JPS623513B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS623513B2 JPS623513B2 JP58157071A JP15707183A JPS623513B2 JP S623513 B2 JPS623513 B2 JP S623513B2 JP 58157071 A JP58157071 A JP 58157071A JP 15707183 A JP15707183 A JP 15707183A JP S623513 B2 JPS623513 B2 JP S623513B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- bubble
- hold
- minor loop
- stop
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は電子計算装置などの記憶装置として用
いられる磁気バブルメモリ装置に関するものであ
る。
いられる磁気バブルメモリ装置に関するものであ
る。
技術の背景
最近、磁気バブルメモリ装置において、そのバ
ブル転送路をイオン注入法により形成し、記憶密
度を高度化する方法が用いられている。しかしこ
のイオン注入法によるバブル転送路はその駆動パ
ターンの駆動力が従来のパーマロイパターンより
も小さいという欠点があり、比較的強い駆動力を
必要とするフアンクシヨンゲートの設計が困難で
あつた。このため、このような箇所では従来のパ
ーマロイパターンを用いることが考えられ、両者
を結合したパーマロイ・イオン注入結合型バブル
素子が開発されている。
ブル転送路をイオン注入法により形成し、記憶密
度を高度化する方法が用いられている。しかしこ
のイオン注入法によるバブル転送路はその駆動パ
ターンの駆動力が従来のパーマロイパターンより
も小さいという欠点があり、比較的強い駆動力を
必要とするフアンクシヨンゲートの設計が困難で
あつた。このため、このような箇所では従来のパ
ーマロイパターンを用いることが考えられ、両者
を結合したパーマロイ・イオン注入結合型バブル
素子が開発されている。
従来技術と問題点
従来のイオン注入素子におけるスタート・スト
ツプ動作は、第１図に示すように、マイナールー
プ１の長手方向にホールド磁界２を印加し、回転
磁界３を同位相でスタート・ストツプしていた。
このようにするとバブル４はカスプ５でスター
ト・ストツプする為安定に動作が行なわれる。し
かし前述したようなパーマロイ・イオン注入結合
型バブル素子ではパーマロイ素子との互換性をと
る必要がある。その為第２図の如くイオン注入マ
イナーループ１の長手方向と直角方向でスタート
ストツプするとインサイドトラツクＡではカスプ
５にバブル４が止まるものの、インサイドトラツ
クＢではバブル４がテイツプ６に止まることによ
り、該テイツプ６の該バブル６が不安定（特にイ
ンサイドターン部において）となるという欠点が
あつた。
ツプ動作は、第１図に示すように、マイナールー
プ１の長手方向にホールド磁界２を印加し、回転
磁界３を同位相でスタート・ストツプしていた。
このようにするとバブル４はカスプ５でスター
ト・ストツプする為安定に動作が行なわれる。し
かし前述したようなパーマロイ・イオン注入結合
型バブル素子ではパーマロイ素子との互換性をと
る必要がある。その為第２図の如くイオン注入マ
イナーループ１の長手方向と直角方向でスタート
ストツプするとインサイドトラツクＡではカスプ
５にバブル４が止まるものの、インサイドトラツ
クＢではバブル４がテイツプ６に止まることによ
り、該テイツプ６の該バブル６が不安定（特にイ
ンサイドターン部において）となるという欠点が
あつた。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、マイナールー
プにおけるバブルのスタート・ストツプ動作が安
定なパーマロイ・イオン注入結合型の磁気バブル
メモリ素子を提供することを目的とするものであ
る。
プにおけるバブルのスタート・ストツプ動作が安
定なパーマロイ・イオン注入結合型の磁気バブル
メモリ素子を提供することを目的とするものであ
る。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、インサイド
ターン部を含む対向したインサイドトラツクに複
数個のカスプとテイツプが交互にくり返し形成さ
れたイオン注入マイナーループを備えたバブルチ
ツプに対し、スタート・ストツプ方向が前記マイ
ナーループの前記インサイドトラツクに沿つた長
手方向と略直角である回転磁界と、該スタート・
ストツプ方向と平行及び直角以外の位相のホール
ド磁界が印加され、前記回転磁界のスタート・ス
トツプ時に前記カスプにバブルが止まるようにし
たことを特徴とする磁気バブルメモリ装置を提供
することによつて達成される。
ターン部を含む対向したインサイドトラツクに複
数個のカスプとテイツプが交互にくり返し形成さ
れたイオン注入マイナーループを備えたバブルチ
ツプに対し、スタート・ストツプ方向が前記マイ
ナーループの前記インサイドトラツクに沿つた長
手方向と略直角である回転磁界と、該スタート・
ストツプ方向と平行及び直角以外の位相のホール
ド磁界が印加され、前記回転磁界のスタート・ス
トツプ時に前記カスプにバブルが止まるようにし
たことを特徴とする磁気バブルメモリ装置を提供
することによつて達成される。
発明の実施例
以下、本発明実施例を図面によつて詳述する。
第３図は本発明による磁気バブルメモリ装置を
説明するための図であり、同図において１０はマ
イナーループ、１１はホールド磁界方向、１２は
回転磁界をそれぞれ示している。
説明するための図であり、同図において１０はマ
イナーループ、１１はホールド磁界方向、１２は
回転磁界をそれぞれ示している。
本実施例は第３図の如く回転磁界１２のスター
ト・ストツプ方向をマイナーループ１０の長手方
向と直角方向、つまり180゜方向にし、ホールド
磁界方向１１をスタート・ストツプ方向と平行及
び直角以外の方向（図では225゜方向）となるよ
うにしたものである。このようにすると回転磁界
のストップ動作により、マイナーループ１０にお
いてはインサイドターンを含みどの部分のバブル
もカスプに止まる。従つてバブルは安定化され
