JPS6346917B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6346917B2 JPS6346917B2 JP57048125A JP4812582A JPS6346917B2 JP S6346917 B2 JPS6346917 B2 JP S6346917B2 JP 57048125 A JP57048125 A JP 57048125A JP 4812582 A JP4812582 A JP 4812582A JP S6346917 B2 JPS6346917 B2 JP S6346917B2
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- JP
- Japan
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- bubble
- magnetic
- conductor
- ion
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- Expired
Links
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- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 13
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 6
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- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は電子計算装置などの記憶装置として用
いられるイオン注入磁気バブルデバイスに関する
ものである。
いられるイオン注入磁気バブルデバイスに関する
ものである。
(2) 従来技術と問題点
最近、磁気バブルメモリデバイスにおいて、そ
のバブル転送路をイオン注入法により形成し、記
憶密度を高度化する方法が用いられている。この
イオン注入磁気バブルデバイスは第１図の平面図
及び第２図の断面図に示す如くガドリニウム・ガ
リウム・ガーネツト（GGG）基板１の上に液相
エピタキシヤル成長させた磁性ガーネツトの薄膜
２に対し、パターン３以外の領域４に水素、ネオ
ン、ヘリウム等のイオンを注入したものである。
このようにパターン３を形成した素子はイオンが
注入された領域４の磁化容易軸方向が矢印ａの如
く面内方向と一致し、パターン３の磁化容易軸方
向は矢印ｂの如くもとのままの面内方向と垂直で
ある。従つてバブル５は回転磁界によつてパター
ン３の周縁に沿つて矢印ｃの如く転送される。そ
してこのパターン３は円形や四角形を一部が重な
るようにして列状に配列した形状であるため、ギ
ヤツプを必要とした従来のパーマロイパターンに
比し寸法精度が緩くとも良く、従つてパターンが
小さくでき高密度化が実現される。
のバブル転送路をイオン注入法により形成し、記
憶密度を高度化する方法が用いられている。この
イオン注入磁気バブルデバイスは第１図の平面図
及び第２図の断面図に示す如くガドリニウム・ガ
リウム・ガーネツト（GGG）基板１の上に液相
エピタキシヤル成長させた磁性ガーネツトの薄膜
２に対し、パターン３以外の領域４に水素、ネオ
ン、ヘリウム等のイオンを注入したものである。
このようにパターン３を形成した素子はイオンが
注入された領域４の磁化容易軸方向が矢印ａの如
く面内方向と一致し、パターン３の磁化容易軸方
向は矢印ｂの如くもとのままの面内方向と垂直で
ある。従つてバブル５は回転磁界によつてパター
ン３の周縁に沿つて矢印ｃの如く転送される。そ
してこのパターン３は円形や四角形を一部が重な
るようにして列状に配列した形状であるため、ギ
ヤツプを必要とした従来のパーマロイパターンに
比し寸法精度が緩くとも良く、従つてパターンが
小さくでき高密度化が実現される。
従来このイオン注入磁気バブルデバイスのレプ
リケートゲートとしては、第３図に示す如くメジ
ヤーループ６とマイナーループ７との間にバブル
消滅磁界の低い領域８と、Ｕ字状の導体パターン
９を設け、このＵ字状の導体パターン９に電流を
流してバブルを伸長させ、前記の消滅磁界の低い
領域８で切断する方法が用いられていた。ところ
がこのレプリケートゲートは動作マージンが狭い
という欠点があつた。
リケートゲートとしては、第３図に示す如くメジ
ヤーループ６とマイナーループ７との間にバブル
消滅磁界の低い領域８と、Ｕ字状の導体パターン
９を設け、このＵ字状の導体パターン９に電流を
流してバブルを伸長させ、前記の消滅磁界の低い
領域８で切断する方法が用いられていた。ところ
がこのレプリケートゲートは動作マージンが狭い
という欠点があつた。
