16)またはSO2R(17)を表わし、 R(13)〜R(17)は、それぞれ、水素原子または置換もし
くは非置換のアルキル基もしくはアリール基を表わし、 Q2は、５員または６員環を形成するのに必要な原子群
を表わし、 Catは、カチオンを表わし、 ｎは１または２である。
(14)、CONR(15)、R(16)またはSO2R(17)を表わし、 R(13)〜R(17)は、それぞれ、水素原子または置換もし
くは非置換のアルキル基もしくはアリール基を表わし、 Q2は、５員または６員環を形成するのに必要な原子群
を表わし、 Catは、カチオンを表わし、 ｎは１または２である。
７）下記式で示されるチオカテコールキレート系 ここに、Ｍは、Ni、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金属原子
を表わす。
を表わす。
また、Ｍは一電荷をもち、カチオン（Cat）と塩を形
成していてもよく、ベンゼン環は置換基を有していても
よい。
成していてもよく、ベンゼン環は置換基を有していても
よい。
上記例示の金属錯体の他にサリチルアルデヒドオキシ
ム系錯体、チオビスフエノール系錯体、スルホン酸系錯
体、チオメチルピリジン系錯体、アミノチオール系錯体
およびジアミン系錯体なども用いることができる。さら
に、ベンゾエート系化合物やヒンダードアミン系化合物
も用いられる。
ム系錯体、チオビスフエノール系錯体、スルホン酸系錯
体、チオメチルピリジン系錯体、アミノチオール系錯体
およびジアミン系錯体なども用いることができる。さら
に、ベンゾエート系化合物やヒンダードアミン系化合物
も用いられる。
上記金属錯体は本発明の色素化合物１モルに対し0.05
〜1.0モルの量で加えることが好ましい。また、金属錯
体以外に、芳香族スルホン酸のニツケル塩例えばパラト
ルエンスルホン酸ニツケル、２−ヒドロキシ−４−メト
キシベンゾフエノン−５−スルホン酸ニツケルなども効
果的である。
〜1.0モルの量で加えることが好ましい。また、金属錯
体以外に、芳香族スルホン酸のニツケル塩例えばパラト
ルエンスルホン酸ニツケル、２−ヒドロキシ−４−メト
キシベンゾフエノン−５−スルホン酸ニツケルなども効
果的である。
本発明による記録層の形成には種々の方法が適用され
うるが上記一般式の化合物自体昇華性が低いために蒸着
とかスパツタリングなどの方法は好ましくなく通常溶媒
を用いるコーテイング法を適用することが好ましい。ま
た、溶媒としては例えばメタノール、メチレンジクロラ
イド、1,2−ジクロロエタンなどをあげることができ
る。
うるが上記一般式の化合物自体昇華性が低いために蒸着
とかスパツタリングなどの方法は好ましくなく通常溶媒
を用いるコーテイング法を適用することが好ましい。ま
た、溶媒としては例えばメタノール、メチレンジクロラ
イド、1,2−ジクロロエタンなどをあげることができ
る。
また、本発明における記録層の膜厚は35〜100nm好ま
しくは40〜70nmの範囲とされる。これより薄すぎると反
射吸収が小さすぎ、一方これより厚すぎると記録に必要
なエネルギーが増大し信号が劣化する。
しくは40〜70nmの範囲とされる。これより薄すぎると反
射吸収が小さすぎ、一方これより厚すぎると記録に必要
なエネルギーが増大し信号が劣化する。
次に、図面を参照して本発明の光情報記録媒体の構成
を例示する。
を例示する。
第１図に示すように、本発明の記録媒体の好ましい例
は基板１上に形成された案内溝３の上に記録層２を塗設
したものである。基板としては記録媒体に従来用いられ
ているものならどれでも用いることができるが、基板を
通して記録再生が行なわれる場合はレーザ光に対して透
明である必要がある。
は基板１上に形成された案内溝３の上に記録層２を塗設
したものである。基板としては記録媒体に従来用いられ
ているものならどれでも用いることができるが、基板を
通して記録再生が行なわれる場合はレーザ光に対して透
明である必要がある。
また、第２図は基板１と記録層２の間にさらに下引き
層４を設けた例を示すものである。下引き層は例えば光
硬化性樹脂などによつて形成することができる。この下
引き層４には案内溝３が設けられている。また、図示は
していないが必要に応じて記録層２の上に保護層を設け
てもよい。
層４を設けた例を示すものである。下引き層は例えば光
硬化性樹脂などによつて形成することができる。この下
引き層４には案内溝３が設けられている。また、図示は
していないが必要に応じて記録層２の上に保護層を設け
てもよい。
また、第３図は本発明による記録媒体の別の例である
いわゆるエアーサンドイツチ構造を示す。これは第１図
に示すような構成の記録媒体を記録層２が内側になるよ
うに基板１と対向させスペーサ５を使用して封入一体化
させたものである。対向する基板１は単なる基板でもよ
いしあるいはその上に記録層を設けたものでもよい。ま
た、第１図の構成の記録層２をカバーするように保護板
を設けた単板構造にすることもできる。
いわゆるエアーサンドイツチ構造を示す。これは第１図
に示すような構成の記録媒体を記録層２が内側になるよ
うに基板１と対向させスペーサ５を使用して封入一体化
させたものである。対向する基板１は単なる基板でもよ
いしあるいはその上に記録層を設けたものでもよい。ま
た、第１図の構成の記録層２をカバーするように保護板
を設けた単板構造にすることもできる。
情報の記録は、レーザ光の熱作用による記録層へのピ
ツト形成によつて行なわれ、情報の再生は、ピツト形成
部と非ピツト形成部からの反射光の差を検出することに
よつて行なわれる。
ツト形成によつて行なわれ、情報の再生は、ピツト形成
部と非ピツト形成部からの反射光の差を検出することに
よつて行なわれる。
以下に比較例とともに実施例をあげて本発明をさらに
説明するが、本発明はこれらの実施例によつて限定され
るものではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例によつて限定され
るものではない。
実施例１ 光硬化性樹脂による下引き層を設けたアクリル基板上
に、化合物No.D1の0.8％ジクロルエタン溶液を回転塗布
した。乾燥後、膜厚60nmの記録層を形成した。
に、化合物No.D1の0.8％ジクロルエタン溶液を回転塗布
した。乾燥後、膜厚60nmの記録層を形成した。
この記録媒体に、波長790nmの半導体レーザを用いて
ビーム径1.0μｍ、記録面レーザパワー2.5mWで1MHzの信
号を記録した後、0.2mWのレーザ光で読みだしたところ5
3dB（IFバンド幅30KHz）のC/Nが得られた。
ビーム径1.0μｍ、記録面レーザパワー2.5mWで1MHzの信
号を記録した後、0.2mWのレーザ光で読みだしたところ5
3dB（IFバンド幅30KHz）のC/Nが得られた。
この記録媒体を、100℃のオーブン中に500時間放置し
た後790nmでの光学濃度を測定したところ、初期値に対
し、95％に低下した。また50000ルツクスのタングステ
