JPS60171690A - 磁気バブル記憶素子 - Google Patents
磁気バブル記憶素子Info
- Publication number
- JPS60171690A JPS60171690A JP59028047A JP2804784A JPS60171690A JP S60171690 A JPS60171690 A JP S60171690A JP 59028047 A JP59028047 A JP 59028047A JP 2804784 A JP2804784 A JP 2804784A JP S60171690 A JPS60171690 A JP S60171690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cusp
- magnetic bubble
- generator
- allowance
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は磁気バブル記憶素子に係シ、特にイオン注入に
より磁気バブル転送路を形成するイオン注入磁気バブル
記憶素子に適用しうる磁気バブル発生器の改良に関する
。
より磁気バブル転送路を形成するイオン注入磁気バブル
記憶素子に適用しうる磁気バブル発生器の改良に関する
。
〈従来技術〉
イオン注入磁気バブル記憶素子は高度な微細加工技術を
心安とせずに、高密度化、大容量化が実現できるものと
して近年注目を集めている。その技術的詳細は、例えば
Ｔ、Ｊ、 Ｎｅ１ｓｏｎ、 ｅｔ、 ａｌ。
心安とせずに、高密度化、大容量化が実現できるものと
して近年注目を集めている。その技術的詳細は、例えば
Ｔ、Ｊ、 Ｎｅ１ｓｏｎ、 ｅｔ、 ａｌ。
Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ Ｂｕｂｂｌｅ Ｄｅｖｉｃｅ Ｅ
ｌｅｍｅｎｔｓ Ｅｍ −ｐｌｏｙｉｎｇ Ｉｏｎ−Ｉ
ｍｐｌａｎｔｅｄ Ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ Ｐａｔｔ
ｅｒｎｓ”Ｂｅ１ｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｊｏｕｒｎａｌ、 Ｖａｔ、 ５９゜Ｎｏ、 ２
Ｐ、 ２２９〜２５７に述べられている。
ｌｅｍｅｎｔｓ Ｅｍ −ｐｌｏｙｉｎｇ Ｉｏｎ−Ｉ
ｍｐｌａｎｔｅｄ Ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ Ｐａｔｔ
ｅｒｎｓ”Ｂｅ１ｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｊｏｕｒｎａｌ、 Ｖａｔ、 ５９゜Ｎｏ、 ２
Ｐ、 ２２９〜２５７に述べられている。
第１図は前記文献にも記載されている従来のイオン注入
磁気バブル記憶素子用発生器の平面図である。この発生
器はイオン注入された面内磁化層で囲まれてコンティギ
ュアス・ディスク形状にバタン化されたメジャ転送路１
と、ヘアピン形状の導体バタン２とから構成されている
。導体２にパルス電流を流しメジャ転送路１のカスプ部
３に誘起される局所磁場と、メジャ転送路１に沿った面
内磁化層に形成されるチャーシト・ウオールと呼ばれる
磁極からの磁場とにより、カスプ部３直下の垂直膜の異
方性エネルギーＫｕを上廻るエネルギーが与えられ磁化
反転が起こり、磁気ノ（プルが発生する。
磁気バブル記憶素子用発生器の平面図である。この発生
器はイオン注入された面内磁化層で囲まれてコンティギ
ュアス・ディスク形状にバタン化されたメジャ転送路１
と、ヘアピン形状の導体バタン２とから構成されている
。導体２にパルス電流を流しメジャ転送路１のカスプ部
３に誘起される局所磁場と、メジャ転送路１に沿った面
内磁化層に形成されるチャーシト・ウオールと呼ばれる
磁極からの磁場とにより、カスプ部３直下の垂直膜の異
方性エネルギーＫｕを上廻るエネルギーが与えられ磁化
反転が起こり、磁気ノ（プルが発生する。
しかし、この発生器ではパルス電流振幅値が大きくなっ
たり、垂直磁化膜の異方性エネルギーＫｕが太きく低下
するような素子温度上昇があると、次のような不具合が
生じる。第１図に示した発生器を１μｍ径磁気バブル素
子に適用すると、通常カスプ幅ａｌ（図示）は１０μｍ
程度の微細寸法が必要となる。そのため本来パルス電流
を流すことによってメジャ転送路１のカスプ部３にのみ
しか磁気バブルが発生してはいけないにも拘らず、前詰
力スズ部３と近接対向している反対側のカスプ部４に、
導体２からの磁場が漏洩し不要な磁気ノくプルを発生さ
せてしまう。特に高温になると異方性エネルギーＫｕが
小さくなるためこの漏洩磁場が僅かであっても、容易に
不要磁気ノ（プルが発生する。又、導体２がメジャ転送
路１にくい込むような両者間の目合せズレが起こると、
この漏洩磁場はさらに大きくなり、一層不要磁気バプル
の発生が起こり易くなる。不要磁気バブルはメジャ転送
路１と反対側の転送路５を転送して行き、やがて本来の
データ列に侵入して書込みエラーを起こす。このように
