JPS6050693A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリデバイスに関するものである。

技術の背景 最近、磁気バブルメモリにおいて、そのバブル転送路を
イオン注入法により形成し記憶密度を高度化する方法が
用いられている。しかしこのイオン注入法によるバブル
転送路はその駆動パターンの駆動力が従来の軟磁性薄膜
パターンよりも小さいという欠点があり、比較的強い駆
動力全必要とするファンクションゲートの設計が困難で
あった。

このため、そのような箇所では軟磁性薄膜パターンを用
いることが考えられ、イオン注入パターンと軟磁性薄膜
パターンの両方の転送路を有する磁気パズルメモリデバ
イスが開発されている。

従来技術と問題点 第１図は従来例として、イオン注入パターンとパーマロ
イ（軟磁性薄膜）パターンの両転送路を有するメジャー
マイナー構成の磁気バブルメモリデバイスを説明するだ
めの図である。同図において、ｌは書き込み用メジャー
ライン、２は読み出し用メジャーライン、３−１〜３−
ｎはマイナーループであシ、実線はイオン注入パターン
、点線はパーマロイパターン全それぞれ示している。

本従来例はマイナーループ３−１〜３．が書き込み及び
読み出し用メジャーライン１及び２にファンクションゲ
ート（図示省略）で接続されている。０〜０部はパーマ
ロイパターンとイオン注入パターンの接続部である。

このような構成のデバイス全作成するには、最初にイオ
ン注入パターンを形成し、その後パーマロイパターンを
形成するのであるが、このとき両転送パターンの位置合
わせが必要となる。

ところが第１図のような構成では１例えばパーマロイパ
ターンがｙ方向に△ｙだけシフトしたとすると、パーマ
ロイパターンからイオン注入パターンへの接合部である
■部及び■部において、■部ではイオン注入パターンの
方へΔｙだけ喰い込み、■部ではイオン注入パターンか
ら△ｙだけ離れ１両接合では逆となる。その結果位置合
わせの余祐度が少なくなるという欠点があった。

発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、イオン注入パターンと
パーマロイパターンの位置合わせ余祐度が大きくなる構
成を有する磁気バブルメモリデバイス全提供することを
目的とするものである。

発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、バブル磁区全転送さ
せるためのイオン注入パターンと軟磁性薄膜パターンと
を有し、イオン注入パターンから軟磁性薄膜パターンへ
、あるいは軟磁性パターンからイオン注入パターンへの
接合部がそれぞれ複数個ある磁気バブルメモリデバイス
において、同一種の接合部はその接続方向が同一となる
ように配置されたこと全特徴とする磁気バブルメモリデ
バイスを提供することによって達成される。

発明の実施例 以下１本発明実施例を図面によって詳述する。

第２図は本発明による磁気バブルメモリデバイスを説明
するための図である。同図において。

１０は書き込み用メジャーライン、１１は読み出し用メ
ジャーライン、１２はマイナールーズ。

１３はイオン注入パターン、１４（点線で示す部分）ハ
パーマ四イパターン、■、■、■、■ハイオン注入パタ
ーンとパーマロイパターンとの接合部、矢印Ｐはバブル
の進行方向全それぞれ示す。

本実施例は図に示す如くマイナーループ１２の折れ曲り
を適当に選びパーマロイパターン１４からイオン注入パ
ターン１３への接合部■及び■並びにイオン注入パター
ン１３からパーマロイパターン１４への接合部■及び■
の接続方向をそれぞれ同一にしたものである。

このように構成された本実施例はパーマロイパターン１
４がｙ方向にΔｙだけシフトしたとしても、接合部■、
■共にパーマロイパターンとイオン注入パターンの相対
関係は同じであるため、第１図の従来のデバイスに比較
して位置合わせ余祐度は増加する。

第３図は位置合わせの余祐度が増加する理由全説明する
ための図であり、ａは従来例の場合、ｂは本発明の場合
？示したものである。同図は縦軸にバイアス磁界をとり
、横軸にパーマロイパターンのイオン注入パターンに対
する移動量をとり。

それぞれの場合のマージン幅を実線（接合部■）及び点
線（接合部■）で示した。

ａ図の従来例ではΔｙが−の場合、接合部■のマージン
はあまり変化しないが接合部■は著しく悪くなる。逆に
Δｙが十の場合は接合部■が悪くなり、接合部■は変化
していない。つまりノく−マイナス方向からイオン注入
パターンへの接合部はパーマロイパターンがイオン注入
パターンから離れる方向（Δｙがグラス方向）ではマー
ジンの減小は太きく、喰い込む方向（△ｙがマイナス方
向）ではマージンの変化は少ない。本発明はこの原理を
利用したものであり、ｂ図の如く接合部■。

■共Δｙがマイナスの場合の変化會少なくシタものであ
る。従ってａ図の従来例が△ｙ−±０．２５程度が使用
可能範囲とすればｂ図の本発明の場合＋　０．２５　と
なり従来に はΔｙ＝−０，５±０．２５−、．７５比し余祐度は約
２倍となる。なお接合部■、■はイオン注入パターンか
らバーマロイノくクーンへの接合であり、設ｉ１思想が
具なるため１図の如き構成の方が有利となる。

発明の効果 以上、詳細に説明したように本発明による磁気バブルメ
モリデノ゛イスはイオン注入パターンとパーマロイパタ
ーンとの接合方向を同一方向に揃えることにより１両パ
ターンの位置合わせ余祐度を増大するといった効果大な
るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気バブルメモリデバイスを説明するた
めの図、第２図は本発明による磁気バブルメモリデバイ
スを説明するための図、第３図はパーマロイパターンと
イオン注入パターンとの位置合わせ余祐度を説明するた
めの図である。 図面において、１０は書き込み用メジャーライン、１１
は読み取り用メジャーライン、１２はマイナールーグ、
１３はイオン注入パターン、１４はパーマロイパターン
、■、■、■、■ハハーマロイパターンとイオン注入パ
ターンとの接合部をそれぞれ示す。 第１図 １→　ｌす 第３図 （０） Ａｙ（ｐｍ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、バブル磁区を転送させるためのイオン注入パターン
   と軟磁性薄膜パターンとを有し、イオン注入パターンか
   ら軟磁性薄膜パターンへ、あるいは軟磁性薄膜パターン
   からイオン注入パターンへの接合部がそれぞれ複数個あ
   る磁気バブルメモリデバイスにおいて、同一種の接合部
   はその接続方向が同一となるように配置されたことを特
   徴とする磁気バプリメモリデバイス。