ン光に48時間暴露したところ、光学濃度は初期値の90％
に低下した。
た後790nmでの光学濃度を測定したところ、初期値に対
し、95％に低下した。また50000ルツクスのタングステ
ン光に48時間暴露したところ、光学濃度は初期値の90％
に低下した。
実施例２〜28 以下の表１に示す条件にしたがつて実施例１と同様に
して各記録媒体を作製して評価を行いその結果を以下の
表にまとめて示す。
して各記録媒体を作製して評価を行いその結果を以下の
表にまとめて示す。
比較例１〜３ 以下の表２に示す条件にしたがつて実施例１と同様に
して各記録媒体を作製して評価を行いその結果を以下の
表２にまとめて示す。表においてCD-1、CD-2およびCD-3
の化合物は以下の一般式で表わされる。
して各記録媒体を作製して評価を行いその結果を以下の
表２にまとめて示す。表においてCD-1、CD-2およびCD-3
の化合物は以下の一般式で表わされる。
〔効果〕 本発明の光情報記録媒体は保存性特に熱および光に対
する安定性が高いという効果を有する。
する安定性が高いという効果を有する。
第１図ないし第３図は本発明の光情報記録媒体の構成例
を示す断面図である。 １……基板、２……記録層、３……案内溝、４……下引
き層、５……スペーサ。
を示す断面図である。 １……基板、２……記録層、３……案内溝、４……下引
き層、５……スペーサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安倍 通治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 昭59−198193（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−192595（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−67092（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−55793（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−188855（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−171690（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−11292（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−16894（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−239443（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−213193（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 〔式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、ａは１〜４の整数
であり、R1およびR2は同じかまたは異なっていてもよく
それぞれはC1〜C5のアルキル基を表わし、R3はスルホニ
ル基もしくはカルボキシ基で置換されていてもよいC1〜
C10のアルキル基を表わしそしてＸ は過ハロゲン酸イ
オン、ｐ−トルエンスルホン酸イオンまたはアルキル硫
酸イオンを表わし、ただしR3上の電荷により分子内塩を
形成する場合にはＸ は存在しない、Ａは式 を表わし、R4は水素、ハロゲン原子、アミノ基またはア
ルカノイルオキシ基を表わし、Ｚは４〜８員環を形成す
るのに必要な原子団を表わし、そしてｍおよびｎはそれ
ぞれ０または１〜３の整数であるが、０＜ｍ＋ｎ≦３の
関係をみたすことを条件とする〕で表わされる化合物を
含む記録層を有することを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60088773A JP2521702B2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60088773A JP2521702B2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248789A JPS61248789A (ja) | 1986-11-06 |
| JP2521702B2 true JP2521702B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=13952169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60088773A Expired - Lifetime JP2521702B2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2521702B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8712151D0 (en) * | 1987-05-22 | 1987-06-24 | Minnesota Mining & Mfg | Dyes |
| JPH074977B2 (ja) * | 1987-08-05 | 1995-01-25 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
| JPS6440384A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | Taiyo Yuden Kk | Optical data recording medium |
| JPH074979B2 (ja) * | 1987-08-05 | 1995-01-25 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
| JPH074978B2 (ja) * | 1987-08-05 | 1995-01-25 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
| JPS6440386A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | Taiyo Yuden Kk | Optical data recording medium |
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-
1985
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Also Published As
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