JPS6117066B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6117066B2 JPS6117066B2 JP12904280A JP12904280A JPS6117066B2 JP S6117066 B2 JPS6117066 B2 JP S6117066B2 JP 12904280 A JP12904280 A JP 12904280A JP 12904280 A JP12904280 A JP 12904280A JP S6117066 B2 JPS6117066 B2 JP S6117066B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- bubble
- pattern
- groove
- domain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子に関し、特にイ
オン注入法による磁気バブルメモリ素子の分割器
に関する。
オン注入法による磁気バブルメモリ素子の分割器
に関する。
磁気バブルメモリを利用して情報の蓄積、論理
演算等を行なう磁気バブル利用装置は、不揮発性
高記憶密度及び低消費電力等種々の特徴をもち、
さらには機械的要素を全く含まない固体素子であ
ることから非常に高い信頼性を有している。この
ような磁気バブルメモリ装置にも最近の情報量の
増加、装置の小型化などにより記憶密度の増加が
求められている。ところが従来磁気バブルメモリ
に用いられるメモリ素子は、バブル転送パターン
が磁性薄膜上に蒸着したパーマロイを写真食刻に
より形成しているため、その寸法精度が可視光に
よる露光の精度に制限され、パターンを小さくし
て記憶密度を増加することが困難になつて来てい
る。このため最近、イオン注入法による転送パタ
ーンの形成法が開発されている。この方法は第１
図の平面図および第２図の断面図に示す如くガド
リニウム、ガリウム・ガーネツト（GGG）基板
１の上に磁性ガーネツトの薄膜２を液相エピタキ
シヤル成長させて形成し、この薄膜２に対しパタ
ーン３以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウム等
のイオンを注入するのである。このようにパター
ン３を形成した素子は、イオンを注入された部分
４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と一
致し、パターン３部分の磁化容易軸方向は矢印ｂ
の如くもとのままの面内方向と垂直である。従つ
てバブル磁区５は回転磁界によつてパターン３の
周縁に沿つて矢印ｃの如く転送される。そしてこ
のパターンは円形の一部を重ね連続して並べた形
状であり従来のパーマロイパターンの如くギヤツ
プを必要としないので、寸法精度が緩くとも良
く、そのためパターンが小さくでき高密度化が実
現される。このようなイオン注入法を用いたメモ
リ素子において、磁気バブルを分割する分割器と
しては、１層あるいは２層構造の導体パターンに
バイポーラパルスを印加して、バブル磁区を伸長
させてストライプ磁区にしたのち分割するタイプ
のゲートが提案されてきた。ところがこれらは素
子の形成あるいは周辺回路が複雑になるという欠
点がある。本発明はこの欠点を改良するために案
出されたものである。
演算等を行なう磁気バブル利用装置は、不揮発性
高記憶密度及び低消費電力等種々の特徴をもち、
さらには機械的要素を全く含まない固体素子であ
ることから非常に高い信頼性を有している。この
ような磁気バブルメモリ装置にも最近の情報量の
増加、装置の小型化などにより記憶密度の増加が
求められている。ところが従来磁気バブルメモリ
に用いられるメモリ素子は、バブル転送パターン
が磁性薄膜上に蒸着したパーマロイを写真食刻に
より形成しているため、その寸法精度が可視光に
よる露光の精度に制限され、パターンを小さくし
て記憶密度を増加することが困難になつて来てい
る。このため最近、イオン注入法による転送パタ
ーンの形成法が開発されている。この方法は第１
図の平面図および第２図の断面図に示す如くガド
リニウム、ガリウム・ガーネツト（GGG）基板
１の上に磁性ガーネツトの薄膜２を液相エピタキ
シヤル成長させて形成し、この薄膜２に対しパタ
ーン３以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウム等
のイオンを注入するのである。このようにパター
ン３を形成した素子は、イオンを注入された部分
４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と一
致し、パターン３部分の磁化容易軸方向は矢印ｂ
の如くもとのままの面内方向と垂直である。従つ
てバブル磁区５は回転磁界によつてパターン３の
周縁に沿つて矢印ｃの如く転送される。そしてこ
のパターンは円形の一部を重ね連続して並べた形
状であり従来のパーマロイパターンの如くギヤツ
プを必要としないので、寸法精度が緩くとも良
く、そのためパターンが小さくでき高密度化が実
現される。このようなイオン注入法を用いたメモ
リ素子において、磁気バブルを分割する分割器と
しては、１層あるいは２層構造の導体パターンに
バイポーラパルスを印加して、バブル磁区を伸長
させてストライプ磁区にしたのち分割するタイプ
のゲートが提案されてきた。ところがこれらは素
子の形成あるいは周辺回路が複雑になるという欠
点がある。本発明はこの欠点を改良するために案
出されたものである。
このため本発明においては、非磁性基板の上に
一軸異方性を有する磁性薄膜を形成し、その上に
磁気バブル発生器、分割器、検出器、消去器、転
送パターン等を形成した磁気バブルメモリ素子に
おいて、転送パターン間に磁性薄膜の一部を掘設
したストライプ磁区を分割するための溝と、該溝
と交差しバブル磁区をストライプ磁区に伸長する
Ｕ字状の導体パターンとを含んで構成されるバブ
ル分割器を設けたことを特徴とするものである。
一軸異方性を有する磁性薄膜を形成し、その上に