(3) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、動作マージン
の広いレプリケートゲートを有するイオン注入磁
気バブルデバイスを提供することを目的とするも
のである。
の広いレプリケートゲートを有するイオン注入磁
気バブルデバイスを提供することを目的とするも
のである。
(4) 発明の構成
そしてこの目的は、本発明によればバブル磁区
を分割して情報を複製するレプリケートゲートを
有するイオン注入磁気バブルデバイスにおいて、
レプリケートゲートは少なくとも２本の導体パタ
ーンよりなる１組の導体を具備し、両方の導体に
電流を流してバブル磁区を伸長させた後、少なく
とも一方の導体に電流を流して伸長せしめたバブ
ル磁区を切断し、情報を複製することを特徴とす
るイオン注入磁気バブルデバイスを提供すること
によつて達成される。
を分割して情報を複製するレプリケートゲートを
有するイオン注入磁気バブルデバイスにおいて、
レプリケートゲートは少なくとも２本の導体パタ
ーンよりなる１組の導体を具備し、両方の導体に
電流を流してバブル磁区を伸長させた後、少なく
とも一方の導体に電流を流して伸長せしめたバブ
ル磁区を切断し、情報を複製することを特徴とす
るイオン注入磁気バブルデバイスを提供すること
によつて達成される。
(5) 発明の実施例
以下本発明実施例を図面によつて詳述する。
第４図は本発明によるイオン注入磁気バブルデ
バイスのレプリケートゲートを示す図である。同
図において、１０はメジヤーループ、１１はマイ
ナーループ、１２はＵ字状をなす第１の導体、１
３はＵ字状をなす第２の導体をそれぞれ示してい
る。そして第１及び第２の導体はメジヤーループ
１０のカスプＡとマイナーループ１１のカスプＢ
とを結ぶ線上に設けられている。
バイスのレプリケートゲートを示す図である。同
図において、１０はメジヤーループ、１１はマイ
ナーループ、１２はＵ字状をなす第１の導体、１
３はＵ字状をなす第２の導体をそれぞれ示してい
る。そして第１及び第２の導体はメジヤーループ
１０のカスプＡとマイナーループ１１のカスプＢ
とを結ぶ線上に設けられている。
図により本発明のイオン注入バブルデバイスの
レプリケートゲートの動作を次に説明する。第１
の導体１２と第２の導体１３はそれぞれパルス電
流源に接続されているものとする。そしてバブル
磁区１４が駆動磁界の回転にともなつてマイナー
ループ１１を転送され、カスプＢに来た時に、第
１の導体１２及び第２の導体１３に、それぞれの
Ｕ字状の中側の局部磁界が低下する方向に電流を
流すとカスプＢにあるバブル磁区は該カスプＢと
メジヤーループ１０のカスプＡとの間に伸長され
る。このとき発生するａ−a′上の磁界を第５図に
実線で示す。次いで第１の導体１２の電流を減少
させるか、あるいは第２の導体１３の電流を増大
させる。このとき発生する磁界を第５図に点線で
示す。その結果、第２の導体１３の外側の外部磁
界と同方向の磁界は強められ、パターンエツジ部
Ｃの近傍の磁界はバブル消滅磁界以上となり、伸
長されているバブル磁区は該部で切断される。そ
の後切断されたバブル磁区は駆動磁界の回転に伴
つて縮小し、一方はマイナーループ１１のカスプ
Ｂに吸引され、他方はメジヤーライン１０のカス
プＡに吸引される。このようにしてバブルの情報
は複製される。そしてバブル磁区の切断時におけ
る第１、第２の導体１２，１３の内側はバブル磁
区を保持する方向であるので電流マージンが広
く、ひいては動作マージンが大きくなる。
レプリケートゲートの動作を次に説明する。第１
の導体１２と第２の導体１３はそれぞれパルス電
流源に接続されているものとする。そしてバブル
磁区１４が駆動磁界の回転にともなつてマイナー
ループ１１を転送され、カスプＢに来た時に、第
１の導体１２及び第２の導体１３に、それぞれの
Ｕ字状の中側の局部磁界が低下する方向に電流を
流すとカスプＢにあるバブル磁区は該カスプＢと
メジヤーループ１０のカスプＡとの間に伸長され
る。このとき発生するａ−a′上の磁界を第５図に
実線で示す。次いで第１の導体１２の電流を減少
させるか、あるいは第２の導体１３の電流を増大
させる。このとき発生する磁界を第５図に点線で
示す。その結果、第２の導体１３の外側の外部磁
界と同方向の磁界は強められ、パターンエツジ部
Ｃの近傍の磁界はバブル消滅磁界以上となり、伸
長されているバブル磁区は該部で切断される。そ
の後切断されたバブル磁区は駆動磁界の回転に伴
つて縮小し、一方はマイナーループ１１のカスプ
Ｂに吸引され、他方はメジヤーライン１０のカス
プＡに吸引される。このようにしてバブルの情報
は複製される。そしてバブル磁区の切断時におけ
る第１、第２の導体１２，１３の内側はバブル磁
区を保持する方向であるので電流マージンが広
く、ひいては動作マージンが大きくなる。
