JPS59116984A - イオン注入バブルデバイスのブロツクレプリケ−タ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明はイオン注入法で作成される磁何バブルメモリデ
バイスにおけるブロックレプリケータに関するもめであ
る。

（２）技術の背景 磁グバブルを利用して情報の蓄椿、論理演算等を行なう
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度、低消費
電、力、機械的要素を全く含ｔない固体素子である等の
特徴をもち、大容量メモリとして将来が期待されている
。このようなｓ５バブルメモリ装置にも最近の情報量の
増加、装置の小型化要求などにより記憶密度の向上が求
められている。このため最近、バブル転送路をイオン注
入法により形成して記憶密度を高度化する方法が開発さ
れている、 この方法は第１図ａの平面図及び第１図すの断面図に示
す如く、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板１の
上にバブル用結晶となる磁性ガーネットの薄膜２を液相
エピタキシャル成長法により形成し、この磁性薄膜２に
対し、駆動パターン３以外の部分４に水素、ネオン、ヘ
リウム等のイオンを注入したものである。このようにし
て駆動パターン３を形成［，７た素子はイオンを注入さ
れた部分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と
一致し１、駆ｌ１７ｊパターン部分３の磁化容易軸方向
は矢印すの如くもとの壕まの面内方向と垂直である。従
ってバイアス磁界及び回転駆動磁界を印加することによ
りバブル５は駆動パターン３の周縁に沿って矢印Ｃの如
く転送される。そしてこのパターンは円形や４角形等か
らなる小領域パターンをその一部が重なるようにして列
状に並べた形状（連接ディスクパターン）であり、従来
のパーマロイパターンの如くギャップを必要としないｆ
ｒめ寸法精度が緩くとも良く、従ってパターンが小さく
でき高密度化が実現される。

このようなイオン注入バブルデバイスにおいて、メジャ
ーマイナー構成の場合にはブロックレプリケータを必要
とするが従来のプロノクレブリケータテハハフルを切断
するときのカットパルス幅マージンが狭いという欠点が
あった。

（３）従来技術と問題点 第２図は、従来のフロックレプリケータを説明するため
の図であり、ａはその平面図、ｂは印加パルスの波形図
を示す。同図において６はメジャーライン、７はマイナ
ーループ、８はメジャーラインドマイナーループｖＣ’
ｔ　ｆｔがるー、アピン状のコンダクタパターン、９は
バブル切断用、に設けられた領域である。このレプリケ
ータの作用は、バブルがマイナーループの先端ｄ部に来
たときコンダクタパターンにｂ図に示すパルス電流を印
加すると、そのＰｌ　のパルスによってバブルはマイナ
ーループの先端ｄ部とメジャ−ラインのカスブｅ部との
間に引き延はされる。次いで逆極性のパルスＰ・２によ
ってバブルは２つに分割され、それぞれパルスＰ３によ
って保持されたのち、マイナーループのｄ部及びメジャ
ーラインのｅ部へそれぞれ吸着される。この場合、力、
ノドパルスＰ２は５０　ｎｓ以下と短かくする必要があ
るためパルス幅マージンが狭いという欠点があった。

（４）発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、イオン注入バブルデバ
イスにおいて、パルス幅マージンノ広いフロックレプリ
ケータを提供することを目的とするものである。

（５）発明の構成 そしてこの目的は本発明によれは、磁気バブル用結晶上
にイオン注入によるバブルの駆動層を形成したメジャー
マイナー構成のイオン注入磁父バブルデバイスにおける
フロックレプリケータであっテ、メジャー、マイナー間
にまたがってバブル切断用するためのヘアピン状コンダ
クタパターンを有し、該コンダクタパターンはその途中
を折曲してバブルを切断するための磁界ができるような
迂回路を形成し７ていることを特徴とするイオン注入磁
父バブルテバイスのブロックレプリケータを提供するこ
とによって達成される。

（６）発明の実施例 以下本発明実施例を図面によって詳述する。

第３図は本発明によるイオン注入磁気バブルデバイスの
ブロックレプリケータを説明するための図である。同図
において、ｌｏはメジャーライン、１１はマイナールー
プ、１２はコンダクタパターンをそれぞれ示す。本実施
例はメジャーライン１０のカスブ１０ａとマイナールー
プ１１のカスブｌｌａとをむすんでヘアピン状のコンダ
クタパターン１２が設けられ、該コンダクタパターンは
その途中をコ字状に折曲し、て迂回路１２ａを形成して
いる。