磁気バブル発生器、分割器、検出器、消去器、転
送パターン等を形成した磁気バブルメモリ素子に
おいて、転送パターン間に磁性薄膜の一部を掘設
したストライプ磁区を分割するための溝と、該溝
と交差しバブル磁区をストライプ磁区に伸長する
Ｕ字状の導体パターンとを含んで構成されるバブ
ル分割器を設けたことを特徴とするものである。
以下、添付図面に基づいて本発明の実施例につ
き詳細に説明する。
き詳細に説明する。
第３図に実施例の平面図を示し第４図にその
−線における断面図を示す。図において符号６
はGGG基板、７はその上に液相エピタキシヤル
成長させた磁性薄膜、８及び９はイオン注入法
（第４図の符号１０はイオン注入された部分）に
よつて形成された転送パターン、１１は溝、１２
はSio2等の絶縁層、１３は導体パターンである。
そして転送パターン８，９は円形又は矩形がその
一部を重ねて連続して並べられた形状に形成さ
れ、バブル磁区はその周縁に沿つて転送されるよ
うになつている。また溝１１はイオンミリング又
は化学エツチング等の手法により形成し、その部
分での磁性薄膜の厚さを他の部分より薄くしてい
る。これはこの部分でのバブル磁区消滅磁界を低
くするためである。また導体パターン１３はこの
溝１１と交差してまたぎ、Ｕ字状に形成されてい
る。
−線における断面図を示す。図において符号６
はGGG基板、７はその上に液相エピタキシヤル
成長させた磁性薄膜、８及び９はイオン注入法
（第４図の符号１０はイオン注入された部分）に
よつて形成された転送パターン、１１は溝、１２
はSio2等の絶縁層、１３は導体パターンである。
そして転送パターン８，９は円形又は矩形がその
一部を重ねて連続して並べられた形状に形成さ
れ、バブル磁区はその周縁に沿つて転送されるよ
うになつている。また溝１１はイオンミリング又
は化学エツチング等の手法により形成し、その部
分での磁性薄膜の厚さを他の部分より薄くしてい
る。これはこの部分でのバブル磁区消滅磁界を低
くするためである。また導体パターン１３はこの
溝１１と交差してまたぎ、Ｕ字状に形成されてい
る。
次にこのように形成された本実施例の動作につ
いて説明する。先ずバブル磁区が転送パターン８
上を回転磁界により転送されているとき、バブル
磁区が転送パターン８のａ部に位置したタイミン
グで導体パターン１３にそのＵ字状パターン内部
のバイアス磁界が低くなるようにパルス電流を流
す。その磁界が第５図に示すバイアス磁界ＨSOよ
り低くなれば、バブル磁区はストライプ磁区にな
り転送パターン９のｂ部にまで伸長する。ここで
パルス電流を０とするとバイアス磁界は元の値Ｈ
BOに戻る。このバイアス磁界ＨBOは溝１１の部分
のバブル磁区消滅磁界より大きくなれば伸長した
ストライプ磁区をこの部分で切断する。２個に切
断されたストライプ磁区はそれぞれ収縮してバブ
ル磁区となり、それぞれ転送パターン８および９
に沿つて転送される。このようにして本実施例は
分割器として機能するのである。
いて説明する。先ずバブル磁区が転送パターン８
上を回転磁界により転送されているとき、バブル
磁区が転送パターン８のａ部に位置したタイミン
グで導体パターン１３にそのＵ字状パターン内部
のバイアス磁界が低くなるようにパルス電流を流
す。その磁界が第５図に示すバイアス磁界ＨSOよ
り低くなれば、バブル磁区はストライプ磁区にな
り転送パターン９のｂ部にまで伸長する。ここで
パルス電流を０とするとバイアス磁界は元の値Ｈ
BOに戻る。このバイアス磁界ＨBOは溝１１の部分
のバブル磁区消滅磁界より大きくなれば伸長した
ストライプ磁区をこの部分で切断する。２個に切
断されたストライプ磁区はそれぞれ収縮してバブ
ル磁区となり、それぞれ転送パターン８および９
に沿つて転送される。このようにして本実施例は
分割器として機能するのである。
以上説明した如く本発明の磁気バブルメモリ素
子は、その分割器を磁性薄膜に形成した溝と、該
溝に交差する導体パターンとにより構成したた
め、その構造は極めて簡単となり、また導体パタ
ーンに流すパルス電流も１種類で良く、従つて周
辺回路も簡単となる。
子は、その分割器を磁性薄膜に形成した溝と、該
溝に交差する導体パターンとにより構成したた
め、その構造は極めて簡単となり、また導体パタ
ーンに流すパルス電流も１種類で良く、従つて周
辺回路も簡単となる。
なお上記実施例においては溝１１を連続溝で形
成した場合を示したが、該溝１１を各転送パター
ン８毎に分割形成しても良い。
成した場合を示したが、該溝１１を各転送パター
ン８毎に分割形成しても良い。
第１図はイオン注入法により形成された磁気バ
ブルメモリ素子の平面図、第２図は第１図の−
線における断面図、第３図は本発明にかかる実
施例の磁気バブルメモリ素子の要部を示した平面
図、第４図は第３図の−線における断面図、
第５図はバブル径のバイアス磁界依存性を示した
線図である。 ６…GGG基板、７…磁性薄膜、８，９…転送
パターン、１０…イオン注入部分、１１…溝、１
２…絶縁層、１３…導体パターン。
ブルメモリ素子の平面図、第２図は第１図の−
線における断面図、第３図は本発明にかかる実
施例の磁気バブルメモリ素子の要部を示した平面
図、第４図は第３図の−線における断面図、
第５図はバブル径のバイアス磁界依存性を示した
線図である。 ６…GGG基板、７…磁性薄膜、８，９…転送
パターン、１０…イオン注入部分、１１…溝、１
２…絶縁層、１３…導体パターン。
Claims (1)
- １ 非磁性基板の上に一軸異方性を有する磁性薄
膜を形成し、その上に磁気バブル発生器、分割
器、検出器、消去器、転送パターン等を形成した
磁気バブルメモリ素子において、転送パターン間
に磁性薄膜の一部を掘設したストライプ磁区を分
割するための溝と、該溝と交差しバブル磁区をス
トライプ磁区に伸長するＵ字状の導体パターンと
を含んで構成されるバブル分割器を設けたことを
特徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12904280A JPS5755582A (en) | 1980-09-19 | 1980-09-19 | Magnetic bubble memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12904280A JPS5755582A (en) | 1980-09-19 | 1980-09-19 | Magnetic bubble memory element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5755582A JPS5755582A (en) | 1982-04-02 |
| JPS6117066B2 true JPS6117066B2 (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=14999651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12904280A Granted JPS5755582A (en) | 1980-09-19 | 1980-09-19 | Magnetic bubble memory element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5755582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0427811Y2 (ja) * | 1986-10-28 | 1992-07-03 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2529369A1 (fr) * | 1982-06-29 | 1983-12-30 | Commissariat Energie Atomique | Memoire a bulles magnetiques a motifs non implantes, son utilisation pour la duplication de bulles et son application a la duplication par element binaire et par bloc d'elements binaires |
-
1980
- 1980-09-19 JP JP12904280A patent/JPS5755582A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0427811Y2 (ja) * | 1986-10-28 | 1992-07-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5755582A (en) | 1982-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3967002A (en) | Method for making high density magnetic bubble domain system | |
| US4086661A (en) | Cylindrical magnetic domain element | |
| JPS6117066B2 (ja) | ||
| US4528645A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| US3988722A (en) | Single sided, high density bubble domain propagation device | |
| US3996573A (en) | Bubble propagation circuits and formation thereof | |
| US4164026A (en) | Contiguous element field access bubble lattice file | |
| US4525808A (en) | Hybrid magnetic bubble memory device | |
| US4510231A (en) | Method for manufacturing a magnetic bubble memory | |
| US4584668A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| JPS58100410A (ja) | イオン注入磁気バブルメモリ素子の作製法 | |
| JPS6037547B2 (ja) | イオン注入磁気バブルメモリ素子のゲ−ト駆動方法 | |
| JPS5856193B2 (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS60167189A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS592991B2 (ja) | 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 | |
| US4559617A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| JPS645395B2 (ja) | ||
| CA1238111A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| JPH0213392B2 (ja) | ||
| JPS61269289A (ja) | 磁気バブル発生器 | |
| JPS5972696A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6118276B2 (ja) | ||
| JPS5829192A (ja) | 磁気バブルメモリのレプリケ−トゲ−ト | |
| JPS6338795B2 (ja) | ||
| JP2763917B2 (ja) | ブロッホラインメモリデバイス |