る。
ト・ストツプ方向をマイナーループ１０の長手方
向と直角方向、つまり180゜方向にし、ホールド
磁界方向１１をスタート・ストツプ方向と平行及
び直角以外の方向（図では225゜方向）となるよ
うにしたものである。このようにすると回転磁界
のストップ動作により、マイナーループ１０にお
いてはインサイドターンを含みどの部分のバブル
もカスプに止まる。従つてバブルは安定化され
る。
第４図は本実施例のインサイドターンにおける
バイアスマージンのホールド磁界依存性を従来例
と比較して示した図である。同図において縦軸に
はバイアス磁界、横軸にはホールド磁界をとり、
曲線Ａにより本実施例、曲線Ｂにより従来例の特
性をそれぞれ示した。なお駆動磁界には70Oeの
三角波を用い、そのスタート・ストツプ方向は
180゜とし、ホールド磁界方向は本実施例が225
゜、従来例は180゜である。図よりインサイドタ
ーンにおけるバイアスマージンは従来例に比し本
実施例の方が広くなつていることがわかる。
バイアスマージンのホールド磁界依存性を従来例
と比較して示した図である。同図において縦軸に
はバイアス磁界、横軸にはホールド磁界をとり、
曲線Ａにより本実施例、曲線Ｂにより従来例の特
性をそれぞれ示した。なお駆動磁界には70Oeの
三角波を用い、そのスタート・ストツプ方向は
180゜とし、ホールド磁界方向は本実施例が225
゜、従来例は180゜である。図よりインサイドタ
ーンにおけるバイアスマージンは従来例に比し本
実施例の方が広くなつていることがわかる。
第５図及び第６図はインサイドターンにおける
動作マージンを示した図であり第５図はホールド
磁界が6.5Oeの場合、第６図は3.25Oeの場合であ
る。両図において、縦軸にはバイアス磁界を、横
軸には駆動磁界（三角波）をとり、曲線Ａにより
本実施例を、曲線Ｂにより従来例の特性をそれぞ
れ示した。なおホールド磁界方向は本実施例が
225゜方向、従来例は180゜方向である。両図より
本実施例の動作マージンは、従来例に比し拡大さ
れていることがわかる。
動作マージンを示した図であり第５図はホールド
磁界が6.5Oeの場合、第６図は3.25Oeの場合であ
る。両図において、縦軸にはバイアス磁界を、横
軸には駆動磁界（三角波）をとり、曲線Ａにより
本実施例を、曲線Ｂにより従来例の特性をそれぞ
れ示した。なおホールド磁界方向は本実施例が
225゜方向、従来例は180゜方向である。両図より
本実施例の動作マージンは、従来例に比し拡大さ
れていることがわかる。
次にチツプに対し任意の位相のホールド磁界を
与える手段を第７図乃至第９図により説明する。
第７〜９図において、ａは正面図、ｂは側面図を
示し、２０はパツケージ、２１，２１′はバブル
を保持するためのバイアス磁界を与える永久磁
石、（断面ではないがハツチングを入れて示し
た。）２２，２２′はその整磁板、２３はチツプを
それぞれ示している。
与える手段を第７図乃至第９図により説明する。
第７〜９図において、ａは正面図、ｂは側面図を
示し、２０はパツケージ、２１，２１′はバブル
を保持するためのバイアス磁界を与える永久磁
石、（断面ではないがハツチングを入れて示し
た。）２２，２２′はその整磁板、２３はチツプを
それぞれ示している。
第７図に示す手段はパツケージ２０内の整磁板
２２，２２′をＸ方向とＹ方向（Ｘ方向と直角方
向）共に傾斜を持たせ、チツプ２３を通る磁束を
傾斜させ、その分力によりチツプの面内に任意の
位相のホールド磁界を与えるようにしたものであ
る。
２２，２２′をＸ方向とＹ方向（Ｘ方向と直角方
向）共に傾斜を持たせ、チツプ２３を通る磁束を
傾斜させ、その分力によりチツプの面内に任意の
位相のホールド磁界を与えるようにしたものであ
る。
第８図に示す手段は、パツケージ２０内の整磁
板２２，２２′をＸ方向のみ（又はＹ方向のみ）
傾斜を持たせ、チツプ２３をＹ方向（又はＸ方
向）に傾斜させることにより第７図の場合と同様
に任意の位相のホールド磁界を得るようにしたも
のである。
板２２，２２′をＸ方向のみ（又はＹ方向のみ）
傾斜を持たせ、チツプ２３をＹ方向（又はＸ方
向）に傾斜させることにより第７図の場合と同様
に任意の位相のホールド磁界を得るようにしたも
のである。
また第９図に示す手段は整磁板２２，２２′は
傾けないでチツプ２３をＸ方向とＹ方向共に傾斜
を持たせたものであり、第７図及び第８図と同様
に任意の位相ホールド磁界を得るようにしたもの
である。
傾けないでチツプ２３をＸ方向とＹ方向共に傾斜
を持たせたものであり、第７図及び第８図と同様
に任意の位相ホールド磁界を得るようにしたもの
である。
発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の磁気バ
ブルメモリ装置はイオン注入マイナーループの長
手方向と直角方向に回転磁界をスタートストツプ
するようにし、ホールド磁界をスタートストツプ
方向と平行及び直角以外の位相にすることによ
り、バブルをカスプに止め、安定化するといつた
効果大なるものである。
ブルメモリ装置はイオン注入マイナーループの長
手方向と直角方向に回転磁界をスタートストツプ
するようにし、ホールド磁界をスタートストツプ
方向と平行及び直角以外の位相にすることによ
り、バブルをカスプに止め、安定化するといつた
効果大なるものである。
第１図及び第２図は従来の磁気バブルメモリ装
置を説明するための図、第３図は本発明による磁
気バブルメモリ装置を説明するための図、第４図
はそのマイナーループのインサイドターンにおけ
るバイアスマージンのホールド磁界依存性を示す
図、第５図及び第６図はマイナーループのインサ
イドターンにおける動作マージンを示す図、第７
図乃至第９図はチツプに対する任意の位相のホー
ルド磁界を与える手段を説明するための図であ
る。 図面において、１０はマイナーループ、１１は
ホールド磁界方向、１２は回転磁界、２０はパツ
ケージ、２１，２１′はバイアス磁界発生用の永
久磁石、２２，２２′はその整磁板、２３はチツ
プをそれぞれ示す。
置を説明するための図、第３図は本発明による磁
気バブルメモリ装置を説明するための図、第４図
はそのマイナーループのインサイドターンにおけ
るバイアスマージンのホールド磁界依存性を示す
図、第５図及び第６図はマイナーループのインサ
イドターンにおける動作マージンを示す図、第７