このように構成された本実施例のレブＩＪケート動作に
ついて第４図を用いて説明する。同図においてａ　−ｅ
は動作順序、ａ′〜ｅ′はａ　−ｅに対応する。駆膨１
磁界の方向、ｆは印加パルスの波形をそれぞれ示し、１
０はメジャーライン、１１はマイナーループ、１２はコ
ンダクタパターン、ＨＢはバイアス磁界、１３はバフル
をそれぞれ示す。

先ずａ　、　ａ’図の如く、駆動磁界が矢印方向のとき
にマイナーループ１１のカスブにバブル１３が転送され
て来る。そしてｂ　、　ｂ’図の如く駆動磁界が矢印方
向に来たときにコンダクタパターン１２に矢印方向にパ
ルスＡを印加する。しかるときはバブル１３はコンダク
タパターン１２の内側に沿ってメジャーラインのカスブ
１０ａまで引き伸ばされる。パルスＡが終り、駆動磁界
がＣ′の位置に来ると０図の如く引き伸ばされていたバ
ブル１３は縮小しようとしてコンダクタパターン１２の
迂回路１２ａから外れ直線に近づく。ここでｄ　、　ｄ
’図の如く、駆動磁界が矢印方向のときにコンダクタパ
ターン１２に矢印方向にパルスＢを印加する。しかると
きは迂回路１２ａの内側のコンダクタパターンの外側１
２ｂ部分がバブルをコラップスする方向の磁界を生ずる
ため、この部分でバブル１３は切断され１３′と１３“
になる。そしてｅ　、　ｅ’図の如くパルスＢが終−リ
１ｊ枢動磁界がｅ′図の方向になるとバブル１３′及び
１３“はそれぞれ縮小シ２．てマイナーループのカスブ
ｌｌａ。とメジャーラインのカスブ１０ａにそれぞれ吸
着されレプリケート動作は終了する、 この場合、バブルを切断するためのカットパルスは必要
とせず、ｆ図に示すパルスＡとパルスＢの間隔は１００
〜２００　ｎｓで良いのでそのマージンは従来に比して
広くなる。

第５図は他の実施例を示す図であり１０はメジャーライ
ン、１１はマイナーループ、】２はコンダクタパターン
、１２ａはコンダクタパターンに設けられたコの字状の
迂回路である、本実施例が前実施例と異なるところは、
前実施例のコンダクタパターン１２がマイナーループ１
１とメジャーライン１０のそれぞれのカスブ１１　ａと
１０ａとの間に設けられているのに対し、本実施例はマ
イナーループ１１のティップｌｌｂとメジャーライン１
０のカスブ１０ａとの間に設けられていることである。

なお本実施例の動作及び効果は前実施例と同様である。

第６図はコンダクタパターンの迂回路の形状の数例を示
したものであり、ａはくの字状、ｂは袋状、Ｃは山形状
に形成されたものである。なおａ〜Ｃはコンダクタが往
復１．７ｔヘアピン状であるが片側（左側）の１本のみ
でも同様な動作をさせることができる。

（７）発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明のイオン注入バブ
ルデバイスのブロックレプリケータはコンタクタパター
ンに迂回路を形成することによりバブルを切断するカッ
トパルスを必要としないためレプリケート用のパルス幅
マージンを従来に比【て大とすることができるといった
効果大なるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はイオン注入磁気バブルデバイスを説明するため
の図、第２図はイオン注入ｓ気バブルデバイスにおける
従来のフロックレプリケータを説明するための図、第３
図は本発明によるイオン注入バブルデバイスのフロック
レプリケータを説明するための図、第４図はその動作を
説明するための図、第５図は池の実施例を示す図、第６
図は本発明によるフロックレプリケータのコンダクタパ
ターンの形状を示す図である。 図面において、１ｏはメジャーライン、】１はマイナー
ループ、１２けコンダクタパターン、１３はバブルをそ
れぞれ示す。 ４９− 第１回 （０） 第２何 （Ｇ） （ｂ） （ｂ） （ＣＩ） （ｂ）　　　　　（Ｃ）　　　　　（ｄ）　　　　　（
ｅ）第５面 （Ｇ）　　　　　　　　（ｂ） （Ｃ） 　　− ４９３−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、磁気バブル用結晶上にイオン注入によるバブルの駆
   動層を形成したメジャーマイナー構成のイオン注入磁気
   バブルデバイスにおけるブロックレプリケータであって
   、メジャー、マイナー間にマタカってバフルを伸長する
   ためのヘアピン状コンダクタパターンを有し、該コンダ
   クタパターンはその途中を折曲してバブルを切断するた
   めの磁界ができるような迂回路を形成していることを特
   徴とするイオン注入磁グバブルデバイスのブロックレプ
   リケータ。