第１図に示した従来の発生器では、パルス電流振幅値を
犬きくすることができず、振幅値余裕度が狭いという欠
点を有している。又目合ぜズレ余裕度が狭いという欠点
も有している。
たり、垂直磁化膜の異方性エネルギーＫｕが太きく低下
するような素子温度上昇があると、次のような不具合が
生じる。第１図に示した発生器を１μｍ径磁気バブル素
子に適用すると、通常カスプ幅ａｌ（図示）は１０μｍ
程度の微細寸法が必要となる。そのため本来パルス電流
を流すことによってメジャ転送路１のカスプ部３にのみ
しか磁気バブルが発生してはいけないにも拘らず、前詰
力スズ部３と近接対向している反対側のカスプ部４に、
導体２からの磁場が漏洩し不要な磁気ノくプルを発生さ
せてしまう。特に高温になると異方性エネルギーＫｕが
小さくなるためこの漏洩磁場が僅かであっても、容易に
不要磁気ノ（プルが発生する。又、導体２がメジャ転送
路１にくい込むような両者間の目合せズレが起こると、
この漏洩磁場はさらに大きくなり、一層不要磁気バプル
の発生が起こり易くなる。不要磁気バブルはメジャ転送
路１と反対側の転送路５を転送して行き、やがて本来の
データ列に侵入して書込みエラーを起こす。このように
第１図に示した従来の発生器では、パルス電流振幅値を
犬きくすることができず、振幅値余裕度が狭いという欠
点を有している。又目合ぜズレ余裕度が狭いという欠点
も有している。
〈目 的〉
本発明の目的は、かかる発生器の欠点を除去し、広い温
度範囲に亘って、充分な発生器パルス振幅余裕度を有し
、又、目合せズレ余裕度の大きい磁気バブル記憶素子を
提供することにある。
度範囲に亘って、充分な発生器パルス振幅余裕度を有し
、又、目合せズレ余裕度の大きい磁気バブル記憶素子を
提供することにある。
〈構 成〉
本発明はイオン注入法により形成されたカスプ部と、と
のカスプ部を囲むように敷設されたヘアピン形状導体バ
タンと、上記カスプ部の非イオン注入領域を挾んで対向
する場所にディップ部が位置するようにバタン形成され
た磁気バブル転送路とからなる磁気バブル発生器を具備
することによシ達成される。
のカスプ部を囲むように敷設されたヘアピン形状導体バ
タンと、上記カスプ部の非イオン注入領域を挾んで対向
する場所にディップ部が位置するようにバタン形成され
た磁気バブル転送路とからなる磁気バブル発生器を具備
することによシ達成される。
〈実施例〉
す、下、図面を用いて本発明の実施例につき詳細に説明
する。第２図は本発明による磁気バブル記憶素子の発生
器の平面図である。第１図に示した発生器と異なる点は
、イオン注入バタンか従来はカスプ部同士が対向してい
るのに対し、本発明のものはメジャ転送路１のカスプ部
３と反対側転送路５のカスプ部４及び４′とが互いに半
周期すれたスタガー状に対向していることである。導体
２の形状及びメジャ転送路１のカスプ部３に対する位置
は従来のものと同じであるが、転送路がスタガー状とな
っているため、カスプ部３の非イオン注入領域を挾んで
対向する位置にはふくらみをもつティップ部６が存在し
ている。この発生器を１μｍ径磁気バブル記憶素子に適
用した場合でもカスプ部３とティップ部６間距Ｍａ２（
図示）は２．０μｍという従来に比べて大きな寸法が確
保される。
する。第２図は本発明による磁気バブル記憶素子の発生
器の平面図である。第１図に示した発生器と異なる点は
、イオン注入バタンか従来はカスプ部同士が対向してい
るのに対し、本発明のものはメジャ転送路１のカスプ部
３と反対側転送路５のカスプ部４及び４′とが互いに半
周期すれたスタガー状に対向していることである。導体
２の形状及びメジャ転送路１のカスプ部３に対する位置
は従来のものと同じであるが、転送路がスタガー状とな
っているため、カスプ部３の非イオン注入領域を挾んで
対向する位置にはふくらみをもつティップ部６が存在し
ている。この発生器を１μｍ径磁気バブル記憶素子に適
用した場合でもカスプ部３とティップ部６間距Ｍａ２（
図示）は２．０μｍという従来に比べて大きな寸法が確
保される。
そのため多少の目合せズレが生じてもなお、ヘアピン形
状導体２からの漏洩磁場の影響を及ぼす範囲を、非イオ
ン注入頭載内圧とどめることができる。該領域では面内
磁化層がなく、又チャーシト・ウオールも形成されない
ため、不要磁気バブルの発生は極めて起こり難くなって
いる。
状導体２からの漏洩磁場の影響を及ぼす範囲を、非イオ
ン注入頭載内圧とどめることができる。該領域では面内
磁化層がなく、又チャーシト・ウオールも形成されない
ため、不要磁気バブルの発生は極めて起こり難くなって
いる。
第３図は本実施例による発生器のパルス電流振幅余裕度
を示す特性図で、縦軸にバイアス磁場をとっている。高
振幅値での低ＨＢ側に示しだ斜線領域が不要バブル発生
による誤動作領域である。
を示す特性図で、縦軸にバイアス磁場をとっている。高
振幅値での低ＨＢ側に示しだ斜線領域が不要バブル発生
による誤動作領域である。
破線で示した従来のものに比べ、実線で示した本発明に
よる発生器は高振幅値でも不要バブルの発生が抑止され
ており、充分な振幅余裕度が得られている。