図乃至第９図はチツプに対する任意の位相のホー
ルド磁界を与える手段を説明するための図であ
る。 図面において、１０はマイナーループ、１１は
ホールド磁界方向、１２は回転磁界、２０はパツ
ケージ、２１，２１′はバイアス磁界発生用の永
久磁石、２２，２２′はその整磁板、２３はチツ
プをそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ インサイドターン部を含む対向したインサイ
ドトラツクに複数個のカスプとテイツプが交互に
くり返し形成されたイオン注入マイナーループを
備えたバブルチツプに対し、 スタート・ストツプ方向が前記マイナーループ
の前記インサイドトラツクに沿つた長手方向と略
直角である回転磁界と、 該スタート・ストツプ方向と平行及び直角以外
の位相のホールド磁界が印加され、 前記回転磁界のスタート・ストツプ時に前記カ
スプにバブルが止まるようにしたことを特徴とす
る磁気バブルメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157071A JPS6050691A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157071A JPS6050691A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050691A JPS6050691A (ja) | 1985-03-20 |
| JPS623513B2 true JPS623513B2 (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=15641595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157071A Granted JPS6050691A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050691A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0444563Y2 (ja) * | 1989-06-29 | 1992-10-21 | ||
| JPH057202Y2 (ja) * | 1989-11-17 | 1993-02-24 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2554796B2 (ja) * | 1991-06-21 | 1996-11-13 | 日立造船株式会社 | ワーク搬送装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368932A (en) * | 1976-12-02 | 1978-06-19 | Fujitsu Ltd | Bias magnetic field generator for bubble device |
| JPS5427328A (en) * | 1977-08-03 | 1979-03-01 | Hitachi Ltd | Bubble memory device |
| JPS5461842A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-18 | Fujitsu Ltd | Bias magnetic circuit device of magnetic bubble device |
| JPS5555494A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Nec Corp | Memory module for magnetic bubble |
| JPS5587371A (en) * | 1978-12-25 | 1980-07-02 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble memory device |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58157071A patent/JPS6050691A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368932A (en) * | 1976-12-02 | 1978-06-19 | Fujitsu Ltd | Bias magnetic field generator for bubble device |
| JPS5427328A (en) * | 1977-08-03 | 1979-03-01 | Hitachi Ltd | Bubble memory device |
| JPS5461842A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-18 | Fujitsu Ltd | Bias magnetic circuit device of magnetic bubble device |
| JPS5555494A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Nec Corp | Memory module for magnetic bubble |
| JPS5587371A (en) * | 1978-12-25 | 1980-07-02 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble memory device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0444563Y2 (ja) * | 1989-06-29 | 1992-10-21 | ||
| JPH057202Y2 (ja) * | 1989-11-17 | 1993-02-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6050691A (ja) | 1985-03-20 |
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