なお第４図に示した実施例において、メジヤー
ループ１０とマイナーループ１１の位置を逆にし
て構成しても同様な効果を得ることができる。
ループ１０とマイナーループ１１の位置を逆にし
て構成しても同様な効果を得ることができる。
(6) 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明のイオン
注入磁気バブルデバイスはそのレプリケートゲー
トに２本の導体パターンよりなる１組の導体を具
備せしめることにより広い動作マージンが得ら
れ、磁気バブルデバイスの性能向上に寄与すると
いつた効果大なるものである。
注入磁気バブルデバイスはそのレプリケートゲー
トに２本の導体パターンよりなる１組の導体を具
備せしめることにより広い動作マージンが得ら
れ、磁気バブルデバイスの性能向上に寄与すると
いつた効果大なるものである。
第１図はイオン注入磁気バブルデバイスを説明
するための図、第２図は第１図の−線におけ
る断面図、第３図は従来のレプリケートゲートを
説明するための図、第４図は本発明によるイオン
注入磁気バブルデバイスのレプリケートゲートの
構造を示す図、第５図は第４図のａ−a′線におけ
る発生磁界の状態を示す図である。 図面に於いて、１０はメジヤーループ、１１は
マイナーループ、１２は第１の導体、１３は第２
の導体、１４はバブル磁区をそれぞれ示す。
するための図、第２図は第１図の−線におけ
る断面図、第３図は従来のレプリケートゲートを
説明するための図、第４図は本発明によるイオン
注入磁気バブルデバイスのレプリケートゲートの
構造を示す図、第５図は第４図のａ−a′線におけ
る発生磁界の状態を示す図である。 図面に於いて、１０はメジヤーループ、１１は
マイナーループ、１２は第１の導体、１３は第２
の導体、１４はバブル磁区をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ バブル磁区を分割して情報を複製するレプリ
ケートゲートを有するイオン注入磁気バブルデバ
イスにおいて、レプリケートゲートは少なくとも
２本の導体パターンよりなる１組の導体を具備
し、両方の導体に電流を流してバブル磁区を伸長
させた後、少なくとも一方の導体に電流を流して
伸長せしめたバブル磁区を切断し、情報を複製す
ることを特徴とするイオン注入磁気バブルデバイ
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048125A JPS58166586A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | イオン注入磁気バブルデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048125A JPS58166586A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | イオン注入磁気バブルデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166586A JPS58166586A (ja) | 1983-10-01 |
| JPS6346917B2 true JPS6346917B2 (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=12794602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048125A Granted JPS58166586A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | イオン注入磁気バブルデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166586A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01217789A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-31 | Hitachi Ltd | 磁気バブル発生器 |
| JP2660809B2 (ja) * | 1994-07-20 | 1997-10-08 | 株式会社ブレスト工業研究所 | スリーブ固定金具及び固定方法 |
-
1982
- 1982-03-27 JP JP57048125A patent/JPS58166586A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58166586A (ja) | 1983-10-01 |
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