よる発生器は高振幅値でも不要バブルの発生が抑止され
ており、充分な振幅余裕度が得られている。
第４図は本発明による第二の実施例の発生器の平面図で
ある。第一の実施例と異なる点は、発生器カスプ部３と
反対側の転送路バタン５が倍周期となっていることであ
る。そのため第一の実施例同様、発生器力スズ部３の非
イオン注入領域を挾んで対向する位置にはふくらみをも
つティップ部６が存在してお）、不要磁気バブルの発生
が抑止されている。
ある。第一の実施例と異なる点は、発生器カスプ部３と
反対側の転送路バタン５が倍周期となっていることであ
る。そのため第一の実施例同様、発生器力スズ部３の非
イオン注入領域を挾んで対向する位置にはふくらみをも
つティップ部６が存在してお）、不要磁気バブルの発生
が抑止されている。
く効 果〉
以上説明したように、本発明によれば広い温度範囲に亘
って充分な発生器パルス電流振幅余裕度を有する高信頼
性磁気バブル記憶素子が実現でき、又目金せ余裕度も大
きく工業的に有効となる。
って充分な発生器パルス電流振幅余裕度を有する高信頼
性磁気バブル記憶素子が実現でき、又目金せ余裕度も大
きく工業的に有効となる。
第１図は従来の磁気バブル記憶素子に用いられている発
生器の平面図、第２図、第４図は本発明の実施例を示す
平面図、第３図は発生器パルス電流振幅余裕度を示す特
性図である。なお図において、 １・・・・・・メジャ転送路、２・・・・・・ヘアピン
形状導体、３．４．４’・・・・・・カスブ部、５・・
・・・・転送路、６・・・・・・ティップ部 である。 寮 １ ヅ 第２鉗
生器の平面図、第２図、第４図は本発明の実施例を示す
平面図、第３図は発生器パルス電流振幅余裕度を示す特
性図である。なお図において、 １・・・・・・メジャ転送路、２・・・・・・ヘアピン
形状導体、３．４．４’・・・・・・カスブ部、５・・
・・・・転送路、６・・・・・・ティップ部 である。 寮 １ ヅ 第２鉗
Claims (1)
- イオン注入法により形成されたカスプ部と、前記カスプ
部を囲むように敷設されたヘアピン形状導体バタンと、
前記カスプ部の非イオン注入領域を挾んで対向する場所
にティップ部が位置するようにバタン形成された磁気パ
ズル転送路とからなる磁気バブル発生器を具備したこと
を特徴とする磁気バブル記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59028047A JPS60171690A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 磁気バブル記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59028047A JPS60171690A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 磁気バブル記憶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60171690A true JPS60171690A (ja) | 1985-09-05 |
Family
ID=12237832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59028047A Pending JPS60171690A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 磁気バブル記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60171690A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248789A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| US4720814A (en) * | 1985-05-21 | 1988-01-19 | Commissariat A L'energie Atomique | Magnetic bubble generator for bubble memory in hybrid technology |
-
1984
- 1984-02-17 JP JP59028047A patent/JPS60171690A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248789A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| US4720814A (en) * | 1985-05-21 | 1988-01-19 | Commissariat A L'energie Atomique | Magnetic bubble generator for bubble memory in hybrid technology |
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